「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(461ページ目) - Weblio英語例文検索

The photovoltaic device is constituted by (a) a plurality of elongated semiconductor nanostructures (nanowire is one of these), having first type doping, in which a plurality of the elongated semiconductor nanostructures are arranged on a substrate, and (b) a single amorphous layer of a semiconductor material, having second type doping, in which the layer is provided on the elongated semiconductor nanostructures in a conformal manner.例文帳に追加

光起電力デバイスを、（ａ）基板上に配設された複数の細長い半導体ナノ構造であって、第１のタイプのドーピングを有する複数の細長い半導体ナノ構造（ナノワイヤーはその１種である）と、ｂ）細長い半導体ナノ構造上にコンフォーマルに設けられ、第２のタイプのドーピングを有する半導体材料の単一の非晶質層、により構成する。 - 特許庁

A seizure resistance improving method comprises a first step of carburizing a sliding surface of a steel base, a second step of performing chromium plating on the carburized sliding surface, and a third step of forming an oil sump recess comprising very small recesses in a chromium-plated layer and a relatively large recess formed by a peeled chromium-plated layer on the sliding surface by giving shocks to the chromium-plated sliding surface.例文帳に追加

鉄鋼基材の摺動面を浸炭処理する第１の工程と、浸炭処理された上記摺動面にクロムメッキを施す第２の工程と、クロムメッキが施された上記摺動面に衝撃を与えて該摺動面にクロムメッキ層の微小凹部と該クロムメッキ層の剥落による比較的大きな凹部とからなる油溜り凹部を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The print head comprises an insulating board 2, a plurality of through holes 3 penetrating the board 2, a plurality of control electrodes 4 provided on outer peripheries of the holes 3 of one surface of the board 2, a first insulating layer 6 covering a surface of the board 2 at the electrode 4 side, and a second insulating layer 7 covering inner walls of the holes 3 of the board 2.例文帳に追加

絶縁性基板２と、絶縁性基板２を貫通する複数の貫通孔３と、絶縁性基板２片面の貫通孔３外周りに設けられた複数の制御電極４と、絶縁性基板２の制御電極４側表面を被覆する第１絶縁層６と、絶縁性基板２の貫通孔３内壁を被覆する第２絶縁層７とを備えている。 - 特許庁

The present invention is manufacturing of a magnetic circuit, where, in an apparatus including the magnetic circuit with a permanent magnet adhered to a yoke while designed so as to be supplied with a coolant 21, on at least a part contacting to the coolant 21 of the magnetic circuit, a first layer made of at least epoxy resin is spray-coated and then a second layer made of fluoro-resin is spray-coated.例文帳に追加

ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにした磁気回路を持つ装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層を吹き付け塗布し、フッ素樹脂の第2層を吹き付け塗布することを特徴とする磁気回路の製造方法。 - 特許庁

The supplementary firing body 9 has a movable layer 21 consisting of a number of first heat resistant spheres arranged horizontally in parallel and vertically in tandem in closely contacting relation adaptable for vertical relative motion and a fixed layer 22 consisting of a number of second heat resistant spheres arranged thereunder horizontally in parallel and vertically in tandem in closely contacting relation unadaptable for relative motion.例文帳に追加

助燃体９は、多数の第１耐熱性球体を上下方向に相対運動可動な密接状態で水平方向に並列させると共に上下方向に縦列させてなる可動層２１とその下位において多数の第２耐熱性球体を相対運動不能な密接状態で水平方向に並列させると共に上下方向に縦列させてなる固定層２２とからなる。 - 特許庁

In a step S10, image information or the low frequency component of the image is divided into a plurality of tiles, and wavelet transform is performed for the image information or the low frequency component present in each tile without utilizing the image information or the low frequency component present in the other tiles in the wavelet transform applied to layers from a first layer to a layer under the Th (N in step S9).例文帳に追加

第一階層からＴｈより下までの階層（ステップＳ９のＮ）のウェーブレット変換においては、画像情報または低周波成分を複数のタイルに分割し、当該各タイル内に存在する画像情報または低周波成分に対し、他のタイル内に存在する画像情報または低周波成分を利用することなくウェーブレット変換を実行する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

The white thermal transfer sheet comprises a first white layer containing a white pigment, a binder containing a wax as a main component, and polyolefin particles having a melting point of 100°C or higher, and a second white layer containing a white pigment, a binder containing a wax as a main component and a binder containing a petroleum resin having a softening point of 120 to 160°C, sequentially laminated on a base.例文帳に追加

基材の上に、白色顔料と、ワックスを主成分とするバインダーと、融点が１００℃以上のポリオレフィン系粒子とからなる第１白色層、および、白色顔料と、ワックスを主成分とし、軟化点が１２０〜１６０℃の石油樹脂を含有するバインダーとからなる第２白色層を順次積層したことを特徴とする白色熱転写シート。 - 特許庁

The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加

マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁

In the laminated body 1 for IC wristbands, an information recording base material 10 in which an IC inlet 12 is stuck on a surface base material 11 via a first adhesive layer 13, is integrated with a back surface base material 20 via a second adhesive layer 30, and a notch 41 is formed, which outlines an IC inlet 12-provided wristband 40 having a prescribed form.例文帳に追加

本発明のＩＣリストバンド用積層体１は、表面基材１１にＩＣインレット１２が第１の貼着剤層１３を介して貼着された情報記録基材１０と、裏面基材２０とが、第２の貼着剤層３０を介して一体化され、ＩＣインレット１２を備えた所定形状のリストバンド４０を輪郭付ける切り込み４１が形成されている。 - 特許庁

By sequentially forming, on a back substrate 2, data electrodes 10, a first dielectric layer 17 covering them, priming electrodes 15, and a second dielectric layer 18 covering them, and by forming a bored part 10a in a part of each data electrode 10, deformation of the data electrodes 10 in manufacturing is prevented, and the withstand voltage of the data electrodes 10 and the priming electrode 15 is improved.例文帳に追加

背面基板２上に、データ電極１０、これを覆う第１誘電体層１７、プライミング電極１５、これを覆う第２誘電体層１８を順に形成するとともに、データ電極１０の一部にくり抜き部１０ａを設けることで、製造時におけるデータ電極１０の変形を防ぎ、データ電極１０とプライミング電極１５の絶縁耐圧を向上させる。 - 特許庁

By using a semiconductor material, that has silicon as a main constituent and contains germanium by 0.1-10 atom.% for a first layer, and an amorphous silicon film for a second layer, and then applying laser beams to the lamination or an amorphous semiconductor film made by laminating at least three layers for crystallization, an appropriate semiconductor film is obtained, and a TFT is manufactured by using the semiconductor film.例文帳に追加

シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを０．１〜１０原子％含有する半導体材料を第１層目、非晶質シリコン膜を第２層目に用い、これらの積層、または３層以上の積層からなる非晶質半導体膜にレーザー光を照射して結晶化を行うことで、良好な半導体膜が得られ、その半導体膜を利用してＴＦＴを作製する。 - 特許庁

In the manufacturing method of color filter using a dry etching method, the dry etching is performed by a first etching step of forming a colored layer removing part 6 by using a gaseous mixture containing fluorine type gas and oxygen gas and a second etching step of removing the colored layer removing part 6 and forming a support exposure part by using a gaseous mixture containing nitrogen gas and oxygen gas.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を形成する第１のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を除去し支持体露出部を形成する第２のエッチング工程とで行う。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with either one or both of the island type semiconductor layer formed on a partial region of the semiconductor substrate, first elements formed on the side wall of the island type semiconductor layer, more than one of second elements formed on the surface of the other regions than the semiconductor substrate, and the non-circuit patterns formed on the surface of other regions.例文帳に追加

半導体基板上の一部の領域に形成された島状半導体層と、前記島状半導体層の側壁上に形成された第１素子と、前記半導体基板上の他の領域の表面に形成された１以上の第２素子と前記他の領域の表面に形成された非回路パターンとのいずれか一方あるいは両方を備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

This film is produced by laminating a first layer A made of a polyester having a major repeating unit of an ethylene terephthalate and a second layer B made of a composition of 1-40 wt.% of an acrylic resin consisting of a repeating unit represented with the formula and 60-99 wt.% of a polyester having a major repeating unit of an ethylene terephthalate to each other.例文帳に追加

エチレンテレフタレートを主たる繰り返し単位とするポリエステルからなる第１層（Ａ）と、下記一般式で表わされる繰り返し単位からなるアクリル樹脂１〜４０重量％とエチレンテレフタレートを主たる繰り返し単位とするポリエステル６０〜９９重量％からなる組成物で形成される第２層（Ｂ）とを積層してなることを特徴とする金属板ラミネート用積層フィルム。 - 特許庁

The data output device 100 includes a parameter input accepting unit 102 to accept the proportion occupied by recesses having a first reference width or smaller in the objective layer to the objective layer, a calculating unit 104 to calculate an integrated current amount necessary to bury the plurality of recesses with the conductive material, and an output unit 108 to output the integrated current amount.例文帳に追加

データ出力装置１００は、目的の層における第一の基準幅以下の凹部が当該層に占める割合を受け付けるパラメータ入力受付部１０２と、その割合に応じて、導電性材料で複数の凹部を埋め込む際に必要とする積算電流量を算出する算出処理部１０４と、積算電流量を出力する出力部１０８と、を含む。 - 特許庁

In the manufacturing method of the multilayer board, a conductive wiring layer 14 formed by patterning a conductive film 13 is laminated via an insulating film 12, a circular confirmation hole 14 is provided in the conductive film 13 laminated first, the position of the confirmation section 14 is recognized, and the second wiring layer 18 or thereafter is patterned.例文帳に追加

本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に円形の確認孔１４を設け、この確認部１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。 - 特許庁

When transfer is applied only on the transfer necessary region of a receiving base material B having the transfer necessary region Et and a transfer unnecessary region En, at first, a transfer sheet S consisting of a support sheet 1 and a transfer layer 2 is pressed or heated under pressure to bond the transfer layer to the receiving base material only on the transfer necessary region and the support sheet is peeled.例文帳に追加

転写必要領域Ｅｔと転写不要領域Ｅｎを有する被転写基材Ｂ上の転写必要領域上のみに転写を行う際に、先ず、支持体シート１と転写層２とから成る転写シートＳを、加圧又は加熱加圧により、その転写層を転写必要領域上に於いてのみ被転写基材に接着させた後、支持体シートを剥離する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 10 constituted of a group III-V nitride semiconductor; a semiconductor laminate 11 formed on a principal surface of the substrate 10, and including an n-type semiconductor layer 12 and a p-type semiconductor layer 14; and a first insulating film 15 which is formed on the semiconductor laminate 10, and of which heat conductivity is high in comparison with the semiconductor laminate 11.例文帳に追加

半導体装置は、III−Ｖ族窒化物半導体からなる基板１０と、基板１０の主面上に形成され、ｎ型半導体層１２及びｐ型半導体層１４を含む半導体積層体１１と、半導体積層体１０の上に形成され、半導体積層体１１と比べて熱伝導率が高い第１の絶縁膜１５とを備えている。 - 特許庁

In the liquid crystal display provided with the first glass substrate having the electrode parts and the second glass substrate having RGB layers, a black matrix layer, an overcoat layer and the transparent conductive film layers, the transparent conductive film layers of the second glass substrate are formed in a matrix shape and the transparent conductive film layers vertically and horizontally adjacent to each other are partially connected to each other.例文帳に追加

電極部を有する第１ガラス基板と、ＲＧＢ層、ブラックマトリクス層、オーバーコート層及び透明導電膜層とを有する第２ガラス基板とを備えた液晶表示表示装置において、第２ガラス基板の透明導電膜層がマトリクス状に形成され、上下左右に隣接する透明導電膜層を部分的に接続されている液晶表示装置とする。 - 特許庁

The reflection sheet 10 is constituted as follow; a silver deposition film 14 as a positive reflection layer is formed on the surface 13a of a resin material sheet 13 and a translucent resin layer 15 excellent in light transmissivity which includes first filler 16 having a relatively small particle size and second filler 17 having a relatively large particle size is formed on the surface 14a of the silver deposition film 14.例文帳に追加

反射シート１０は、樹脂材料製シート１３の表面１３ａに正反射層としての銀蒸着膜１４が形成され、この銀蒸着膜１４の表面１４ａに相対的に粒径の小さな第１のフィラー１６と相対的に粒径の大きな第２のフィラー１７を含む光透過性に優れた透光性樹脂層１５が形成されてなるものである。 - 特許庁

Projections 12 made of magnetostriction material are formed on one main surface of a substrate 11, and a nitride-based III-V group compound semiconductor layer 15 is grown on recessed parts 13 among the projections 12, which has first a triangular sectional shape with a bottom side as their bottom surfaces, and is further grown from the nitride-based III-V group compound semiconductor layer 15 in horizontal direction.例文帳に追加

基板１１の一主面に磁歪材料からなる凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。 - 特許庁

To obtain a low-cost and high-performance semiconductor integrated circuit and its manufacturing method by preventing production of drum shapes in a second insulating layer which insulates conductive layers, by etching in lateral direction in a multilayer wiring construction in which layers including conductive layers as wiring are formed in multilayer, by interposing a first insulating layer made mainly of organic polymer film.例文帳に追加

配線となる導電層を含む層状部分が、有機高分子膜を主材料とする第一絶縁層を介在して多層的に形成された多層配線構造において、横方向エッチングによって導電層間を絶縁する第二絶縁層に太鼓形状が生じることを防止し、低コストで高性能な半導体集積回路およびその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

When laminating a plurality of material layers by discharging ink from a droplet discharge head to a substrate P, a non-discharging region H is preset on a drain electrode 544, ink is discharged on a part other than non-discharging region of the drain electrode 544, and a second interlayer insulating layer 584 is formed on the drain electrode 544 and a first interlayer insulating layer 583.例文帳に追加

基板Ｐに対して液滴吐出ヘッドからインクを吐出して複数の材料層を積層する際、ドレイン電極５４４上面に非吐出領域Ｈを予め設定しておき、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外の部分にインクを吐出して、ドレイン電極５４４及び第１層間絶縁層５８３上層に第２層間絶縁層５８４を形成する。 - 特許庁

On at least one face of a polymer thin film 5 made of molecular compound, as principal component, which is obtained by superimposing monomer in this piezoelectric element 1a, a piezoelectric thin film 3, located in between a first electrode layer 2 and a second electrode layer 4 and made of a piezoelectric body as the principal component which generates charges by applying a dynamic force is formed.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子１ａは、単量体を重合してなる高分子化合物を主成分とする高分子薄膜５の少なくとも一方の面に、第１電極層２と、第２電極層４との間に挟まれた、力学的な力が印加されることにより電荷を生じる圧電体を主成分とする圧電体薄膜３が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

Within a scribe line 13, a dummy pattern 14 is formed in the vicinity of an overlap accuracy measuring mark comprising a first layer pattern 11 formed on a semiconductor substrate and a second layer pattern 12 as a resist pattern and, as the result, the resist pattern 10 in the vicinity of the overlap accuracy measuring mark is arranged to be symmetrical to the overlap accuracy measuring mark.例文帳に追加

スクライブライン１３内において、半導体基板上に形成された第１層のパターン１１とレジストパターンで形成される第２層のパターン１２とからなる重ね合わせ精度測定マークの周辺にダミーパターン１４を形成することにより、重ね合わせ精度測定マークの周辺のレジストパターン１０を重ね合わせ精度測定マークに対して対称に配置する。 - 特許庁

The method for manufacturing the gallium nitride compound semiconductor element comprises a step for forming an aluminum nitride layer having conductivity on the surface of a silicon carbide substrate, whose surface is inclined at a first angle from the (0001) plane toward the [11-20] direction, and a step for forming a gallium nitride compound semiconductor laminated structure on the aluminum nitride layer.例文帳に追加

本発明による窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法は、表面が（０００１）面から［１１−２０］方向に第１の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する。 - 特許庁

In two small areas (i.e., a first small area and a second small area) provided outside the central part within the emitting area, a transparent layer 111A and a transparent layer 111B that are optically transparent dielectric films to reduce a reflectance of each small area lower than that of the central part of the emitting area are formed at an optical thickness of [oscillation wavelength/4].例文帳に追加

また、射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域、第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜である透明層１１１Ａ及び透明層１１１Ｂが「発振波長／４」の光学的厚さで設けられている。 - 特許庁

To provide a method of metallizing at least one photovoltaic cell 100, including a semiconductor based substrate (102), having a first conductive type, a layer (104) fabricated in the substrate by doping impurities having a second conductive type to form a front face of the substrate, and an antireflection layer (106) manufactured on the front face of the substrate and forming the front face (108) of the photovoltaic cell.例文帳に追加

第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、を備える少なくとも一つの光電池（１００）を金属化する方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of forming a mask film 71 on a semiconductor layer 20; a step of forming an offset region 31 of a bipolar transistor by introducing first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with the mask film 71 as a mask and forming an offset region 42 of a MOS transistor; and a step of removing the mask film 71.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体層２０にマスク膜７１を形成する工程と、マスク膜７１をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのオフセット領域４２を形成する工程と、マスク膜７１を除去する工程とを具備する。 - 特許庁

The CNTs are bonded to a conductive substrate by a step of applying, onto the substrate, glass paste which contains a glass frit and a first solvent, by a step of applying CNT paste containing the CNTs and a second solvent to form a CNT paste layer, and after finishing the steps, by a step of melting or softening and cooling the glass paste layer by carrying out heat treatment.例文帳に追加

導電性基板にガラスフリットと、第１溶剤とを含有するガラスペーストを基板上に塗布し、ガラスペースト層を形成させるステップと、ＣＮＴと第２溶剤とを含有するＣＮＴペーストを塗布し、ＣＮＴペースト層を形成させるステップと、該ステップ終了後、加熱処理をすることにより、前記ガラスペースト層を融解もしくは軟化させ、冷却するステップとによってＣＮＴを接着する。 - 特許庁

The fabrication process includes a color filter formation step of forming the color filters 50R, 50G and 50B of respective colors sequentially, and a step of forming a predetermined layer 50W on the same layer as that of the color filters 50R, 50G and 50B according to the focus detection pixel after the first color filter formation step and before the last color filter formation step.例文帳に追加

この製造方法は、カラーフィルタ５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂをその色毎に順次形成する各色のカラーフィルタ形成工程と、最初のカラーフィルタ形成工程の後であって最後のカラーフィルタ形成工程の前に、前記焦点検出用画素に対応してカラーフィルタ５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂと同じレイヤにおいて、所定の層５０Ｗを形成する工程と、を備える。 - 特許庁

A structure is provided that comprises: (1) information from an SPS NAL unit, the information describing a parameter for use in decoding a first-layer encoding of a sequence of images; and (2) information from a supplemental SPS NAL unit having a different structure than the SPS NAL unit, the information describing a parameter for use in decoding a second-layer encoding of the sequence of images.例文帳に追加

（１）画像系列の第１の層の符号化の復号化に使用するためのパラメータを表す、ＳＰＳ ＮＡＬユニットからの情報、及び（２）ＳＰＳ ＮＡＬユニットとは別の構造を有する補助ＳＰＳ ＮＡＬユニットからの情報であって、画像系列の第２の層の符号化の復号化において使用するためのパラメータを表す情報を含む構造が提供される。 - 特許庁

In a coffee extraction device equipped with a granule storage part which holds coffee granules, a first injection means which injects an extracting solvent into the granule storage part from a first direction, and a collection means which collects coffee extraction liquid extracted by the extracting solvent from the same side as the first direction for a coffee granular layer, the granule storage part has a removable brake member for holding the coffee granule in a nearly sealed state.例文帳に追加

コーヒー顆粒を収容する顆粒収容部と、第１の方向から前記顆粒収容部に抽出溶媒を注入する第１の注入手段と、前記抽出溶媒で抽出されたコーヒー抽出液をコーヒー顆粒層に対して第１の方向と同じ側から回収する回収手段とを備えるコーヒー抽出装置で、前記顆粒収容部が、コーヒー顆粒を略密封状に収容するための着脱可能な制動部材を備えるコーヒー抽出装置。 - 特許庁

This manufacturing method for the organic electroluminescent element comprises a step preparing a substrate provided with a first electrode, an organic film containing at least luminous layer and a second electrode and a step forming the insulating film formed by a reaction of a first radical generated by first gas passing a plasma generation area and a heating body and a second radical generated by second gas passing the heating body on the second electrode.例文帳に追加

第１電極、少なくとも発光層を含む有機膜、および第２電極が形成された基板を準備する段階と、第１ガスがプラズマ発生領域および加熱体を通過することによって形成された第１ラジカルと、第２ガスが加熱体を通過することによって形成された第２ラジカルとが反応して生成した絶縁膜が、前記第２電極上に形成される段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element formed on a semiconductor substrate 10, first wiring 41A formed above the substrate 10 electrically connected to the semiconductor element, and second wiring 42A formed above the first wiring 41A through a third layer insulation film 23 made of an insulator having a dielectric constant lower than a silicon oxide.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された半導体素子と、半導体基板１０の上方に形成され、半導体素子と電気的に接続された第１の配線４１Ａと、該第１の配線４１Ａの上方に誘電率が酸化シリコンよりも低い絶縁体からなる第３の層間絶縁膜２３を介在させて形成された第２の配線４２Ａとを有している。 - 特許庁

The method includes: forming patterns on a substrate; forming first photoresist film patterns in regions where the patterns are opened; diffusing the first photoresist film patterns to upper corners of the patterns to form second photoresist film patterns; and etching the patterns using the second photoresist film patterns as an etch-stop layer.例文帳に追加

基板の上部にパターンを形成する段階と、前記パターンがオープンされた領域に第１の感光膜パターンを形成する段階と、前記第１の感光膜パターンを前記パターンの縁部の上部に拡散させて第２の感光膜パターンを形成する段階及び前記第２の感光膜パターンをエッチング防止層として用いて前記パターンをエッチングする段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To avoid discharge breakdowns of first and second stripe electrodes due to the application of a dc voltage, when recording a radiation image in a radiation solid detector, where the first stripe electrode with an electrode layer illuminated with electromagnetic waves for reading transmits electromagnetic waves for reading and the second stripe electrode for breaking the electromagnetic waves for reading are arranged alternately.例文帳に追加

読取用の電磁波が照射される電極層が読取用の電磁波を透過する第１ストライプ電極と読取用の電磁波を遮断する第２ストライプ電極とが交互に配列されてなる放射線固体検出器において、放射線画像の記録の際、直流電圧印加による第１ストライプ電極および第２ストライプ電極の放電破壊を回避する。 - 特許庁

The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.例文帳に追加

高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a friction point welding method and a friction point welding equipment capable of reliably performing the spot welding of first and second metal parts by reliably pressing the first and second metal members against an intermediate member without deflection by a rotary tool during the spot welding, and reliably receiving the second metal member by the intermediate member without peeling a metal-plating layer of the second metal member.例文帳に追加

スポット接合時に第１，第２金属部材を回転ツールにより変形させることなく中間部材に確実に押圧し、第２金属部材の金属メッキ層を剥離させることなく第２金属部材を中間部材で確実に受け止めて、第１，第２金属部を確実にスポット接合する、摩擦点接合方法及び摩擦点接合装置を提供する。 - 特許庁

Although a material of a cladding layer 21 made of at least one of AlGaN and InAlGaN differs from a group III nitride semiconductor and a thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is larger than a thickness D19 of the core semiconductor region 19, misfit dislocation density on first to third interfaces J1, J2, J3 is not more than 1×10^6 cm^-1.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁

When the laser head 31 moves to one side with respect to a second layer on the substrate 100, the measuring device 11 measures position information on a first machining line in front in a moving direction of the laser head 31, and when the laser head 31 moves to the other side, the measuring device 21 measures position information on the first machining line in front in the moving direction of the laser head 31.例文帳に追加

基板１００上の第２層に対して、レーザヘッド３１が一方側に移動するとき、測定装置１１はレーザヘッド３１の移動方向前方において第１加工ラインの位置情報を測定し、レーザヘッド３１が他方側に移動するとき、測定装置２１はレーザヘッド３１の移動方向前方において第１加工ラインの位置情報を測定する。 - 特許庁

The method includes: a first pressing step of forming the membrane electrode structure 1 by pressing a solid polymer electrolyte membrane 2 pinched by a pair of electrodes 3, 4 to cure an adhesive layer 9; and a second pressing step of molding the membrane electrode structure 1 into a given thickness by pressing the membrane electrode structure 1 with a pressure larger than that at the first pressing step.例文帳に追加

１対の電極３，４により挟持された固体高分子電解質膜２を押圧して接着剤層９を硬化させて膜−電極構造体１を形成する第１の押圧工程と、前記第１の押圧工程よりも大きな圧力で膜−電極構造体１を押圧して膜−電極構造体１を所定の厚さに成形する第２の押圧工程とを備える。 - 特許庁

The display device 100 includes: a display unit 200 having a display element layer 220 and a pixel driving thin film transistor 230 on a first flexible board 210; and a thin film device 300 which is bonded to a first surface of the display unit 200 to drive the display unit 200 and has a display controlling thin film transistor 320 on a second surface.例文帳に追加

ディスプレイ装置１００は、第１フレキシブル基板２１０上に表示素子層２２０及び画素駆動用薄膜トランジスタ２３０を有するディスプレイユニット２００と、ディスプレイユニット２００の第１面上に接合され、当該ディスプレイユニット２００を駆動するデバイスであって、第２面上にディスプレイ制御用薄膜トランジスタ３２０を有する薄膜デバイス３００と、から形成されている。 - 特許庁

In a protruding part formation step, a second laser beam is radiated to the functional layer 13 inside the pair of first working grooves 141 and 142 along the division scheduled line 12 to form a second working groove 15 of such a depth as the surface of a substrate 10 is so exposed as to be separated from the pair of first working grooves 141 and 142, and thus a pair of protruding parts 161 and 162 are formed.例文帳に追加

凸部形成工程は、分割予定ライン１２に沿って一対の第１の加工溝１４１，１４２の内側の機能層１３に第２のレーザー光線を照射し、一対の第１の加工溝１４１，１４２と離間するように基板１０の表面が露出する深さの第２の加工溝１５を形成することで一対の凸部１６１，１６２を形成する。 - 特許庁

The working panel on which a plurality of strips comprising a number of circuit boards is arranged in a plane includes a first strip on which circuit layers having different circuit patterns are formed on upper and lower sides of the core, and a second strip on which circuit layers having different patterns are laminated on upper and lower sides of the core opposite to the circuit layer of the first strip.例文帳に追加

多数の回路基板が画成される複数のストリップが平面上に配列されるワーキングパネルであって、コアの上下側に相異なる回路パターンを有する回路層がそれぞれ形成された第１ストリップと、コアの上下側に、互いに異なる回路パターンを有する回路層が前記第１ストリップの回路層と反対の位置に積層形成された第２ストリップとを含んでなる。 - 特許庁