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First layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24472



例文

The method comprises a step for preparing a silicon substrate, a step for forming a first conductivity type impurity region in a first region of the silicon substrate, a step for forming a second conductivity type impurity region in a second region which is separated from the first region of the silicon substrate and a step for forming a porous silicon layer by chemically etching the surface of the second conductivity type impurity region.例文帳に追加

本発明のフォトダイオードの製造方法は、シリコン基板を用意する段階と、前記シリコン基板の第1領域に第1導電型不純物領域を形成する段階と、前記シリコン基板の前記第1領域と離隔した第2領域に第2導電型不純物領域を形成する段階と、前記第2導電型不純物領域の表面を化学的エッチング処理して多孔質シリコン層を形成する段階を含む。 - 特許庁

A light-emitting element of a refractive index waveguide-type includes: a substrate 1 transparent to a light-emitting wavelength; a first conductivity-type clad layer 4 showing the same conductivity type as the substrate formed on the substrate; and an active layer structure 5 formed on the first conductivity-type clad layer.例文帳に追加

発光波長に対して透明な基板1、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第1導電型クラッド層4、および該第1導電型クラッド層上に形成された活性層構造5を有する屈折率導波型の発光素子であって、前記基板と前記第1導電型クラッド層の間に第1導電型低屈折率層3が形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率n_sub、前記第1導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分n_clad1、および前記第1導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率n_LIL1が以下の関係式(式1)を満足することを特徴とする発光素子。 - 特許庁

In this case, the first and second unit cells are connected in series by allowing the second impurity semiconductor layer to abut on the third one, an insulation layer is provided on a surface at a side opposite to the single crystal semiconductor layer of the first electrode, and the insulation layer is joined to a support substrate.例文帳に追加

単結晶半導体層の一方の面に第1電極と一導電型の第1不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第2不純物半導体層が設けられた第1ユニットセルと、非単結晶半導体層の一方の面に一導電型の第3不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第4純物半導体層と第2電極が設けられた第2ユニットセルとを有し、第1ユニットセルと第2ユニットセルは、第2不純物半導体層と第3不純物半導体層が接することで直列接続され、第1電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 - 特許庁

The memory chip of a semiconductor device, especially a DRAM, etc., has a region 15 where a protection film 8 (a first insulation layer) is removed for tests (electrical characteristics test such as a function test), the fine control of characteristics (such as salvation of a fuse), and corrections, etc.例文帳に追加

メモリチップ、特にDRAMなどの半導体装置であって、検査(機能テスト等の電気的特性検査)や特性微調整(ヒューズ救済等)・修正等の目的のために保護膜8(第1の絶縁層)を除去した領域15を有する。 - 特許庁

例文

A light ejection surface EA is formed on the first main surface of the compound semiconductor substrate 40, and also an electrode 9 for applying a light emission drive voltage to the light emitting layer 24 is formed so as to coat a part of the light ejection surface EA.例文帳に追加

そして、化合物半導体層40の第一主表面側に光取出面EAが形成されるとともに、発光層部24に発光駆動電圧を印加するための電極9が光取出面EAの一部を覆うように形成されている。 - 特許庁


例文

The first and second electrode layers (371, 372) and the second electrode layer 372 have a portion that overlaps with each other via the MR film 300, and the both edges in one width direction are inside the both edges in the other width direction.例文帳に追加

第1及び第2の電極層371、372と、第2の電極層372は、MR膜300を介して互いに重なる部分を有し、一方の幅方向の両端縁が、他方の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。 - 特許庁

Thereafter, recesses 104 are formed in the insulating barrier film 103 and the first interlayer insulating film 101 which are interposed between the lower-layer wirings 102, and a second interlayer insulating film 105 is so deposited on the insulating barrier film 103 as to fill the recesses 104 with the film 105.例文帳に追加

その後、下層配線間の絶縁性バリア膜103及び第1の層間絶縁膜101に溝108を形成し、絶縁性バリア膜103の上に溝108を埋めるように第2の層間絶縁膜105を堆積する。 - 特許庁

Moreover, electronic components with low thermal resistance are arranged in the vicinity of a center toward a rear of the case member 12 separated from the first substrate 14 and the case member 12, and the electronic components with low thermal resistance and the case member 12 are separated from each other with an air layer.例文帳に追加

また、耐熱性の低い電子部品が第1基板14およびケース部材12から離れた該ケース部材12内方の中心付近に配置され、該耐熱性の低い電子部品とケース部材12との間が空気層で遮断されている。 - 特許庁

The circuit is used for the disposer which is used for fusing and cutting syringe needles by energization from the power source, wherein a first or second battery 1 and an electric double layer capacitor 2 are provided.例文帳に追加

電源からの通電により注射針を溶解・切断処理を行う注射針処理装置に使用される電源回路であって、電源は、一次もしくは二次電池1と、電池1に並列に接続された電気二重層コンデンサ2と、からなる。 - 特許庁

例文

The piezoelectric layer 47 has a main body part 47a having a diameter smaller than the recess 43, the whole thereof comes within a range of the recess area, and the substantial whole of the main body part 47a excepting a portion corresponding to the cut-out part 46c is layered onto the first electrode 46.例文帳に追加

圧電層47は、凹部43よりも小径の本体部47aを有し、全体が凹部領域の範囲内に収まり、本体部47aは切欠き部46cに対応する部分を除く略全体が第1電極46に積層される。 - 特許庁

例文

An EL sheet 10 including first and second facing electrode layer circuits 17a and 17b is stacked on a transparent film 11; multiple key top parts 3a and 3b are formed by unevenly drawing it; and the key top parts 3a and 3b are filled with a core material 6.例文帳に追加

第一・第二の対向電極層回路17a,17bを含むELシート10を透明フィルム11に積層し、凹凸に絞り成形してキートップ部3a,3bを多数設け、キートップ部3a,3bには芯材6を充填している。 - 特許庁

An intake valve solenoid driving device 32a opens and closes an intake valve 32 from the beginning of the intake stroke, and thereby, a part of the mixed gas Gm is mixed with a remaining internal EGR gas Gi in the combustion chamber 35, and a first temperature layer Gmi is formed.例文帳に追加

吸気行程初期から吸気弁電磁駆動装置32aが吸気弁32を開閉させることにより、混合ガスGmの一部を残留した内部EGRガスGiと燃焼室25内において混合して第1温度層Gmiを形成する。 - 特許庁

A first reflection film 12, an active layer 13 and a second reflection film 14 are formed in one surface of a substrate 11 and electrode layers 15, 16 are formed in a front surface of the second reflection film 14 and a rear surface of the substrate 11, respectively.例文帳に追加

基板11の一表面に第1の反射膜12と、活性層13と、第2の反射膜14とが形成され、その第2の反射膜14の表面および基板11の裏面には電極層15、16がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

In an exemplary embodiment, the oxide layer may be a graded structure formed using two distinct processing operations, a first operation at a relatively low temperature, and a final operation at a temperature above the viscoelastic temperature of the oxide film.例文帳に追加

例示的な実施形態では酸化層を、比較的に低い温度での第1の操作と酸化膜の粘弾性温度よりも高い温度での最終操作との2つの異なった処理操作を使用して形成された傾斜構造とすることができる。 - 特許庁

An electric field produced between the first electrode and second electrode hardly reaches the other substrate, so no retardation is generated in an electroopticall material layer provided nearby a top surface of the other substrate and this region has a little contribution to display.例文帳に追加

第1電極と第2電極との間に発生する電界は、他方の基板にはほとんど届かないため、他方の基板の表面近傍に設けられる電気光学物質層にはリタデーションが形成されず、この領域は表示にほとんど寄与しない。 - 特許庁

A size of the shield electrodes 81 and 82 is optimized to make the first substrate 10 and the second substrate 20 be in a state that electromagnetic coupling by a magnetic-field component mainly is performed, thus, an electric field distribution in an air layer or the like is drastically reduced.例文帳に追加

シールド電極81,82の大きさを最適化することで、第1の基板10と第2の基板20との間では主として磁界成分による電磁結合がなされる状態にし、空気層等における電界分布を大幅に少なくする。 - 特許庁

The concrete base layer 11a is formed by first preparing a fine aggregate by adding water to a mixture of the collected dust discharged from a foundry and cement, then kneading the resulting mixture, granulating and curing the granulates, and further kneading the obtained fine aggregate, a coarse aggregate, cement and water and curing the resulting mixture.例文帳に追加

コンクリート基層11aは、鋳物工場より排出される集塵ダストとセメントとの混合物に水を添加して混練・造粒した後、その造粒物を養生してなる細骨材、粗骨材、セメント及び水を混練して硬化させたものである。 - 特許庁

An emitter contact hole CH2 and an emitter through hole TH2 provided above and below an emitter electrode 7 of a first layer are made not to overlap each other, and a plurality of contact holes CH2 and emitter through holes TH2 are arranged apart from each other for one emitter electrode 7.例文帳に追加

1層目のエミッタ電極7の上下に設けられるエミッタコンタクトホールCH2とエミッタスルーホールTH2を非重畳とし、1つのエミッタ電極7についてエミッタコンタクトホールCH2とエミッタスルーホールTH2互いに離間して複数配置する。 - 特許庁

This layer-built battery 10 is constructed by covering both faces of a power generation element having a separator arranged between a positive electrode and a negative electrode with first and second lamination films 12 and 13 and connecting their circumference parts together while sealing an electrolyte liquid inside.例文帳に追加

正極板と負極板との間にセパレータを介在させた発電要素の両面を第1,第2ラミネートフィルム12,13で覆い、その周縁部同士を内部に電解液を封入しつつ接合して積層型電池10を構成する。 - 特許庁

In the liquid crystal display for the VA mode including a first polarizer, a liquid crystal cell for the VA mode and a second polarizer, the liquid crystal cell for the VA mode is compensated by an optical compensation layer having refractive index distribution of nx=ny>nz.例文帳に追加

本発明のVAモード用液晶表示装置は、第1の偏光子と、VAモード用液晶セルと、第2の偏光子とを含み、該VAモード用液晶セルが、nx=ny>nzの屈折率分布を有する光学補償層で補償されている。 - 特許庁

The magnetism detector 3 is mounted to a support member 1', on a second surface of the member 1' opposite to a first surface, or on one 1' or more layers or a portion of a middle layer 9 disposed on the second surface of the support member 1'.例文帳に追加

磁気検出器3は、支持部材1又は第一の表面とは反対側のこの部材の第二の表面上、または、支持部材の前記第二の表面に配置される中間層9の1又はさらに多くの層又は部分上に固定される。 - 特許庁

The light-emitting device includes: a laminate (light-emitting element) composed of a base plate 2, a first electrode 3, a light-emitting layer 4, and a second electrode 5; and a cured film 1 which is the cured product of the curable resin composition formed around the laminate.例文帳に追加

本発明の発光装置は、基板2と、第1電極3、発光層4、及び第2電極5からなる積層体(発光素子)と、この積層体の周囲に形成させた前記硬化性樹脂組成物の硬化体である硬化膜1とを含む。 - 特許庁

The belt layer 7 includes a first belt ply 7A, a second belt ply 7B, and a third belt ply 7C narrower than the second belt ply which are formed by rubber coating an array of belt cords and superposed in order from the inside to the outside in the radial direction of the tire.例文帳に追加

前記ベルト層7は、ベルトコードの配列体をゴム引きしてなりかつタイヤ半径方向内側から外側に順に重なる第1のベルトプライ7A、第2のベルトプライ7B、及び前記第2のベルトプライよりも巾狭の第3のベルトプライ7Cを含む。 - 特許庁

In the image display device, a lower electrode 11 is formed on a main face of a first insulating substrate 10, and an electron accelerating layer 12 is formed on the surface of the lower electrode 11 with a maximum height of a surface ruggedness by oxidation of an anode of 23 nm to 25 nm.例文帳に追加

第1絶縁基板10の主面に下部電極11を形成して、当該下部電極11の表面に陽極酸化により該表面凹凸の最大高さを略23nm乃至25nmとした電子加速層12を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 100 is provided with a first substrate 101, with which a passive element 107 is formed on one side and a shielding layer 113 is formed on the other side; and a second substrate 117, with which an active element 119 is formed on one side.例文帳に追加

半導体装置100は、一方の面に受動素子107が形成され且つ他方の面にシールド層113が形成された第1の基板101と、一方の面に能動素子119が形成された第2の基板117とを備える。 - 特許庁

A potential fixed region 104 is formed of an SOI layer between the first insulating isolation trench 109 and second insulating isolation trench 110, and the potential fixed region 104 is set (connected) to have the same potential as a collector potential of the IGBT.例文帳に追加

そして、第1絶縁分離トレンチ109と第2絶縁分離トレンチ110との間にSOI層からなる電位固定領域104を形成し、その電位固定領域104は、IGBTのコレクタ電位と同電位になるように設定(接続)する。 - 特許庁

Since the bulb type recess pattern 100 has a shape of gourd consisting of the first and second ball pattern parts 25A and 27 which differs in a section shape and a diameter, it is made possible to reduce the size of the void remaining in an electric conductive layer (for example, polysilicon).例文帳に追加

バルブ型リセスパターン100が、断面形状及び直径が異なる第1と第2のボールパターン部25A、27からなるひょうたん形であるので、導電層(例えば、ポリシリコン)内に残留するボイドの大きさを小さくすることができる。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has an aligned lamination of a layer 12 formed of a second semiconductor showing the p-type electrical characteristic on the layers 11, 11' formed of a first semiconductor having the forbidden band width of 2.8 eV or more.例文帳に追加

本発明のp型ワイドギャップ半導体は、2.8eV以上の禁制帯幅を有する第1の半導体から成る層11、11’の上に、p型の電気特性を示す第2の半導体から成る層12が整合積層していることを特徴とする。 - 特許庁

Consequently, when ultraviolet rays are irradiated from the first tape 11 side in an ultraviolet ray irradiation step S7, the ultraviolet rays are not shielded by the piezoelectric element substrate 2 but passed through the cut groove CH1, and the second adhesive layer 12a of the second tape 12 is irradiated with the ultraviolet rays.例文帳に追加

従って、紫外線照射工程S7で第一テープ11側から紫外線を照射したとき、紫外線は圧電素子基板2で遮蔽されることなく切溝CH1を通過して第二テープ12の第二粘着層12aに照射される。 - 特許庁

The thin film transistor 10 has a polycrystalline silicon film 1a as an active layer and has a multi-gate structure where a first thin film transistor section 10a on the drain side and a second thin film transistor 10b on the source side are connected in series.例文帳に追加

薄型トランンジスタ10は、多結晶シリコン膜1aを能動層として有しており、ドレイン側の第1の薄膜トランジスタ部10aと、ソース側の第2の薄膜トランジスタ部10bとが直列接続されたマルチゲート構造を有している。 - 特許庁

The vertical drain holes 312 communicate with the horizontal drain grooves 322, and water of the first layer 31 flows into the horizontal drain grooves 322 through the vertical drain holes 312 when the sandal 10 has got wet, and can flow outside the insole 30.例文帳に追加

垂直排水孔312は水平排水溝322と連通し、サンダル10が濡れた時に、第一層31の水は垂直排水孔312を通って水平排水溝322に流れ込み、インソール30の外部に流出することができる。 - 特許庁

An organic EL display to be manufactured is structured so that a first electrode as positive electrode 11 (transparent), organic layers 18a, 18b, 18c having organic light emission layer, and a second electrode as negative electrode 17 are formed on a transparent base board 10.例文帳に追加

透明基板10上に、陽極(透明電極11)となる第1電極、有機発光層を有した有機層18a、18b、18c、陰極17となる第2電極、をこの順に形成してなる有機ELデスプレイの製造方法である。 - 特許庁

A first adsorption/desorption device 3 includes a plurality of flat plates 20 laminated in a predetermined interval, and a plurality of guide plates 21, 22 with a corrugated configuration disposed alternately for each layer between the flat plates 20 with edges extending perpendicularly each other.例文帳に追加

第1吸脱着素子3は、所定の間隔をあけて積層された複数の平板20と、上記平板20の間にを一層毎に交互に稜線が直交するように配置された断面波形形状の複数の案内板21,22とを有する。 - 特許庁

The first and third layers 10a, 10c which are formed of the same temperature sensitive magnetic material are set at the same thickness while the thickness of the second layer 10b is set to minimize thermal deformation due to difference in the thermal expansion coefficient.例文帳に追加

同じ感温磁性材である第1の層10aおよび第3の層10cとは、同じ厚さ寸法とし、それに対する第2の層10bの厚さ寸法も、熱膨張率の違いに起因する熱変形を最小限とするべく設定する。 - 特許庁

A wing portion 12b of a stopper layer 12 is extended from the side surface of a cap portion 10a covering the top of wiring of a silicon oxide film (a first insulating film) 10 to an air gap 16 side and is provided on the upper periphery of an air gap 16.例文帳に追加

酸化シリコン膜(第1絶縁膜)10のうち配線頂部を覆うキャップ部位10aの側面からエアギャップ16側にストッパー層12の翼部位12bが延設されており、エアギャップ16の上方周縁部上に設けられている。 - 特許庁

A front layer of a side face and an upper surface of the resist pattern is etched by a plasma of a mixture gas containing at least one first gas selected from the group consisting of He, Ne, Ar, Xe, Kr, CO, CO_2 and N_2, and an SO_2 gas.例文帳に追加

He、Ne、Ar、Xe、Kr、CO、CO_2、及びN_2からなる群より選択された少なくとも1つの第1のガスとSO_2ガスとを含む混合ガスのプラズマにより、レジストパターンの側面及び上面の表層部をエッチングする。 - 特許庁

The magnet has hard magnetic particles (K), the hard magnetic particles (K) belonging to the surface layer of the magnet are separated from one another by a first phase (P1), and the other hard particles (K) belonging to the rest of the magnet are separated from one another by a non-magnetic second phase (P2).例文帳に追加

硬磁性粒状体(K)を有し、磁石の表面層の硬磁性粒状体を第1の相(P1)により互いに分離し、磁石の残りの部分内の硬磁性粒状体を非磁性の第2の相(P2)により互いに分離する。 - 特許庁

The channel length direction size of the epitaxial layer, where the channel region of the second n channel type MOS transistor is formed, is smaller than the channel lengthwise direction size of the element region A1, where the first n channel MOS transistor channel region is formed.例文帳に追加

第2のNチャネル型MOSトランジスタのチャネル領域が形成されているエピタキシャル層のチャネル長方向サイズは、第1のNチャネル型MOSトランジスタのチャネル領域が形成されている素子領域A1のチャネル長方向サイズよりも小さい。 - 特許庁

The first element A has a dielectric oxidation film 4 and a negative electrode layer made of a solid-state electrolyte 5 and a conductive material 6, both provided on a connection surface of a valve action metallic base 1 to a mounting board to thereby form negative electrode parts b1 to bn.例文帳に追加

第1の素子Aは、弁作用金属基体1の実装基板への接続面に誘電体酸化被膜4と、固体電解質5および導電性部材6からなる陰極電極層を設けて、陰極部b1〜bnを形成する。 - 特許庁

The carbon ink coating layer of the first base sheet and one side of the second base sheet are disposed opposite, while the other side of the second base sheet and the surface of the tack sheet are disposed opposite, and they are adhered in opposed portions thereof by a sizing agent.例文帳に追加

第1の基材シートのカーボンインクコーティング層と第2の基材シートの一面が対向し、第2の基材シートの他面とタックシート表面が対向して配置され、それらの対向する一部分において糊剤によって接着される。 - 特許庁

A power supplying strip line 13 extended straight and 10 pieces of radiating antenna elements 14a-14j connected with the line 13 are formed on a first dielectric substrate 12 whose one face is provided with a ground conductive layer (ground plate) 11.例文帳に追加

一方の面に接地導体層(接地板)11が形成された第1の誘電体基板12上に、直線状に延びた給電ストリップ線路13と、その線路13に接続された10個の放射アンテナ素子14a〜14jとが形成されている。 - 特許庁

To an optical layer 116 laminated inside the substrate of the first optoelectronic circuit board 11, one end of an optical waveguide 15 having a mirror 153 on the end is provided, with an MT connector 16 mounted on the other end of the optical waveguide 15.例文帳に追加

第1の光電子回路基板11の基板部内に積層される光層116には、端部にミラー153を有した光導波路15の一端が設けられ、光導波路15の他端にはMTコネクタ16が取り付けられている。 - 特許庁

A plurality of magnetic tunnel junction elements is subjected to a first heat treatment, in a strong magnetic field toward the direction of reference axis (X), then they are patterned, such that each of elements has a high aspect ratio and its pinned-synthetic composite layer has a high shape anisotropy.例文帳に追加

複数の磁気トンネル接合素子は、リファレンス軸(X)方向への強磁場中において第1の熱処理が施されたのち、各素子が高アスペクト比を有し、そのピンドシンセティック複合層が高い形状異方性を有するようにパターニングされる。 - 特許庁

When a titanium dioxide layer 20 is formed on the surface of the surface course 1206, a mixture comprising titanium dioxide, cement, a filler, and water mixed together is sprayed on the surface of the surface course 1206 through a first jet nozzle 31 and a second jet nozzle 32.例文帳に追加

表層1206の表面に二酸化チタン層20を形成するに際して、二酸化チタンと、セメントと、充填材と、水とを混合した混合物を第1噴射ノズル31と第2噴射ノズル32から表層1206の表面に吹き付ける。 - 特許庁

The steel material superior in weather resistance having an adhesive rust layer on the surface, is characterized in that a peak ratio R (the third peak/the first peak) of radial distribution around an iron atom and/or a chromium atom in the adhesive rust is 0.3 or more.例文帳に追加

密着さび層を表面に有する鋼材であって、密着さび中の鉄原子および/またはクロム原子の周りの動径分布のピーク比R(第3ピーク/第1ピーク)が、R:0.3以上であることを特徴とする耐候性に優れた鋼材。 - 特許庁

A coverage rate representing the area of a region that is the sum of an impurity diffusion layer forming region and a gate electrode forming region per given area is determined to be different between the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで、所定面積あたりの不純物拡散層の形成領域とゲート電極の形成領域の和で示される領域の面積である被覆率が、半導体基板の第1の領域と第2の領域間で異なるようにする。 - 特許庁

An outside air passage 144 and an inside air passage 145 are formed by the second inside air door 141 and a first partitioning door 142 arranged on a downstream side of the conditioning airflow rather than the heater core 109, thereby executing air-conditioning control by an inside/outside air two-layer mode.例文帳に追加

第2内気ドア141と、ヒータコア109より空調空気流れ下流側に配設された第1仕切ドア142とによって外気通路144と内気通路145とを形成し、内外気2層モードによる空調制御を実行する。 - 特許庁

This structure serves as a supply suppression structure for suppressing supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 of the fuel electrode 1, and a discharge acceleration structure for accelerating discharge of discharge gas from the second flow passage 15.例文帳に追加

この構造は、第1の流路13から燃料極1の拡散層17への液体燃料の供給を抑制する供給抑制構造と、第2の流路15からの排出ガスの排出を促進する排出促進構造とをなす。 - 特許庁

A side face in a detection electrode of a first linear electrode 5a or a second linear electrode 5b, or the like, and an edge part consisting of a part of a counter face of a recording photoconductive layer 2 which is continued to the side face are covered with a dielectric material 5c.例文帳に追加

第1の線状電極5aまたは第2の線状電極5b等の検出電極における側面および該側面に連続する記録用光導電層2との対向面の一部からなる端部を誘電体5cで覆う。 - 特許庁

例文

Then, it is heated further more and brazing material in the paste material layer 122c is melted and a tube 122 is formed by brazing and connecting the first plate 122a and the second plate 122b and the inner fin 123 is brazed and connected in the tube 122 (refer to c).例文帳に追加

その後更に加熱して、ペースト材層122c中のろう材を溶融し、第1プレート122aと第2プレート122bとをろう付け接合してチューブ122を形成するとともに、チューブ122内にインナーフィン123をろう付け接合する((c)参照)。 - 特許庁




  
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