「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(458ページ目) - Weblio英語例文検索

In this second operation, one of a plurality of items in a layer lower than a specific item indicated by the first operation signal when depressing the rotation operation knob is selected or an contents of the specific item is confirmed.例文帳に追加

このときの第２の操作は、回転操作つまみを押下したときの第１の操作信号による特定の項目の、下位階層の複数項目の一つを選択指示する操作とし、或いは、前記特定の項目の内容を確認する操作とする。 - 特許庁

In the portable electronic equipment provided at least with an operation part, a display part and an internal circuit part, having an electrifiable secondary battery as a power source, the equipment body housing the secondary battery is structured of a first high-emissivity layer making internal heat emitted outside.例文帳に追加

充電可能な二次電池を電源とし、少なくとも操作部と表示部と内部回路部を備えた携帯電子機器において、前記二次電池を収納する機器本体を内部の熱を外部に放射させる第一高放射率層で構成する。 - 特許庁

In a third process, a sheet material 19 containing a synthetic resin in a molten state is stretched on the base material 15 to form a second sheet layer 12 and the first and second sheet layers 11 and 12 are integrated through the base material 15.例文帳に追加

そして第３工程において、溶融状態の合成樹脂を含むシート材料１９を基材１５上に伸ばして第２シート層１２を形成し、第１シート層１１と第２シート層１２とを基材１５を介して一体化させる。 - 特許庁

After formation of the first oxide film 4, a polycrystalline silicon film 5, the second oxide film 6, and a nitride film on an n-type epitaxial layer 3, those films are removed, excluding the region where a base region is to be made, and a sidewall nitride film is made at the side.例文帳に追加

ｎ^-型エピタキシャル層３上に第１酸化膜４と多結晶シリコン膜５と第２酸化膜６と窒化膜を形成した後、ベース領域が形成される領域以外のそれらの膜を除去し側面に側壁窒化膜を形成する。 - 特許庁

In the photoelectric converter, a conductor bump 7 formed in the exposed area of a first semiconductor 1 facing to the rear surface side of a supporting body or on an electrode on the exposed area is inserted with pressure into the electrical insulating layer as a penetrated bump and the front end thereof is abutted to the metal sheet under the pressurized condition.例文帳に追加

支持体の裏面側に臨む第１半導体の露出部もしくは該露出部上の電極に形成した導体バンプを、電気絶縁層に圧入して貫通させ、圧力下でその先端を金属シートに当接させる。 - 特許庁

The electronic device 108 includes a light-receiving device 101, a frame member 102 composed of a first resin provided so as to surround a light-receiving unit 101b of the light-receiving device 101, and an encapsulating resin layer 106 composed of a second resin and filling the periphery of the frame member 102.例文帳に追加

電子装置１０８は、受光素子１０１と、受光素子１０１の受光部１０１ｂを囲むように立設する第１樹脂からなる枠材１０２と、枠材１０２の周囲を埋める第２樹脂からなる封止樹脂層１０６と、を備える。 - 特許庁

In the IC module 1 on a COT face, one IC module terminal plate face is duplicately formed with a first outer shape punching outline shape 6 configuring an outermost shape and a second outer shape punching outline shape 7 inside thereof, and a metal foil layer 12 of both outer shape punching outline shape portions is removed except connection parts 8.例文帳に追加

第１と第２の外形打ち抜き輪郭形状が、いずれもＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８の接触端子を包含するように形成してもよく、第２の外形打ち抜き輪郭形状内には、Ｃ４，Ｃ８端子を包含しないように形成してもよい。 - 特許庁

Since the practical magnetization quantity at a part where the magneto- resistive sensor film is disposed is reduced, thereby increases an angle of magnetization of the first ferromagnetic layer 22 rotated by the magnetic field guided by the magnetic flux guide 10, high sensitivity can be obtained.例文帳に追加

磁気抵抗センサ膜が配置されている部分の実効的な磁化量が小さくなっているため、磁束ガイド１０によって導かれた磁界によって回転する第１の強磁性層２２の磁化の角度が大きくなるので、高い感度が得られる。 - 特許庁

The peak impurity concentration of the high concentration ion implanted layer 6 for extension is set to such a one that is very close to the solution limit concentration of a first RTA treatment, but not exceeding it.例文帳に追加

このとき、高濃度エクステンション用イオン注入層６の不純物ピーク濃度が、第１のＲＴＡ処理の固溶限界濃度を超えない濃度で、かつ、第１のＲＴＡ処理温度における固溶限界濃度に近似した濃度になるようにする。 - 特許庁

This organic light emitting diode device is characterized in placing the light emissive layer (LEL) including a host and stabilizer between an anode and a cathode, having the stabilizer including five or more condensed rings, and expressing a first triplet energy level of less than 130 kJ mol.例文帳に追加

アノードとカソードとの間に、ホスト及び安定剤を含有する発光層（LEL）を配置して成り、該安定剤が、縮合環を５個以上含有し、かつ、１３０kJ/モル未満の第１三重項エネルギーレベルを示すことを特徴とする有機発光ダイオードデバイス。 - 特許庁

A TFT 110 disposed by each of pixels and insulating films 34 and 38 covering the same are formed on a first substrate 100 and a reflecting layer 44 which is insulated from the TFT 110 and reflects the incident light from a second substrate 200 side is formed on the insulating films.例文帳に追加

第１基板１００上に、画素毎に設けられたＴＦＴ１１０、これを覆う絶縁膜３４，３８、絶縁膜上にＴＦＴ１１０と絶縁され第２基板２００側からの入射光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁

A first substrate electrode 7-1 and a second substrate electrode 7-2 are respectively formed on side surfaces 1C, 1D of the substrate 1 which is provided with the optical waveguide 2, the electrode 3, a buffer layer and the thin part 5 which is formed by a recessed part 4.例文帳に追加

光導波路２、電極３、及びバッファ層６を有し、凹部４によって形成された薄肉部分５を有する基板１の側面１Ｃ及び１Ｄに、それぞれ第１の基板電極７−１及び第２の基板電極７−２を形成する。 - 特許庁

A through hole plating layer 16 is formed on the opposite sides of a substrate 12 from the inner surface of a through hole TH and after filling the through hole TH with resin 18, an opening 30a is provided above the through hole TH and a first resist 30 is formed.例文帳に追加

基板１２のスルーホールＴＨの内面から両面側にスルーホールめっき層１６を形成し、スルーホールＴＨに樹脂１８を充填した後に、スルーホールＴＨの上に開口部３０ａが設けられた第１レジスト３０を形成する。 - 特許庁

Since the adhesive layer 8 of the second substrate sheet 5 is exposed to the window part 13 for IC chip of the first substrate sheet 4, a non-contact IC chip 2 can be easily stuck to the window part 13 for IC chip.例文帳に追加

このタグ本体１の、第一の基材シート４のＩＣチップ用窓部１３には、第二の基材シート５の粘着層８が露出しているので、このＩＣチップ用窓部１３に非接触方式のＩＣチップ２を容易に貼り付けることができる。 - 特許庁

In the first layer 11, a feedthrough section 11A is formed, a site where the feedthrough section 11A is formed is set to be a thin section 13, and a detection section 15 for detecting αrays and transmitting β rays or the like is formed at the thin section 13.例文帳に追加

第１層１１には、貫通部１１Ａが形成されており、貫通部１１Ａが形成されている部位が薄肉部１３とされ、この薄肉部１３にα線を検出し、β線などを透過する検出部１５が形成されている。 - 特許庁

In the organic EL display device X having a structure in which a plurality of first electrodes 2, an organic layer 3 and a plurality of second electrodes 4 are laminated in this order on a transparent substrate 1, a heat radiating member 5 is installed on the plural second electrodes 4.例文帳に追加

透明基板１上に、複数の第１電極２、有機層３および複数の第２電極４がこの順序で積層された形態を有する有機ＥＬ表示装置Ｘにおいて複数の第２電極４上に放熱部材５を設けた。 - 特許庁

In the method, since the Be oxide formed in the AuBe layer 4 and its vicinity can be efficiently dissolved and eliminated in a first surface treatment step, a subsequent etching step can be executed without delay while preventing the influence of the Be oxide.例文帳に追加

第１の表面処理工程によりＡｕＢｅ層４内及びその近傍に生成されたＢｅ酸化物を効率良く溶解除去することができるため、続くエッチング工程をＢｅ酸化物の影響を受けずに遅延なく行うことができる。 - 特許庁

According to various embodiments, a system includes: a gasifier (106) that includes a shell (156) made of a first material exposed to a gasification region inside the gasifier; and a patterned anode layer (169) coupled to the shell (156) inside the gasifier (106).例文帳に追加

種々の実施形態によれば、システムは、内部のガス化領域に曝される第１の材料から作られたシェル（１５６）を含むガス化装置（１０６）と、ガス化装置（１０６）内部でシェル（１５６）に結合されるパターン形成されたアノード層（１６９）と、を備える。 - 特許庁

A linear conductor 2c and a linear conductor 2d formed perpendicularly to the second layer 2h make electrical connection between the first conductor pattern 2a and the feeding pattern 2e, and between the second conductor pattern 2b and the ground 2f, respectively.例文帳に追加

第１の導体パタン２ａと給電パタン２ｅとの間、並びに第２の導体パタン２ｂとグラウンド２ｆとの間は、それぞれ第２層２ｈに対して垂直に形成された線状導体２ｃと線状導体２ｄによって電気的に接続されている。 - 特許庁

Accordingly, voids 14 can be surely formed because an exposed part 113A not covered with the GaN semiconductor layer 13 is formed on each second covering part 113, and the first covering parts 112 and the second covering parts 113 can be etched.例文帳に追加

そのため、第二被覆部１１３上に、ＧａＮ半導体層１３により覆われていない露出部１１３Ａを形成して第一被覆部１１２、および第二被覆部１１３をエッチングすることができるので、空隙１４を確実に形成できる。 - 特許庁

To cancel the magnetic flux of a leaked magnetic field based on a recording magnetic field generated only in the two coil layers 108 and 114 by a magnetic flux generated in the first coil layer 108, the magnetic flux of the leaked magnetic field is effectively canceled and thus recording fringing is effectively suppressed.例文帳に追加

２つのコイル層１０８，１１４のみで発生した記録磁界に基く漏れ磁界の磁束を、第１コイル層１０８で発生した磁束で打ち消すため、漏れ磁界の磁束を効果的に打ち消し、記録フリンジングを効果的に抑制できる。 - 特許庁

The second driving section drives the light emitting layers so that the grayscale of light emitting luminance by the first to the third light emitting elements may be expressed, by making the light emitting layer emit light in a state that weighting of the light emitting luminance is set for each of the plurality of light emitting layers.例文帳に追加

第２の駆動部は、複数の発光層に対してそれぞれ発光輝度の重み付けを設定した状態で発光層を発光させることにより、第一から第三の発光素子による発光輝度の階調を表現するよう駆動する。 - 特許庁

When a local impact force P1 acts upon the range where the formation density of the slits 7 is high, the impact force concentrates on a region where intervals of the slits 7 are narrow, and the impact force is transmitted to the first layer 3 in a range corresponding to the region where the intervals of the slits 7 are narrow.例文帳に追加

スリット７の形成密度が高い範囲に局部的な衝撃力Ｐ１が作用すると、スリット７間の狭い領域に衝撃力が集中し、その狭い領域に対応する範囲内で衝撃力が第１層３へと伝わる。 - 特許庁

After forming a first inter layer insulating film 140 having a metal plug that surrounds a fuse where the fuse wiring of the semiconductor device is formed on the upper part of the fuse, a lower guard ring pattern 204a that surrounds the fuse is formed on the metal plug.例文帳に追加

半導体装置のヒューズ配線が形成されたヒューズ部の上部にヒューズ部を取り囲む金属プラグを有する第１層間絶縁膜１４０を形成した後、金属プラグ上に前記ヒューズ部を取り囲む下部ガードリングパターン２０４ａを形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a polycrystalline cobalt silicide film 10a is formed by causing a cobalt film which is a metallic film to deposit on a gate electrode 4 composed of a semiconductor layer, high-concentration source-drain region 7, etc., and causing a silicifying reaction through first heat treatment.例文帳に追加

半導体層であるゲート電極４や高濃度ソース・ドレイン領域７などの上に金属膜であるコバルト膜を堆積し、第１の熱処理により、シリサイド化反応を起こさせて多結晶構造のコバルトシリサイド膜１０ａを形成する。 - 特許庁

By pulling out the rolled flexible metal layer in a long length shape, forming resist 16 on it, and successively performing exposure through a photomask 20, a first shot S1 to an n-th (n is an integer ≥2) shot Sn are formed on the resist 16.例文帳に追加

ロール状のフレキシブル金属層を長尺状に引き出し、その上にレジスト１６を形成し、フォトマスク２０を介して順次露光することにより、レジスト１６に第１ショット部Ｓ１から第ｎ（ｎは２以上の整数）ショット部Ｓｎまでを形成する。 - 特許庁

The first ventilation layer includes an inner set of circumferentially spaced slots that correspond to the plurality of slots and through which the stator windings extend, and an outer set of slots radially distanced from the inner set of slots.例文帳に追加

第１の通気層は、複数のスロットに対応しかつそれを通してステータ巻線が延びる内側の円周方向に間隔を置いて配置されたスロットの組と、内側スロットの組から半径方向に間隔を置いた外側スロットの組とを含む。 - 特許庁

The three steps are the step of keeping a mold half storing the golf ball sub-assembly to which the cover layer is applied at a first temperature, the step of heating the mold half to a second temperature, and the step of keeping the mold half to a third temperature.例文帳に追加

斯かる３段階は、前記カバー層を付与したゴルフボールサブアセンブリを収容したモールドハーフを第１の温度に維持する段階と、前記モールドハーフを第２温度まで加熱する段階と、前記モールドハーフを第３の温度に維持する段階とを含む。 - 特許庁

The polymer thermal detector 1 includes a polymer thermal layer 4 having a first polymer consisting of polyvinyl chloride resin and/or aliphatic polyamide resin, and a second polymer consisting of epihalohydrin polymer.例文帳に追加

本発明による高分子感熱検知体１は、高分子感熱層４を有し、この高分子感熱層４はポリ塩化ビニル樹脂および／または樹脂族ポリアミド樹脂からなる第一ポリマーと、エピハロヒドリン系重合体からなる第二ポリマーとを含有する。 - 特許庁

The exhaust gas cleaning catalyst contains a first catalyst, which has an inorganic oxide having heat resistance and the transition metal oxide catalyst layer supported on the surface of the inorganic oxide, and a second catalyst having at least one kind of an alkali metal sulfate.例文帳に追加

耐熱性を有する無機酸化物と前記無機酸化物の表面に担持された遷移金属の酸化物触媒層を有する第１の触媒と、少なくとも１種のアルカリ金属の硫酸塩を有する第２の触媒と、を含有する。 - 特許庁

The present invention relates to an organic photoelectric converting element which has at least a photoelectric converting layer between a first electrode and a second electrode, the second electrode containing at least conductive fiber; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

第一の電極と第二の電極間に少なくとも光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記第二の電極が、少なくとも導電性繊維を含むことを特徴とする有機光電変換素子及びその製造方法。 - 特許庁

Further, since the conductive dummy pattern is continuous in the direction perpendicular to the wiring patterns, the capacitance between the adjacent wiring patterns within the same wiring layer becomes constant corresponding to the first distance, regardless of the distance between the adjacent wiring patterns.例文帳に追加

更に，導電性ダミーパターンが配線パターンに垂直な方向の連続するパターンであるので，同一配線層内の隣接する配線パターン間の容量値は，隣接する配線パターン間の距離にかかわらず，第１の距離に対応した一定値になる。 - 特許庁

The piezoelectric material layer 13 is provided with a first part 13A, which functions as a piezoelectric actuator corresponding to each pressure chamber 23a, and a second part 13B functioning as a piezoelectric transformer for amplifying a drive voltage supplied to the piezoelectric actuator.例文帳に追加

圧電材料層１３は、各圧力室２３ａに対応する圧電アクチュエータとして機能する第１の部分１３Ａと、前記圧電アクチュエータに供給される駆動電圧を増幅する圧電トランスとして機能する第２の部分１３Ｂとを備える。 - 特許庁

Since the coupling liquid can be supplied to the accurate position of the powder layer, the cross-sectional member can be formed can be formed while supplying the first coupling liquid even if it is any fine shape and imparting the desired physicality to only such a portion.例文帳に追加

結合液は粉体層の正確な位置に供給することができるので、どのような細かな形状であっても第１の結合液を供給して、その部分にだけ所望の物性を付与しながら断面部材を形成することができる。 - 特許庁

To provide a laminate excellent in adhesion between an infrared reflection layer and a first polyvinyl butyral resin film and a method for producing an infrared reflection film which suppresses the wrinkling and breaking of an infrared reflection film and has high infrared reflection performance.例文帳に追加

赤外線反射層と第一のポリビニルブチラール樹脂フィルムの接着性に優れた積層体、及び赤外線反射膜のシワや破断を抑制し、高い赤外線反射性能を有する赤外線反射フィルムを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved method of rapidly and easily applying a layer of a material capable of alloying between first and second galvanized metallic components for minimizing the vaporization of a galvanized coating, thus facilitating the application of a welding technique.例文帳に追加

ガルバニック被覆の蒸発を最低限に抑え、それによって溶接技術の適用を容易にするために、第１と第２の亜鉛めっき金属部品の間に合金化可能材料の層を迅速かつ容易に適用する改善された方法を提供する。 - 特許庁

The OCB mode type liquid crystal layer LC having positive dielectric constant anisotropy Δε is sandwiched between a pixel electrode 17 disposed on a first transparent substrate 10 and a common electrode 21 disposed on a second transparent substrate 20.例文帳に追加

第１の透明基板１０に配置された画素電極１７と第２の透明基板２０に配置された共通電極２１との間に、正の誘電率異方性Δεを有したＯＣＢモード型の液晶層ＬＣが挟持されている。 - 特許庁

Each of the membrane has a longitudinal tensile modulus sufficiently greater than the shear modulus of the elastmeric shear layer, and a longitudinal compression modulus of the second membrane 140 is at least equal to the longitudinal tensile modulus of the first membrane.例文帳に追加

各メンブレンはエラストマー剪断層の剪断弾性率より十分に大きな縦方向引張り弾性係数を有し、第２のメンブレン１４０の縦方向圧縮弾性率は第１のメンブレンの縦方向引張り弾性係数に少なくとも等しい。 - 特許庁

The isolation structure includes a dopant region containing a first conductive-type material selectively formed along sidewalls 105a, 105b of the isolation structure where the surface pinning layer is adapted so as to electrically connected to a substrate 150 located beneath.例文帳に追加

分離構造体は、表面ピニング層を下にある基板１５０に電気的に結合するように適合されている、分離構造体の側壁１０５ａ，１０５ｂに沿って選択的に形成された、第１の導電型の材料を含んだドーパント領域を含む。 - 特許庁

The gas-sensitive element A contains palladium in its surface layer region 2 up to a depth of 60 μm from its surface as a first additive and also contains at least one kind of a metal selected from tungsten, molybdenum, vanadium as a second additive.例文帳に追加

感ガス体Ａは、その表面から深さ６０μｍまでの表層領域２に第一添加物としてパラジウムを含有すると共に、第二添加物としてタングステン、モリブデン、バナジウムから選択される少なくとも一種の金属を含有する。 - 特許庁

In the resistance elements formed by electrodes and resistors mounted on a semiconductor device, the resistors are formed on a semiconductor layer having a first sheet resistance region 1 and a second sheet resistance region 2 which have different sheet resistances.例文帳に追加

半導体装置に搭載された抵抗用電極と抵抗体とで構成される抵抗素子において、上記の抵抗体がシート抵抗の異なる第１のシート抵抗領域１と第２のシート抵抗領域２を有する半導体層に形成される。 - 特許庁

Widest width belt plies 20d, 20c on the relatively wide outermost side with high bending rigidity are respectively arranged first and second layers from the outermost layer, so that there is no narrow belt ply between these widest width belt plies 20d, 20c on the outermost side and a tread 18.例文帳に追加

比較的広幅で曲げ剛性の高い最外側、最広幅ベルトプライ20ｄ、20ｃを最外層から１、２層目にそれぞれ配置したので、これら最外側、最広幅ベルトプライ20ｄ、20ｃとトレッド18との間に幅の狭いベルトプライが存在することはない。 - 特許庁

On the resin sheet 4, a plurality of ventilation holes 41 are bored, and a negative pressure is introduced from the first grain layer 2 side under a state in which the skin material SK is placed between the resin sheet 4 and a partner die MD to mold the skin material SK.例文帳に追加

樹脂シート４には、複数の通気孔４１が穿孔されており、樹脂シート４と相手型ＭＤとの間に表皮材ＳＫを載置した状態で、第１粒層２側から負圧を導入することにより、表皮材ＳＫを成形する。 - 特許庁

Impurities of the same conductive type are doped to the first and second carrier confinement layers, and the active layer has no impurities doped on it or impurities of the same conductive type as that doped to the carrier confinement layers are doped.例文帳に追加

第１及び第２のキャリア閉込層に同一導電型の不純物がドープされており、活性層には、不純物がドープされていないか、またはキャリア閉込層にドープされている不純物と同一導電型の不純物が低濃度にドープされている。 - 特許庁

When etching a first inter-layer dielectric film 9, a XeF2 gas is used; when patterning a bit line 10 composed of a silicide film, a BrF3 is used; and when forming a storage node 12 composed of a polysilicon film, a BrCl gas is used.例文帳に追加

シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜９をエッチングする際にはＸｅＦ2 ガスを、シリサイド膜からなるビット線１０をパターニングする際にはＢｒＦ3 ガスを、ポリシリコン膜からなるストレージノード１２を形成する際には、ＢｒＣｌガスを用いる。 - 特許庁