「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(470ページ目) - Weblio英語例文検索

An ink channel part 12 provided with an ink ejection opening 20 and a second ink chamber 64, and a substrate section 14 provided with a heating resistor element 24, an ink supply opening 44 and a first ink chamber 62 are fabricated independently on a dummy substrate 50 through a resist layer 52.例文帳に追加

ダミー基板５０上にレジスト層５２を介して、インク吐出口２０と第２インク室６４とが形成されたインク流路部１２と、発熱抵抗素子２４とインク供給口４４と第１インク室６２とが形成された基板部１４とを各々別々に製造する。 - 特許庁

An antenna device 2 is provided in a wrist watch 1 which can receive a positioning signal from a GPS satellite, and has a patch metal plate 2a (first electrode), a moving electrode part 2c (second electrode) and a dielectric layer 2b arranged between the patch metal plate 2a and the moving electrode part 2c.例文帳に追加

アンテナ装置２は、ＧＰＳ衛星からの測位用信号を受信可能な腕時計１に備えられていて、パッチ金属板２ａ（第１電極）と、ムーブ電極部２ｃ（第２電極）と、パッチ金属板２ａとムーブ電極部２ｃとの間に配置された誘電体層２ｂと、を有している。 - 特許庁

The light source 113 is adhered to be tightly in contact with the first and second transparent substrates 103, 107, and the light source 113 is disposed on one side facing slopes of a light controlling layer 102.例文帳に追加

視認側透明基板に凸凹を形成した液晶セルの両側に偏光層を設け、さらに対向面に反射層を有し、液晶セルの一辺の側面に光源を配置し、光源の発光は液晶セルに入射し、液晶セルの凸凹で反射層側に反射することを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

The scanning side driving circuit section of the active matrix substrate 2 is provided with the first circuit forming region existing on the outer peripheral side of the substrate, the second circuit forming region existing between the region and a pixel section 11, and a wiring layer forming region existing between the circuit forming regions.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１において、走査線駆動回路部は、基板外周側に位置する第１の回路形成領域と、この領域と画素部１１との間に位置する第２の回路形成領域と、これらの回路形成領域との間に位置する配線層形成領域とを備える。 - 特許庁

A bump electrode 30 made of metal body with a low fusing point for jointing a first component 10 and a second component 20; and a protective layer 40 formed on at least the side face of the bump electrode 30 for preventing transmission of substance which degrades the behavior of the bump electrode.例文帳に追加

低融点の金属単体によって形成され、第１の部品１０と第２の部品２０とを接合するバンプ電極３０と、バンプ電極３０の少なくとも側面に形成され、バンプ電極の特性を劣化させる物質の透過を防止する保護層４０とを有する。 - 特許庁

A clearance hole with a diameter D is formed in the first electrode, a via hole having a diameter d smaller than the diameter D is concentrically formed in a region of the dielectric layer exposed as a result of the formation of the clearance hole, and a clearance defined by (D-d)/2 is ≥25 μm.例文帳に追加

第一の電極に直径Ｄのクリアランスホールが形成され、かつクリアランスホールの形成により露出した誘電体層の領域内に直径Ｄよりも小さい直径ｄを有するビアホールが同心円状に形成されており、（Ｄ−ｄ）／２で規定されるクリアランスが２５μｍ以上である。 - 特許庁

A light shielding section is formed by applying coloring resists with a plurality of colors to a substrate for forming a light shielding section for a plurality of times in superposing, and making coloring pigments of the coloring resists applied at least on and after the second application be adsorbed to a coloring resist layer formed with the first application of the coloring resist.例文帳に追加

遮光部形成基板上に複数色の着色レジストを複数回重ねて塗布し、１回目の着色レジストの塗布により形成された着色レジスト層に、少なくとも２回目以降に塗布された着色レジストの着色顔料を吸着させて遮光部を形成する。 - 特許庁

By calibrating the correction coefficient, the correction coefficient supposed to be proper is obtained according to a layer position where actual recording is performed, a drive device (optical system), and a difference of disks, so that the shift of an information recording position with the first light can be corrected precisely.例文帳に追加

このような補正係数についてのキャリブレーションを行うことで、実際に記録を行う層位置やドライブ装置（光学系）、ディスクの違いに応じて適正とされる補正係数を求めることができ、第１の光による情報記録位置のずれをより高精度に補正できる。 - 特許庁

On a first dielectric substrate 2, a signal conductor pattern 21, and belt-like surface ground conductor patterns 22a, 22b are formed on the surface, and a cavity 5 is formed by eliminating an interval to the rear surface leaving the surface side layer right under a partial area of the signal conductor pattern 21.例文帳に追加

第１の誘電体基板２は、表面に信号導体パターン２１と帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂとが形成され、信号導体パターン２１の一部領域の直下に、表面側層を残して裏面までの間を削除して空洞５が形成されている。 - 特許庁

In both surfaces of the solid polymer electrolyte membrane 80 of the first electrolyte membrane and electrode structure 16a, an outer peripheral edge part 80b opposite to an inlet buffer part 52 is exposed outside, and a reinforcing film 86 smaller in thickness than a gas diffusion layer 84a is provided only in the outer peripheral edge part 80b.例文帳に追加

第１電解質膜・電極構造体１６ａの固体高分子電解質膜８０の両面では、入口バッファ部５２に対向する外周縁部８０ｂが外部に露呈し、前記外周縁部８０ｂにのみ、ガス拡散層８４ａよりも薄膜な補強フイルム８６が設けられる。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

Among the incident light, the light reflecting on an upper surface of a gate electrode 504 of the transfer MOS transistor, is reflected on a first layer metal 521 right above a poly silicon, and a plurality times of reflection are repeated before coming into the floating diffusion part, thereby, the light reduces sufficiently, and a false signal becomes very small.例文帳に追加

入射光のうち、転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極５０４上面で反射した光は、ポリシリコン直上の第一層メタル５２１で反射されるので、フローティングディフュージョン部に入射する前に複数回の反射を繰り返すので、充分に減衰し、偽信号はきわめて小さくなる。 - 特許庁

Second low electrical potential wiring conductors 39 arranged mutually separated along the arranged direction of the heating parts 11 are connected in common to one first low electrical potential wiring conductor 33 by a plurality of conductive connectors 43 piercing an electrically insulating layer 23.例文帳に追加

発熱部１１の配列方向に沿って互いに離間して配列された複数の第２層低電位配線導体３９が、電気絶縁層２３を貫通する複数の導電接続体４３によって１つの第１層低電位配線導体３３に共通して接続されている。 - 特許庁

Thus, as the first gold-plated layer 13 with a given film thickness is formed at a part where electric conduction with the female terminal fitting F is necessary, durability unchanged from the prior art is maintained, and, as film thicknesses of gold-plated layers of other sites are lowered, a use volume of gold can be reduced.例文帳に追加

このように、雌端子金具Ｆとの電気的導通に必要な部分は所定の膜厚をもった第１の金メッキ層１３を形成することで、従来と変わらぬ耐久性を保持し、他の部位の金メッキ層の膜厚を低下させることで、金の使用量を低減させうる。 - 特許庁

In the fixing member 62, a surface layer 2 is composed of, for example: a first band section 4 (heat resistance resin section 4) composed of a resin composition containing a heat resistant resin having releasability; and a second band section 6 (reinforcing section 6) having a higher mechanical strength than the resin composition.例文帳に追加

定着部材６２において、例えば、離型性を持つ耐熱性樹脂を含む樹脂組成物で構成された第１の帯状部分４（耐熱性樹脂部４）と、樹脂組成物よりも機械的強度が高い第２の帯状部分６（補強部６）とで、表面層２を構成する。 - 特許庁

A first current collecting part 103 of a current collector 102 is composed of a plane part 105 of the current collector 102, a side 105a of the current collector, and an outside electrode layer 92 of a cell unit 16 of the fuel cell, and includes a space 107 in which a conductive adhesive is arranged.例文帳に追加

本発明では、集電体１０２の第１の集電部１０３は、集電体１０２の平面部１０５と、集電体の側面部１０５ａと、燃料電池セルユニット１６の外側電極層９２とで形成され、導電性接着剤が配置される空間部１０７を備えられている。 - 特許庁

The seal material is provided so as to pile on a recessed part (200) formed so as to surround a region in which the electro-optical layer is provided at a plane facing the second substrate in the first substrate, and the recessed part is formed by at least non-organic insulating film being removed partially.例文帳に追加

シール材は、第１基板における第２基板と対向する面に電気光学層が設けられた領域を囲むように形成された凹部（２００）に重なるように設けられており、凹部は、少なくとも無機絶縁膜が部分的に除去されることにより形成されている。 - 特許庁

The thin film transistor (30) has on a substrate (10) a semiconductor layer (1a) having a source region (1s), a channel region (1c), a drain region (1d), a first LDD region (1sc), and a second LDD region (1cd), and a gate electrode (2a) arranged so as to face the channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（３０）は、基板（１０）上に、ソース領域（１ｓ）、チャネル領域（１ｃ）、ドレイン領域（１ｄ）、第１ＬＤＤ領域（１ｓｃ）及び第２ＬＤＤ領域（１ｃｄ）を有する半導体層（１ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（２ａ）とを備える。 - 特許庁

A channel region 108 of the MOS transistor 106 is provided with a distortion introduction element by a first trench structure 55a and a second trench structure 55b, and also with a silicon-nitride cap layer 130 conformally provided on a surface of the MOS transistor 106 as another distortion introduction element.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０６のチャネル領域１０８に、第１トレンチ構造５５ａ、第２トレンチ構造５５ｂによる歪み導入要素だけでなく、別の歪み導入要素として、ＭＯＳトランジスタ１０６表面上にコンフォーマルに設けられた窒化シリコンキャップ層１３０を設ける。 - 特許庁

The front plate for display includes a glass substrate having a first surface and a second surface and a ceramic layer formed on at least a part of a marginal area of the second surface, wherein stress strain unevenness within the surface is significantly suppressed.例文帳に追加

第１の表面および第２の表面を有するガラス基板と、前記第２の表面の周縁部の少なくとも一部に設置されたセラミック層とを有するディスプレイ用の前面板であって、面内の応力ひずみムラが有意に抑制されていることを特徴とするディスプレイ用の前面板。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor device that is prevented from decreasing in breakdown voltage by preventing variance in impurity concentration due to impurity concentration variation or overdoping when a lightly doped first conductivity type epitaxial layer of a peripheral edge breakdown-voltage structure portion is formed.例文帳に追加

周縁耐圧構造部における低濃度第１導電型エピタキシャル層の形成の際の不純物濃度変動またはオートドープによる不純物濃度ばらつきを防ぎ、耐圧の低下を防ぐことのできる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The plurality of relay connection bodies 51 are arranged between the first base body 11 and the second base body 21, in contact with the plurality of current-collecting electrodes 41 and a translucent conductive layer 14, so as to electrically connect the both 41, 14.例文帳に追加

複数の中継接続体５１は、第１基体１１及び第２基体２１間に配置され、複数の集電電極４１及び透光性導電層１４に対して接触することで、複数の集電電極４１と透光性導電層１４とを導通させる。 - 特許庁

The downwardly convex inner lenses 37b and 37c are formed by performing isotropic etching on a BPSG film, which is a source of a first flattening layer 33, to thereby form concave portions, which are hemispherically concave, in the BPSG film and forming an SiN film on the BPSG film to thereby fill in each concave portion with SiN.例文帳に追加

第１平坦化層３３の基となるＢＰＳＧ膜に対して等方性のエッチングを行うことにより、半球状に凹んだ凹部をＢＰＳＧ膜に形成し、この上にＳｉＮ膜を製膜してＳｉＮで各凹部を埋めることにより、下凸型インナーレンズ３７ｂ、３７ｃを形成する。 - 特許庁

A plurality of holograms are recorded on a hologram recording layer formed on the substrate on which the plurality of light emitting elements are arranged one-dimensionally or two-dimensionally by making a first lightwave and a second lightwave interfere with each other so that the condensing points are arranged in a predetermined arrangement direction at a fixed interval.例文帳に追加

複数の発光素子が一次元状又は二次元状に配列された基板上に形成されたホログラム記録層に、集光点が予め定めた配列方向に一定間隔で並ぶように第１の光波と第２の光波を干渉させて複数のホログラムを記録する。 - 特許庁

A variable resistance layer 63 is composed of a mixture including a first compound 631 including carbon C and at least any element of one kind or more selected from an element group A, and at least any second compound 632 of one kind or more selected from a compound group G2.例文帳に追加

可変抵抗層６３は、炭素Ｃ、及び元素群Ａから選ばれる少なくともいずれか１種類以上の元素を含む第１化合物６３１と、化合物群Ｇ２から選ばれる少なくともいずれか１種類以上の第２化合物６３２とを含む混合体にて構成されている。 - 特許庁

According to the method of manufacturing a silicon wafer, since the n-type first epitaxial film 12 formed under the second epitaxial film 13 in which the device is formed functions as a barrier layer, heavy metal introduced from the reverse-surface side of the silicon wafer in the device post-process never reaches a device region.例文帳に追加

本発明によれば、デバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３の下部に形成されるｎ型の第１のエピタキシャル膜１２がバリア層として機能することから、デバイス後工程でシリコンウェーハの裏面側から導入される重金属がデバイス領域に到達することがない。 - 特許庁

The ion implantation for forming the first impurity area 22 softens a stress caused from a mismatch between a lattice constant of the compound layer 24 and that of the semiconductor substrate 3, and is carried out in a condition that an atom does not form a cluster between lattices developed in the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

第１の不純物領域２２を形成するイオン注入は、化合物層２４の格子定数と半導体基板３の格子定数との不整合による応力を緩和するとともに、半導体基板内３に発生する格子間原子がクラスタを形成することのない条件で行われる。 - 特許庁

The holographic recording and reproducing device which records and reproduces information on the holographic recording medium 1 equipped with a holographic recording layer which records information by holography using incident recording light, has a first light generation part, a second light generation part, a third light generation part and a rotation part.例文帳に追加

入射される記録光を用いてホログラフィにより情報を記録するホログラフィック記録層を備えるホログラフィック記録媒体１に情報を記録し、再生するホログラフィック記録再生装置は、第１の光発生部と第２の光発生部と第３の光発生部と回転部を備える。 - 特許庁

An organic EL element 10 has a dielectric lamination film 20 formed by alternately laminating each n-pieces of silicon oxide layers functioning as first dielectric 21 and second dielectric 22 between an anode layer and a substrate, and the dielectric lamination film functions as an optical resonator 30.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０は、陽極層１２と基板１１との間に、第１の誘電体２１としてのシリコン窒化膜と第２の誘電体２２としてのシリコン酸化膜がｎ層ずつ交互に積層された誘電体積層膜２０が形成され、誘電体積層膜２０が光共振器３０として機能する。 - 特許庁

Gate leak current can be decreased by tunnel magnetic resistance effect, because the magnetization direction of the ferromagnetic layer 6 in the gate electrode is fixed in substantially the reverse direction to each of the magnetization directions of the first ferromagnetic electrode 3 and the second ferromagnetic electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極の強磁性体層６の磁化方向が、第１強磁性体電極３及び第２強磁性体電極４のそれぞれの磁化方向と実質的に反対の方向に固定されているので、トンネル磁気抵抗効果によりゲート・リーク電流を低減化することができる。 - 特許庁

This invention relates to a conductive adhesive tape comprising a web of polyester film having a first surface and a second surface, a conductive metal film which is directly coated on the second surface of the polyester film and a layer of conductive adhesive which is applied onto the conductive metal film.例文帳に追加

本発明は、第１表面および第２表面を有するポリエステルフィルムのウェブ；該ポリエステルフィルムの第２表面に直接被覆された導電性金属フィルム；および該導電性金属フィルム上に適用された導電性接着剤の層；を含む導電性接着テープに関する。 - 特許庁

By adjusting respectively the thickness of the first material layer of the light-emitting element which differs for every emission colors, the blue emission component, green emission component, or red emission component in the white emission component can be extracted selectively emphatically by an interference phenomenon of light.例文帳に追加

発光色毎に異なる発光素子の第１の材料層の膜厚をそれぞれ調節することで、光の干渉現象によって白色発光成分中の青色発光成分、緑色発光成分、或いは赤色発光成分を選択的に強調して取り出すことができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for welding wire of chromium stainless steel which gives high adhesion of a copper plate layer and hardly exfoliates at a wire drawing in finishing, by means of improving a manufacturing method which carries out nickel plating at first and conducts a copper plating thereover.例文帳に追加

クロム系ステンレス鋼の溶接ワイヤであって、まずニッケルメッキを行ない、その上に銅メッキを施したものを製造する方法を改良し、銅メッキ層の密着性が高く、仕上げの伸線によっても剥離することの少ないものを製造できる方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device comprising a light-emitting layer, configured to emit a light of first wavelength, disposed in between an n-type region and a p-type region is combined with a cerium-doped garnet phosphor, having a wider excitation spectrum than conventional cerium-doped garnet phosphors.例文帳に追加

ｎ型領域とｐ型領域の間に配置されて第１の波長の光を放射するように構成された発光層を含む半導体発光装置は、従来のセリウムドープガーネット燐光体よりも広い励起スペクトルを有するセリウムドープガーネット燐光体と組み合される。 - 特許庁

When the recording layer 18 is irradiated with a laser beam of a blue wavelength, the main component metals contained in the first and second subrecording layers 18A, 18B are diffused by irradiation to be mixed and, by this mixing, a recording mark of an irreversibly changed reflectance is formed.例文帳に追加

青色の波長のレーザ光を記録層１８に対して照射すると、第１及び第２副記録層１８Ａ、１８Ｂに含まれる主成分金属が照射により拡散して混合され、この混合によって反射率が不可逆的に変化した記録マークが形成される。 - 特許庁

An n-type gallium nitride based semiconductor layer 19 of a Schottky barrier diode includes a substrate 11 having a principal surface 11a and a first semiconductor region 19a of a forward mesa shape having a side surface 19d and a top surface 19c and provided on the principal surface 11a of the substrate 11.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードのｎ^−型窒化ガリウム系半導体層１９は、主面１１ａを有する基板１１と、側面１９ｄと上面１９ｃを有しており順メサ形状の第１の半導体領域１９ａを含み基板１１の主面１１ａ上に設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor device, at the periphery of a solder bump 5 for connecting an electrode pad 4 of a semiconductor chip 3 to a wiring pad 2 of a wiring board 1, a first resin layer 6 is formed and has a fillet between the solder bump 1 and the wiring board 1.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、半導体チップ３の電極パッド４と配線基板１の配線パッド２とを接続するはんだバンプ５の外周に、第１の樹脂層６が形成され、この第１の樹脂層６がはんだバンプ１と配線基板１との間にフィレットを有している。 - 特許庁

At least one of first and second electrodes having a liquid crystal layer interposed therebetween has a plurality of aperture parts regularly disposed in the pixel area, and its sub pixel area is defined by a sub electrode area having aperture parts at at least one of the corners and sides of a polygon.例文帳に追加

液晶層を挟持する第１電極および第２電極の少なくとも一方は、絵素領域内に、規則的に配置された複数の開口部を有し、サブ絵素領域は、多角形の角および辺の少なくとも一方に開口部を有するサブ電極領域で規定される。 - 特許庁

An optoelectronic device includes a passivation layer of a dielectric material having a graded composition that varies with depth, whether continuous or stepwise, to provide a first index of refraction proximate to a semiconductor or conductor material and provide a second index of refraction adjacent to a surrounding material, such as an encapsulant.例文帳に追加

光電子デバイスは、深さと共に連続的または段階的に変化し、半導体または導体材料に近い第１の屈折率を備えるとともに、封入剤などの周囲材料に隣接する第２の屈折率を備える、傾斜組成を有する誘電体材料のパッシベーション層を含む。 - 特許庁

The decorative plate for the wireless apparatus has metallic luster and a resin sheet lamination construction, and includes: a first resin sheet A where gradation 1b is given by printing; and a second resin sheet B where a metal layer 2a of sea island structure is disposed.例文帳に追加

金属光沢を有し、かつ樹脂シートの積層構成である無線機器用化粧板において、印刷による階調１ｂを付与した第１の樹脂シートＡと海島構造の金属層２ａを配設した第２の樹脂シートＢを構成に含むことを特徴とする無線機器用化粧板である。 - 特許庁

A carcass ply is manufactured by disposing a strip-like part having thread-like elements of longitudinal direction associated in a layer of elastomer material of first and second series strip-like sections 13, 14 cut in a predetermined size.例文帳に追加

所要寸法に切断された第一及び第二の系統のストリップ状部分１３、１４であって、各々がエラストマー的材料の層内に組み込まれた長手方向の糸状要素１５を備える、上記ストリップ状部分を円環状の支持体の上に配置することにより、カーカスプライの製造が為される。 - 特許庁

The manufacturing method for the optical integrated circuit further includes a step of applying second photoresist on the optical waveguide layer and the first mask, removing the second photoresist from a position corresponding to the end face to the position corresponding to the upper end of the slant face and forming a second mask.例文帳に追加

光集積回路の製造方法はさらに、光導波路層及び第１のマスク上に第２のフォトレジストを塗布し、端面に対応する位置から斜面の上端に対応する位置までの第２のフォトレジストを除去して第２のマスクを形成するステップを含んでいる。 - 特許庁

A logic gate cell includes a special terminal structure and then when logic gate cells are arranged at specified near positions, a wiring connection is made using only first and second metal wiring layers to increase wiring re sources of an upper layer, thereby reducing the layout area.例文帳に追加

論理ゲートセルの端子構造を特別なものとし、論理ゲートセル同士を特定の近接位置に配置したときに、第一および第二の金属配線層のみで配線接続を完結することにより、上層の配線資源を増加させることでレイアウト面積を削減する。 - 特許庁

In a first layer forming process (1) for epitaxially growing silicon on a single crystal silicon substrate 1, silicon is grown epitaxially while adding oxygen to such an extent as the single crystallinity of silicon is not collapsed by growing silicon epitaxially on the single crystal silicon substrate 1 in oxygen atmosphere.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコンをエピタキシャル成長させる第１層形成工程 において、単結晶シリコン基板１上に酸素雰囲気中でシリコンをエピタキシャル成長させることにより、シリコンの単結晶性を崩さない程度の酸素を含有させつつシリコンをエピタキシャル成長させる。 - 特許庁