「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(451ページ目) - Weblio英語例文検索

In one embodiment, the detector includes a source electrode (38) and a drain electrode (40) which consist of a first layer of a conductive material and a data line (44) which consists of a second layer of a conductive material so that the source electrode (38) and drain electrode (40) are vertically offset from the data line (44).例文帳に追加

一実施形態では、この検出器は、導電性材料の第一の層で形成されたソース電極（３８）及びドレイン電極（４０）と、導電性材料の第二の層で形成されたデータ線（４４）とを、ソース電極（３８）及びドレイン電極（４４）がデータ線（４４）から上下方向にオフセットして設けられるようにして含んでいる。 - 特許庁

A high-pressure gas layer is formed between an object 105 and the lower face of the substrate part 3 by the gas jetted by the first and second air flow jetting means, and the gap between the object 105 and the lower face of the substrate part 3 is kept constant by the equilibrium of the pressure and weight of the gas layer.例文帳に追加

第１及び第２の空気流噴射手段により噴射される気体によって、対象物１０５と基材部３の下面部との間に高圧の気体層が形成され、この気体層の圧力と自重との均衡によって、対象物１０５と基材部３の下面部との間の間隔が所定の一定間隔に維持される。 - 特許庁

Next, a second semiconductor layer including a plurality of conical projections formed of an amorphous semiconductor and a microcrystal semiconductor formed in such a manner that the first semiconductor layer is partially grown as a seed crystal by generating plasma using a deposition gas containing silicon or germanium, hydrogen, and a gas containing nitrogen.例文帳に追加

次に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを用い、プラズマを発生させて、非晶質半導体と、第１の半導体層を種結晶として部分的に結晶成長させて、形成される微結晶半導体で形成される複数の錐形状の凸部を有する第２の半導体層を形成する。 - 特許庁

The first channel plate 32 and the second channel plate 34 are joined by a polyimide resin layer 42, and the polyimide resin layer 42 forms part of the inner wall of the ink channels.例文帳に追加

例えば、ノズルが設けられたノズルプレート３０と、インクチャンバ３８及びインクプール４０などのインク流路を設けた第１流路プレート３２及び第２流路プレート３４との積層体で構成し、第１流路プレート３２及び第２流路プレート３４とをポリイミド樹脂層４２で接合すると共に、ポリイミド樹脂層４２をインク流路の内壁の一部を構成させる。 - 特許庁

The retardation film having a property as an optical C plate comprises a first optical function layer having a property as an optically positive C plate and a second optical function layer having a property as an optically negative C plate.例文帳に追加

本発明は、光学的にＣプレートとしての性質を有する位相差フィルムであって、光学的に正のＣプレートとしての性質を有する第１光学機能層と、光学的に負のＣプレートとしての性質を有する第２光学機能層とを有することを特徴とする、位相差フィルムを提供することにより、上記課題を解決するものである。 - 特許庁

The method for producing the organic memory element having the organic active layer between a first electrode and a second electrode includes a step of forming the organic active layer by using the ferrocene-containing conductive polymer containing fluorenyl repeating units, thienyl repeating units and diallyl ferrocenyl repeating units.例文帳に追加

第１電極と第２電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子を製造するにおいて、フルオレニル繰り返し単位、チエニル繰り返し単位およびジアリールフェロセニル繰り返し単位を含むフェロセン含有伝導性高分子を用いて有機活性層を形成する段階を含むことを特徴とする、有機メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electroluminescent element is characterized by satisfying n_S<n_M<n_E, when it is assumed that the refraction index of the transparent substrate, that of the middle-refraction-index layer, and that of the first electrode layer are n_S, n_M and n_E, respectively.例文帳に追加

本発明は、透明基板上に中間屈折率層、第一電極層、発光層、第二電極層を順次積層したエレクトロルミネッセンス素子であって、前記透明基板の屈折率をｎ_Ｓ、中間屈折率層の屈折率をｎ_Ｍ、第一電極層の屈折率をｎ_Ｅとした時、ｎ_Ｓ＜ｎ_Ｍ＜ｎ_Ｅであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の提供である。 - 特許庁

When the first oxide layer to be polished has topographic variation, a topography reducing step using the fixed abrasive and an aqueous liquid medium containing a polyelectrolyte may be performed as part of the polishing method, including the reduction of the topography variation (height difference) extended to the oxide layer provided on a substrate before performing this thickness reducing method.例文帳に追加

最初の酸化物層がトポグラフィの変動を有する場合には、基板上の酸化物層に渡るトポグラフィの変動（高さの差）の量の低減を含む研磨方法の少なくとも一部に関して、固定研磨剤と高分子電解質を含有する水性液体媒質とを使用するトポグラフィ低減工程を、本発明の厚さ低減手法に先行させてもよい。 - 特許庁

At least one plasma generating source can include a first plasma generating source for ionizing the fluorocarbon gas by applying high frequency plasma energy, and a second plasma generating source for keeping an auto-bias of the substrate in the vicinity of zero by high frequency during the deposition of the passivity layer while making the bias larger during the polymer layer deposition.例文帳に追加

また少なくとも１個のプラズマ発生源としては、高周波プラズマエネルギーを適用してフッ化炭素ガスをイオン化する第１のプラズマ発生源と、不動態層の蒸着の間は高周波数で基板の自己バイアスをゼロ近傍に保つと共にポリマー層蒸着の間はより大きなバイアスとする第二のプラズマ発生源とを含むことができる。 - 特許庁

The cable comprises a bundle of core wires in which a plurality of pair of wires 11 electrically insulated are bundled and a first covering material 21a and a second covering material 21b which are constructed by laminating at least a magnetic layer 23 and a conductor layer 25 and are arranged so as to contact all pair of wires 11 constituting the bundle of core wires.例文帳に追加

ケーブルにおいては、電気的に絶縁されたペア線１１を複数束ねてなる心線束と、少なくとも磁性体層２３および導電体層２５を積層して構成され、心線束を構成する全てのペア線１１に接触するように配置された第１被覆材２１ａおよび第２被覆材２１ｂと、を備えている。 - 特許庁

The antenna circuit structure for IC card and tag 1 comprises a resin film substrate 11, a first circuit pattern layer composed of a copper foil containing copper as a main component, which is formed on one surface of the substrate 11, and a second circuit pattern layer composed of a copper foil containing copper as a main component, which is formed on the other surface of the substrate 1.例文帳に追加

ＩＣカード・タグ用アンテナ回路構成体１は、樹脂フィルム基材１１と、樹脂フィルム基材１１の一方表面の上に形成された、主成分として銅を含む銅箔からなる第１の回路パターン層と、樹脂フィルム基材１１の他方表面の上に形成された、主成分として銅を含む銅箔からなる第２の回路パターン層とを備える。 - 特許庁

The core board 110 has a laminated capacitor C1 constituted by a plurality of complex dielectric layers 111-115, containing epoxy resin and BaTiO3 powder and a plurality of metal layer 101-106 facing and pinching these layers, and inner metal layers 102-105 are connected to each other layer in first and second through-hole conductive bodies 107A, 107B.例文帳に追加

コア基板１１０は、エポキシ樹脂及びＢａＴｉＯ３粉末を含む複合誘電体層１１１〜１１５とこれを挟んで対向する複数の金属層１０１〜１０６とから構成される層状コンデンサＣ１を備え、内層金属層１０２〜１０５は、第１，第２スルーホール導体１０７Ａ，１０７Ｂで１層おきに接続されている。 - 特許庁

The substrate for power module is manufactured using processes of: bonding a ceramic substrate 20 with a metal plate 50 having a prescribed thickness by laminating alternately; and then, by cutting the metal plate 50 at a halfway position of the thickness direction along the surface direction, forming a first metal layer 30 and a second metal layer 40 of prescribed thicknesses respectively on both surfaces of the ceramic substrate 20.例文帳に追加

セラミックス基板２０と所定の厚さを有する金属板５０とを交互に積層して接合した後、金属板５０を厚さ方向の途中位置で面方向に沿って切断することにより、セラミックス基板２０の両面にそれぞれ所定厚さの第１金属層３０および第２金属層４０を形成して、パワーモジュール用基板を製造する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor chip 20 having bumps 22, a substrate 30 facing the semiconductor chip 20, on which interconnection patterns 32 are formed for electrical connection to the bumps 22, and the bonding member 10 having a first layer 11 comprising an insulating filler (e.g. silica filler 14) and a second layer 12 without comprising the insulating filler.例文帳に追加

半導体装置は、バンプ２２を有する半導体チップ２０と、半導体チップ２０と対向してバンプ２２と電気的に接続する配線パターン３２が形成された基板３０と、絶縁性のフィラー（例えばシリカフィラー１４）を含む第１の層１１と絶縁性のフィラーを含まない第２の層１２とを含む接着部材１０と、を有する。 - 特許庁

A method for measuring the film thickness of an active layer 6a for an SOI substrate 6 constituted by interposing an oxide film 6c between the active layer 6a and a support substrate 6b comprises the step of first setting an analyzing wavelength range so as to remove a wavelength to become the 'node' in which the interference is weakened by reflected lights on both surfaces of the film 6b.例文帳に追加

活性層６ａと支持基板６ｂとによって酸化膜６ｃを挟み込んで構成されたＳＯＩ基板６に対し、活性層６ａの膜厚を測定する膜厚測定方法において、まず、酸化膜６ｂの両面での反射光により、干渉が弱められた「節」となる波長を除くように解析波長領域を設定する。 - 特許庁

The solid state imaging device comprising a semiconductor substrate, and a pixel region including a plurality of pixels having light receiving sections formed on the semiconductor substrate is further formed with first and second wiring layers 14 and 16 formed on the semiconductor substrate and having apertures corresponding to the light receiving sections, and an in-layer lens 18 arranged above the second wiring layer 16.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板に形成された受光部を有する画素を複数含む画素領域を備える固体撮像装置であって、半導体基板上に積層され受光部に対応する開口領域を有する第１および第２の配線層１４，１６と、第２の配線層１６の上方に形成された層内レンズ１８とを備える。 - 特許庁

The sputtering system which includes the magnetic circuit fastened with the permanent magnet at a yoke and is arranged to be supplied with a refrigerant 21 to the magnetic circuit is furnished with at least, film consisting of a first layer of an epoxy resin and a second layer of a fluororesin in the segment of the magnetic circuit, which segment comes into contact with the refrigerant 21.例文帳に追加

ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにしたスパッタリング装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層と、フッ素樹脂の第2層から成る膜が具備されているスパッタリング装置。 - 特許庁

During the vapor deposition of a photoconductive layer for recording which is relatively thick as large as 100-2,000 μm in thickness, by making the temperature of the substrate higher than a temperature during normal vapor deposition in the first half part of the vapor deposition time during which the influence of the bumping strongly appears, the surface of the vapor deposition layer is smoothed while preventing the crystallization of the amorphous selenium.例文帳に追加

膜の厚さが１００μｍ以上、２０００μｍ以下と比較的厚い記録用光導電層の蒸着時において、突沸の影響が大きく表れる蒸着時間の前半部で基板の温度を通常蒸着時温度よりも上昇させることにより、アモルファスセレンの結晶化を防止しつつ蒸着層の表面をなだらかにさせる。 - 特許庁

In the grounding structure 1 of a carpet coating the vehicle battery 3 mounted on a vehicle body 2, the carpet has a shield layer 8 for blocking out electromagnetic waves generated from the vehicle battery, and the shield layer has a coating part 20 for coating the vehicle battery and a contacting part (a first contacting part 21, a second contacting part 22) for contacting the vehicle body.例文帳に追加

本構造は、車両ボデー２に搭載された車両用電池３を被覆するカーペットの接地構造１であって、カーペットは、車両用電池から発生する電磁波を遮蔽するシールド層８を有し、シールド層は、車両用電池を被覆する被覆部２０と、車両ボデーに接触する接触部（第１接触部２１、第２接触部２２）と、を有する。 - 特許庁

A mirror chip 109 is formed by cutting and dividing a mirror substrate 100 while bonding a mount film (first adhesive film) 106 with an adhesive layer of which the adhesive force varies on the surface of a mirror substrate 100 on which mirrors 105 are formed, and the mirror chip 109 is removed after reducing the adhesive force of the adhesive layer of the mount film 106.例文帳に追加

ミラー基板１００のミラー１０５が形成された表面に、粘着力が変化する粘着層を備えたマウントフィルム（第１粘着フィルム）１０６を貼り付けて保護した状態で、ミラー基板１００を切断分割してミラーチップ１０９を形成し、マウントフィルム１０６の粘着層の粘着力を低下させてからミラーチップ１０９を取り外す。 - 特許庁

In an RC made column allowing a hinge on a column leg part, the same column is made a long column over the two layer of an RC made building upward from the column leg part, and a history energy absorption damper 4 producing reaction force or resistant moment in the case where the RC made building receives horizontal force is set on a part attached by a first layer beam 3.例文帳に追加

柱脚部にヒンジを許容しているＲＣ造柱において、同柱は、柱脚部から上方へＲＣ造建物の二層にわたる長柱とされ、前記の長柱において、一層目の梁が取り付く部位に、ＲＣ造建物が水平力を受けた場合に反力又は抵抗モーメントを生ずる履歴エネルギー吸収型のダンパーが設置されている。 - 特許庁

The second gap holding members 6 with rectangular cross sectional shapes of which the four angles are made to be fan-shaped are formed in a matrix on an alignment layer of gate lines 12, and similarly, the first gap holding members 5 with rectangular cross sectional shapes of which the four angles are made to be fan-shaped are formed in a matrix on an alignment layer of source lines 13.例文帳に追加

ゲート線１２上の配向膜上に、長方形の４つの角を扇形状にさせた断面形状を有する第２ギャップ保持材６が、マトリックス状に形成され、同様に、ソース線１３上の配向膜上に、長方形の４つの角を扇形状にさせた断面形状を有する第１ギャップ保持材５が、マトリックス状に形成されている。 - 特許庁

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.例文帳に追加

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

An acrylic resin multilayered film is constituted by laminating a first layer with a thickness of 80-150 μm comprising an acrylic resin containing an ultraviolet absorber to a second colored layer with a thickness of 150-400 μm comprising a resin compsn. containing an ethylene/alkyl methacrylate copolymer, acrylic rubber particles and an acrylic resin.例文帳に追加

厚みが８０〜１５０μｍであり紫外線吸収剤を含有するアクリル系樹脂からなる第１層と、厚みが１５０〜４００μｍでありエチレンとメタアクリル酸アルキルエステルとの共重合体、アクリル系ゴム粒子およびアクリル系樹脂を含有する樹脂組成物からなる着色された第２層とが積層されていることを特徴とするアクリル系樹脂多層フィルム。 - 特許庁

The laminated insulating film 2 includes a first insulating resin layer 2-1 comprising epoxy resin containing 80 wt.% of heat dissipating filler 7 formed on the heat sink 1 side, and a second insulating resin layer 2-2 comprising epoxy resin containing 70 wt.% of heat dissipating filler 7 formed on the lead frame 3 side.例文帳に追加

そして、積層絶縁膜２は、ヒートシンク１側に形成され、放熱性フィラー７を８０重量％の割合で含有したエポキシ樹脂を含む第１層絶縁性樹脂層２-1と、リードフレーム３側に形成され、放熱性フィラー７を７０重量％で含有したエポキシ樹脂を含む第２層絶縁性樹脂層２-2を含むことを特徴としている。 - 特許庁

An end of the second heat-insulating layer is located farther inside than an end of the reflective layer, and the first heat-insulating layer and the second heat-insulating layer have a space.例文帳に追加

第１の領域及び第２の領域を含む透光性基板と、第１の領域において、透光性基板上に透光性の第１の断熱層と、第１の断熱層上に光吸収層と、光吸収層上に第１の有機化合物材料を含む層と、第２の領域において、透光性基板上に反射層と、反射層上に第２の断熱層と、第２の断熱層上に第２の有機化合物材料を含む層とを有し、第２の断熱層の端部は反射層の端部より内側に位置し、第１の断熱層と第２の断熱層とは間隔を有する。 - 特許庁

In the liquid crystal panel, a first optical film 4 is bonded to the visual recognition side of a liquid crystal cell 2 through a first adhesive layer 3, and a second optical film 6 is bonded to the opposite side of the liquid crystal cell 2 through a second adhesive layer 5.例文帳に追加

液晶セル２の視認側に第１粘着剤層３を介して第１光学フィルム４が接着され、且つ液晶セル２の反対側に第２粘着剤層５を介して第２光学フィルム６が接着されている液晶パネルであって、第１粘着剤層３のクリープズレ量（Ｌ１）が５０〜３０００μｍ、第２粘着剤層５のクリープズレ量（Ｌ２）が１０〜４００μｍであり、第１粘着剤層３のクリープズレ量（Ｌ１）が第２粘着剤層５のクリープズレ量（Ｌ２）よりも大きい液晶パネル。 - 特許庁

The method comprises a first light irradiating step for irradiation with light within the absorption wavelength range of the first resin layer and a second light irradiating step for irradiating light within the absorption wavelength range of the second resin layer.例文帳に追加

第１の樹脂層と、当該第１の樹脂層を覆い、当該第１の樹脂層の吸収波長領域と異なる波長領域に吸収波長領域を有する第２の樹脂層と、を有する光硬化性樹脂組成物を用い、前記第１の樹脂層の吸収波長領域内にある光を照射する第１の光照射工程と、前記第２の樹脂層の吸収波長領域内にある光を照射する第２の光照射工程とを含む光硬化性樹脂成形物の製造方法。 - 特許庁

A thin film transistor substrate includes: a gate electrode formed on a substrate; an active layer including polycrystalline silicon formed on the gate electrode so as to overlap with the gate electrode; first ohmic contact layers formed on opposite sides of the gate electrode on the active layer; second ohmic contact layers formed on the first ohmic contact layers; and a source electrode and a drain electrode formed on the second ohmic contact layers.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 - 特許庁

In this case, the first soldering material of the first solder layer is the same as the second soldering material of the second solder layer.例文帳に追加

ケース１と、放熱側絶縁基板４ａと、吸熱側絶縁基板４ｂと、前記放熱側絶縁基板と前記ケースとを第１半田材により接合する第１半田層５ａと、前記放熱側絶縁基板と前記吸熱側絶縁基板との間にＰ型半導体チップ４ｆ及びＮ型半導体チップ４ｅを第２半田材により接合する第２半田層９ａ、９ｂとからなり、前記第１半田層の第１半田材は前記第２半田層の第２半田材と同一材料であることを特徴とする熱電モジュール。 - 特許庁

A semiconductor device having a switching circuit including an FET provided on a semiconductor layer on an insulating layer comprises: a first gate electrode and a second gate electrode provided in juxtaposition in a direction toward a drain region from a source region between the source region and the drain region of the FET; and a control terminal electrically connected to the intermediate region between the first gate electrode and the second gate electrode.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、絶縁膜の上の半導体層に設けられたＦＥＴを含むスイッチ回路を有する半導体装置であって、前記ＦＥＴのソース領域とドレイン領域との間に、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向に並んで設けられた第１のゲート電極および第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の中間領域に電気的に接続された制御端子と、を備える。 - 特許庁

The organic electroluminescence panel having an electroluminescence element including a first and second electrodes and one or more organic function layer composed of layered organic compounds interposed between the first and second electrodes, and a substrate supporting the electroluminescence element, comprises a polymer compound film covering the electroluminescence element and the surface of the substrate therearound, and an inorganic barrier layer covering the polymer compound film, the peripheral portion thereof, and the surface of the substrate therearound.例文帳に追加

第１及び第２表示電極並びに第１及び第２表示電極間に挟持かつ積層された有機化合物からなる１以上の有機機能層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス素子を担持する基板と、からなる有機エレクトロルミネッセンス表示パネルであって、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその周囲の基板の表面を覆う高分子化合物膜と、高分子化合物膜、その縁部及びその周囲の基板の表面を覆う無機バリア膜と、を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the memory element includes steps of: (a) forming a first electrode; (b) forming a memory node on the first electrode; (c) forming an insulating layer contacting the memory node, and formed by using a source substance without containing hydrogen as a constituent; and (d) forming a second electrode on the memory node.例文帳に追加

メモリ素子の製造方法において、（ａ）第１電極を形成する段階と、（ｂ）前記第１電極上にメモリノードを形成する段階と、（ｃ）前記メモリノードと接し、構成成分として水素が含まれないソース物質を利用して形成された絶縁層を形成する段階と、（ｄ）前記メモリノード上に第２電極を形成する段階と、を含む。 - 特許庁

There is provided the organic device provided with: a first electrode; a monomolecular layer consisting of a π conjugated system molecule connected to a material constituting the first electrode through covalent bond; the function layers consisting of functional molecule connected to the π conjugated system molecule through covalent bond; and a second electrode connected to the function layers.例文帳に追加

第一電極と、前記第一電極を構成する材料と共有結合させたπ共役系分子からなる単分子層と、前記π共役系分子と共有結合させた機能性分子からなる機能層と、前記機能層と接続させた第二電極とを備えることを特徴とした有機デバイスにより上記課題を解決する。 - 特許庁

A capacitance insulating film comprising a laminate film of hafnium oxide films 102, 103, 104 of first to third layers is formed on a lower electrode 101 of a capacitor, an oxygen ratio of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers to hafnium is greater than the oxygen ratio of the hafnium oxide film 103 of the second layer to hafnium.例文帳に追加

キャパシタの下部電極１０１上に、第１層〜第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０３、１０４の積層膜で構成される容量絶縁膜が形成され、第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４のハフニウムに対する酸素比率は、第２層のハフニウム酸化膜１０３のハフニウムに対する酸素比率よりも大きい。 - 特許庁

The recording carrier card has a first recording area in which information to be managed is recorded and a second recording area in which an amorphous ferromagnetic material layer having predetermined specific saturated magnetic characteristics is arranged at a place different from the first recording area and a necessary number of through holes are to be punched.例文帳に追加

記録担体カードは、管理対象情報を記録する第１の記録領域と、該第１の記録領域とは別の位置に予め定めた特定の飽和磁気特性を有するアモルファス強磁性材料層が配置されるとともに必要な個数のパンチ穴をあけることを予定して設けられた第２の記録領域とを備えた構成を有している。 - 特許庁

The printed wiring board includes the first and second signal pads for differential signals, at least one ground pad arranged close to them, and the via arranged an approximately equal distance from each of the first and second signal pads for connecting a ground pattern portion on a layer adjacent thereto directly to the ground pad, or through a drawn wire.例文帳に追加

プリント配線基板は、差動信号用の第１、第２の信号用パッドと、その近傍に配置された少なくとも１個のグラウンド用パッドと、前記第１、第２の信号用パッド夫々から略等距離に配置されて隣接層のグラウンドパターン部を前記グラウンド用パッドに対して直接に或いは引き出し線を介して接続するビアとを備える。 - 特許庁

The color filter substrate of the LCD includes: a substrate 81 containing a plurality of pixel regions; a first black matrix 82 formed between the pixel regions of the substrate 81; a second black matrix 83 formed at an upper portion of the first black matrix 82 and separating each pixel region; and a color layer 84 formed at the pixel region.例文帳に追加

複数のピクセル領域を含む基板８１と、前記基板８４上のピクセル領域間に形成された第１ブラックマトリックス８２と、前記第１ブラックマトリックス８２の上部に形成されて前記各ピクセル領域を隔離させる第２ブラックマトリックス８３と、前記ピクセル領域に形成される色相層８４とを備えたＬＣＤのカラーフィルター基板。 - 特許庁

The first capacitor, comprising the first electrode part 103a and the third electrode part 106a and the second capacitor that comprises the second electrode part 103b and the fourth electrode part 106b are connected in series by electrical connections formed by including the third electrode part 106a and the fourth electrode part 106b in the conductive layer 106.例文帳に追加

第３の電極部１０６ａ及び第４の電極部１０６ｂが導電層１０６に含まれることによる電気的接続によって、第１の電極部１０３ａ及び第３の電極部１０６ａからなる第１のキャパシタと、第２の電極部１０３ｂ及び第４の電極部１０６ｂからなる第２のキャパシタとは直列に接続されている。 - 特許庁

A pumping capacity of the first oxygen pump cell 11 is remarkably enhanced by providing the conductive porous layer 29 compared with one having only the porous electrode 11c on a wall face of the first measuring chamber 17, inflow of oxygen into the second measuring chamber 19 is restrained, and concentrations of nitrogen oxides are accurately measured thereby.例文帳に追加

このような導電性多孔質層２９を設けると、第１酸素ポンプセル１１のポンピング能力が、第１測定室１７の壁面に多孔質電極１１ｃのみを備えているものに比べて格段に高くなり、第２測定室１９への酸素の流入を抑制できるので、窒素酸化物濃度を正確に測定できるようになる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a memory cell including a first transistor 160, a second transistor 162, and an insulation layer 128 provided between a source region or a drain region 120 of the first transistor 160 and a channel formation region 144 of the second transistor 162.例文帳に追加

第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、第１のトランジスタ１６０のソース領域またはドレイン領域１２０と、第２のトランジスタ１６２のチャネル形成領域１４４との間に設けられた絶縁層１２８と、を含むメモリセルを有し、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２とは、少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置である。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a protective element region 13 and a memory cell region 12 which are formed separately across an element separation region 14 on a first conductive region 1, a MONOS memory cell formed on the memory cell region 12, a MOS transistor formed on the protective element region 13, and a first conductive diffusion layer 5 formed in the protective element region 13.例文帳に追加

第１導電型領域１上に素子分離領域１４で分離形成された保護素子領域１３およびメモリセル領域１２と、メモリセル領域上に形成されたＭＯＮＯＳ型メモリセルと、保護素子領域上に形成されたＭＯＳ型トランジスタと、保護素子領域に形成された第１導電型拡散層５とを備える。 - 特許庁

The airflow generating device 10 includes: a dielectric 20 made of a solid; a first electrode 30 disposed on one side surface 20a of the dielectric 20; a second electrode 31 disposed oppositely to the first electrode 30 in the vicinity of the other side surface 20b of the dielectric 20; and an ozone decomposing layer 40 which is formed on the one side surface 20a of the dielectric 20.例文帳に追加

気流発生装置１０は、固体からなる誘電体２０と、誘電体２０の一方の表面２０ａに設けられた第１の電極３０と、誘電体２０の他方の表面２０ｂ近傍に、第１の電極３０に対設された第２の電極３１と、誘電体２０の一方の表面２０ａ上に形成されたオゾン分解層４０とを備える。 - 特許庁

A record erasing device, which is provided a first heater substrate 5 and a pressure roller 7 for pressing the thermal recording medium against the first heater substrate, erases a visible image, which is recorded on the thermal recording medium, by applying heating treatment within a predetermined range of color erasing temperature to the thermal recording medium with a recording layer reversibly developing/erasing a color by heating.例文帳に追加

熱により可逆的に発色及び消色する記録層をもつ感熱記録媒体を所定の消色温度範囲内で加熱処理することにより、その感熱記録媒体上に記録された可視画像を消去する記録消去装置に、第１ヒータ基板５と、感熱記録媒体を第１ヒータ基板に押し付けるための加圧ローラ７とを設ける。 - 特許庁

Each transistor 21 includes a first ohmic contact region 115 and a second ohmic contact region 119 formed in a region demarcated by crossing of each conductive line 8 and each function line 7, and a channel region demarcated by the first ohmic contact region 115 and the second ohmic contact region 119 in the semiconductor layer.例文帳に追加

各トランジスタ２１は、各導電線８と各機能線７との交差によって画定される領域に形成された第１のオーミックコンタクト領域１１５、第２のオーミックコンタクト領域１１９および前記半導体層中において前記第１のオーミックコンタクト領域１１５および前記第２のオーミックコンタクト領域１１９によって画定されたチャネル領域含む。 - 特許庁