「GIANT MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, THIN FILM MAGNETIC MEMORY AND THIN FILM MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ - 特許庁

GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, THIN-FILM MAGNETIC MEMORY, AND THIN-FILM MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ - 特許庁

GIANT ANISOTROPIC MAGNETORESISTANCE ELEMENT USING DOPED PEROVSKITE MANGANITE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶を用いた巨大異方性磁気抵抗素子 - 特許庁

The magnetoresistance effect type head, the thin film magnetic memory and the thin film magnetic sensor are each constituted by providing the giant magnetoresistance effect element 1.例文帳に追加

また、上記巨大磁気抵抗効果素子１を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。 - 特許庁

To control characteristics of a single-dimensional linear giant magnetoresistance element and movement of a magnetic wall from the outside regarding a three terminal-type magnetoresistance effect element.例文帳に追加

三端子型磁気抵抗効果素子に関し、一次元線状巨大磁気抵抗素子の特性や磁壁の移動を外部から制御する。 - 特許庁

To suppress magnetostriction and obtain high MR (magnetoresistance) ratio in a magnetic field detecting element for CPP-GMR (current perpendicular to plane-giant magnetoresistive) head.例文帳に追加

ＣＰＰ-ＧＭＲヘッド用の磁界検出素子において、磁歪を抑え高ＭＲ比を得る。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect head, in which the magnetization fixing process of a magnetization fixing layer is easy and the fixing of the magnetization is constant in a magnetoresistance effect head in which a giant magnetoresistance effect is used.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果ヘッドにおいて、磁化固定層の磁化の固着プロセスが容易でしかも固着が安定な磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a giant magnetoresistance effect element, capable of obtaining a high output and dealing with a high resistance and high recording density, and to provide a magnetoresistance effect type head having this giant magnetoresistance effect element, a thin film magnetic memory, and a thin film magnetic sensor.例文帳に追加

高い出力が得られると共に、抵抗が高く高記録密度に対応することができる巨大磁気抵抗効果素子、及びこの巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR IMPROVING SOFT MAGNETIC CHARACTERISTICS OF SPIN VALVE WHILE MAINTAINING HIGH GIANT MAGNETORESISTANCE (GMR)例文帳に追加

高巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）を保持しながら、スピンバルブの軟磁気特性を向上させる方法とその装置 - 特許庁

The wafer is bombarded with ions to reduce the giant magnetoresistance effect of the unmasked region.例文帳に追加

このウェハに対して、非マスク領域の巨大磁気抵抗効果が減少するように、イオン照射を行う。 - 特許庁

Four giant magnetoresistance elements 2a to 2d composing an X-axis sensor and four giant magnetoresistance elements 3e to 3h composing a Y-axis sensor are arranged on the flat surface of a thick film formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に形成された厚膜の平坦面に、Ｘ軸センサを構成する４個の巨大磁気抵抗素子２ａ〜２ｄとＹ軸センサを構成する４個の巨大磁気抵抗素子３ｅ〜３ｈを配置する。 - 特許庁

To provide a Heusler alloy which has a high spin polarization ratio in spite of its being a Co-based alloy and is effective in manufacturing giant magnetoresistance (GMR) and tunnel magnetoresistance (TMR) devices.例文帳に追加

Ｃｏ基でありながら高いスピン分極率を得て、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）およびトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）デバイス作製に有効なホイスラー合金を提供する。 - 特許庁

This azimuth meter has a plane coil of a quadrilateral having parallel opposite sides, and four sets of spin valve type giant magnetoresistance effect element pairs comprising two of the spin valve type giant magnetoresistance effect elements provided in a plane parallel thereto.例文帳に追加

平行な対辺対を持った四辺形をした平面コイルと、それに平行な平面に設けられたスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子２個からなるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子対４組とを有する方位計である。 - 特許庁

To provide a giant magnetoresistance effect element which enhances an S/N ratio and durability at a large MR change rate.例文帳に追加

大きなＭＲ変化率で、Ｓ／Ｎ比及び耐久性を向上させる巨大磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a CPP-GMR (current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance) sensor structure in which the magnetization orientations of a free layer and a reference layer are not orthogonal.例文帳に追加

自由層および基準層の磁化配向が非直交である、ＣＰＰ‐ＧＭＲセンサ構造を提供すること。 - 特許庁

To obtain a CPP giant magnetoresistance head, with which the magnetization direction of a pinned magnetic layer can be stabilized without preparing an anti-ferromagnetic layer in a giant magnetoresistance element, and a noise and joule heat due to the AMR effect of a shield layer can be reduced.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子内に反強磁性層を備えずに固定磁性層の磁化方向を安定させることができ、シールド層のＡＭＲ効果によるノイズとジュール熱を低減可能なＣＰＰ型巨大磁気抵抗効果ヘッドを得る。 - 特許庁

A selected portion of a giant magnetoresistance effect wafer is masked to define a masked region and an unmasked region including the lap guide.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子ウェハの選択された部分をマスキングし、マスク領域と、ラップガイドを含む非マスク領域とを画成する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive device having a high giant magnetoresistance (GMR) value and a moderate low resistance area product (RA).例文帳に追加

高い巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）値と中程度に低い抵抗面積積（ＲＡ）とを有する磁気抵抗装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a CIP (current perpendicular to the plane) type giant magnetoresistance effect element capable of preventing a shunt loss and strongly fixing a magnetization direction of a pin layer in one direction.例文帳に追加

シャントロスを防ぎつつ、ピン層の磁化方向を一方向に強固に固定できるＣＩＰ型巨大磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

To provide an azimuth meter using a spin valve type giant magnetoresistance effect element capable of simplifying a production process, capable of reducing a size, and capable of realizing a low electric power consumption.例文帳に追加

製造プロセスが簡単で、小型化、低消費電力とすることのできるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子を用いた方位計を提供する。 - 特許庁

To provide a material stack which forms a resistor, having such a temperature coefficient as to be identical with or similar to the temperature coefficient of a giant magnetoresistance (GMR) element.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子の温度係数と同じかまたは類似の温度係数を有する抵抗器を形成する材料スタックを提供する。 - 特許庁

To provide a compact magnetic sensor capable of detecting magnetic field intensity in triaxial directions by arranging three or more giant magnetoresistance elements on one substrate.例文帳に追加

１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得る。 - 特許庁

A spin torque oscillator (STO) has a single free ferromagnetic layer which forms a part of both a giant magnetoresistance (GMR) structure having a non-magnetic conductive spacer layer and a tunnel magnetoresistance (TMR) structure having a tunnel barrier layer.例文帳に追加

スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、非磁性導電スペーサ層を有する巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）構造とトンネルバリア層を有するトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）構造の両方の一部を形成する単一の自由強磁性層を有する。 - 特許庁

To make a giant magnetoresitance element composing a Z-axis sensor a good characteristic one when obtaining a small magnetic sensor capable of detecting strength in triaxial direction magnetic fields by arranging the three or more giant magnetoresistance elements on a substrate.例文帳に追加

１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得る際に、Ｚ軸センサをなす巨大磁気抵抗素子を特性の良好なものとする。 - 特許庁

The Z-axis sensor is composed by providing four giant magnetoresistance elements 4i to 4l on an inclined plane of a plurality of juxtaposed grooves formed by etching a part of the thick film.例文帳に追加

Ｚ軸センサは、厚膜の一部をエッチングして形成した複数の並列した溝の斜面に、４個の巨大磁気抵抗素子４ｉ〜４ｌを設けて構成する。 - 特許庁

There is disclosed the differential current-perpendicular-to-the plane (CPP) type giant magnetoresistance (GMR) sensor 400 having non-magnetic high conductivity lead wires 418 and 420 to achieve low lead resistance.例文帳に追加

低抵抗を実現するための非磁性高導電率リード線４１８，４２０を有する差動膜面垂直通電（ＣＰＰ）型巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサ４００が提供される。 - 特許庁

To manufacture an element which exhibits giant magnetoresistance effect based on the principle of tunnel effect by precisely controlling the shapes and sizes of clusters and the distances among the clusters and those among the clusters and electrodes.例文帳に追加

クラスタの形状、サイズ、ならびにクラスタ・クラスタ間およびクラスタ・電極間の距離を精密に制御することにより、トンネル効果を原理とする巨大磁気抵抗効果の発現する素子を作製すること。 - 特許庁

To provide a magnetic reproducing device and a bias current adjusting method for a magnetic head, wherein by automatically controlling a bias current value supplied to the magnetic head which uses a magnetoresistance effect or a giant magnetoresistance effect to an optimal value, changes in output characteristics caused by the abrasion of the magnetic head are dealt with, and a high recording density is achieved inexpensively.例文帳に追加

磁気抵抗効果や巨大磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドに供給するバイアス電流値を自動的に最適値に制御することで、磁気ヘッドの摩耗による出力特性の変化に対応し、安価で高記録密度化を実現する磁気再生装置及び磁気ヘッドのバイアス電流調整方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic sensor is equipped with a giant magnetoresistance element (GMR element) 12, 13 and a reference resistance 14, 15 in structure wherein nonmagnetic layers 21a and 21b and ferromagnetic layers 22a and 22b are laminated by turns on a substrate 11.例文帳に追加

磁気センサは、基板１１上に非磁性層２１ａ，２１ｂと強磁性層２２ａ，２２ｂとを交互に積層した構造体にて巨大磁気抵抗素子（ＧＭＲ素子）１２，１３と基準抵抗１４，１５を備える。 - 特許庁

Finally, a giant magnetoresistance(GMR) element, the electrical resistance of which drops greatly due to tunnel effect caused by a low magnetic field is manufactured, by forming clusters between electrodes 1 and 2 (10 and 11) by precisely controlling the intervals among the clusters.例文帳に追加

最終的に、電極１および２（１０および１１）の間に、間隔を精密に制御したクラスタを形成して、小さな磁場によりトンネル効果が発現して、電気抵抗が大きく低下する、巨大磁気抵抗（GMR）素子を作製する。 - 特許庁