「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(465ページ目) - Weblio英語例文検索

An ohmic contact layer-forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of a semiconductor film-forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, containing a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

To provide an electrostatic capacitance-type input device in which a first electrode, a second electrode, an inter-layer insulating film, a relay electrode, and peripheral wiring can be formed by three times in total of patterning formation and a method for manufacturing the capacitance-type input device.例文帳に追加

計３回のパターニング形成によって、第１電極、第２電極、層間絶縁膜、中継電極、および周辺配線を形成することのできる静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A first electrode and a second electrode separated from each other are formed on a substrate and after stacking a silicon layer in which amorphous silicon and polycrystalline silicon exist mixedly by the sputtering method or the chemical vapor deposition method, a semiconductor is formed by patterning the silicon film.例文帳に追加

基板上に互いに分離されている第１及び第２電極を形成し、非晶質と多結晶シリコンとが混在するシリコン膜をスパッタリング法または化学気相蒸着法で積層した後、前記シリコン膜をパターニングして半導体を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents the disconnection of a wiring layer connecting a first semiconductor device part provided on an insulating substrate and a second semiconductor device part of which the height from the insulating substrate to the upper surface is high, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

絶縁性基板上に設けられた第１の半導体デバイス部と、絶縁性基板からその上面までの高さが高い第２の半導体デバイス部とを接続する配線層が断線することを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor substrate related to a first aspect includes: a preparation process for preparing a base substrate formed of Cr; and a nitriding process for nitriding a (110) plane of the base substrate to form a (111) plane of a chromium nitride layer.例文帳に追加

本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、Ｃｒで形成された下地基板を準備する準備工程と、前記下地基板の（１１０）面を窒化してクロム窒化物層の（１１１）面を形成させる窒化工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The step absorption layers are positively formed on each internal electrode, and the separation regions are provided at places opposite to the step absorption layers from the first, thus achieving absorption in the separation region even if the step absorption layer deviates to some extent at formation.例文帳に追加

各内部電極上に積極的に段差吸収層を形成し、その段差吸収層に対向する箇所に離間領域を当初から設けているため、段差吸収層が多少ずれて形成されたとしても、離間領域で吸収することができる。 - 特許庁

After removing the mask 33 for diffraction grating, a group III-V compound semiconductor film 35 as a cover layer is deposited, so as to cover the diffraction grating structure 21b of the first semiconductor laminate 25 and the semiconductor film 29 of the second semiconductor laminate 31.例文帳に追加

回折格子用マスク３３を除去した後に、第１の積層構造物２５内の回折格子構造２１ｂおよび第２の積層構造物３１内の半導体膜２９を覆うように、カバー層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３５を堆積する。 - 特許庁

The display panel 21 has a cathode electrode (first electrode) 22 and an anode electrode (second electrode) 23 disposed facing each other between glass substrates 11, 12, and has a light emitting layer 24 by organic EL held between the cathode electrode 22 and the anode electrode 23.例文帳に追加

表示パネル２１は、ガラス基板１１，１２間に、対向して配置されたカソード電極（第１電極）２２およびアノード電極（第２電極）２３と、前記カソード電極２２とアノード電極２３との間に挟持された有機ＥＬ（Electro Luminescence）による発光層２４とを備える。 - 特許庁

The liquid crystal display makes a shading layer 210 formed linearly on an opposite substrate 200 a large width part 211 partly having a larger width than the line width, and arranges a first spacer 600a to face the large width part 211 on an array substrate 100.例文帳に追加

対向基板２００上において線状に形成された遮光層２１０を部分的にその線幅よりも大きな幅を有する幅大部２１１とする一方で、アレイ基板１００上では第１のスペーサー６００ａを幅大部２１１に対向して配置する。 - 特許庁

On the planarizing layer 43 covering the sets of metal wiring 34, a plurality of first on-chip lenses 51 as cylindrical lenses for converging an incident light in a row direction are formed to extend in the columnar direction so as to cover each of the photodiodes 21 formed in one column.例文帳に追加

金属配線３４を覆う平坦化層４３の上には、入射光を行方向に収束するシリンドリカルレンズである複数の第１のオンチップレンズ５１が、一の列に形成された各フォトダイオード２１を覆うように列方向に延びてそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The capacitor structure includes: a first electrode configured to include a plurality of openings; a second electrode formed in each center of the openings; and a dielectric layer formed to fill the openings and surround the second electrode.例文帳に追加

本発明のキャパシタ構造体は、複数個の開口部を有する第１の電極と、前記開口部の各々の中央に形成される第２の電極と、前記開口部を埋め込んで第２の電極を囲むように形成される誘電膜とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method for the electroluminescent element panel adheres an element substrate provided with a plurality of electroluminescent elements and a sealing substrate with a plurality of adhesive layer patterns formed on at least an electroluminescent element displaying region of a first substrate.例文帳に追加

複数のエレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板と、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に設けられている封止基板とを貼り合わせることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法 - 特許庁

The contact electrodes 12A, 12B are connected to the pad electrodes 13A, 13B by wiring electrodes 14A, 14B, respectively, and are covered with a first insulating film 15 to be electrically connected without being bonded directly to a solder layer.例文帳に追加

コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを、配線電極１４Ａ，１４Ｂによりパッド電極１３Ａ，１３Ｂに接続すると共に第１絶縁膜１５で覆うことにより、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂをはんだ層に直接接合することなく電気的接続を可能とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter by which the identification degree of alignment marks is increased and a color filter is manufactured by aligning the color filter with a photomask even when a color layer having low transmittance is not formed in a first stage.例文帳に追加

本発明は、最初に透過率の低い着色層を形成しない場合であっても、アライメントマークの識別度を上げてカラーフィルタとフォトマスクとのアライメントを行い、カラーフィルタを製造するカラーフィルタの製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

The second insulating film 16b consists of a material (silicon oxide (SiO_x), and silicon nitride (SiN_x) etc.) having excellent etching selectivity by same gas or solution to oxide semiconductor constituting the channel layer 15 and the first insulating material respectively.例文帳に追加

第２絶縁膜１６ｂはチャネル層１５を構成する酸化物半導体および第１絶縁材料それぞれに対して同一ガス（あるいは溶液）によるエッチング選択性の良好な材料（酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）等）により構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first n-type MOS transistor having a channel region formed on the element region A1; and a second n channel MOS transistor, and a p channel MOS transistor having a channel region formed on the epitaxial layer.例文帳に追加

この半導体装置は、素子領域Ａ１に形成されたチャネル領域を有する第１のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタと、エピタキシャル層に形成されたチャネル領域を有する第２のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタおよびＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor apparatus has a gate electrode formed through a gate insulating film, and a second conductive type source area and a drain area, in an area segmented by an element separation insulating film formed in a first conductive type semiconductor layer.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層に形成された素子分離絶縁膜により区分された領域に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第２導電型のソース領域及びドレイン領域とを有する。 - 特許庁

The active material, the electron-conducting material and the conduction assistant are included in the active material layer of this battery equipped with first and second electrodes and a separator, hydrophobicity is imparted to one of the the electron-conducting material and the conduction assistant, and hydrophilicity is imparted to the other.例文帳に追加

第１および第２の電極と、セパレータとを備えた電池の活物質層内に、活物質と、電子導電材と、導電助剤を含有し、上記電子導電材および上記導電助剤の一方に疎水性を持たせ、他方に親水性を備える。 - 特許庁

A first layer STO film 18a becoming the underlying dielectric film 17a of the capacitor consists of a thick crystal film having perovskite structure on the surface of the lower electrode 12a and a thin amorphous film in other regions, and is formed on the substrate 19.例文帳に追加

基板１９上に、下部電極１２ａの表面上がペロブスカイト型結晶構造を有する厚肉の結晶膜、その他の領域が薄肉の非晶質膜である、キャパシタ下層誘電体膜１７ａとなる第１層目のＳＴＯ膜１８ａを形成する。 - 特許庁

The disk-type MEMS resonator 10 is composed such that a nitride film 11, first/second/third sacrifice layers 12, 13, and 14, and a wiring layer 15 are laminated on a semiconductor substrate 1 and an opening part C1 being a cylindrical recessed part is formed almost at the center.例文帳に追加

ディスク型ＭＥＭＳ振動子１０は、半導体基板１上に、窒化膜１１、第一の犠牲層１２、第二の犠牲層１３、第三の犠牲層１４、及び配線層１５が積層され、略中央に、円筒形状の凹部である開口部Ｃ１が形成されている。 - 特許庁

This organic EL element is provided with at least an organic compound layer 30 between a first electrode 12 and a second electrode 16 to form an element region, and a protective film 20 including a polymerized film of a hetero-cyclic compound is formed to cover the element region.例文帳に追加

有機ＥＬ素子は、第１電極１２、第２電極１６との間に少なくとも一層の有機化合物層３０を備えて素子領域が構成されており、この素子領域を覆うようにヘテロ環式化合物の重合膜を含む保護膜２０を形成する。 - 特許庁

To provide a wiring board where the connection between the electrode of a built-in electric part and an inside wiring layer can be performed easily, and also the wiring to electrically connect the electrode with an IC chip mounted on the first main surface can be made short, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

内蔵した電子部品の電極と内部の配線層との接続が容易に行えると共に、上記電極と第１主面上に搭載するＩＣチップとを導通する配線も短くし得る配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A thermoplastic resin 5 is charged between a side surface of an electric double layer capacitor element 2 and an internal wall of a bottomed case 31, between a first electrode plate 41 and a second electrode plate 42, and between an opening of the bottomed metal case 31 and a printed substrate mounting surface.例文帳に追加

電気二重層コンデンサ素子２の側面と有底金属ケース３１の内壁の間と、第１の電極板４１と第２の電極板４２の間と、有底金属ケース３１の開口部とプリント基板実装面との間を熱可塑性樹脂５で充填する。 - 特許庁

The Pb-free solder contains: first metal particles containing Sn as a principal component; and second metal particles in which the surfaces of core particles containing Ni-Fe alloy as a principal component are covered with at least one coating layer containing as a principal component, Sn and a metal that forms an alloy.例文帳に追加

Ｐｂフリーはんだは、Ｓｎを主成分とする第１金属粒子と、Ｎｉ−Ｆｅ合金を主成分とするコア粒子の表面が、Ｓｎと合金を作る金属を主成分とする少なくとも１つの被覆層で覆われた第２金属粒子とを含む。 - 特許庁

A cross finger electrode 13 that is vertical or parallel to a distortion direction where the direction of a linear finger electrode 14 is generated by acceleration to be detected is formed at a part where distortion is generated by acceleration to be detected on the film layer 12 as a first capacitance element.例文帳に追加

この膜層上の被検出加速度により歪が発生する部分に、線状指電極１４の向きが被検出加速度により発生する歪みの方向に垂直あるいは平行の交差指電極１３を形成して第１の静電容量素子とする。 - 特許庁

On the substrate face 23b of the transparent substrate main body 23 constituting a backlight 13, a first electrode 26, an organic EL layer 25, and the second electrode 27 are laminated toward the opposite side of a liquid crystal panel 12 from the transparent substrate main body 23 side in this order.例文帳に追加

バックライト１３を構成する透明基板本体２３の基板面２３ｂ上において、第１電極２６、有機ＥＬ層２５、及び、第２電極２７は、同順に透明基板本体２３側から液晶パネル１２と反対側に向かって積層されている。 - 特許庁

Protection layers 5, 13 composed of a compound of alkali metal (either of Li, Na, K, Rb, Cs) and halogen (either of F, Cl, Br, I) or alkali metal oxide are provided on the surfaces of a first plate and a second plate at least provided with a phosphor layer 10.例文帳に追加

第一プレートおよび少なくとも蛍光体層１０が設けられた第二プレート表面にアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのいずれか）とハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれか）の化合物あるいはアルカリ金属酸化物からなる保護層５、１３を設ける。 - 特許庁

Anisotropic etching is applied from the underside to a position, corresponding to a projected region in a semiconductor substrate, and an opening 2 is provided until a first structure is exposed, in such a manner that the speed at which the semiconductor substrate is etched is higher than the speed at which an insulating layer 2 is etched.例文帳に追加

半導体基板のエッチング速度が絶縁層２のエッチング速度よりも速くなるように、裏面側から、半導体基板内の突起状領域に対応する位置の異方性エッチングを行い、第１構造体が露出するまで開口２を設ける。 - 特許庁

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element.例文帳に追加

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁

This semiconductor light-emitting element includes: a light-emitting structure having a plurality of compound semiconductor layers each having a rounded side surface on the outer side; a first electrode part disposed on the light-emitting structure; and a second electrode layer disposed under the light-emitting structure.例文帳に追加

本発明に従う半導体発光素子は、外側にラウンドされた側面を持つ複数の化合物半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に第１電極部と、上記発光構造物の下に第２電極層と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor which can solve the problem which results from the difference in shrinkage rate between that of an upper electrode and of a second dielectric layer, when both are baked together after laminating a lower electrode and first and second dielectric layers.例文帳に追加

下部電極、第１、第２の誘電体層、上部電極と積層し、上部電極と第２の誘電体層を一体焼成する際に、両者の収縮率に差があることによる問題点を解決できるコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, this device is provided with an actuator 15 for a focus servo for moving the objective lens 13 to the direction of the optical axis 13a for allowing the objective lens 13 to converge the first light beam (a) and the second beam b in a prescribed size on the recording layer.例文帳に追加

対物レンズ１３に対しては、第１の光ビームａ及び第２の光ビームｂを記録層上で所定の大きさに焦合させるために、対物レンズ１３をその光軸１３ａ方向に移動させるフォーカスサーボ用アクチュエータ１５が設けられている。 - 特許庁

As the lower step switch 3 below the cover can not be used thereby when the cover 5 is not opened, the lower step switch is prevented from outputting carelessly and it is possible to arrange a number of the first and the second switches 3 and 6 being a two layer structure above and below the cover 5.例文帳に追加

これにより、カバー５を開けないとカバー５下部の下段スイッチ３が使用できないため下段スイッチ３の不用意な出力を防止できるとともに、カバー５の上下に二層構造で第１，第２のスイッチ３，６を多数配置することが可能となる。 - 特許庁

An operation fiber is prevented from the deterioration of the optical properties in the beginning portion of winding by that a dummy layer is formed first by winding up a specific amount of dummy optical fiber on the fiber bobbin for winding, on which the operation fiber, such as DCF and EDF, to be used actually is then wound up.例文帳に追加

ファイバ巻き取り用ボビンに、まず所定量のダミーファイバを巻き取ってダミー層を構成し、その上に、実際に使用するＤＣＦ、ＥＤＦ等の稼動ファイバを巻き取ることによって、稼動ファイバは、巻き取り始め部分の光学特性の劣化が抑制される。 - 特許庁

In the partial area of the first main surface EA, a notched section JK is formed in the semiconductor laminate 50, by notching the laminate 50 to its halfway in the thickness direction rather positioned on the second main surface side of the laminate 50 than the boundary of the p-n junction of the light-emitting layer 24.例文帳に追加

該第一主表面ＥＡの一部領域において半導体積層体５０は、発光層部２４のｐ−ｎ接合境界よりも第二主表面側に位置する厚さ方向途中位置まで切り欠かれることにより切欠部ＪＫが形成される。 - 特許庁

When the coated fuel particles 6 are supplied in the interstice L between a pair of rotary discs 9 and 10 and are crushed there, the distance of the interstice L is set at a value both greater than the maximum value of the tolerance of the fuel kernel and less than the minimum value of the tolerance of the first coating layer.例文帳に追加

一対のロータリーディスク９，１０間の隙間Ｌに被覆燃料粒子６を供給し、粉砕するにあたり、上記隙間Ｌを燃料核の公差最大値より大きく、かつ被覆第１層の公差最小値より小さく設定して粉砕する。 - 特許庁

Accordingly, even when the increasing rate of the I/V value of the TFD by the annealing process at the center area of the initial circuit board 200 is small, the I/V characteristic does not fluctuate since a thick insulating film is formed to the first metal layer 222 formed in such a region.例文帳に追加

従って、元基板２００の中心領域でのアニール処理によるＴＦＤのＩ／Ｖ値のアップ度合いが小さい場合でも、このような領域に形成されている第１金属層２２２には厚い絶縁層が形成されるので、Ｉ／Ｖ特性がばらつかない。 - 特許庁

A titanium silicide layer 21c is formed on an upper face 13a of a gate electrode 13 in such a state that the top parts 33a and 33b of the first parts 31a and 31b of the sidewalls 41a and 41b are located at a position lower than the upper face 13a of the gate electrode 13.例文帳に追加

サイドウォール４１ａ、４１ｂの第１部分３１ａ、３１ｂの頂部３３ａ、３３ｂを、ゲート電極１３の上面１３ａより低い位置にした状態で、ゲート電極１３の上面１３ａにチタンシリサイド層２１ｃを形成している。 - 特許庁

Current C injected from the p-side electrode 21 enters the n-type cladding layer 12 after lowering to the flat section 32 along the first level difference section 31, and flows toward the n-side electrode 22 laterally; and the path of the current C is separated from the second level difference section 33.例文帳に追加

ｐ側電極２１から注入された電流Ｃは、第１段差部３１に沿って平坦部３２まで下降してｎ型クラッド層１２に入ったのち、横方向にｎ側電極２２に向かって流れ、電流Ｃの経路が第２段差部３３から遠ざかる。 - 特許庁

The common mode choke coil 1 has a rectangular parallelepiped-like outer shape as a whole by forming an insulating layer 60, first/second helical coils 11, 12, and a closed magnetic circuit 141 on a silicon substrate 51, which is formed of single-crystal silicon, with a thin-film formation technique.例文帳に追加

コモンモードチョークコイル１は、単結晶シリコンで形成されたシリコン基板５１上に絶縁層６０、第１ヘリカルコイル部１１、第２ヘリカルコイル部１２及び閉磁路１４１を薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。 - 特許庁

In such a design, the one or more second magnetic layers are antiparallel to the one or more first magnetic layers so that a zero total net magnetic moment is present for the multi-layer magnetic structure when current is removed from the write head pole.例文帳に追加

このような設計では、１つ以上の第２の磁性層は、電流が書き込みヘッド磁極から取り除かれるときに多層磁気構造についてゼロの合計の正味磁気モーメントが存在するように、１つ以上の第１の磁性層に対し反平行である。 - 特許庁

A material layer containing mobile charges is associated with the first surface, a displacement of the mobile charges is induced by the tangential electric field component, which substantially compensates the polarization or free charges in the substrate to reduce an electric field component perpendicular to the at least longitudinal substrate section.例文帳に追加

可動電荷を含む材料層が第１の表面に結合され、接線方向電場成分が可動電荷の変位を誘起して基板の分極または自由電荷を実質的に補償し、少なくとも軸方向基板区画の垂直方向電場成分を小さくする。 - 特許庁

The plurality of plate materials are configured so that, out of two side plates 6c, 7a facing each other while sandwiching the outermost layer of the electrode group 2, one side plate 6c is included in a first plate material 6, and the other side plate 7a is included in a second plate material 7.例文帳に追加

電極群２の最外層を間に挟んで対向する二側板６ｃ，７ａのうち、一方の側板６ｃが第１の板材６に含まれ、かつ他方の側板７ａが第２の板材７に含まれるように複数の板材が構成されている。 - 特許庁

A second variable resistance layer 15 is disposed between the second electrode 13 and a third electrode 16, and a second conductive filament having a growth rate different from that of the first conductive filament can grow up based on metal being supplied from the third electrode 16.例文帳に追加

第２可変抵抗層１５は、第２電極１３と第３電極１６との間に配置され、第３電極１６から供給される金属に基づいて、第１導電性フィラメントと成長速度の異なる第２導電性フィラメントが成長可能である。 - 特許庁

In the heavy-to-release film, the first peeling agent layer is a cured film of a peeling agent composition comprising a linear organopolysiloxane bearing a 2-10C alkenyl group at the end of the molecule and/or in the side chain and bearing an aryl group in the side chain of the molecule.例文帳に追加

重剥離フィルムにおいて、第１の剥離剤層は、分子の末端及び／又は側鎖に炭素数２〜１０のアルケニル基を備え、かつ分子の側鎖にアリール基を備えた直鎖状のオルガノポリシロキサを含む剥離剤組成物を硬化被膜したものである。 - 特許庁