「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(459ページ目) - Weblio英語例文検索

In a light-emitting device, a light-emitting element is formed by a layer containing a light-emitting material held by and between a first electrode and a second electrode and one of the electrodes (the second electrode) and an auxiliary wiring are electrically connected not only in a peripheral part but also in a pixel part.例文帳に追加

発光装置は、第１の電極と第２の電極との間に発光物質を含む層を挟んでなる発光素子の一方の電極（第２電極）と補助配線とが、周辺部だけでなく画素部においても電気的に接続されている。 - 特許庁

The light source 100 for infrared wireless communication according to a first aspect of the present invention is provided with an organic electroluminescent element 110 serving as an infrared light source, which at least includes a negative electrode 105, a positive electrode 102, and a light-emitting layer 104.例文帳に追加

本発明の第１の態様に係る赤外線無線通信用光源１００は、少なくとも陰極１０５と、陽極１０２と、発光層１０４とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を、赤外線光源として用いたものである。 - 特許庁

The first optical layer includes a structure arrayed one-dimensionally or two-dimensionally on a surface where the wavelength selective reflection film is formed, and a main axis of the structure is tilted to an array direction of the structure based on a perpendicular of an incidence plane.例文帳に追加

第１の光学層は、波長選択反射膜が形成される面に１次元配列または２次元配列された構造体を有し、構造体の主軸が、入射面の垂線を基準にして構造体の配列方向に傾いている。 - 特許庁

A single crystal MgO(001) substrate 11 is prepared, an epitaxial Fe(001) lower electrode (first electrode) 17 by a thickness of 50 nm is grown on a MgO(001) seed layer 15 at a room temperature, and then, annealing is performed in ultra-high vacuum at 350°C.例文帳に追加

単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空において、３５０℃でアニールを行う。 - 特許庁

An alloy containing zinc with a basic group of tin is used as a junction material and a first member on which a coating film layer is provided with tin and lead 5% or more in weight ratio and 95% or less in the surface composition and a second member are bonded together.例文帳に追加

亜鉛を含有し錫を基とする合金を接合材料として用いて、表面組成が錫と重量比で５％以上かつ９５％以下の鉛とを有する被覆層が設けられた第１の部材を第２の部材と接合する。 - 特許庁

By plasma of a mixture gas of a first gas including He etc. but not Cl_2 and a SO_2 gas, the surface layer part of the side and top surface of the resist pattern is etched and at the same time, the antireflection film is etched to its bottom surface using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

Ｃｌ_２を含まず、Ｈｅ等を含む第１のガスとＳＯ_２ガスとを含む混合ガスのプラズマにより、レジストパターンの側面及び上面の表層部をエッチングすると共に、レジストパターンをマスクとして反射防止膜をその底面までエッチングする。 - 特許庁

In a label manufacturing device 10, a peeling device 30 temporarily peels a label rolled web 14 first into label paper 22 and paste board 25 and a printing device 30 prints for glue exclusion on the surface of a peeling agent layer of the paste board 25 to form a glue exclusion part.例文帳に追加

ラベル製造装置１０において、まず剥離装置３０でラベル原反１４をラベル紙２２と台紙２５とに一時的に剥がし、印刷装置４０で台紙２５の剥離剤層の表面に糊殺しの印刷を施して、糊殺し面を形成させる。 - 特許庁

When a received packet is a VLAN packet, a first node 10a retrieves the address conversion table T1 on the basis of the VLAN identifier, extracts the MAC address, generates an RPR packet obtained by storing the MAC address in a destination address on the RPR layer, and transmits the RPR packet to an RPR network 2.例文帳に追加

第１のノード１０ａは、受信パケットがVLANパケットであれば、VLAN識別子をもとにアドレス変換テーブルＴ１を検索して、MACアドレスを抽出し、MACアドレスをRPRレイヤ上の宛先アドレスに格納したRPRパケットを生成して、RPRネットワーク２上に送信する。 - 特許庁

The first strip 50 and the second strip 80 as reinforced materials are mutually fixed by adhesive layers 64, and a second adhesive layer 72 is arranged so as to install the cross-woven freight binding strip 50 on the internal surface of the transport container.例文帳に追加

補強材料の第１のストリップ５０及び第２のストリップ８０は互いに、接着剤層６４で固定されており、輸送コンテナの内部表面に交差織り荷物拘束ストリップ５０を取り付けるように第２の接着剤層７２が設けられる。 - 特許庁

The brushes 60, 62, 64 comprises a three-layer structure laminated with first low resistance layers 60a, 62a, 64a, high resistance layers 60b, 62b, 64b having a high resistance, and second low resistance layers 60c, 62c, 64c.例文帳に追加

各ブラシ６０,６２,６４は、夫々回転方向に沿って抵抗値の低い第１低抵抗層６０ａ,６２ａ,６４ａと、抵抗値の高い高抵抗層６０ｂ,６２ｂ,６４ｂと、第２低抵抗層６０ｃ,６２ｃ,６４ｃを積層した３層構造になっている。 - 特許庁

First and second reflection prevention films 12d, 12e made of silicon nitride are formed in advance on the interface P2 between the SOI layer 16 and the insulating film 13 and on the interface P1 between the insulating film 13 and the support substrate 11 before applying laser beams.例文帳に追加

レーザ光の照射に先立ち、ＳＯＩ層１６と絶縁膜１３との界面Ｐ２、および絶縁膜１３と支持基板１１との界面Ｐ１に、それぞれ窒化シリコンの第１および第２の反射防止膜１２ｄ，１２ｅを予め形成しておく。 - 特許庁

The MISFET comprises first and second impurity-diffused regions of a second conductivity type, interposing a channel region, arranged in the surface layer of the semiconductor substrate; and a gate electrode formed on the channel region via a gate insulating film.例文帳に追加

このＭＩＳＦＥＴは、半導体基板の表層部に、チャネル領域を挟んで配置された第２導電型の第１及び第２の不純物拡散領域と、チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device in which a second conductivity type epitaxial layer is formed on a first conductivity type semiconductor substrate and which can suppress a leakage current generated in a chip end surface and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板上に第２導電型のエピタキシャル層が形成された基板構造をもち、かつ、チップ端面に発生するリーク電流を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

While an internal conductor 11a of the coaxial cable 11 and a core wire 12a of the general electric cable 12 are contacted closely with a first barrel portion 13a of a joint terminal 13 by pressing, an insulating layer 11b of the coaxial cable 11 is contacted closely with a second barrel portion 13b by pressing.例文帳に追加

同軸ケーブル１１の内導体１１ａと一般電線１２の芯線１２ａとをジョイント端子１３の第１バレル部１３ａで圧着すると共に、同軸ケーブル１１の絶縁層１１ｂを第２バレル部１３ｂで圧着する。 - 特許庁

First paired bit line BM/BM for reading a data out of an arbitrary memory cell in a memory cell train and second paired bit line BS/BS writing a data into another arbitrary memory cell in the memory cell train are formed at different layers with an inter-layer insulating film 32 in between.例文帳に追加

メモリセル列の任意のメモリセルよりデータを読み出す第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭと、メモリセル列の他の任意のメモリセルにデータを書き込む第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳとは、層間絶縁膜３２を介して、それぞれ異なる層に形成される。 - 特許庁

A wiring substrate 100 having an electronic component 20 mounted on a major surface 100b has a core insulating layer 110, and the major surface has first and second connection bumps 187 and 188 alternately arranged on the major surface in a lattice form to be formed as power and grounding terminals.例文帳に追加

主面１００ｂ側に電子部品２０を搭載する配線基板１００は、コア絶縁層１１０を有し、主面側には電源端子や接地端子となる第１，第２接続バンプ１８７，１８８が格子状に交互に配置されている。 - 特許庁

A hole 60 penetrating the insulating film is formed by making incident a pulse laser beam in the ultraviolet range on the position overlapping the internal layer pattern 51 of the insulating film 52 so as to make pulse energy density on the surface of the insulating film to become first pulse energy density.例文帳に追加

絶縁膜５２の、内層パターン５１と重なる位置に、該絶縁膜の表面におけるパルスエネルギ密度が第１のパルスエネルギ密度になるように紫外域のパルスレーザビームを入射させて、該絶縁膜を貫通する穴６０を形成する。 - 特許庁

N-type first and second electrode diffusion layers 221 and 222 and a p-type third electrode diffusion layer 23 are formed in the same step as that at the time, when an n-channel or p-channel MOSFET source/drain region is formed.例文帳に追加

Ｎチャネル型やＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域の形成時と同一の工程でＮ型の第１電極用拡散層２２１及び第２電極用拡散層２２２、Ｐ型の第３電極用拡散層２３を形成する。 - 特許庁

The reflecting layer 44 is covered by a protective film 46 and a first electrode 50 having the work function similar to that of the second electrode 250 and consisting of a transparent conductive material, such as ITO, is formed on the protective film 46 and is connected to the TFT 110.例文帳に追加

反射層４４は保護膜４６で覆い、この保護膜４６上に第２電極２５０と同様の仕事関数を備えるＩＴＯ等の透明導電材料からなる第１電極５０を形成しＴＦＴ１１０と接続する。 - 特許庁

The first wiring layer 121 further has three guard ground wires 105, 106, 107, which are separated from each other, extended between the pair of signal wires 103, 104 along the pair of signal wires 103, 104 and impressed with the ground potential.例文帳に追加

第１の配線層１２１には、一対の信号配線１０３，１０４の間であって、一対の信号配線１０３，１０４に沿って延び、グラウンド電位が付与される３本のガードグラウンド配線１０５，１０６，１０７が互いに離間して設けられている。 - 特許庁

Then, by irradiating and heating electron beams from an electron beam irradiation part 59 in vacuum atmosphere from the mixed powder 40 side in curtain state, the negative electrode active material 41b is adhered on the copper foil 50, and a first layer negative electrode active material 41b is formed.例文帳に追加

そして、電子線照射部５９からの電子線を真空雰囲気中で混合粉体４０の側からカーテン状に照射・加熱して銅箔５０に負極活物質４１ｂを固着させ１層目の負極活物質４１ｂを形成する。 - 特許庁

Between these substrates 4, 5, a reflector electrode 6, an organic EL layer 7, a first transparent electrode 8, liquid crystal 9, a second transparent electrode 10, and a color filter 11 are laminated successively from the substrate 5 side located opposite to the light emitting direction X.例文帳に追加

この基板４，５の間には光の取出方向Ｘの反対側に位置する基板５側から、反射電極６、有機ＥＬ層７、第１透明電極８、液晶９、第２透明電極１０及びカラーフィルタ１１が積層されている。 - 特許庁

Thanks to the copper plating film 29, the surfaces of the first and second electrodes 21 and 22 are smooth and no resin residue is left out when a non- through hole 43 is opened at a connection layer 40, for raised connection reliability between the via holes 46 and the chip capacitors 20.例文帳に追加

銅めっき膜２９により第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、接続層４０に非貫通孔４３を穿設した際に樹脂残さが残らず、バイアホール４６とチップコンデンサ２０との接続信頼性を高めることができる。 - 特許庁

A same driving signal is supplied to the third barrier pixels and the counter electrode while a driving signal for applying an effective voltage to a liquid crystal layer between the substrate and the counter electrode is supplied to the first barrier pixels and the second barrier pixels to perform a vertical-stripe barrier display.例文帳に追加

第三バリア画素と対向電極に同一の駆動信号を、第一バリア画素と第二バリア画素に対向電極との間の液晶層に実効電圧を印加する駆動信号を供給して縦ストライプのバリア表示を行う。 - 特許庁

The drum shell is constituted by laminating at least one laminate wood 11 in which at least one fiber-reinforced layer 14 is laminated via adhesives 13 and 16, between a first wood veneer 12 and a second wood veneer 16.例文帳に追加

第１の木材単板１２と第２の木材単板１６との間に、少なくとも１層の強化繊維層１４が接着剤１３、１６を介して積層されてなる単位合板１１を、少なくとも１以上積層させてなるドラム用シェルを採用する。 - 特許庁

Charge holding portions 10A, 10B are formed on both sides of the gate electrode 13 respectively, and first and second diffusion-layer regions 17, 18 with a second conductive type are formed on regions of the semiconductor substrate 11 corresponding to the portions 10A, 10B, respectively.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側に電荷保持部１０Ａ，１０Ｂを夫々形成し、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂに対応する半導体基板１１の領域に第２導電型の第１，第２の拡散層領域１７，１８を夫々形成する。 - 特許庁

The silicon carbide layer includes a body region 3 that faces a gate electrode 9 via the gate insulating film 8 and has a first conductivity type and a pair of regions 2 and 4 that is separated from each other by the body region 3 and has a second conductivity type.例文帳に追加

炭化珪素層は、ゲート絶縁膜８を介してゲート電極９と対向しかつ第１導電型を有するボディ領域３と、ボディ領域３によって互いに分離されかつ第２導電型を有する１対の領域２、４とを含む。 - 特許庁

The organic resin layer is formed to fill at least a part of a constricted part formed between an end part of the first bump, and a bottom surface of the second bump, and formed not to extend upward relative to the bottom surface of the second bump.例文帳に追加

有機樹脂層は、第１のバンプの先端部と第２のバンプの底面との間に形成されたくびれ部の少なくとも一部を充填するように形成され、かつ第２のバンプの底面より上方へは延出しないように形成されている。 - 特許庁

The film thicknesses t1 and t2 of a first free magnetic layer 53 and a second free magnetic layer 55 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure are set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept unchanged.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及び第２フリー磁性層５５の膜厚ｔ２をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁

The resistance film type touch panel 1 includes an upper substrate 10 including a transparent substrate having a resistance film and a wiring layer provided on one side thereof; and a lower substrate 20 including a transparent substrate having a resistance film and a wiring layer provided on one side thereof, both the substrate being adhered through a first adhesive layer 40 so that the respective resistance films are opposed to each other.例文帳に追加

一方の面に抵抗膜および配線層が設けられた透明基板を含む上側基板１０と一方の面に抵抗膜および配線層が設けられた透明基板を含む下側基板２０とをそれらの抵抗膜同士が対向するように第１の接着層４０により互いに接着する抵抗膜方式のタッチパネル１において、上側基板１０の透明基板の抵抗膜とは反対側の面に第２の接着層１４を介して透明板１５を設ける。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device, where a bonding pad 2 is formed using a first and second wiring layers 14, 17, has plural slit-like ditches arranged and provided between the first wiring layer 14 and the second wiring layer 17, and long-length direction H1 of connection part 15 corresponds to the moving direction H2 of a probe 3 for contacting the bonding pad 2.例文帳に追加

ボンディングバッド２を第１及び第２の配線層１４、１７を用いて形成した半導体装置の製造方法であって、前記第１の配線層１４と第２の配線層１７との間に、スリット状の溝を複数並べて設け、この溝内に、前記第１の配線層１４と第２の配線層１７とを接続する接続部１５を形成すると共に、前記接続部１５の長手方向Ｈ１と前記ボンディングバッド２に接触せしめるプローブ３の当接方向Ｈ２とを一致せしめたことを特徴とする。 - 特許庁

The cathode for the lithium secondary battery is obtained by arranging a mixture layer including cathode active material particles containing silicon and/or silicon alloy and a binder on the surface of a collector, of which an active layer void ratio as defined in formulae 1 and 2 is 60% or less after charging and discharging of a first cycle or later.例文帳に追加

ケイ素及び／またはケイ素合金を含む負極活物質粒子と、バインダーとを含む合剤層を集電体の表面上に配置して得られるリチウム二次電池用負極であって、合剤層における下記の式１及び式２により定義される活物質層空隙率が、１サイクル目以降の充放電後において、６０％以下であるリチウム二次電池用負極。 - 特許庁

In the electrophotographic apparatus in which the photoreceptor is subjected to at least processes of electrification, exposure, reversal development and transfer and image formation is performed from the first rotation of the photoreceptor, the photoreceptor has a photosensitive layer on a conductive support and the photosensitive layer contains a phthalocyanine compound as a charge generating material and further contains an azo compound.例文帳に追加

少なくとも、帯電、露光、反転現像、転写の各プロセスを、感光体に対して行ない、該感光体の一回転目から画像形成を行なうことを特徴とする電子写真装置であって、該感光体は導電性支持体上に感光層を有し、該感光層は電荷発生物質としてフタロシアニン化合物と、さらにアゾ化合物を含有することを特徴とする電子写真装置。 - 特許庁

(1) The DRAW type magnetic recording medium is obtained by disposing at least a first light absorption layer essentially consisting of an organic material and a second light absorption layer essentially consisting of a metallic material and/or an inorganic material.例文帳に追加

（１）基板上に少なくとも、有機材料を主成分とする第一の光吸収層と、金属材料及び／又は無機材料を主成分とする第二の光吸収層を設けた追記型光記録媒体において、第一及び第二の光吸収層は、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が０．５以下である追記型光記録媒体。 - 特許庁

The placing stand 12 of a plasma treatment apparatus 10 includes: a lower electrode 20 connected to a first high frequency power supply 28 and a second high frequency power supply 29; a dielectric layer 21 embedded at the center of the upper surface of the lower electrode 20; and an electrostatic chuck 22 placed on the dielectric layer 21.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０の載置台１２は、第１の高周波電源２８及び第２の高周波電源２９に接続される下部電極２０と、該下部電極２０の上面中央部分において埋設される誘電体層２１と、該誘電体層２１の上に載置される静電チャック２２とを有し、該静電チャック２２が有する電極膜３７は以下の条件を満たす。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an element isolation insulating film formed on a substrate; an element region and a dummy pattern region on the substrate that are partitioned by the element isolation insulating film; a first epitaxial crystal layer formed on the substrate in the element region; and a second epitaxial crystal layer formed on the substrate in the dummy pattern region.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、基板上に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜により前記基板上に区画された素子領域およびダミーパターン領域と、前記素子領域内の前記基板上に形成された第１のエピタキシャル結晶層と、前記ダミーパターン領域内の前記基板上に形成された第２のエピタキシャル結晶層と、を有する。 - 特許庁

The transparent conductive laminate 10 has a rugged structure layer 2, a first dielectric thin film 3, a second dielectric thin film 4, and a transparent conductive thin film 5 laminated in turn on one of the faces of a transparent film base material, with a transparent base body 8 bonded to the other face of the film base material through a transparent adhesive layer 7.例文帳に追加

本発明の透明導電性積層体１０は、透明なフィルム基材１の一方の面に、凹凸構造層２、第１誘電体薄膜３、第２誘電体薄膜４および透明な導電性薄膜５が順次積層されており、前記フィルム基材１の他方の面に透明な粘着剤層７を介して透明基体８が貼り合わされていることを特徴とする。 - 特許庁

A second conductivity emitter region 18 is formed inside the first conductivity body layer 12, and a gate electrode 22 to the second conductivity drift layer 10 through the second conductivity emitter region 18 is formed.例文帳に追加

ドレイン電極２、高濃度第１導電型半導体基板４、高濃度第２導電型バッファ層６、第１導電型ドリフト層８、第２導電型ドリフト層１０、第１導電型ボディ層１２の順で積層し、第１導電型ボディ層１２内に第２導電型エミッタ領域１８を形成し、第２導電型エミッタ領域１８を貫通して第２導電型ドリフト層１０に達するゲート電極２２を形成する。 - 特許庁

The entire or partial first charge storage capability of the second gate charge storage layer 22b' subjected to ion implantation using fluorine gas and/or hydrogen-based gas is smaller than the entire or partial second charge storage capability of the second gate charge storage layer 22b' before ion implantation using fluorine gas and/or hydrogen-based gas is executed.例文帳に追加

フッ素系ガスおよび／または水素系ガスを用いるイオン注入が実施された前記第２のゲート電荷蓄積層（２２ｂ’）の全部または一部の第１の電荷蓄積能力は、フッ素系ガスおよび／または水素系ガスを用いるイオン注入が実施される前の前記第２のゲート電荷蓄積層（２２ｂ’）の前記全部または前記一部の第２の電荷蓄積能力より低い。 - 特許庁

To provide a film for a hard coat which can form a two-stage curable hard coat layer through first, semicuring a coating film by irradiation with an activation energy beam and completely curing a semicured film by heat and fully displays the original hardness of a resin and is less costly, and an adhered of a hard coat film with the hard coat layer formed by attaching the film for a hard coat.例文帳に追加

活性エネルギー線の照射で半硬化し、その後の加熱により完全硬化する２段硬化型のハードコート層を形成することができるハードコート用フィルムであって、樹脂本来の硬度を十分に発揮させることができ、しかも安価なハードコート用フィルムと、このハードコート用フィルムを貼着してハードコート層を形成したハードコートフィルム被着体を提供する。 - 特許庁

In a transparent electrode 13 with an auxiliary electrode 16 between itself and a transparent substrate 14, a first low refractive index layer 17 having a lower refractive index than the transparent substrate 14 is provided on the transparent substrate 14 side of the auxiliary electrode 16, and a second low refractive index layer 18 having a lower refractive index than the transparent electrode 13 is provided on the transparent electrode 13 side of the auxiliary electrode 16.例文帳に追加

透明基板１４との間に補助電極１６を有する透明電極１３において、補助電極１６の透明基板１４側に透明基板１４よりも屈折率の低い第１低屈折率層１７を、補助電極１６の透明電極１３側に透明電極１３よりも屈折率の低い第２低屈折率層１８を設けた構成とする。 - 特許庁

The fuel cell is provided with: a base material layer 18, 26 having a porosity and conductivity, and also having different water repelling properties depending on its positions; fine hole layers 16, 24 which contain a first member having a porosity and conductivity and a conductive second member made of particles, and have a higher density than the base material layer and catalyst layers 14, 22 containing a catalyst having a catalyst action.例文帳に追加

多孔質で導電性を有し、部位によって異なる撥水性を有する基材層１８、２６と、多孔質で導電性を有する第１の部材と粒子状で導電性を有する第２の部材とを含み、基材層より高い密度を有する微孔層１６、２４と、触媒作用を有する触媒を含む触媒層１４、２２と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The adhesive sheet comprises first release paper, an adhesive layer and second release paper that are laminated in this order, wherein the adhesive layer contains an adhesive; the adhesive contains at least an acrylic resin, an epoxy resin and a curing agent; and the content of the epoxy resin is in the range of 175 to 300 parts per 100 parts of the acrylic resin, in terms of mass.例文帳に追加

第１離型紙と、粘接着層と、第２離型紙とを、この順で積層してなる粘接着シートであって、前記粘接着層が、粘接着剤を含んでなり、前記粘接着剤が、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、および硬化剤を少なくとも含み、前記エポキシ樹脂の含有量が、アクリル系樹脂１００部に対して、質量基準において１７５〜３００部含まれている。 - 特許庁

An electroplating soln. is then supplied by the control part from an electroplating soln. feed line 3 to the surface Ws of the substrate W on which the seed layer is formed and held by the mechanism 10, power is supplied between a first electrode 131 and a second electrode 126, and an electroplating layer is formed on the surface Ws of the substrate W in a specified thickness.例文帳に追加

基板Ｗが基板保持機構１０に保持された状態で、制御部は、次に、シード層が形成された基板Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキ液供給系３から電解メッキ液を供給するとともに、第１電極１３１と第２電極１２６との間に給電して、基板Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキで所定の厚さのメッキ層を形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing an organic electroluminescent element having a first electrode, at least one organic functional layer, a second electrode, and a sealing layer are laminated in sequence on a base material comprises a discharging process, where at least the discharging process is done in an environment with an oxygen concentration ranging from 100 to 1000 ppm.例文帳に追加

基材上に、第１の電極と、少なくとも１層の有機機能層と、第２の電極と、封止層とを順次積層した構成を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記製造方法は除電工程を含み、少なくとも前記除電工程の環境が、酸素濃度１００ｐｐｍから１０００ｐｐｍであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁