「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(455ページ目) - Weblio英語例文検索

In the dry etching process of the first stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, and a hole 4a having a depth of a level without exposing the carbon nanotube layer 3 is formed in a state where pressure in a reaction chamber is set below 50 Pa.例文帳に追加

第１段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０Ｐａより小さく設定されている状態で、カーボンナノチューブ層３を露出させない程度の深さのホール４ａが形成される。 - 特許庁

Smooth layers 590 such as a resin tape, a metal sheet, a coating layer, a sheet glass, and a reflecting plate are superposed on an area facing the first photoreflector 580a and an area facing the second photoreflector 580b on the side faces of the movable body 3.例文帳に追加

ここで、可動体３の側面には、第１フォトリフレクタ５８０ａと対向する領域および第２フォトリフレクタ５８０ｂと対向する領域に樹脂テープ、金属シート、コーティング層、板状ガラス、反射板等の平滑層５９０を積層しておく。 - 特許庁

The heat dissipation structure has a melt-sprayed composite material layer 28 formed by a melt-spraying method (cold spraying method) and a metal wiring 23 (upper member) made of a second material on a heat sink 21 made of a first material (Al or Al alloy).例文帳に追加

放熱構造体は、第１の材料（ＡｌまたはＡｌ合金）からなるヒートシンク２１の上に、溶射法（コールドスプレー法）によって形成された溶射複合材料層２８と、第２の材料からなる金属配線２３（上方部材）とを備えている。 - 特許庁

The liquid crystal cell 2 is provided with a first and a second film substrates 4 and 6 arranged at a prescribed interval, a cholesteric liquid crystal 10 held between the substrates 4 and 6 and the light absorption layer 12 provided on the rear surface of the second substrate 6.例文帳に追加

液晶セル２は、互いに所定の間隔をあけて設けた第１及び第２のフィルム基板４、６と、これら基板間に挟持されたコレステリック液晶１０と、第２の基板６の背面に設けた光吸収層１２とを備える。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 is manufactured by forming a light receiving part 2, a transfer electrode 3, an interlayer insulation film 4 and a light shielding film 5 on a silicon substrate 1 by a well known method and a first intermediate layer 11 having a film thickness of d_1 is formed on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１に、公知の方法で受光部２、転送電極３、層間絶縁膜４及び遮光膜５を形成した半導体基板１０を作製し、半導体基板１０上に膜厚ｄ_1の第一中間層１１を形成する。 - 特許庁

The first thin film transistor 3 is provided with the p-type organic semiconductor layer (working as a p-channel) 33, and the second thin film transistor 4 is provided with the n-type thin film transistor 45 (working as an n-channel).例文帳に追加

回路基板１は、第１の薄膜トランジスタ３が、ｐ型有機半導体層（ｐチャネルとして動作する有機半導体層）３３を備え、第２の薄膜トランジスタ４が、ｎ型有機半導体層（ｎチャネルとして動作する有機半導体層）４５を備える。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element capable of suppressing the rounding of the edge shape of a first layer electrode, and preventing characteristic deterioration including deterioation in transfer efficiency and charge extraction characteristic, DC short circuit, and electric field concentration.例文帳に追加

第１層電極のエッジ形状が丸くなるのを抑制し、転送効率の低下、電荷引き抜き特性の低下ＤＣショートあるいは電界集中などの、特性劣化を生じるのを防止することのできる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

A common electrode 119 and a first alignment layer 150 have linear recessed portions 170, 172, respectively, formed at nearly center of the transmissive portion of the pixel and extending along the direction of the short side over a plurality of pixels arranged in the short side direction of the pixel.例文帳に追加

共通電極１１９及び第一配向膜１５０は、画素の透過部の略中央に、当該画素の短辺方向に並んだ複数の画素に跨って、当該短辺方向に延在する直線状の凹部１７０、１７２を設けた。 - 特許庁

An erosion inhibition section 5 on which copper foil 7 is printed is formed around the window 30 so that the position of the carbon connection section 28 can be seen from the surface of he first-layer printed-circuit board 2 and erosion owing to the application of laser beams 1 is restrained.例文帳に追加

窓３０の周囲には、カーボン接続部２８の位置が第１層プリント基板２の表面からわかるようにするとともに、レーザ光１の照射による侵食を抑えるために、銅箔７が印刷された侵食抑止部５が形成されている。 - 特許庁

The protective layer 10 includes MgO particles as a first particle 97 and compound particles comprising at least one element selected from the group consisting of V, Mn, Co, Ni, Cu, Mo and W, Ca and O, as a third particle 99.例文帳に追加

保護層１０は、第１粒子９７としてＭｇＯ粒子と、第３粒子９９としてＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物粒子とを有する。 - 特許庁

Next, the form of a floor on the (n+1)th layer is built, the second floor skeleton fastener 22 temporarily fixed to the second exterior wall plate fastener 12 of the curtain wall 1 is positioned in the form, and the first floor skeleton fastener is installed in the form.例文帳に追加

次に、第（ｎ＋１）層の床の型枠を建て込んで、この型枠内にカーテンウォール１の第２外壁版ファスナー１２に仮固定された第２床躯体ファスナー２２を位置させるとともに、型枠内に第１床躯体ファスナーを取り付ける。 - 特許庁

A seal member 61 is disposed between the layer thickness regulating blade 21 and the attachment surfaces 33C, 34C and the facing surface 26A, and configured to seal first gaps X each of which is formed between the pair of attachment surfaces 33C, 34C in the width direction and the facing surface 26A.例文帳に追加

層厚規制ブレード２１と取付面３３Ｃ，３４Ｃおよび対向面２６Ａとの間には、シール部材６１が介在され、幅方向における１対の取付面３３Ｃ，３４Ｃと対向面２６Ａとの第１隙間Ｘを塞ぐ。 - 特許庁

In the step of soldering the first terminal 11 and the second terminal 21 to each other, the time, between a time point immediately after the initiation of the heating of the laminated body and a time point at which the temperature of the laminated body reaches the melting point of the solder layer 112, is 5 seconds to 15 minutes inclusive.例文帳に追加

第一端子１１と、第二端子２１とを半田接合させる前記工程では、積層体の加熱開始直後から、積層体の温度が半田層１１２の融点に達するまでの時間を５秒以上、１５分以下とする。 - 特許庁

In each of the wiring layers 14, 15 and 16, a wiring pad 17 conducted to the slider pad of a slider 52 is disposed, a through-hole 20 is made in the first insulating layer 10, and a conducting connection part 21 is provided in the through-hole 20.例文帳に追加

各配線層１４、１５、１６に、スライダ５２のスライダパッドに導通される配線パッド１７が設けられ、第一絶縁層１０に貫通孔２０が形成され、この貫通孔２０に導電性を有する導電接続部２１が設けられている。 - 特許庁

The aluminum layer 14 has pierced holes 142 for inserting thereinto output-terminal lead wires 50 of a solar battery module, and the first and second resin-film layers are bonded onto at least some portions of the inner-wall surfaces out-of which each pierced hole 142 is formed.例文帳に追加

アルミニウム層１４は太陽電池モジュールの出力端子用リード線５０を挿通するための貫通孔１４２を有し、貫通孔１４２を形成する内壁面の少なくとも一部の上には第１と第２の樹脂フィルム層が接着されている。 - 特許庁

The first metal layer 23 has a patterning in a prescribed shape and is composed of a circuit pattern 231 electrically connected to the light emitting unit 4 and a heat radiating pattern 232 having a function to radiate heat generated in the light emitting unit 4.例文帳に追加

第１の金属層２３は、所定形状にパターニングされ、発光装置４と電気的に接続された回路パターン２３１と、発光装置４で発生した熱を放熱するための機能を有する放熱用パターン２３２とで構成されている。 - 特許庁

In the light reflecting and light absorbing tape 5, a light absorbing layer consisting of a material absorbing light and having a high visible light shielding ratio is formed on the side facing the first transparent substrate 11 of a base material consisting of e.g. a white polyethylene terephthalate.例文帳に追加

光反射兼吸収テープ５は、例えば白色のポリエチレンテレフタレートからなる基材の第１の透明基板１１に臨む側に、光を吸収し、可視光の遮光率が高い材料からなる光吸収層が形成されている。 - 特許庁

The bonding layer 40 is provided with a first site 43 in contact with a rear face of the collector 30, a second site 45 protruded outside from an end part of the collector 30, and a third site 44 bonded to a part of the surface of the collector 30.例文帳に追加

接合層４０は、集電体３０の裏面と接触する第１の部位４３と、集電体３０の端部から外向きに突出する第２の部位４５と、集電体３０の表面の一部と接着する第３の部位４４とを備えている。 - 特許庁

Also, parts between the adjacent second fins 4n in the nMIS formation region are completely filled by the gate electrode 6, and the parts between the adjacent first fins 4p of the pMIS formation region are filled by the gate electrode 6 and an insulating film formed in the upper layer.例文帳に追加

また、ゲート電極６でｎＭＩＳ形成領域の隣接する第２フィン４ｎ間を完全に埋め込み、ゲート電極６およびその上層に形成される絶縁膜でｐＭＩＳ形成領域の隣接する第１フィン４ｐ間を埋め込む。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises the processes to form a first and a second semiconductor layers (1x, 1y) which are mutually separated on a substrate (10), a gate insulation film 82) on the semiconductor layer, and a gate electrode on the gate insulation film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、基板（１０）上に相互に分離された第１及び第２の半導体層（１ｘ、１ｙ）、該半導体層上にゲート絶縁膜（２）、該ゲート絶縁膜上にゲート電極（３）を形成する工程を含む。 - 特許庁

This composition includes a first organic solvent A whose surface tension is 37 mN/m or more and a second organic solvent B whose surface tension is under 32 mN/m, and a liquid crystal alignment layer forming material dissolved in the mixed solvent.例文帳に追加

表面張力が３７ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第２有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、該混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁

In this case, λ represents a wavelength of light generated from the fifth layer, n_1 represents effective refraction index of the first fine wall-like member 112 and the second fine wall-like member 113, and n_2 represents effective refraction index of the semiconductor member 118.例文帳に追加

ただし、λは、第５層で発生する光の波長であり、ｎ_１は、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３における有効屈折率であり、ｎ_２は、半導体部材１１８における有効屈折率である。 - 特許庁

The second wiring layer includes a fourth wiring 14a located in the upper part of the first element region 1a, and a conductive pattern 14b for connection located in the upper part of a part of the third wiring 11b and electrically connected to the third wiring 11b.例文帳に追加

第２配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第４配線１４ａと、第３配線１１ｂの一部の上方に位置していて第３配線１１ｂに電気的に接続している接続用導電パターン１４ｂを具備する。 - 特許庁

Heat treatment temperature required for curing can be lowered and heat treatment time can be shortened by dividing the gasket layer into two when compared with the case where all gasket layers (the first gasket layers 14, 15 and second gasket layers 16, 17) consists of the sticky agent or adhesive agent.例文帳に追加

また、ガスケット層を二つに分けることで、ガスケット層の全て（第一ガスケット層１４，１５及び第二ガスケット層１６，１７）を粘着剤もしくは接着剤とする場合に比べ、硬化にかける熱処理温度、時間を抑制することができる。 - 特許庁

When a driving voltage is low (at a low grayscale), the liquid crystal molecules 40A respond only in the first region 10A, and when a driving voltage is high (at a high grayscale), the liquid crystal molecules 40A respond in the whole region of the liquid crystal layer.例文帳に追加

駆動電圧が低いとき（低階調時）には、第１領域１０Ａにおいてのみ液晶分子４０Ａが応答し、駆動電圧が高いとき（高階調時）には、液晶層全体の領域において液晶分子４０Ａが応答する。 - 特許庁

The field-effect semiconductor device includes a source region and a first drain region at least one of which is formed of a metal material or a polycrystal semiconductor and also includes a tunnel insulating film formed between the metal material or polycrystal semiconductor and a semiconductor channel layer.例文帳に追加

ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 - 特許庁

The second voltage controller receives a voltage applied through the control switch and a reference voltage to output a second internal voltage, and the physical layer unit receives a request from a host with the first or second internal voltage as a voltage source.例文帳に追加

第２の電圧調節器は、制御スイッチを通じて供給される電圧と基準電圧とを受信して第２の内部電圧を出力し、物理レイヤ部は、第１の内部電圧又は第２の内部電圧を電圧源としてホストの要請を受信する。 - 特許庁

A plated layer 15 is formed in a thickness less than 0.1 μm by conducting first non-electrolytic plating processing to a wiring pattern 12 formed on a base board 10 utilizing a plating solution 20 including at least one of thiourea and its derivative.例文帳に追加

チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液２０を利用して、ベース基板１０に設けられた配線パターン１２に第１の無電解めっき処理を行って、厚みが０．１μｍ未満のめっき層１５を形成する。 - 特許庁

The p-electrode 12 is configured with a first Pd film 13, a Ta film 14 and a second Pd film 15 as an oxidation preventing film for preventing oxidation of the Ta film 14 and is formed on a type p-type contact layer 11 formed of a nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４、およびＴａ膜１４の酸化を防止する酸化防止膜としての第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。 - 特許庁

A plurality of p-type semiconductor layers are formed on the second region of the n-type semiconductor layer to form a mesa structure that the corners of at least a pair of diagonal directions are rounded at the inside, and curved inward to form a first basin.例文帳に追加

上記n型半導体層の第2領域上には複数のp型半導体層が形成されメサ構造を夫々成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入し第1盆地を形成する。 - 特許庁

The production process of a silicon single crystal wafer comprises a first heat treatment process performing heat treatment on a silicon wafer obtained by processing a single crystal grown by Czochralski method, and a step for polishing the heat treated wafer surface until a device active layer becomes a predetermined thickness.例文帳に追加

チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハに熱処理を施す第１熱処理工程と、熱処理が施されたウェーハ表面を、所定厚さのデバイス活性層を残すように研磨する工程とを有する。 - 特許庁

The first layer 9 is provided with a porous film 91 composed of conductive particles 91a mainly of an inorganic oxide having conductivity, and a conductive matter 92 supplied for filling in gaps 91b the porous film 91 has.例文帳に追加

第１の層９は、導電性を有する無機酸化物を主とする導電性粒子９１ａで構成された多孔質膜９１と、この多孔質膜９１が有する空隙９１ｂを埋めるように供給された導電性物質９２を有している。 - 特許庁

On the substrate, a first interlayer insulating layer is formed having an opening which exposes the two adjoining second conductive type drain regions and the device separation structure between the two adjoining second conductive type drain regions.例文帳に追加

基板の上に、開口を有する第１の層間絶縁層が形成され、その開口は、２つの隣接する第２の導電型のドレイン領域と、２つの隣接する第２の導電型のドレイン領域の間のデバイス分離構造とを露出させる。 - 特許庁

The acoustic matching layer 12 is formed by embedding, through insert molding, the piezoelectric element 11 and wiring connected to a first electrode 14 and a second electrode 15 while using a resin material of which the acoustic impedance is smaller than that of the piezoelectric element 11.例文帳に追加

音響整合部材１２は、圧電素子１１より音響インピーダンスが小さい樹脂材料を用いて、圧電素子１１と、第１電極１４及び第２電極１５に接続される配線とが、インサート成形により埋め込まれて形成されている。 - 特許庁

Since the pad electrode 14 of the defective chip 11 is not electrically connected with the lead-out electrode 13 because of the first insulation layer 15, the burn-in of wafer level can be applied without a step for covering the defective chip in the conventional technology.例文帳に追加

第１絶縁層１５によって不良チップ１１のパッド電極１４と取り出し電極１３とが電気的に接続されないので、従来技術の不良チップ被覆工程を行わずに、ウェハレベルバーンインを実行することが可能となる。 - 特許庁

Moreover in the light diffusion laminate board, the first resin layer 1 has a light diffusion function; and the microlens film 4 has a light condensing function for collecting an emitted light beam to increase the amount of light to be emitted in the direction.例文帳に追加

且つ前述の第一樹脂層１は光拡散機能を有し、一方のマイクロレンズフィルム層４は出射された光線を集束させてその方向への出射光量を増加させる集光機能を有する光拡散積層板である。 - 特許庁

The method for vaporizing particulate materials and condensing them onto a surface to form a layer provides a quantity of particulate material in the first container 50 having an opening, dimensioned to allow free flow of the particulate material through the opening.例文帳に追加

粒子状材料を気化させて表面上に凝縮させることで層を形成する1つの方法では、ある量の粒子状材料を、その粒子状材料が自由に通過できるサイズの開口部を有する第1の容器５０に供給する。 - 特許庁

The favorable method for manufacturing the polymer film laminate has a first process of winding the laminate in which the precursor layer of the polymer film is formed on the metal foil, and a second process of heat-treating the wound laminate to form a polymer film laminate.例文帳に追加

好適な高分子フィルム積層体の製造方法は、金属箔上に高分子フィルムの前駆体の層が形成された積層体を巻き取る第１工程と、巻き取り体を熱処理して高分子フィルム積層体を得る第２工程とを有する。 - 特許庁

The dielectric layer 12b of the outer unit 19a and 19b is equipped with pinhole conductors 20 which connect the outer conductor layers of a pair of the first outer conductor layers or a pair of the second outer conductor layers together.例文帳に追加

外層部１９ａ，１９ｂの誘電体層１２ｂが一対の第１外層用導体層あるいは一対の第２外層用導体層において、各々の外層用導体層同士を互いに接続させる複数のピンホール導体部２０を有する。 - 特許庁

The bonding layer 71 so has a first principal surface 75 bonded to the substrate principal surface 52, and so has a second principal surface 74 of an element mounting portion 56 being set thereto whereon a semiconductor circuit element 21 is mounted as to dispose conductor columns 72 in its via holes 76.例文帳に追加

接着層７１は、基板主面５２上に接着する第１主面７５、及び半導体回路素子２１が搭載される素子搭載部５６が設定された第２主面７４を有し、ビア孔７６内に導体柱７２が設けられる。 - 特許庁

The end of the first semiconductor region 14 is positioned closer to the floating diffusion layer 25 than the end of a gate electrode 20 of the transfer transistor, and the end of the second semiconductor region 15 is positioned at substantially identical position of the end of the gate electrode 20 of the transfer transistor.例文帳に追加

第１の半導体領域１４の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部よりも浮遊拡散層２５側に位置し、第２の半導体領域１５の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部と略同じ位置である。 - 特許庁

The key K1 is synthesized with m-bit key K11 of one bit or more, a synthetic key K larger than n-bit is generated, the data is encrypted again by a relay first layer encryption part 24 using the synthetic key K and transmitted to a receiving side device 3.例文帳に追加

前記鍵Ｋ１と、１ビット以上のｍビットの鍵Ｋ１１とを合成しｎビットより大きい合成鍵Ｋを生成し、それを用いて再びデータを中継第１層暗号化部２４によって暗号化し、受信側装置３に伝送する。 - 特許庁

The refraction index n of the first translucent substrate 11 and the second translucent substrate 12 is made 1.73<n<2.0 (at d line), the incident angle α is made 61°≤α≤82°, and the film thickness t of the bonding layer 14 is made 15nm≤t<60nm.例文帳に追加

第一透光性基材１１及び第二透光性基材１２の屈折率ｎを、１．７３＜ｎ＜２．０（d線における）とし、入射角αを、６１°≦α≦８２°に設定し、接合層１４の膜厚ｔを、１５ｎｍ≦ｔ＜６０ｎｍとした。 - 特許庁

A flexible insulating base material 10 and a rigid insulating base material 20 are fitted so as to match each other at an opening 20w provided by opening the rigid insulating base material 20, and juxtaposed like a plane to configure a first layer insulating base material Li.例文帳に追加

フレキシブル絶縁基材１０およびリジッド絶縁基材２０は、リジッド絶縁基材２０を開口して設けた開口部２０ｗで相互に整合するように嵌合され平面状に相互に並置され第１層絶縁基材Ｌｉを構成する。 - 特許庁

This tire has a belt layer 7 including first, second and third belt plies 7A to 7C, and in the second and third belt plies 7B and 7C, an inter- cord distance Ys of the belt ply of the outside area YS is set smaller than an inter-code distance Yc of a central area YC.例文帳に追加

第１、第２、第３のベルトプライ７Ａ〜７Ｃを含むベルト層７を有し、第２、第３のベルトプライ７Ｂ、７Ｃは、外側領域ＹＳのベルトプライのコード間距離Ｙｓを、中央領域ＹＣのコード間距離Ｙｃよりも小としている。 - 特許庁