「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(462ページ目) - Weblio英語例文検索

The method further comprises the steps of relatively spacing apart both the molds, injection filling a second layer core material molten resin in a space formed of the fixed mold and the first filler to form a second filler at a preset third molds opening amount, and sequentially laminating, melting and integrating the sheet, the first filler and the second filler.例文帳に追加

さらに両金型を相対的に離間させて、予め設定した第三型開量に両金型を保持した状態で、固定金型と第一層充填物とで形成される空間内に第二層コアー材溶融樹脂を射出充填して第二層充填物を形成し、表皮シート、第一層充填物、第二層充填物の順に積層融着一体化させる。 - 特許庁

To provide a vibration control structure of a hung ceiling capable of controlling run-out width of the second ceiling member in the case of earthquake to allowable value or below without passing through the first ceiling member in the hung ceiling successively suspending the first and the second ceiling member from an upper layer structural skeleton and installing facility equipment on the second ceiling member below.例文帳に追加

上層の構造躯体から順次第１および第２の天井部材が吊設され、下方の第２の天井部材に設備機器が設置されている吊り天井において、第１の天井部材を貫通することなく、地震時における第２の天井部材の振れ幅を許容値以下に抑制することができる、吊り天井の制振構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises a row decoder, a first cell array arranged in one side of the row decoder, a second cell array arranged in the other side of the row decoder, word lines arranged on the row decoder corresponding to the predetermined row address of the first cell array, and a wiring layer for terminating the word lines corresponding to the predetermined row address of the second cell array.例文帳に追加

半導体記憶装置は、行デコーダ部と、前記行デコーダ部の一方に配置された第１のセルアレイと、前記行デコーダ部の他方に配置された第２のセルアレイと、前記行デコーダ部上に配置され、前記第１のセルアレイの所定の行アドレスに対応するワード線と前記第２のセルアレイの前記所定の行アドレスに対応するワード線を短絡する配線層とを有する。 - 特許庁

The electrode 24 on the liquid crystal layer 26 side of the common electrode 22 and the pixel electrode 24 has a slit S including a first opening 71 inclined at a predetermined angle to the rubbing direction R and a second opening 72 connected to one end of the first opening 71 and taking an axis orthogonal to the rubbing direction R as a symmetrical axis A as viewed in a plane.例文帳に追加

そして、共通電極２２及び画素電極２４のうちの液晶層２６側の電極２４は、平面視した状態で、ラビング方向Ｒに対して所定角度で傾斜する第１開口部７１と、第１開口部７１の一端側に接続され且つラビング方向Ｒに直交する軸を対称軸Ａとする第２開口部７２と、を含むスリットＳを有する。 - 特許庁

A process for fabricating a sensor 10 is disclosed that bonds a first device wafer to an etched second device wafer to create a suspended structure, the flexure of which is determined by an embedded sensing element 310 that is in electrical communication with an outer surface of the sensor 10 through an interconnect 400 embedded in a device layer 110 of the first device wafer.例文帳に追加

第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。 - 特許庁

Burnt silver containing a glass component and adhering rigidly to a ceramic insulating substrate 11 is applied as a first back electrode 14 directly to the backside of the insulating substrate 11, and a second back electrode 15 composed of resin silver having a lower Young's modulus as compared with burnt silver and exhibiting thermal stress relaxation effect is stacked on the first back electrode 14 thus forming a two layer structure.例文帳に追加

ガラス成分を含有するためにセラミック製の絶縁基板１１に強固に密着する焼成銀を第１裏面電極１４として絶縁基板１１の裏面に直接被着し、焼成銀に比してヤング率が低く、そのため熱応力の緩和効果を有する樹脂銀からなる第２裏面電極１５を第１裏面電極１４に積層して裏面電極を２層構造にする。 - 特許庁

A communication device used in a mobile communication system is provided with a means for generating first control information including retransmission information to data channels received in the past, a means for generating second control information including scheduling information on a wireless resource, and a generating means for generating a transmission signal including a low-layer control channel including at least one of the first or second control information.例文帳に追加

移動通信システムで使用される通信装置は、過去に受信したデータチャネルに対する再送情報を含む第１制御情報を生成する手段と、無線リソースのスケジューリング情報を含む第２制御情報を生成する手段と、第１及び第２制御情報の少なくとも一方を含む低レイヤ制御チャネルを含む送信信号を生成する生成手段とを有する。 - 特許庁

This resin composition is used when bonding the first adherend to the second adherend, so as to constitute a resin composition layer 1 provided on the first adherend.例文帳に追加

本発明の樹脂組成物は、第１の被着体と第２の被着体とを接合する際に用いられ、前記第１の被着体上に設けられる樹脂組成物層１を構成するものであり、前記樹脂組成物層１を平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記樹脂組成物層１の波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されている。 - 特許庁

Then, a first single crystal semiconductor substrate is bonded to a second single crystal semiconductor substrate, and a stacked-layer substrate formed from the first single crystal semiconductor substrate and the second single crystal semiconductor substrate bonded to each other is used as a bond substrate in a process of manufacturing an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の製造プロセスにおいて、ボンド基板として用いる半導体基板を所定の回数繰り返し利用した後、第１の単結晶半導体基板を第２の単結晶半導体基板と貼り合わせ、互いに貼り合わされた第１の単結晶半導体基板と第２の単結晶半導体基板からなる積層基板をＳＯＩ基板の製造プロセスにおけるボンド基板として使用する。 - 特許庁

The rust prevention-treated metal 1 is provided with a first rust preventive film 4 containing mainly zirconium and fluorine compounds formed tightly on a surface of the metallic substrate 2 (a surface of a metallic film 3) and a second rust preventive film 5 containing mainly a metallic ion and/or metallic compound formed on an upper layer of the first rust preventive film 4.例文帳に追加

金属基体２の表面（金属皮膜３の表面）に密着して形成されたジルコニウム化合物とフッ素化合物を主として含有する第１防錆皮膜４と、第１防錆皮膜４の上層部に形成された金属イオンおよび／または金属化合物を主として含有する第２防錆皮膜５を備えた防錆処理金属１により課題を解決できる。 - 特許庁

This lens array sheet 1 is equipped with a lens array layer 3 in which a first lens array 5 constituted by arraying several cylindrical lenses 4 in parallel by leaving spaces and a second lens array 7 constituted by arraying several cylindrical lenses in the spaces by aligning length directions in a direction crossing with the length direction of the first lens array are provided on the same plane.例文帳に追加

本発明は、複数本のシリンドリカルレンズ４が隙間をおいて平行に配列されてなる第１のレンズアレイ５と、複数本のシリンドリカルレンズが前記第１のレンズアレイの長さ方向と交差する方向に長さ方向を揃えて前記隙間に配列されてなる第２のレンズアレイ７とが同一面上に設けられたレンズアレイ層３を備えていることを特徴とするレンズアレイシート１を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a silicon layer formed with first and second circuits including respective electrodes; an SOI chip 1 having an embedded insulating film, and a supporting substrate in which a concave portion 1d where the embedded insulating film is exposed is formed in a portion corresponding to a formation region of the first circuit; and a base silicon substrate 14 formed with a compensating oxide film 15 on the surface.例文帳に追加

半導体装置は、それぞれ電極を含む第１および第２の回路が形成されたシリコン層と、埋め込み絶縁膜と、当該埋め込み絶縁膜が露出する凹み部１ｄが前記第１の回路の形成領域に対応する部分に形成された支持基板とを有するＳＯＩチップ１と、表面に補償酸化膜１５が形成された台座シリコン基板１４とを備える。 - 特許庁

The connection structure 10 of the superconducting wire rod is provided with a first superconducting wire rod 20 containing an oxide superconductor and a sheath part, a second superconducting wire rod 30 containing an oxide superconductor and a sheath part, and an MOD superconductive layer 40 for connecting the oxide superconductor of the first superconducting wire rod 20 and the superconductor of the second superconducting wire rod 30.例文帳に追加

超電導線材の接続構造１０は、酸化物超電導体とシース部とを含む第１の超電導線材２０と、酸化物超電導体とシース部とを含む第２の超電導線材３０と、第１の超電導線材２０の酸化物超電導体と第２の超電導線材３０の超電導体とを接続するＭＯＤ超電導層４０とを備えている。 - 特許庁

The method for producing a two layer film includes: a stage where the nickel-containing first metallic film 12 is formed on a high molecule film in an atmosphere comprising any one gas selected from the group consisting of ammonia, nitrogen monoxide and nitrogen dioxide by a vacuum deposition process or the like; and a stage where the second metallic film essentially composed of copper is formed on the first metallic film.例文帳に追加

高分子フィルム上にアンモニア、一酸化窒素、および二酸化窒素よりなる群のうちのいずれか１つのガスを含む雰囲気下での真空蒸着法等によりニッケルを含む第１の金属膜１２を形成する工程と、第１の金属膜上に銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

A step for preparing the photomask provided with a first photomask pattern used for forming the protrusion and constituted of a pattern having a first shape consisting of a plurality of light shielding units and a second photomask pattern used for forming the spacer and constituted of a light shielding pattern having a second shape is performed and then a step for exposing and developing the photoresist layer using the photomask is performed.例文帳に追加

突起を形成するのに用いられ、複数の遮光ユニットからなる第１形状を有するパターンから構成される第１フォトマスクパターンと、スペーサを形成するのに用いられ、第２形状を有する遮光パターンから構成される第２フォトマスクパターンとを備えてなるフォトマスクを準備するステップを行った後、このフォトマスクを用いてフォトレジスト層に露光現像を施すステップを実行する。 - 特許庁

The semiconductor device includes second conductive high density regions 21a, 21b which are embedded in a surface of a second conductive element forming region 12 formed on a first conductive semiconductor layer 11, surround a semiconductor element formed on the second conductive element forming region 12, and are formed by separating from the first conductive element separation region 23 for separating the semiconductor element.例文帳に追加

第１導電型半導体層１１上に形成された第２導電型素子形成領域１２の表面に埋め込まれるとともに、第２導電型素子形成領域１２に形成された半導体素子を囲み且つ半導体素子を分離する第１導電型素子分離領域２３から離間して形成された第２導電型高濃度領域２１ａ、２１ｂを有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a main-body transistor region 10 and an ESD protective element region 30, and has a drain region 11 including a semiconductor layer of a first conductivity type, a drift region 12 including a first conductivity semiconductor region formed on the drain region 11, and body regions 14 and 34 including a second conductivity semiconductor region formed at the drift region 12.例文帳に追加

本体トランジスタ領域１０と、ＥＳＤ保護素子領域３０とからなり、第１導電型の半導体層からなるドレイン領域１１と、ドレイン領域１１上に形成された第１導電型半導体領域から成るドリフト領域１２と、ドリフト領域１２に形成された第２導電型半導体領域から成るボディ領域１４，３４とを備える。 - 特許庁

An upper electrode 313 of a capacitance element 321 formed on a semiconductor substrate 300 is electrically connected to an upper wiring 318 formed above through a first conductive film 315 of a connection structure 331, a first contact plug 306, a second impurity diffused layer 303, and a third contact plug 317, which are formed on the semiconductor substrate 300 similarly.例文帳に追加

半導体基板３００の上に形成された容量素子３２１の上部電極３１３が、同じく半導体基板３００の上に形成された接合構造体３３１の第１導電膜３１５、第１コンタクトプラグ３０６、第２不純物拡散層３０３及び第３コンタクトプラグ３１７を介して、上方に形成された上部配線３１８と電気的に接続している。 - 特許庁

An appropriate lubrication amount is supplied to the image carrier for a long period of time even when the displacement amount of a pressurization member for pressurizing the lubricant becomes less, and replacement life of the lubricant is prolonged without increasing storage volume by using the lubricant in which first lubricant and second lubricant with hardness lower than that of the first lubricant are loaded like a layer.例文帳に追加

第１の潤滑剤と、第１の潤滑剤より硬度が低い第２の潤滑剤を層状に積載された潤滑剤を用いることにより、潤滑剤を押圧する押圧部材の変位量が少なくなっても像担持体に適切な潤滑量を長期間供給することができ、収納体積を大きくすることなく潤滑剤の交換ライフを伸ばすことができる。 - 特許庁

The method for manufacturing of the dye-sensitized solar cell includes the steps of: forming a frame-shaped sealing part on a flexible first electrode; forming a charge transfer layer inside the sealing part, oppositely sticking the first electrode and a separately formed flexible second electrode together under a reduced pressure; and transporting them under an atmospheric pressure to cure the sealing part.例文帳に追加

フレキシブルな第１電極の上に枠状の封止部を形成する工程と、封止部の内側に電荷移動層を形成する工程と、前記第１電極と別途形成したフレキシブルな第２電極とを、減圧下で対向させ貼り合わせる工程と、大気圧下に搬送して封止部を硬化する工程を有することを特徴とする色素増感型太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate having the first and second surfaces with both faces finish-treated, a group IV semiconductor layer formed on the first surface and including one IV group semiconductor device, and a III-V group semiconductor body 130 formed on the second surface, and including at least one III-V group semiconductor device coupled electrically to the one IV group semiconductor device.例文帳に追加

第１、第２の表面を有する両面仕上げ処理された半導体基板と、前記第１の表面上に形成され、一つの４族半導体デバイスを含む４族半導体層と、前記第２の表面上に形成され且つ前記少なくとも一つの４族半導体デバイスに電気的に結合された３−５族半導体デバイスを含む３−５族半導体本体１３０とを備える。 - 特許庁

This electronic board, on which two semiconductor devices 300 and 302 are mounted, has a first conductive member 304 electrically connected to the semiconductor device 300, a second conductive member 306 electrically connected to the semiconductor device 302, and an insulating layer 308 electrically separating the second conductive member 306 from the first conductive member 304.例文帳に追加

本発明の電子基板は、複数の半導体素子３００、３０２が搭載される電子基板であって、半導体素子３００に電気的に接続される第１導電部材３０４と、半導体素子３０２に電気的に接続される第２導電部材３０６と、第２導電部材３０６を第１導電部材３０４から電気的に分離する絶縁層３０８とを備えている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a word gate 14 formed on a semiconductor substrate 10 via a first gate insulating layer 12, a source region or a drain region 16, 18 formed on the semiconductor substrate 10, and side wall-shaped first and second control gates 20, 30 formed along one side surface and the other side surface of the word gate, respectively.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は半導体基板１０上に第１ゲート絶縁層１２を介して形成されたワードゲート１４と、半導体基板１０に形成されたソース領域またはドレイン領域１６，１８と、ワードゲートの一方の側面および他方の側面に沿ってそれぞれ形成されたサイドウォール状の第１および第２コントロールゲート２０，３０と、を有する。 - 特許庁

To improve durability in a fuel filter device configured such that a filter assembly having first filter layers is provided in a fuel flow path which leads from the inside of a fuel tank through a fuel pump to a fuel consumption unit and also such that, in second filter layers which form at least some of the first filter layers, the finest filter layer is disposed at the downstream-most position.例文帳に追加

第１複数層の濾過層を有するフィルタ組立体が、燃料タンク内から燃料ポンプを経て燃料消費手段に達するまでの燃料流通経路に設けられ、第１複数層の少なくとも一部を構成する第２複数層の濾過層では最下流に最も目が細かい濾過層が配置される燃料濾過装置において、耐久性の向上を図る。 - 特許庁

First and second adhesive sheet components having shapes matching the planar shape of the transfer master and an elastic body component are prepared by performing blanking work from an adhesive sheet with a base material and the sheet of an elastic body and the transfer master is adhesively fixed to the base member by using each adhesive layer of the first and the second adhesive sheet components which are stuck by sandwiching the elastic component therebetween.例文帳に追加

基材入り粘着シートと弾性体のシートからそれぞれ打ち抜き加工を行い、転写原盤の平面形状に合った形状を有する第１及び第２の粘着シート部品、並びに弾性体部品を作製し、弾性体部品を間に挟んで貼り合わせた第１及び第２の粘着シート部品の各粘着層により転写原盤をベース部材に接着固定する。 - 特許庁

In this thermal infrared sensor 100 having an infrared detection part 110, the infrared detection part 110 is equipped with the first electrode part 103a and the second electrode part 103b formed adjacent on a substrate 105, and a conductive layer 106, formed in a state of facing the first electrode part 103a and the second electrode part 103b via the dielectric film 101.例文帳に追加

赤外線検知部１１０を有する熱型赤外線センサ１００において、赤外線検知部１１０は、基板１０５上に隣り合うように形成された第１の電極部１０３ａ及び第２の電極部１０３ｂと、誘電体膜１０１を介して第１の電極部１０３ａ及び第２の電極部１０３ｂと対向するように形成された導電層１０６とを備える。 - 特許庁

For signal wiring formed on each different wiring layer in order to interconnect a first logic element and a second logic element arranged on a semiconductor integrated circuit and interconnected through vias, timing analysis is performed between the first logic element and the second logic element (S02), an a decision is made whether a signal propagation delay time satisfies a specified reference value or not (S03, S04).例文帳に追加

半導体集積回路に配置される第１論理素子と第２論理素子を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線に対して、前記第１論理素子と前記第２論理素子間のタイミング解析をおこない（Ｓ０２）、信号伝播遅延時間が所定の基準値を満たすか否かを判定する（Ｓ０３、Ｓ０４）。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes: bit lines BL and /BL provided in a layer of the same level above a semiconductor substrate 30; a first variable-resistance element 10 and a first MOSFET 20 which are provided below the bit line BL and are connected in series; and a second variable-resistance element 10 and a second MOSFET 20 which are provided below the bit line /BL and are connected in series.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板３０の上方の同一レベル層に設けられたビット線ＢＬ，／ＢＬと、ビット線ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第１の抵抗変化素子１０及び第１のＭＯＳＦＥＴ２０と、ビット線／ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第２の抵抗変化素子１０及び第２のＭＯＳＦＥＴ２０とを含む。 - 特許庁

A material of a cladding layer 21 composed of at least either of AlGaN and InAlGaN is different from a group III nitride semiconductor, and the thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is thicker than the thickness D19 of the core semiconductor region 19, however, the misfit dislocation densities at first to third interfaces J1, J2, and J3 are 1×10^6 cm^-1 or less.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁

When it is determined that the size of a display region for displaying drawing data to be drawn in a second window to be displayed on a lower layer of a first window is equal to or smaller than a predetermined size in an overlap region of the windows, control is performed so that the drawing data is not drawn in the overlap region, or the drawing data is drawn with lowered transmittance of the first window.例文帳に追加

第１のウィンドウの下位レイヤに表示される第２のウィンドウに描画される描画データを表示する表示領域の大きさが、ウィンドウの重複領域において所定の大きさ以下であると判断した場合、重複領域において描画データが描画されないように制御し、又は、第１のウィンドウの透過度を低くして描画データを描画させる。 - 特許庁

A solid state imaging device of single layer electrode structure having a planar surface is fabricated by forming an interelectrode insulating film 6 on the sidewall of a first electrode 3 and then etching back a second electrode 7 using mask patterns 4 and 5 for forming the pattern of the first electrode as an etching stopper.例文帳に追加

単層電極構造の固体撮像素子を形成するに際し、第１の電極３の側壁に電極間絶縁膜６を形成したのち、第１の電極のパターンを形成するためのマスクパターン４，５をエッチングストッパとして第２の電極７をエッチバックするようにし、平坦な表面をもつ単層電極構造の固体撮像素子を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The polymer of this invention comprises 50 wt.% or more of an acrylate and/or a methacrylate and a layer separation structure is formed in which, after solution polymerizing in a non-aqueous system the first polymer which has a hydrophilicity-imparting agent at least as one ingredient, the reaction is reduced and the second polymer of at least one kind which is extended from the first polymer is formed.例文帳に追加

本発明のポリマーはアクリレートおよび／またはメタクリレートを５０重量％（以下単に％）以上であり、親水性付与体を少なくとも一成分とする第１のポリマーを非水系で溶液重合した後、反応を低下させ、少なくとも1種以上の該ポリマーから延長される第２のポリマーが形成された層分離構造とすることを特徴とする。 - 特許庁

Such a difference in the radiopacity is caused by the followings: the helical pitch of the coil 6 in the second radiopaque region 72 is smaller than that in the first radiopaque region; and the content of the contrast medium in the coating layer 5 in the second radiopaque region 72 is less than that in the first radiopaque region 71.例文帳に追加

このような造影性の差は、第２の造影領域７２におけるコイル６の螺旋のピッチが第１の造影領域におけるコイル６の螺旋のピッチよりも小さく、かつ、第２の造影領域７２における被覆層５中の造影剤の含有量が第１の造影領域７１における被覆層５中の造影剤の含有量よりも少ないことによりなされている。 - 特許庁

To avoid the discharge breakdown of a first and second stripe electrodes caused when a DC voltage is applied for recording a radiation image in a solid state radiation detector, in which an electrode layer, to which an electromagnetic wave for retrieval is radiated, is formed by alternately arranging the first stripe electrode for transmitting the electromagnetic wave for retrieval and the second stripe electrode for shielding the same.例文帳に追加

読取用の電磁波が照射される電極層が読取用の電磁波を透過する第１ストライプ電極と読取用の電磁波を遮断する第２ストライプ電極とが交互に配列されてなる放射線固体検出器において、放射線画像の記録の際、直流電圧印加による第１ストライプ電極および第２ストライプ電極の放電破壊を回避する。 - 特許庁

The forming method of the dielectric DBR mirror of the surface emitting laser comprises a process for constituting a resonator comprising an active layer with semiconductor growth, a process for depositing dielectric DBR comprising Si on an end face of the resonator at a first temperature of 150°C to 300°C, and a process for performing heat treatment at a second temperature different from the first temperature.例文帳に追加

本発明の面発光レーザの誘電体ＤＢＲミラーの形成方法は、半導体成長により活性層を含む共振器を構成する工程と、同共振器端面にＳｉを含む誘電体ＤＢＲを温度１５０℃以上３００℃以下の第一温度で成膜する工程と、そのあとに第一温度と異なる第二温度で熱処理を施す工程を有する。 - 特許庁

The display device 100 has a plurality of first electrodes 11, a plurality of pixel electrodes 14 electrically connected respectively to at least one of the plurality of first electrodes via at least a bidirectional dual electrode element 12, a plurality of second electrodes 17, a display medium layer provided between the plurality of pixel electrodes 14 and the plurality of second electrodes 17.例文帳に追加

表示装置１００は、複数の第１電極１１と、それぞれが複数の第１電極のいずれか１つに少なくとも１つの双方向二端子素子１２を介して電気的に接続された複数の画素電極１４と、複数の第２電極１７と、複数の画素電極１４と複数の第２電極１７との間に設けられた表示媒体層とを有する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is constructed by arranging a first substrate with an Al reflection pixel electrode 12 formed thereon and a transparent second substrate with an ITO counter transparent electrode 9 formed thereon so as to place the reflection pixel electrode 12 and the counter transparent electrode 9 opposite to each other, and injecting a liquid crystal layer 8 in a gap between the first and second substrates.例文帳に追加

Ａｌ反射画素電極１２を形成してなる第１の基板と、ＩＴＯ対向透明電極９を形成してなる透明な第２の基板とを、反射画素電極１２と前記対向透明電極９とが対向するように配置し、これら第１の基板と第２の基板との間隙に液晶層８を注入してなる反射型液晶表示装置。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device 1 constituted by joining the second substrate 200 to the first substrate 100 having the element region 110 to seal the element region 110 includes feeding electricity to a heating metal layer 150 when the first substrate 100 and second substrate 200 are joined together with a substrate joining member 160 interposed.例文帳に追加

素子領域１１０を有する第１基板１００に、前記素子領域１１０を封止するために、第２基板２００を接合してなる半導体装置１を製造する方法であって、第１基板１００と第２基板２００とを基板接合部材１６０を介して接合させる際に、加熱金属層１５０に通電させることを特徴とする半導体装置１の製造方法。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The laminate type dielectric filter comprises a strip line resonator L1 comprising a dielectric 2 composed of a plurality of dielectric layers; at least first and second mutually opposed strip line conductor layers 13, 16 embedded in the dielectric 2; ground conductor layers 22, 25 opposite to the first and second stripline conductor layers 13, 16; and an input/output conductor layer 28.例文帳に追加

積層型誘電体フィルタは、複数の誘電体層から成る誘導体２と該誘導体２に埋設され且つ互いに対向配置された少なくとも第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６と第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６に対向配置されたグランド導体層２２，２５と入出力導体層２８とから成るストリップライン共振器Ｌ１を具備している。 - 特許庁

The substrate is coated with a first aqueous coating composition containing an aqueous dispersion or emulsion of a polymer having organic acid functional groups and a polyfunctional crosslinking agent having functional groups being capable of reacting with organic acid groups, and the first aqueous coating composition is dried to obtain a substantially water-insoluble coating layer still including functional groups being reactive with organic acid groups.例文帳に追加

有機酸官能基を有するポリマーと、有機酸基と反応することのできる官能基をもつ多官能性架橋剤との水性分散液またはエマルションを含む、第一の水性被覆組成物で、該基体を被覆し、該第一の被覆組成物を乾燥して、有機酸基と反応性の官能基を依然として含む実質的に水−不溶性の被膜層を得る。 - 特許庁

If a first thin and small electrode 41aa and a second thin and small electrode 42aa which are electrically short-circuited via a pin hole P of a highly dielectric material layer 43 are present, the first electrode 41aa has no power supply post 61a nor via hole 61b formed, and the second electrode 42aa has no ground post 62a nor via hole 62b formed.例文帳に追加

高誘電体層４３のピンホールＰを介して電気的に短絡している第１薄膜小電極４１ａａと第２薄膜小電極４２ａａが存在している場合、第１薄膜小電極４１ａａには電源用ポスト６１ａやバイアホール６１ｂが形成されておらず、第２薄膜小電極４２ａａにもグランド用ポスト６２ａやバイアホール６２ｂが形成されていない。 - 特許庁

By this, since oxygen transported from the first pumping electrode 58 to the reference electrode 60 is accumulated in the dense layer 57 surrounding the reference electrode 60, it is possible to stabilize the oxygen partial pressure of the reference electrode in a high state, and the electromotive force corresponding to the difference between the oxygen partial pressure of the first pumping electrode 58 and the oxygen partial pressure of the reference electrode 60 indicates stoichiometric characteristics.例文帳に追加

これにより、第１ポンピング電極５８から基準電極６０に輸送される酸素が、基準電極６０を囲む緻密層５７に溜め込まれることになり、基準電極の酸素分圧を高い状態に安定させることができ、第１ポンピング電極５８の酸素分圧と基準電極６０の酸素分圧との差に応じた起電力がストイキ特性を示すようになる。 - 特許庁

A gate electrode 15 of the MISFET comprises a first part extending on the surface of an element separation insulating layer 13 that has been polished to the same height as the surface of an element formation region of a silicon substrate 11, and a second part which extends from the first part and is embedded, through a gate oxide film, in a gate trench 16 formed inside an element formation region 14.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１５が、シリコン基板１１の素子形成領域の表面と同じ高さに研磨された素子分離絶縁層１３の表面上に延びる第１の部分と、第１の部分から延長し、素子形成領域１４の内部に形成されたゲートトレンチ１６内にゲート酸化膜を介して埋め込まれた第２の部分とを有する。 - 特許庁

In one edge 331 of a corner on the side where a coil starts to be wound, which is either of both slot side corners of tooth end faces 33, coil holding grooves 34 are formed to all coils from a winding start to a winding end in the first layer according to a coil wire diameter to be wound.例文帳に追加

ティース部端面３３のスロット側両角部のうち巻線時にコイルが掛かり始める側の角部１辺３３１に、巻装されるコイル線径に応じ第１層目の巻始めから巻終りまでの全てのコイルに対してコイル保持溝３４を形成している。 - 特許庁