「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(468ページ目) - Weblio英語例文検索

On the element substrate 10 of the electrooptical device 1, an insulating layer of a nonlinear element 43 is a first anodic oxide film 46 formed in an aqueous electrolyte which is a solution of citric acid, and the dielectric layer of the hold capacitor 9a is a second anodic oxide film 49 formed in an organic electrolyte prepared by dissolving salicylate in a mixed solvent of ethylene glycol and water and low in dielectric constant.例文帳に追加

電気光学装置１の素子基板１０において、非線形素子４３の絶縁層は、クエン酸の水溶液からなる水系電解液中で形成した第１の陽極酸化膜４６であり、保持容量９ａの誘電体層は、サリチル酸塩をエチレングリコール−水との混合溶媒に溶解させた有機系電解液中で形成した第２の陽極酸化膜４９であり、誘電率が低い。 - 特許庁

A shaft 100 includes a first end part 102, an opposing second end part 104, and a tubular section 106 extending therebetween, and includes a reinforcement layer 116 circumscribing a part of the tubular section and including metal matrix composite (MMC) material including reinforcement fiber 118, and includes a cladding 120 circumscribing a part of the reinforcement layer and the tubular section.例文帳に追加

シャフト（１００）は、第１端部（１０２）、対向する第２端部（１０４）、およびその間に延在する管状部分（１０６）を包含し、当該管状部分の一部に外接する補強層（１１６）であって、補強繊維（１１８）を包含する金属マトリックス複合（ＭＭＣ）材料を包含する当該補強層を包含し、更に当該補強層の一部および当該管状部分に外接するクラッディング（１２０）を包含する。 - 特許庁

In this photoelectric conversion device 1 such as a dye-sensitized solar cell having a laminate 9 composed of a first electrode 2, a second electrode 4, a semiconductor layer 7 held between these electrodes, and an electrolyte layer 8, the surfaces of the laminate 9 at least other than a light intercepting surface 12 is covered with a cladding material 14 comprising a metal or a metal oxide.例文帳に追加

第１極２と、第２極４と、これら電極間に挟持された半導体層７及び電解質層８とからなる積層体９を有する色素増感型太陽電池などの光電変換装置１において、積層体９のうち少なくとも受光面１２以外の面が金属又は金属酸化物からなる被覆材１４によって覆われていることを特徴とする、光電変換装置。 - 特許庁

The manufacturing method of the piezoelectric element includes processes of forming a lower electrode 20 above a base 10; forming the dielectric layer by carrying out a pair of a first process of forming a laminar portion 311a above the lower electrode 20 and a second process of making the laminar portion 311a thin by chemical polishing once or a plurality of times; and forming an upper electrode above the dielectric layer.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子の製造方法は、基体１０の上方に下部電極２０を形成する工程と、下部電極２０の上方に層状部３１１ａを形成する第１工程、および、層状部３１１ａを化学的機械研磨により薄くする第２工程の組を１または複数回行い、誘電体層を形成する工程と、誘電体層の上方に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

Disclosed is a method for producing a linear carbon nanotube structure comprising: a first step of providing a carbon nanotube structure containing a plurality of carbon nanotubes; a second step of installing at least one conductive layer on the surface of each carbon nanotube in the carbon nanotube structure; and a third step of twisting the carbon nanotube structure which is coated with the conductive layer to form a linear carbon nanotube structure.例文帳に追加

本発明の線状カーボンナノチューブ構造体の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体における各々のカーボンナノチューブの表面に、少なくとも一つの導電性層を設置する第二ステップと、前記導電性層が被覆されたカーボンナノチューブ構造体をねじって、線状カーボンナノチューブ構造体を形成する第三ステップと、を含む。 - 特許庁

The film thickness t1 of a first free magnetic layer 53 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure is set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept identical.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the recording medium has a first step for forming recessed parts at a plurality of different pitches compatible with linear speeds different by the radial position of a disk in a layer to be worked consisting essentially of aluminum, a second step for forming micropores in the layer by anodic oxidation and a third step for embedding a magnetic material in the micropores by electroplating.例文帳に追加

アルミニウムを主成分とする加工対象層に、ディスクの半径位置によって異なる線速度に対応した、異なる複数のピッチで凹部を形成する第１の工程と、陽極酸化により前記加工対象層に微細孔を形成する第２の工程と、電解メッキによって前記微細孔に磁性材料を埋設する第３の工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法。 - 特許庁

An MSM photoconductor comprises a semiconductor substrate 10, a photoconductive semiconductor thin film layer 20 the conductivity of which increases when a light at a specified wavelength is emitted on the substrate 10, and a first and second electrode semiconductor thin film layers 30, 31 which are formed close to each other with a specified space on the photoconductive layer 20 and allow the light to pass through.例文帳に追加

ＭＳＭフォトコンダクタは、半導体基板１０と、半導体基板１０の上に所定の波長の光が照射された場合に導電率が増加する光伝導半導体薄膜層２０と、光伝導半導体薄膜層２０の上に形成されて互いに所定の間隔を隔てて近接し、かつ、前記光を透過させる第一及び第二の電極用半導体薄膜層３０、３１とを備える。 - 特許庁

Materials constituting the recording layer are initialized at a crystallized state so that an amplitude value of a difference signal (tracking detection signal) between both receiving signals obtained by receiving reflection light when the recording layer is irradiated with laser light at an off track state while rotating the optical recording medium by a group of first and second light receiving elements arranged opposite to the track becomes smaller than a saturation value of the amplitude value.例文帳に追加

記録層を構成する材料は、光記録媒体を回転させながら記録層にレーザ光をオフトラック状態で照射したときの反射光をトラックに対して対向配置された第１及び第２の受光素子群で受光することにより得た受光信号の両者の差信号（トラッキング検出信号）の振幅値がその飽和値より小さくなるような結晶化状態で初期化されている。 - 特許庁

The optical sheet 50 comprises: an isotropic medium layer 51 which has a plurality of convex parts 53 having substantially triangular cross-section, respectively formed on a first surface S1, and is formed of optically isotropic medium; and an anisotropic medium layer 52 which has a plurality of concave parts 54 having substantially triangular cross-section, is respectively formed on a second surface S2, and is formed of optically uniaxially medium.例文帳に追加

光学シート５０は、それぞれほぼ三角形の断面を有した複数の凸部５３が第１表面Ｓ１に形成されているとともに、光学的に等方性の媒体で形成された等方性媒体層５１と、それぞれほぼ三角形の断面を有した複数の凹部５４が第２表面Ｓ２に形成されているとともに、光学的に一軸性の媒体で形成された異方性媒体層５２と、を備えている。 - 特許庁

A silica film is formed as the first layer by using two kinds of isocyanate silanes, i.e., tetraisocyanate silane and an isocyanate silane in which 1-3 alkyl groups are bonded to Si, and the second layer is formed by applying a coating solution containing a silicone compound having a terminal hydrolyzable functional group or its hydrolyzate on the silica film to obtain the surface-treated film excellent in drip dropping properties and durability.例文帳に追加

第１層として、２種類のイソシアネートシラン、すなわちテトライソシアネートシランと、１ないし３個のアルキル基がＳｉに結合しているイソシアネートシランとを用いてシリカ膜を形成し、このシリカ膜上に末端に加水分解性官能基を備えたシリコーン化合物やその加水分解物を含む塗布液を塗布して第２層を形成し、水滴滑落性および耐久性耐に優れた表面処理膜を得る。 - 特許庁

The exhaust cleaning catalyst 1A to 1D is characterized by comprising a first catalyst layer 12 supporting a mixture of an oxide capable of adsorbing oxygen and an oxide semiconductor disposed on the upstream side of an exhaust flow path 2 and a second catalyst layer 13 supporting a noble metal catalyst or a mixture of a hydrocarbon (HC) adsorbent and a noble metal catalyst disposed on the downstream side of the exhaust flow path 2.例文帳に追加

排気ガスを浄化するための排気ガス浄化触媒１Ａ〜１Ｄにおいて、排気ガスの流路２の上流側に、酸素吸蔵能を有する酸化物と酸化物半導体を混在させて担持した第１触媒層１２を配置すると共に、前記排気ガスの流路２の下流側に、貴金属触媒、又は、ＨＣ吸着材と貴金属触媒を混在させて担持した第２触媒層１３を配置する。 - 特許庁

The multilayer board for leadless chip carrier having a plurality of chip carrier forming regions comprises a second layer board 2 provided with a through hole 3 at a position straddling a cutting line 6 between the chip carrier forming regions, and a first layer board 1 covering the through hole 3 wherein the end face at a part covering the through hole 3 is metallized except the part of the cutting line 6.例文帳に追加

多層基板からなり、複数のチップキャリア形成予定領域を有するリードレスチップキャリア用基板であって、前記チップキャリア形成予定領域間のカッティングライン６に跨った位置にスルーホール３が形成された２層目基板２と、その上に積層され、スルーホール３を被蓋する１層目基板１とを具備し、スルーホール３を被蓋する部分の壁面には、カッティングライン６の部分を除きメタライズを施した構成とする。 - 特許庁

To distribute the body pressure by constituting a mattress into a structure having same-size small block groups formed on the whole surface of a surface-layer mat of a first unit mat and same-size large block groups similarly formed on the whole surface of the surface layer mat of a second unit mat, and to sufficiently exert the effect of charcoal by changing its disposition for every unit mat.例文帳に追加

本発明は第一単位マットの表層マットの全面に同じ大きさの小ブロック群を形成し、同様に第二単位マットの表層マットの全面に同じ大きさの大ブロック群を有する構造にして体圧分散を図り、配置変換を単位マット毎に行うことができ、炭の効果を充分に発揮せしめるようにした、製造が容易で安価な炭入り発泡合成樹脂製マットレスを提供する。 - 特許庁

The ND filter wherein a layer which has a first area having a fixed transmittance and a second area having a continuously changing transmittance is formed on na substrate is manufactured by depositing raw material of the layer on the substrate through masks 4a, 4b, and 4c having parts which are brought into close contact with the substrate to cover the substrate and parts which are held in positions spaced from the substrate by prescribed gaps.例文帳に追加

透過率が一定な第１の領域と、透過率が連続的に変化する第２の領域とを有する層を基板３に形成するＮＤフィルターを、前記基板に密着して前記基板を覆う部分と前記基板から所定の間隔離れた位置に保持され前記基板を覆う部分とを有するマスク４ａ、４ｂ、４ｃを介して、前記層の原材料を前記基板に堆積させるようにして製造する。 - 特許庁

The first electrode layer 18 and the second electrode layer 20 are made by mixing and heating calcination of an amorphous solid electrolyte and the electrode active material which have relations of Ty>Tz, when the temperature at which the capacity of the electrode active material is reduced by reaction of the solid electrolyte material and the electrode active material is made Ty, and the temperature at which the solid electrolyte material shrinks by calcination is made Tz.例文帳に追加

第１電極層１８及び第２電極層２０は、固体電解質材料と電極活物質材料との反応によって、電極活物質が容量低下する温度をＴｙ、固体電解質材料の焼成収縮する温度をＴｚとしたとき、Ｔｙ＞Ｔｚの関係を有する非晶質固体電解質と電極活物質とが混合され、且つ、加熱焼成してなる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic electroluminescent device having a first-electrode forming step, an organic-layer forming step including a wet deposition step, and a second-electrode forming step, the organic-layer forming step includes a conserving step performed in the environment of its relative humidity being not larger than 40% or its oxygen volume concentration being not larger than 20%, after the wet deposition step.例文帳に追加

第一の電極の形成工程と、湿式成膜工程を含む有機層の形成工程と、第二の電極の形成工程とを有する有機電界発光素子の製造方法であって、 該有機層の形成工程が、湿式成膜工程より後に相対湿度が４０％以下、又は酸素の体積濃度が２０％以下の環境における保存工程を含む、有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

An overhung part 39 covering at least one part of the gate electrode 37 facing the fine carbonaceous fibers 38, is formed by arranging a second insulation layer 36 having an opening 36A gradually reducing its diameter as it becomes distant from the cathode 33 on a first insulation layer 34, of which, a minimum width of the opening is smaller than a width of the opening 37A formed on the gate electrode 37.例文帳に追加

第１の絶縁層３４上に、最小となる開口幅がゲート電極３７に設けられた開口部３７Ａの開口幅よりも大きく、かつカソード電極３３から離れるにつれて徐々に小さくなる開口部３６Ａを有した第２の絶縁層３６を設けることで、炭素系微細繊維３８と対向するゲート電極３７の面の少なくとも一部を覆う突出部３９を形成する。 - 特許庁

The patterned single-layer insulating particulate films are subjected to covalent bond via a first organic film where a layer of an insulating particulate film selectively formed on the surface of the base material is formed selectively on the surface of the base material, and a second organic film formed on the surface of the insulating particulate.例文帳に追加

基材表面に選択的に１層形成された絶縁性微粒子の膜が基材表面に選択的に形成された第１の有機膜と絶縁性微粒子表面に形成された第２の有機膜を介して互いに共有結合していることを特徴とするパターン状の単層絶縁性微粒子膜、更に、これらの有機膜が互いに異なることを特徴とするパターン状の単層絶縁性微粒子膜を形成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element 1 comprises a porous photoelectrode 2 including a semiconductor where colorant is adsorbed, a solid or solidified charge transport layer 3 arranged in contact with the photoelectrode 2 and including an ion liquid and high specific surface active carbon, a first electrode 4 electrically connected with the photoelectrode 2, and a second electrode 5 electrically connected with the charge transport layer 3.例文帳に追加

光電変換素子１は、色素が吸着された半導体を含む多孔質状の光電極２と、該光電極２に接して配置され、イオン液体および高比表面積活性炭を含む固体状または擬固体状の電荷輸送層３と、前記光電極２に電気的に接続される第１の電極４と、前記電荷輸送層３に電気的に接続される第２の電極５とを含む。 - 特許庁

In an organic thin film solar cell comprising a positive electrode and a negative electrode; a first organic compound disposed between the positive electrode and the negative electrode and having coloring matter capable of absorbing light; and an organic thin film layer composed of a mixture of at least two kinds of second organic compound having electron acceptance, the organic thin film layer includes inorganic nanoparticles 105.例文帳に追加

正極および負極と、前記正極と負極との間に配置され、光を吸収できる色素を有する第１の有機化合物と電子受容性を有する第２の有機化合物の少なくとも２種類の混合物からなる有機薄膜層とを備える有機薄膜太陽電池において、前記有機薄膜層に無機ナノ粒子を含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a deteriorated layer removal step, wherein the deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to the silicon carbide substrate is removed by executing, in order, a first etching step of anisotropic plasma etching using an inert gas and a second etching step of isotropic plasma etching using an inert gas.例文帳に追加

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、不活性ガスを用いた異方性プラズマエッチングによる第１エッチング工程と、不活性ガスを用いた等方性プラズマエッチングによる第２エッチング工程とをこの順序で実施することにより除去する変質層除去工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The microstructure array has a substrate 1 having conductive parts 2, a first plating layer or electrodeposition layer 6 having a curved shape arranged corresponding to the arrangement of the desired microstructure array formed on the conductive part 2 on one surface of the substrate 1, and the layered structure 8 having stress almost equal to that of the layered structure on one surface of the substrate and formed on the other surface of the substrate 1.例文帳に追加

マイクロ構造体アレイは、導電性部２を有する基板１と、基板１の一方の面の導電性部２上に形成された所望のマイクロ構造体アレイの配列に対応して配列された曲面形状の第１のメッキ層ないし電着層６と、この一方の面上の層構造とほぼ等しい応力を有し基板１の他方の面上に形成された層構造８とを有する。 - 特許庁

A dicing adhesive sheet is constituted by sequentially bonding a first adhesive layer having the property of allowing adhesive strength to be hardly changed by ultraviolet irradiation, a transparent base sheet having high light resistance relative to ultraviolet or visible laser light, a second adhesive layer having the property of allowing adhesive strength to be extremely deteriorated by the ultraviolet irradiation, and a peeling sheet to one surface side of a hard substrate having light transparency.例文帳に追加

透光性を有する堅固な基板上の一方の面側に順次、紫外線照射で接着強度がほとんど変化しない特性を有する第一粘着層、紫外線あるいは可視光のレーザ光に対して高い耐光性を有する透明基材シート、紫外線照射で接着強度が著しく低下する特性を有する第二粘着層、および剥離シートを接合してダイシング用粘着シートを構成した。 - 特許庁

The polarizing plate includes: a polarization film composed of a polyvinyl alcohol based resin; a first stretched polyethylene terephthalate based resin film laminated on either side of the polarization film via an adhesive layer and having a thickness of 20 to 50 μm; and a second polyethylene terephthalate based resin film laminated on the other side of the polarization film via an adhesive layer and having a thickness of 20 to 50 μm.例文帳に追加

ポリビニルアルコール系樹脂からなる偏光フィルムと、該偏光フィルムの一方の面に接着剤層を介して積層された、厚みが２０μｍ〜５０μｍである、延伸された第一のポリエチレンテレフタレート系樹脂フィルムと、該偏光フィルムの他方の面に接着剤層を介して積層された、厚みが２０μｍ〜５０μｍである第二のポリエチレンテレフタレート系樹脂フィルムと、を備える偏光板である。 - 特許庁

The multilayer printed circuit board with two or more wiring layers is characterized by the fact that it is equipped with one connecting means by an interlayer connecting material 23 formed of conductive paste and the other connecting means by a plating layer 26 as two electrical connection means, which penetrate through an electrical insulating base material 22 formed between first and second wiring layers from the outermost layer of the board.例文帳に追加

複数の配線層を有する多層プリント配線基板において、基板最外層から１層目と２層目の配線層の間に形成された電気絶縁性基材２２を貫通する電気的接続手段として、導電性ペーストからなる層間接続材料２３による接続手段とめっき層２６による接続手段の両方の手段を有することを特徴とする多層プリント配線基板２７である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for activating and forming a second principal surface side p+ collector layer 8 of a substrate by a low temperature heat treatment (anneal furnace) which does not detrimentally affect the existence of the metallic film of a first principal surface side gate and the emitter electrode of the substrate in an n-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

ｎ型半導体基板７における該基板の第１主面側ゲート及びエミッタ電極の金属膜の存在に対し、悪影響を及ぼさない低温熱処理（アニール炉）による該基板の第２主面側ｐ^＋ コレクタ層８を活性化し形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

An ohmic contact layer forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of the semiconductor film forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, covering the outer surfaces of a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal which are both located above the semiconductor film forming film 21.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

In the IC card D, which is created by providing an IC module 104 inside an adhesive layer 103 intervening between a first sheet material 101 and a second sheet material 102, the IC card D where it has been discovered that contents of the IC module 104 cannot be read has marking M.例文帳に追加

第１のシート材１０１と第２のシート材１０２との間に介在される接着層１０３内にＩＣモジュール１０４を設けて作製されたＩＣカードＤにおいて、ＩＣモジュール１０４内容の読み取りが不良となったことが判明したＩＣカードＤはマーキングＭを有する。 - 特許庁

The grid unit has a plurality of electron beam penetrating holes respectively confronting with the electron emitting sources, and is opposed to and arranged at the second plate board, and has a plate-shaped grid 42 to which a prescribed voltage is applied, and a first insulating layer 46 by which the outer face of the grid is covered.例文帳に追加

グリッドユニットは、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔４４を有し、第２基板と対向配置されているとともに、所定の電圧が印加される板状のグリッド４２と、グリッドの外面を覆った第１絶縁層４６と、を有している。 - 特許庁

First, a center protective film 9 is formed at the center of the upper surface of the semiconductor film 8 made of true zinc oxide, ohmic contact layers 10 and 11 made of n-type zinc oxide and upper surface protective films 12 and 13 are formed thereon, and an upper layer insulation film 16 is formed thereon.例文帳に追加

まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面中央部に中央保護膜９を形成し、その上にｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層１０、１１および上面保護膜１２、１３を形成し、その上に上層絶縁膜１６を成膜する。 - 特許庁

The semiconductor chip is equipped with a semiconductor substrate 10, a through electrode 40 which is provided through a first surface 20 and a second surface 38 of the semiconductor substrate 10 and equipped with a projection 42 protruding from the second surface 38, and an insulating layer 50 formed so as to cover all over the second surface 38.例文帳に追加

半導体チップは、半導体基板１０と、半導体基板１０の第１及び第２の面２０，３８を貫通し第２の面３８からの突出部４２を有する貫通電極４０と、第２の面３８の全面に形成されてなる絶縁層５０と、を有する。 - 特許庁

The liquid crystal display is formed by encapsulating a liquid crystal layer 12 between a first substrate 14 provided with a TFT element (a switching element) 5 and a pixel electrode 3 connected to the TFT element 5 which are formed on the inner surface side and a second substrate 15 provided with a display electrode 18 on the inner surface side.例文帳に追加

本発明は、内面側にＴＦＴ素子（スイッチング素子）５、該ＴＦＴ素子５に接続する画素電極３を形成してなる第１の基板１４と、内面側に表示電極１８を備えた第２の基板１５との間に、液晶層１２を封入して成る液晶表示装置である。 - 特許庁

An opening 7a for allowing video image light from the luminous function layer 6 to pass through is formed in one portion of the second electrode 7, a first luminous region L1 is formed on the side of the glass substrate 2, and a second luminous region L2 is formed on the side of the sealing member 8.例文帳に追加

第二電極７の一部には発光機能層６からの映像光を通過させる開口７ａが形成されており、前記ガラス基板２側において第一発光領域Ｌ１ が形成され、封止部材８側において第二発光領域Ｌ２ が形成される。 - 特許庁

In a liquid crystal device, on a first substrate 10 on which two-terminal nonlinear element 14 is formed, an auxiliary capacitance line 17, an auxiliary capacitance 18, and an interlayer insulating film formed on the upper layer side of the auxiliary capacitance 18 and the two-terminal nonlinear element 14 are further formed.例文帳に追加

液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。 - 特許庁

The superheater tube of the marine boiler in the first invention is composed of a high temperature corrosion resistant material, and the superheater tube of the marine boiler in the second invention has the superheater tube body and a high temperature corrosion resistant coating layer formed on the outer surface of the superheater tube body.例文帳に追加

第１発明の船舶用ボイラの過熱管は、耐温度腐食性材料で形成されていることを特徴とし、第２発明の船舶用ボイラの過熱管は、過熱管本体と、該過熱管本体の外面に形成された耐熱腐食性の被覆層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A first insulating film 66a composed of a silicon oxide film, a charge-capturing film 66b composed of a silicon nitride film, and a second insulating film 66c composed of a silicon oxide film are then sequentially formed on the p-type silicon semiconductor substrate 65 thus forming a gate insulating film 66 of three-layer structure.例文帳に追加

このようなｐ型シリコン半導体基板６５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜６６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜６６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜６６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜６６が形成される。 - 特許庁

Refractive indexes n1 to n3 of the first to the third dielectric layers satisfy relations: n1>n2, n3>n2 and by using Cu, Au, Ti and their alloys as the lower reflecting layer, reflectivity of an amorphous part can be raised and absorptivity of the amorphous part can be lowered to enable suppressing cross erasing.例文帳に追加

第１〜第３誘電体層の屈折率ｎ１〜ｎ３がｎ１＞ｎ２，ｎ３＞ｎ２の関係を満たし、下部反射層としてＣｕ，Ａｕ，Ｔｉ及びそれらの合金を用いることにより、非晶質部の反射率を高くして、非晶質部の吸収率を低くすることができるのでクロス消去抑制が可能となる。 - 特許庁

A method is described comprising the steps of a) providing a substrate 1, b) providing a first epitaxial semiconducting layer 3 on top of the substrate 1, and c) forming a one- or two-dimensional repetitive pattern, each part of the pattern having an aspect ratio in the range from 0.1 to 50.例文帳に追加

ａ）基板１を用意するステップと、ｂ）第１エピタキシャル半導体層３を基板１の上に設けるステップと、ｃ）１次元または２次元の繰り返しパターンを形成するステップと、を含み、パターンの各部分が、０．１〜５０の範囲のアスペクト比を有するようにした方法を開示する。 - 特許庁

The P base layer 2 for each IGBT cell has a flat region 2FR, through a bottom 2BF of which a main trench 6 passes and which has an emitter region 3; and also has first and second side diffusion regions 2SDR1 and 2SDR2 having the flat region 2FR disposed therebetween.例文帳に追加

各ＩＧＢＴセルのＰベース層２は、１）主トレンチ６によってその底部２ＢＦが貫通され且つエミッタ領域３を有する平坦領域２ＦＲと、２）平坦領域２ＦＲを挟み込む第１及び第２サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２を有している。 - 特許庁

To provide a wiring substrate, in which adhesion between an electronic component to be embedded and embedding resin therefor is enhanced and connections between the electronic component and an internal wiring layer or an IC chip mounted on a first surface is made sure and stable, and to provide a method of manufacturing the wiring substrate.例文帳に追加

内蔵される電子部品とこれを埋設する樹脂の密着性を高め、かかる電子部品と内部の配線層や第１主面上に搭載するＩＣチップ間の接続が確実で安定した配線基板およびかかる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Al_2O_3 films 72 being antireflection film for reducing reflectance on first, third and fifth layers and TiOx films 73 being light absorbing layer for reducing transmittance on second, fourth and sixth layers are alternately laminated above a fine rugged periodic structure 33 on a transparent base plate 31.例文帳に追加

透明基板３１上の微細凹凸周期構造３３上には、第１、３、５層に反射率を低減させるための反射防止膜であるＡｌ_2Ｏ_3膜７２と、第２、４、６層に透過率を低減させるための光吸収層であるＴｉＯｘ膜７３を交互に積層する。 - 特許庁

A first layer 14 of external terminal electrodes 6, 7 has a wraparound portion 17 that is formed to wrap around from end surfaces 12, 13 to main surfaces 8, 9 and side surfaces of a capacitor body 3, and contains a compound oxide and a glass component that react with Ni or the Ni alloy.例文帳に追加

外部端子電極６，７の第１層１４は、コンデンサ本体３の端面１２，１３上から主面８，９上および側面上にまで回り込むように形成された回り込み部１７を有し、かつ上記ＮｉまたはＮｉ合金と反応する複合酸化物とガラス成分とを含有する。 - 特許庁

Since at least one of the optical recording layers formed on a first and second plates consists of a metal layer mainly containing Ag, the ultraviolet ray irradiated to the plate can be controlled when curing the ultraviolet-ray curable resin.例文帳に追加

第１基板及び第２基板に形成された光記録層のうち、少なくとも一方の光記録層をＡｇを主成分とする金属層からなっているので、紫外線硬化性樹脂の硬化の際に基板に向けて照射される紫外線の線量を抑制することが可能となる。 - 特許庁

On the n^--type semiconductor substrate 1, an accumulation layer 7 is formed on the side of a second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1, and irregular unevenness 10 is formed in regions of a first principal surface 1a and the second principal surface 1b which are opposed to the pn junction.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１には、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁