「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(464ページ目) - Weblio英語例文検索

As to one of the first LDD region and the second LDD region, the concentration of doped impurities changes stepwise in a channel length direction of the semiconductor layer, and as to the other, the concentration of doped impurities does not change stepwise as against the former one.例文帳に追加

第１ＬＤＤ領域及び第２ＬＤＤ領域のうち、一方はドープされた不純物の濃度が半導体層のチャネル長方向に沿って段階的に変化し、他方はドープされた不純物の濃度が前記一方と比べて段階的に変化しない。 - 特許庁

The storage capacitance is constructed by oppositely arranging a first capacitance electrode (13) made up with a same film of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) made up with the same film as a barrier layer (34), that relay connects the pixel electrodes and the TFTs, through a dielectric film (42).例文帳に追加

蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁

The first light diffusion layer 3 comprises a light diffusion plate 31 and a prism sheet 32, and the light alignment characteristic is such that the luminance value in a direction of 70° to the normal of the light incident surface of the liquid crystal cell is 20% or less of the luminance value in the normal direction.例文帳に追加

第１光拡散層３は、光拡散板３１とプリズムシート３２とを有し、その配光特性を、液晶セルの光入射面の法線に対して７０°方向の輝度値が法線方向の輝度値に対して２０％以下となるようにする。 - 特許庁

Pieces 41 to 49 of the lower layer piece group 4 are made of a transparent material, and the pieces 41 to 49 are provided with first opaque parts 41a to 49a for covering portions other than true patterns and dummy patterns out of the base of a background panel 3.例文帳に追加

下層ピース群４の各ピース４１ない４９を透明材によって形成し、各ピース４１ないし４９に、下地パネル３の素地のうち、真の絵柄とダミーの絵柄以外の部分を目隠しする第１の不透明部４１ａないし４９ａを設ける。 - 特許庁

A space t1 between the formed position of the first via 221a and the end of the third wiring 231a is smaller than a space between the formed position of a second via that connects second wiring to fourth wiring at a layer higher than the second wiring, and the end of the fourth wiring.例文帳に追加

第１のビア２２１ａの形成位置と第３の配線２３１ａの端部との間隔ｔ１は、第２の配線と第２の配線よりも上層の第４の配線とを接続する第２のビアの形成位置と第４の配線の端部との間隔よりも小さい。 - 特許庁

In this opening frame 1, a plate material 24 arranged along the inner peripheral surface of the second frame body 20 is in a state in which inner and outer peripheral layers 26 and 28 are superposed on each other; and the inner peripheral layer 26 is fitted into the fitting groove 16 of the first frame body 10.例文帳に追加

開口枠１は、第２枠体２０における内周面に沿って配置される板材２４が、内周層２６および外周層２８を積層した状態となっており、この内周層２６が第１枠体１０における嵌合溝１６に嵌合する。 - 特許庁

The lid may be formed using a two-shot injection molding process in which the lid is formed in a first step and the outer layer of a softer material is formed on the skirt of the lid during the second step of the two-shot injection molding process.例文帳に追加

ふたは、二段階射出成形工程を使用して形成することができ、この工程では、第１のステップでふたが形成され、二段階射出成形工程の第２のステップの間に、ふたのスカート上に、より軟かい材料の外層が形成される。 - 特許庁

A liquid crystal display 21 consists of a simple matrix type and parts in which a liquid crystal layer 25 is held between first and second electrodes, each being a part of a plurality of scanning and signal electrodes 34, 39 respectively, constitute a plurality of display elements 61.例文帳に追加

液晶表示装置２１は、単純マトリクス型のものであり、複数の各走査および各信号電極３４，３９のそれぞれ一部分である第１および第２電極によって液晶層２５が挟持された部分が、複数の表示素子６１になる。 - 特許庁

An interconnect line 67 is a first metal layer interconnect line for connecting between the N type region 65 of one end of one side switching transistor constituting 2 inputs selecting circuit and the N type region 63 of one end of the other side switching transistor constituting selecting circuit.例文帳に追加

配線６７は、２入力選択回路を構成する一方のスイッチングトランジスタの一端のＮ型領域６５と、該選択回路を構成する他方のスイッチングトランジスタの一端のＮ型領域６３との間を接続するためのメタル第１層配線である。 - 特許庁

With this high frequency induction-hardening, the high frequency induction-hardened structure having the higher average hardness than the basic material structure 12a near the second surface and composed of martensite and uniformly and finely dispersed austenite is given on the surface layer 11a near the first surface.例文帳に追加

この高周波焼入れにより、第２面近傍の母材組織１２ａよりも高い平均硬度を有する、マルテンサイトと均一に微細分散したオーステナイトとからなる高周波焼入れ組織を第１面近傍の表面層１１ａに与えることを特徴とする。 - 特許庁

The sensor substrate 1 is formed with a first alloy layer 19 for connection to the metal wiring 17 is formed in the recess 21 for displacement space, formed in a surface facing the sensor substrate 1 in the through-hole wiring substrate 2.例文帳に追加

センサ基板１は、第１の接続用接合金属層１９における金属配線１７との接続部位が、貫通孔配線形成基板２におけるセンサ基板１との対向面に形成された凹所である変位空間形成用凹部２１内に位置している。 - 特許庁

The filter 3 is constructed by sequentially layering a heater wire 21, a first nonwoven fabric 22 formed by laminating ceramic fibrous materials, a catalytic layer 23 having a catalytic function of lowering combustion temperature, a second nonwoven fabric 24 formed by laminating ceramic fibrous materials, and retaining wire netting 25.例文帳に追加

フィルタ３は，ヒータ線２１，セラミック繊維材を積層した第１不織布２２，燃焼温度を低下させる触媒機能を有する触媒層２３，セラミック繊維材を積層した第２不織布２４，及び保持金網２５が順次積層して構成されている。 - 特許庁

Light is incident on the polarization organic photoelectric conversion device while a predetermined bias voltage is applied between the first electrode 11 and the second electrode 12, and the light polarized parallel to the orientation axis of the organic photoelectric conversion layer 13 is photoelectrically converted.例文帳に追加

第１の電極１１と第２の電極１２との間に所定のバイアス電圧を印加した状態で偏光有機光電変換素子に光を入射させ、有機光電変換層１３の配向軸に平行な方向の偏光を光電変換する。 - 特許庁

A dipole antenna consisting of a pair of a first conductor wire 41 and a second conductor wire 42 having directivity in a direction parallel with the principal surface is provided in a region between the antenna region and the side surface of the dielectric substrate where the ground layer is not formed.例文帳に追加

アンテナ領域と誘電体基板の側面との間におけるグランド層が形成されていない領域に設けられ、主面に平行な方向に指向性を有する一対の第１導体線４１と第２導体線４２とからなるダイポールアンテナとを有する。 - 特許庁

Additionally, the active layer 502 has a diffraction grating 510 that includes a gain medium having the gain in the core of the waveguide, and has a first gain where at least one of the thickness and width of the medium for composing the core of the waveguide or cladding changes periodically.例文帳に追加

また、活性層５０２が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第１の利得を有する回折格子５１０を備えている。 - 特許庁

Primary light 302 emitted by a primary light-generating device 202 such as a UV light-emitting diode etc. is absorbed by a first wavelength converting material layer 206 containing phosphor particles and converted into secondary light 304 having a wavelength different from that of the primary light 302.例文帳に追加

ＵＶ発光ダイオード等の第一次光発生器２０２から発せられる第一次光３０２は、燐光体粒子を含む第一の波長変換材料層２０６で吸収され、第一次光３０２とは異なる波長を有する第二次光３０４に変換される。 - 特許庁

After that, before carrying out the first superconductivity heat treatment, the metal Nb layer is oxidized by being applied with the heat treatment in an atmosphere of a lower temperature than the temperature of superconductivity heat treatment and in the atmosphere wherein oxygen concentration is higher than that of the atmosphere.例文帳に追加

その後、第１回目の超電導化熱処理の前に超電導化熱処理温度より低温で、且つ酸素濃度が大気中の酸素濃度より高い雰囲気で熱処理を施して前記金属Ｎｂ層を酸化させ、しかる後、超電導化熱処理を行う。 - 特許庁

When the photosensitive layer 21 is charged by the same charging capability along with the axial direction of the substrate 20, the dark potential in the latent image forming area 22 becomes larger gradually toward a second end 22B from the first end 22A in an axis direction of the substrate 20.例文帳に追加

感光層２１は、基体２０の軸方向に沿って同一の帯電能力で帯電させた場合に、潜像形成領域２２における暗電位が、基体２０の軸方向において、第１の端部２２Ａから第２の端部２２Ｂに向かって漸次大きい。 - 特許庁

Then, the first surface layer wiring conductor 21 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0.2-1.0 wt.%, and the second surface wiring conductor 22 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0-0.1 wt.% (without including 0).例文帳に追加

そして、前記第１の表層配線導体２１は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０．２〜１．０ｗｔ％の範囲で含み、第２の表面配線導体２２は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０〜０．１ｗｔ％（０を含まない）の範囲で含むものである。 - 特許庁

The resistance is lowered by bringing the first amorphous silicon layer 2 having the highest impurity concentration into contact with a substrate 8, the HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4 having the lower impurity concentrations, and the surface is roughened.例文帳に追加

最も高不純物濃度の第１のアモルファスシリコン層２が基板８とコンタクトすることで低抵抗化が図られ、より低不純物濃度の第２，第３のアモルファスシリコン層３，４表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて粗面化が図られる。 - 特許庁

Micro mirrors 16 are movably placed on optical paths 20 of the optical signals received from the terminals of the base layer, respectively, in a direction intersecting with an optical signal to selectively re-route the optical signal from a first optical path to a second optical path.例文帳に追加

微小鏡１６は上記ベース層１０の入力端３から入力された光信号の伝達経路２０上に上記光信号と交差する方向に移動できるよう位置しながら、入力された光信号を選択的に他経路へ変更させる。 - 特許庁

This image sensor is provided with the first face 15 including a scintillator 1 provided with a substrate 3 coated with a layer of a luminescent substance 4 contacting with the substrate 3, and the second face 16 with a surface having an unevenness 5, and separated by a clearance 7.例文帳に追加

画像センサは、発光物質４の層で覆われた基板３を備えるシンチレータ１を含み、該発光物質４の層は基板３と接触している第一の面１５と、表面が凹凸５を有し隙間７により分離された第二の面１６とを備える。 - 特許庁

In order to simplify the manufacturing process, connecting pads 2, a ground layer 6 thereon via an insulating film, first to third rewinding 7, 8, and 9 thereon via a protecting film, and posts S_0, S_1, G, and D thereon are arranged on only the upper surface side of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の上面側のみに、製造工程を簡略化するために、接続パッド２、その上に絶縁膜を介してグラウンド層６、その上に保護膜を介して第１〜第３の再配線７、８、９、その上にポストＳ_０、Ｓ_１、Ｇ、Ｄを設ける。 - 特許庁

A peripheral sacrifice layer 105 of a contact electrode 106 is removed by dry etching through a first opening part 108 with a second opening part 109 stopped up with resist pattern, thereby forming a space 110 partly on a lower electrode 103.例文帳に追加

レジストパターンにより第２開口部１０９がふさがれた状態とし、第１開口部１０８を介したドライエッチングにより、接点電極１０６周辺の犠牲層１０５を除去し、下部電極１０３上の一部に空間１１０が形成された状態とする。 - 特許庁

An SOI wafer where two silicon substrates 10 and 20 are stuck to each other through an insulating layer 30 is used, an opening 11 is disposed in the first silicon substrate 10, and respective regions of a peripheral fixed section 12, a weight fixed section 13, a beam section 14, and a stopper section 15 are integrally formed.例文帳に追加

２枚のシリコン基板１０，２０を絶縁層３０で貼り合わせたＳＯＩウエハを用い、第１のシリコン基板１０に開口部１１が設けられ、周辺固定部１２、錘固定部１３、梁部１４、ストッパ部１５の各領域が一体形成されている。 - 特許庁

When the first switch is turned on, the electrical double layer capacitor cells are charged and discharged.例文帳に追加

発電機が電力を負荷に供給する第１および第２の電源線間に、直列接続された複数の電気二重層キャパシタ・セルと第１のスイッチとを直列接続して介挿し、第１のスイッチがオンされると複数の電気二重層キャパシタ・セルが電力を蓄電・放電する。 - 特許庁

Out of the organic layers, the first organic layer which is directly formed on the substrate has a glass transition temperature of at least 200°C, is constituted of a (meth)acrylic compound having a C-C bond density in a monomer of at least 0.19, and has a thickness of ≥300 nm and <1,000 nm.例文帳に追加

有機層のうち基板上に直接形成される第１の有機層はガラス転移温度が２００℃以上でモノマー中のＣ−Ｃ結合密度が０．１９以上の（メタ）アクリル化合物により構成され、厚さが３００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満である。 - 特許庁

When a first pallet CPT 1 consisting of representative characters of respective lines of "Hiragana" is displayed, and a pointer position is moved to the area of a representative character, a layer of relevant characters is displayed in a concentric circular form (sector form) around the area of the representative character that is a moving destination.例文帳に追加

「ひらがな」の各行の代表文字から構成される第１パレットＣＰＴ１を表示し、ポインタ位置を代表文字の領域に移動させると、移動先の代表文字の領域を中心として同心円状（扇状）に関連文字の層を表示する。 - 特許庁

The thickness of the first layer is different at every layers including light emitting layers of different light colors.例文帳に追加

本発明は、陽極、及び陰極間に、正孔を発生する第１の層、各発光色の発光層を含む第２の層、電子を発生する第３の層を有し、第１の層の膜厚は、各発光色の発光層を含む層ごとに異なっていることを特徴とする発光素子である。 - 特許庁

Since when the material of the positive injecting layer 15 and the material of luminescent layers 17R, 17G, 17B are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, first diffusion areas 16R, 16G, 16B, the inclined composition areas, can be formed.例文帳に追加

正孔注入層１５の材料と発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第１の拡散領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成することができる。 - 特許庁

The body-contacting region 30 is provided in the field region 20B on the side of the second portion 24B2 of the L-shaped gate 25 opposite to the first portion 24B12, and a low-resistance layer 29 is formed on the surfaces of the source region 28A and body-contacting region 30.例文帳に追加

Ｌ型ゲート２５の第２部分２４Ｂ２を挟んで第１部分２４Ｂ１２とは反対側のフィールド領域２０Ｂにボディコンタクト領域３０が設けられ、ソース領域２８Ａとボディコンタクト領域３０との表面に低抵抗層２９が形成されている。 - 特許庁

An image heating device supplies power to a resistance heat generating layer that heats the whole circumference of a first rotating body at the warm-up in a separate state from a second rotating body, and supplies power to a heater in heating images in a contact state with the second rotating body to rotate and drive the second rotating body.例文帳に追加

第１の回転体と第２の回転体に関し、ウォームアップ時には離間状態で全周的に加熱する抵抗発熱層に給電がなされ、画像加熱時には当接状態でヒータに給電がなされ、第２の回転体が回転駆動される。 - 特許庁

When the TN element for a polarization switch is turned off, the laser light passes through the PBS surface 5c of the PBS prism 5, and led to the objective lens actuator 6 via a first reflection surface (curved surface), and then condensed on the second recording layer 101 of the disk 100.例文帳に追加

一方、偏光スイッチ用ＴＮ素子がＯＦＦされているとき、レーザ光は、ＰＢＳプリズム５のＰＢＳ面５ｃを通過し、その後、第１の反射面（曲面）を経由して対物レンズアクチュエータ６に導かれ、ディスク１００の第２の記録層１０１上に集光される。 - 特許庁

Thus, a three- layer structure (triplate structure) can be formed of the ground plate 11, the strip conductor constituted of the power supplying strip line 13 and the radiating antenna elements 14a-14j, and the conductive plate 19 having the 10 pieces of slots 18a-18j with the first dielectric substrate 12 and the second dielectric substrate 17 interposed between them.例文帳に追加

こうして、接地板11、給電ストリップ線路13と放射アンテナ素子14a〜14jとからなるストリップ導体、及び１０個のスロット18a〜18jを有する導体板19が、間に第１の誘電体基板12、第２の誘電体基板17を挟んで３層構造（トリプレート構造）を形成する。 - 特許庁

The radiation conductor plate 20 is formed of a substantially C-shaped metal flat plate of which both ends 20d, 20e face each other with an opened portion 4 interposed therebetween, and is mounted on the circuit board 3 in a position where the first and the second support metal pieces 21, 22 come close to the ground conductor layer 33.例文帳に追加

放射導体板２０は開放部４を介して両端部２０ｄ，２０ｅが対向する略Ｃ字状に形成されており、第１および第２の支持金属片２１，２２が接地導体層３３と近接する位置で回路基板３上に搭載されている。 - 特許庁

In the method to manufacture an epitaxial wafer for a nitride semiconductor light-emitting element, an Al_X2Ga_1-X2N (0≤X2≤1) layer 19 is grown on a substrate 11, having the surface made of In_X1Ga_1-X1N (0<X1≤1), at a first temperature T1.例文帳に追加

窒化物系半導体発光素子のためのエピタキシャルウエハを作製する方法では、Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ（０＜Ｘ１≦１）からなる表面を有する基板１１上に、第１の温度Ｔ１でＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（０≦Ｘ２≦１）層１９が成長される。 - 特許庁

The body 2 has a plurality of first terminals 4 which are arranged on a top face of a principal part 2M including a plurality of layer parts and are connected to the wiring 3, and a plurality of second terminals 5 which are arranged on a bottom face of the principal part 2M and are connected to the wiring 3.例文帳に追加

本体２は、複数の階層部分を含む主要部分２Ｍの上面に配置されて配線３に接続された複数の第１の端子４と、主要部分２Ｍの下面に配置されて配線３に接続された複数の第２の端子５を有している。 - 特許庁

This conductor 12 for the electric wire is provided with a compressed conductor part 14 shaped by compressing a plurality of first strands so as to form an almost circular cross-section, and an outer layer conductor part 18 formed by disposing a plurality of second strands 19 on the outer periphery of the compressed conductor part 14.例文帳に追加

電線用導体１２は、複数の第１素線が断面略円形状に圧縮整形された圧縮導体部１４と、この圧縮導体部１４の外周囲に複数の第２素線１９が配設されてなる外層導体部１８と、を備えている。 - 特許庁

The first and second porous structures 12 and 22 are same in structure, and anodic oxidation treatment and oxidation treatment are applied to the non-doped polycrystalline silicon layer formed on one surface side of the element forming substrate 1.例文帳に追加

第１の多孔質構造部１２と第２の多孔質構造部２２とは同一構造であって、素子形成基板１の一表面側に成膜したノンドープの多結晶シリコン層に対して陽極酸化処理および酸化処理を行うことにより形成されている。 - 特許庁

A gas dispersing layer 12 of this fuel cell electrode 10 is structured of a woven fabric which is woven to cross each other with a first fiber bundle 14 composed of hydrophilic carbon fibers as a weft yarn and a second fiber bundle 16 composed of water-repellent carbon fibers as a warp yarn.例文帳に追加

燃料電池用電極１０のガス拡散層１２を、親水性炭素繊維からなる第１の繊維束１４を経糸とし、撥水性炭素繊維からなる第２の繊維束１６を緯糸として互いに交差するように織り込まれた織布から構成する。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method of the embodiment further comprises a process of bonding a second substrate 2 with the insulation film 8 of the first substrate 1 such that crystal orientation of the photodiode layer 4 agrees with crystal orientation of the second substrate 2.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、前記フォトダイオード層４の結晶方位と第２の基板２の結晶方位とが一致するように、前記第１の基板１の前記絶縁膜８に前記第２の基板２を接合する工程をさらに備える。 - 特許庁

A thin-film capacitor wherein a metal oxide of perovskite crystal structure is used as a dielectric layer is formed on a first substrate, which is then transferred on a second substrate where an electronic circuit is formed, for patterning and electric connection of the thin-film capacitor.例文帳に追加

ペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物を誘電体層とする薄膜コンデンサを第１の基板上に形成し、その後、電子回路が形成された第２の基板上に転写した後、上記薄膜コンデンサのパターニング、電気的な接続を行う。 - 特許庁

An organic EL element has at least one organic compound layer 30 interposed between a first electrode 12 and a second electrode 18, thus forming an element region, the element region being covered with the protective film 20 composed of at least amorphous carbon nitrite.例文帳に追加

有機ＥＬ素子は、第１電極１２、第２電極１８との間に少なくとも一層の有機化合物層３０を備えて素子領域が構成されており、この素子領域を覆うようにアモルファス窒化炭素を少なくとも含む保護膜２０を形成する。 - 特許庁

The compound semiconductor portion 3 has a cutting groove 21, formed in a region between the source electrode 4 and auxiliary electrode 7 that cuts the two-dimensional gas layer 12a to divide the compound semiconductor portion 3 into a first portion 51A and a second portion 51B.例文帳に追加

化合物半導体部３には、ソース電極４と補助電極７との間の領域に２次元電子ガス層１２ａを切断し、化合物半導体部３を第１の部分５１Ａと第２の部分５１Ｂに分断する切断溝２１が形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the EL element includes a process to laminate a first electrode 12 of ITO thin film or the like, an insulating thin film 13 of aluminum oxide or the like, a high dielectric layer 14 and MG metal thin film on an arbitrary solid substrate successively.例文帳に追加

本発明のＥＬ素子の製造方法は，任意の固体基板上に，ＩＴＯ薄膜等の第一電極１２，酸化アルミニウム等の絶縁薄膜１３，高誘電体層１４，ＭＧ金属薄膜を順次積層する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁