「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(467ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the photovoltaic device comprises the steps of sequentially laminating a first transparent conductive film 2a, a metal thin film 2b and a second transparent conductive film 2c on an insulating substrate 1 having a transparency to form a rear surface electrode 2, and further laminating a semiconductor layer 3 on the rear surface electrode 2.例文帳に追加

透光性を有する絶縁性基板１に第１透光性導電膜２ａ、金属薄膜２ｂ、第２透光性導電膜２ｃを順次積層して裏面電極２を形成し、さらに裏面電極２上に半導体層３を積層する。 - 特許庁

An input panel 6 is constituted so that a first sensor substrate 4a and a second sensor substrate 4b electrically connected to each other are arranged oppositely across an electrical field shielding layer 5, wherein liquid crystal panels 1 and 2 are laminated and arranged respectively at the outer face sides of the both sensors substrates 4a and 4b.例文帳に追加

互いに電気的に接続された第１センサ基板４ａと第２センサ基板４ｂとを、電界遮蔽層５を挟んで対向配置して入力パネル６とし、前記両センサ基板４ａ、４ｂの外面側にそれぞれ液晶パネル１，２を積層配置する。 - 特許庁

The herb powder making-in layers 14b are formed by incorporating the first herb powder 1 which is formed by heating and drying the original forms of the herbs, then pulverizing the same to a powdery or fine piece form into the surface layer segment of planar paper layers 14a formed by paper making.例文帳に追加

このハーブ粉漉き込み層１４ｂは、紙漉きにより形成される紙層１４ａの表層部分に、ハーブの原形を加熱乾燥後、粉状又は細片状に粉砕された第一ハーブ粉１を漉き込む形で混入することにより形成される。 - 特許庁

In the formation of first and second metal cap films MC1, MC2, a hydrogen radial is supplied to the surface of a substrate S, surface treatment, namely the etching of particulates and terminal treatment to unbonded hands are executed, and the further reduction treatment of an oxide layer is executed.例文帳に追加

第１メタルキャップ膜ＭＣ１と第２メタルキャップ膜ＭＣ２とが成膜される際に、まず基板Ｓの表面に水素ラジカルが供給されて、表面処理である微粒子のエッチング処理や未結合手への末端処理、さらには酸化層の還元処理が実行される。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a semiconductor substrate (1), a porous insulating film (2) formed on the semiconductor substrate and constituted of first insulating materials whose relative dielectric constant is 2.5 or less, and at least either (6) a plug or a wiring layer buried in the porous insulating film.例文帳に追加

半導体基板（１）と、前記半導体基板上に形成された比誘電率２．５以下の第１の絶縁材からなるポーラス絶縁膜（２）と、前記ポーラス絶縁膜に埋め込まれたプラグおよび配線層の少なくとも一方（６）とを具備する半導体装置である。 - 特許庁

A three-layer structure, where a plurality of functional parts 10 are held between the first glass board 33 and the second glass board 35 and a bank part 32 is made to surround an all-electronic-component-formed-area where the functional parts 10 are made and whose inside is sealed, is made.例文帳に追加

複数の機能部１０を第１ガラス基板３３と第２ガラス基板３５の間に保持すると共に機能部１０が形成された全部の電子部品形成領域を囲んで堰堤部３２を形成して内部を封止した三層構造体とする。 - 特許庁

Meanwhile, a part 23a of the floor face 23 is elevated in accordance with the change of the first building external wall Xa side to the higher ceiling level L1, at a corner of the hall 22 of the second floor layer to form a storage space 32 of which the ceiling 24 height L2 is lowered.例文帳に追加

一方、２階の階層のホールの一角に、第１建物外壁側が高い天井高に変更されるのに伴い床面23の一部23a を高所に変更させて天井24までの高さを低い天井高L2に変更した収納空間32を形成する。 - 特許庁

When the n-side electrode is provided on the n-type conductive substrate, first of all, the n-type conductive substrate is irradiated with plasma in an atmosphere of a chlorine-based compound gas containing Si to form an ion irradiation layer on the n-type conductive substrate (an irradiation step, a step S52).例文帳に追加

ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。 - 特許庁

A light absorption layer 6 having a first light passage opening 6a through which the light L1 traveling to the spectroscopic portion 3 passes and a second light passage opening 6b through which the light L2 traveling to the light detection portion 41 passes is formed on the front surface 2a.例文帳に追加

前面２ａには、分光部３に進行する光Ｌ１が通過する第１の光通過開口６ａ、及び光検出部４１に進行する光Ｌ２が通過する第２の光通過開口６ｂを有する光吸収層６が形成されている。 - 特許庁

Liquid crystal molecules 30a of the liquid crystal layer 30 inside an alignment controlling region T1 in which the first, the second and the third regions are arrayed in this order along a desired direction vary the alignment directions so as to incline to a single direction under voltage application.例文帳に追加

第１、第２および第３領域は所望の方向に沿ってこの順に配列された配向規制領域Ｔ１内の液晶層３０の液晶分子３０ａは、電圧印加時に単一の方向に傾斜するように配向方向を変化する。 - 特許庁

At least one part of an end surface 710 of the light-emitting part 71 in a second direction, crossing at almost right angles with a first direction along a central axis of a light flux which transmits the reflection-type polarized light layer 715 is covered by a reflecting part 72, which reflects an incident light flux.例文帳に追加

そして、反射型偏光層７１５を透過する光束の中心軸に沿った第１方向に対して略直交する第２方向の発光部７１の端面７１０のうち、少なくとも一部を、入射光束を反射する反射部７２で覆った。 - 特許庁

Alternatively, a side area is extracted as the first parameter and it is determined whether a wiring layer matches the condition that the area of the dense part where patterns approach one another is equal to or more than a given area, or the like, and if the result of the determination matches it, the evaluation is made.例文帳に追加

あるいは、第１パラメータとして側面積を抽出し、パターン同士が近接している密集部の面積が所定以上あるかなどの条件に配線層が適合しているかを判定し、判定の結果が適合の場合に上記評価を行う。 - 特許庁

This method for polishing a substrate comprises the steps of first polishing a copper or a copper alloy having a polishing liquid having a pH of 3 or less and a concentration of an oxidizer of a conductor of 1.5 to 10 wt.%, and second polishing a barrier layer with the liquid of the concentration of the oxidizer regulated to 0.01 to 3 wt.%.例文帳に追加

研磨液のｐＨが３以下であり、導体の酸化剤の濃度を第１工程の銅または銅合金の研磨では１．５〜１０重量％、第２工程のバリア層の研磨では０．０１〜３重量％に調整する基板の研磨方法を用いる。 - 特許庁

A pixel includes a 4-divided domain D where first, second, third, and fourth domains (D1 to D4) different by orientation directions of liquid crystal molecules 30a placed in the vicinity of the center in the thickness direction of a liquid crystal layer are arranged, in this order in a certain direction.例文帳に追加

絵素は、液晶層の厚さ方向の中央付近に位置する液晶分子３０ａの配向方向が互いに異なる第１、第２、第３および第４ドメイン（Ｄ１〜Ｄ４）がある方向に沿ってこの順に配列された４分割ドメインＤを含む。 - 特許庁

A SiCN film 5, and a SiOC film 6, a PAE film 8, and an SiOC film 8 are formed in this order on a substrate of which the surface layer is an interlayer insulation film 2 embedded with first Cu wiring 4, so as to form interlayer insulation films.例文帳に追加

第１Ｃｕ配線４が埋め込み形成された層間絶縁膜２を基板の表面層とし、当該基板上にＳｉＣＮ膜５、ＳｉＯＣ膜６、ＰＡＥ膜８、およびＳｉＯＣ膜８をこの順に成膜してなる層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a gas sensor element, ceramic slurry which is constituted by containing ceramic particles in water is applied to the gas detection tip of the gas sensor element as a ceramic application step, and the ceramic slurry is dried to form a ceramic layer as a first drying step.例文帳に追加

ガスセンサ素子の製造方法にいては、セラミックス塗布工程として、ガスセンサ素子のガス検知先端部に、セラミックス粒子を水に含有させてなるセラミックススラリーを塗布し、第１乾燥工程として、セラミックススラリーを乾燥させてセラミックス層を形成する。 - 特許庁

When an optical disk having three recording layers is a target, the laser beam is converged on the middle second recording layer in the parallel driving state of the liquid crystal lens, and on the first and second recording layers in the convergence/diffusion driving state.例文帳に追加

記録層を３層有する光ディスクを対象とする場合、レーザ光は、液晶レンズが平行駆動状態にあるときに真中の第２の記録層に収束され、収束／拡散駆動状態時には、それぞれ第１および第２の記録層に収束される。 - 特許庁

In a surface layer in a fourth n region 5 as a first n region 2 as a drain drift region, a low-ON resistance region of high density connected a second n region 3 as a source region and a third n region 4 as a drain region is formed thin and long.例文帳に追加

ドレインドリフト領域である第１ｎ領域２の表面層に、ソース領域である第２ｎ領域３と、ドレイン領域である第３ｎ領域４とに接続する高濃度の低オン抵抗領域である第４ｎ領域５を細長形状に形成する。 - 特許庁

A body region 4 is provided on a part of the drift layer 3, has a channel 41 switched by a gate electrode 93, and has an impurity concentration N_1b of the first conductivity type and an impurity concentration N_2b of a second conductivity type larger than the impurity concentration N_1b.例文帳に追加

ボディ領域４は、ドリフト層３の一部の上に設けられ、ゲート電極９３によってスイッチングされるチャネル４１を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ_1bと、不純物濃度Ｎ_1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ_2bとを有する。 - 特許庁

The bit conductive layer 80 connects the first impurity regions 24 of the nonvolatile memory 100 arranged in i row [j+1] column electrically with the second impurity regions 34 of the nonvolatile memory 100 arranged in [i+1] row [j+1] column.例文帳に追加

ビット導電層８０は、ｉ行［ｊ＋１］列に配置された不揮発性記憶装置１００の第１不純物領域２４と、［ｉ＋１］行［ｊ＋１］列に配置された不揮発性記憶装置１００の第２不純物領域３４とを電気的に接続する。 - 特許庁

In a second layer 50b, a reference potential part 50e disposed facing the first signal line 50c and electrically connected to the reference potential and a second signal line 50g electrically separately disposed across the reference potential part 50e are formed.例文帳に追加

第２の層５０ｂは、第１の信号線５０ｃに対向して配設されると共に、基準電位に電気的に接続された基準電位部５０ｅと、基準電位部５０ｅを挟んで電気的に離れて配置される第２の信号線５０ｇと、が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor layer is grown by selective epitaxial growth on a surface of a substrate 10 appearing on only an opening part T of a part in which an opening part T1 due to the first etching and an opening part T2 due to the second etching intersect, and finally a semiconductor device surface is flattened.例文帳に追加

第１のエッチングによる開口部T１と第２のエッチングによる開口部T２が交差する部分の開口部Tにのみ現れる基板10の表面に、選択エピタキシャル成長により半導体層を成長させ、最後に半導体装置表面を平坦化する。 - 特許庁

The laminated body 17 is equipped with a positive electrode wiring section 19c electrically connected with the first electrode 19b, a negative electrode wiring section 19a electrically connected with the second electrode 23 and an electrically conductive contact layer 22 connecting the negative electrode wiring section 19c and the second electrode 23.例文帳に追加

積層体１７は、第一電極１９ｂに導通する陽極配線部１９ｃと、第二電極２３に導通する陰極配線部１９ａと、陰極配線部１９ｃと第二電極２３を接続させる導電性コンタクト層２２を有する。 - 特許庁

An active region 2 is formed in a surface layer of a first principal plane 101 of a semiconductor substrate 100, and trenches 3 are formed in a rear face 102 which is a second principal plane, to turn the rear face 102 uneven (concave where trenches are formed and convex where trenches are not formed).例文帳に追加

半導体基板１００の第１主面１０１の表面層に活性領域２を形成し、第２主面の裏面１０２にトレンチ溝３を形成し、裏面１０２を凹凸（トレンチ溝が形成された箇所が凹、形成されない箇所が凸）にする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor comprises the steps of the forming an n+ type epitaxial layer 2a first on a substrate, forming a SiO_2 film on the substrate and opening a capacitor dielectric film region and an upper electrode contact region by means of photo lithography and etching.例文帳に追加

このキャパシタの製法は、まずＳｉ基板１上にｎ型エピタキシァル層２ａを形成し、次に基板１の表面にＳｉＯ_２膜を形成し、フォトリソ工程とエツチ工程により、キャパシタ誘電体膜領域と上側電極コンタクト領域を開口する。 - 特許庁

A light emitting part 20 includes a light emitting layer 26 which emits irradiation light IL, a first electrode 22 which transmits the irradiation light IL and reflected light RL, and second and third electrodes 24 which shield the irradiation light IL and the reflected light RL and are provided away from each other.例文帳に追加

発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。 - 特許庁

A display area A1 where a plurality of pixels 10P are arranged and a non-display area A2 surrounding the display area A1 are arranged in a liquid crystal display device, in which a liquid crystal layer LC 1 is sandwiched between a first transparent substrate 10 and a second transparent substrate 20.例文帳に追加

第１の透明基板１０と第２の透明基板２０に液晶層ＬＣ１が挟まれた液晶表示装置において、複数の画素１０Ｐが配置された表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を囲む非表示領域Ａ２が配置されている。 - 特許庁

In a step before mounting a first Y driver IC14 after attaching the resin layer 24 for adhesion to the electrode 22, the ACF 23 having the nonadhesive film is kept in a condition scarcely causing adhesion of impurities such as dust by the nonadhesive film 26 provided on the upper surface.例文帳に追加

接着用樹脂層２４を電極２２に貼り付けた後で第１のＹドライバＩＣ１４を実装する前の段階において、非粘着膜付きＡＣＦ２３は、上面の非粘着膜２６によって、ゴミなどの不純物が付着しずらい状態になっている。 - 特許庁

The cold storage agent pack is prepared by sealing the cold storage agent and a second nonwoven fabric in a water-impermeable bag made of, e.g., polyethylene, polyvinyl chloride, or nylon, the non water-impermeable bag having a double-ply or two-layer structure, and forming a first nonwoven fabric on the outer surfaces of the top and bottom of the water-impermeable bag.例文帳に追加

また、保冷剤パックは保冷剤と第２の不織布をポリエチレン、ポリ塩化ビニール、ナイロンなどの非透水性袋内に密封して形成し、非透水性袋は２枚重ねの２層構造にし、非透水性袋の上下面に第１の不織布を設ける。 - 特許庁

The method includes a step to form a buried oxide layer BOX at the logic circuit part 18 of a substrate, which is not masked by a first mask, by injecting oxygen and a step to apply etching to isolation trenches inside the array part 17 and the logic circuit part 18 by a second mask.例文帳に追加

酸素を注入して、第１のマスクによってマスクされていない基板の論理回路部分１８に埋設酸化物層ＢＯＸを形成するステップと、第２のマスクでアレイ部分１７と論理回路部分１８内の分離トレンチにエッチングを施すステップを含む。 - 特許庁

An upper groove 110 is formed by etching and removing only a third insulation film 108 among a cap layer 104 deposited on a lower interconnection 101, a first insulation film 105, an intermediate stopper film 10, a second insulation film 107 and the third insulation film.例文帳に追加

下層配線１０１上に積層されたキャップ層１０４、第１の絶縁膜１０５、中間ストッパ膜１０６、第２の絶縁膜１０７及び第３の絶縁膜１０８のうち、第３の絶縁膜１０８のみをエッチング除去して上溝１１０を形成する。 - 特許庁

The display includes an insulation substrate, a source electrode 50 and a drain electrode 60 disposed on the insulation substrate and distanced from each other and including a channel area interposed therebetween, a wall exposing portions of the source electrode and the drain electrode, and defining an opening area surrounding the channel area, and an organic semiconductor layer covering the channel area, and comprising a first sub layer and a second sub layer having different grain sizes.例文帳に追加

本発明による表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されておりチャンネル領域を介して離隔配置されているソース電極およびドレイン電極と；前記ソース電極および前記ドレイン電極を少なくとも一部分露出させながら、前記チャンネル領域を囲んでいる開口領域を定義する隔壁と、前記チャンネル領域を覆っており、結晶粒の大きさが互いに異なる第１サブ層と第２サブ層を有する有機半導体層と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor probe equipped with a resistive tip formed in the end of a cantilever includes the cantilever doped with first impurities, a resistive tip doped lightly with second impurities, and a doping control layer formed on both sides of the protruding end of the resistive tip, and first and second electrode regions formed under the doping control layer and doped heavily with second impurities.例文帳に追加

カンチレバーの端部に形成された抵抗性チップを備える半導体探針において、第１不純物がドーピングされたカンチレバーと、カンチレバーの端部に突出して形成され、第２不純物が低濃度でドーピングされた抵抗性チップと、抵抗性チップの突出した端部の両側部に形成されたドーピング制御層と、ドーピング制御層の下部に形成され、第２不純物が高濃度でドーピングされた第１電極領域及び第２電極領域と、を備えるドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針である。 - 特許庁

A method of controlling driving of a micro machine device 11 having first and second electrodes 24 and 25 and a dielectric layer 26 between them contains steps of applying a control voltage VC between the first and second electrodes 24 and 25, generating an electrostatic force on the electrodes 24 and 25, causing the first electrode 24 or the second electrode 25 to move, and reversing the polarities of the control voltage VC within a predetermined cycle.例文帳に追加

互いに対向する第１の電極２４と第２の電極２５を有しかつそれらの間に誘電体層２６が形成されてなるマイクロマシンデバイス１１の駆動制御方法であって、第１の電極２４と第２の電極２５との間に制御電圧ＶＣを加えることによって、第１の電極２４と第２の電極２５とに静電力を作用させて第１の電極２４または第２の電極２５を変位させるとともに、制御電圧ＶＣの正負極性を所定の周期以内で反転させる。 - 特許庁

Further, the package for the two-component developer includes a lamination structure in which at least two resin layers are laminated, wherein a first resin layer is made of a resin containing at least polyglycolic acid, and a second resin layer is made of a resin containing at least one selected from polylactic acid, polybutylene succinate and copolymerized polyester of 3-hydroxy butyric acid and 3-hydroxy hexanoic acid.例文帳に追加

また、二成分現像剤用包装体は、少なくとも２つの樹脂層が積層されてなる積層構造を有し、第１の樹脂層が少なくもポリグリコール酸を含有する樹脂よりなり、第２の樹脂層が、ポリ乳酸、ポリブチレンサクシネート、および、３−ヒドロキシ酪酸と３−ヒドロキシヘキサン酸とによる共重合ポリエステルから選ばれる少なくとも１種を含有する樹脂よりなる構成とすることができる。 - 特許庁

This cooling block is fabricated by joining a first aluminum base material and a second aluminum base material in a heating environment containing oxygen with zinc between the base materials, while a concave for forming a coolant channel is machined on either or both of the base materials so that a diffusion bonding layer with zinc diffused in aluminum and an anti-corrosion layer made of zinc oxidized films can be formed simultaneously.例文帳に追加

各々アルミニウムからなり、少なくともそれらの一方に冷却液の流路形成用の凹部が加工されている第１の母材及び第２の母材を、両者の間に亜鉛を介在させた状態で酸素を含む加熱雰囲気下で接合することにより、亜鉛がアルミニウム中に拡散された拡散接合層と亜鉛酸化膜からなる防食層とが同時に形成されることにより冷却ブロックを形成する。 - 特許庁

A thickness of the first dielectric layer (15a) and/or a width of the gap D1 are set smaller than a thickness of the second dielectric layer (15a) and/or a width of the gap D2.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルは、走査電極１２と共通電極Ａとの間の間隙Ｄ１を含む領域を覆う第１の誘電体層（１５ａ）と、走査電極１２と共通電極Ｂとの間の間隙Ｄ２を含む領域を覆う第２の誘電体層（１５ａ）とを有しており、第１の誘電体層の厚さ及び／又は間隙Ｄ１の幅が、第２の誘電体層の厚さ及び／又は間隙Ｄ２の幅よりも小さく設定される。 - 特許庁

The anisotropic conductive film 21 for electrically connecting a first electronic component 11 having a terminal 10 formed thereon to a second electronic component 13 having a terminal 12 formed thereon includes: a conductive particle-containing layer 22 containing a radical hardener, an acrylic resin, an epoxy resin and conductive particles 20; and an insulating adhesive layer 23 containing a cationic hardener, an epoxy resin, an acrylic resin, and a radical hardener.例文帳に追加

端子１０が形成された第１の電子部品１１と、端子１２が形成された第２の電子部品１３とを電気的に接続する異方性導電フィルム２１において、ラジカル系硬化剤と、アクリル樹脂と、エポキシ樹脂と導電性粒子２０とを含有する導電性粒子含有層２２と、カチオン系硬化剤とエポキシ樹脂とアクリル樹脂とラジカル系硬化剤とを含有する絶縁性接着層２３とを有する。 - 特許庁

In this die bond film for sticking, onto a semiconductor element electrically connected to an adherend with a bonding wire, another semiconductor element, at least a first adhesive layer that allows a portion of the bonding wire to pass through the inside thereof by burying the portion upon press-bonding, and a second adhesive layer that prevents the other semiconductor element from contacting the bonding wire are laminated.例文帳に追加

本発明のダイボンドフィルムは、ボンディングワイヤーにより被着体と電気的に接続された半導体素子上に、他の半導体素子を接着させるためのダイボンドフィルムであって、圧着の際に前記ボンディングワイヤーの一部を埋没させて内部に通過させることを可能にする第一接着剤層と、前記他の半導体素子がボンディングワイヤーと接触するのを防止する第二接着剤層とが少なくとも積層されたものである。 - 特許庁

To enable proper recording on a recording layer by self tracking even when a spot displacement is generated by a play in a thread mechanism or disturbance and so on when forming a marking by irradiating a second light beam on a reference plane which has a reflection film having positional guide elements formed for servo control, and then irradiating a first light beam on the recording layer at a depth different from the reference plane.例文帳に追加

位置案内子が形成された反射膜を有する基準面にサーボ制御を行うための第２の光ビームを照射し、上記基準面とは異なる深さ位置に第１の光ビームを照射して記録層にマーク形成を行う場合において、スレッド機構のガタや外乱等によるスポット位置ずれが発生した際にも、上記記録層にてセルフトラッキングによる記録が適正に行われるようにする。 - 特許庁

The light emitting device includes layers of material formed between a first electrode and a layer containing organic compound and between the layer containing organic compound and a second electrode, (the layers of materials having electric current-voltage characteristics that exhibit a substantially point-symmetric profile with respect to zero in a graphical representation with an ordinate and an abscissa representing voltage values and current values, respectively), to have a new structure suitable for AC drive.例文帳に追加

本発明は、第１の電極と有機化合物を含む層との間と、有機化合物を含む層と第２の電極との間の両方に材料層（電流値を横軸にとり、電圧値を縦軸にとったグラフ表示においてゼロを中心としたほぼ点対称な電流−電圧特性を有する材料層）を設けて、交流駆動に適した新規な構造を有する発光素子を特徴としている。 - 特許庁

The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 20 formed by distributingly laminating a plurality of independent laminate portions 21 comprising Ti metal or Ti alloy, and a thermoelectric material layer 30 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加

基板１０と、Ｔｉ金属若しくはＴｉ合金からなる独立積層部２１を複数、相互に分散して積層形成してなる緩衝層２０と、Ｂｉ、Ｓｂの第１群から選ばれる１又は２の元素とＴｅ、Ｓｅの第２群から選ばれる１又は２の元素とを有効成分として含む熱電材料層３０とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁

To provide a touch panel that prevents a reduction in transmittance of a transparent conductive film configuring an input position detection electrode due to a light shielding print layer, even when a flexible wiring board connected to a cover glass is hidden by a light shielding print layer provided on a second surface side opposite to a first surface positioned on an input operation surface side of the cover glass, and to provide a method for manufacturing the touch panel.例文帳に追加

カバーガラスに接続したフレキシブル配線基板をカバーガラスの入力操作面側に位置する第１面とは反対側の第２面側に設けた遮光性印刷層で隠した場合でも、遮光性印刷層が原因で、入力位置検出用電極を構成する透光性導電膜の透過率が低下することを防止することのできるタッチパネルおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The battery pack under one embodiment includes: a bare cell including a cap plate and an electrode terminal positioned in a central region of the cap plate; an insulating layer including a first terminal hole formed in a region corresponding to the electrode terminal, which is located on the cap plate; and a protective circuit module, positioned on the insulating layer, including a protective circuit board containing a second terminal hole formed in the region corresponding to the electrode terminal.例文帳に追加

本発明の一実施例によるバッテリーパックは、キャッププレート及びキャッププレートの中央領域に位置する電極端子を含むベアセル、キャッププレート上に位置して電極端子と対応する領域に形成された第１端子ホールを含む絶縁層、絶縁上に位置して、電極端子と対応する領域に形成された第２端子ホールを含む保護回路基板を含む保護回路モジュールを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing an electronic paper 100 comprising a pair of substrates 10, 20 opposing to each other and a barrier wall layer 31 having barrier walls 30 disposed between the pair of substrates is provided, the method including a step of applying a paste material 32 on the first substrate 10 and a step of forming the barrier wall layer 31 including barrier walls 30 by generating cells 35 in the paste material 32.例文帳に追加

また、互いに対向する一対の基板１０、２０と、一対の基板の間に配置される隔壁３０を含む隔壁層３１とを備える電子ペーパー１００の製造方法であり、第１基板１０の上に、ペースト材料３２を付与する工程と、ペースト材料３２の内部に気泡３５を生じさせることによって、隔壁３０を含む隔壁層３１を形成する工程とを含む。 - 特許庁