「Gate length」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The gate length II of the widened piece 32b of the end of a gate electrode 32 is longer than the gate length I of the main body 32a of the gate electrode 32.例文帳に追加

ゲート電極32の端部の拡幅片部32bのゲート長IIが、ゲート電極32の本体部32aのゲート長Ｉより長い。 - 特許庁

The gate length is less than 2 μm.例文帳に追加

前記ゲートの長さは２μｍより小さい。 - 特許庁

The length L1 of the first gate electrode 6 is smaller than the length L2 of the second gate electrode 8.例文帳に追加

第１ゲート電極６の長さＬ１は、第２ゲート電極８の長さＬ２より短い。 - 特許庁

A gate controller 72 acts on a memory 36, and it adjusts the gate continuation time GD, a gate position GP and a gate length GL.例文帳に追加

ゲート制御器72は、メモリ36に作用し、ゲート継続時間GD、ゲート位置GP及びゲート長GLを調整する。 - 特許庁

A first gate electrode 105A having a first gate length (relatively short gate length) is fully silicided, and a second gate electrode 105B having a second gate length (relatively long gate length) is not fully silicided.例文帳に追加

第１のゲート長（相対的に短いゲート長）を持つ第１のゲート電極１０５Ａがフルシリサイド化されているのに対して、第２のゲート長（相対的に長いゲート長）を持つ第２のゲート電極１０５Ｂはフルシリサイド化されていない。 - 特許庁

A gate length L of the second TFT 21 is made longer than a gate length L of a peripheral TFT.例文帳に追加

第２ＴＦＴ２１のゲート長Ｌを周辺ＴＦＴのゲート長Ｌに比べ大きくする。 - 特許庁

The gate length of the semiconductor having a gate electrode on a partial area of the surface of a semiconductor substrate is determined and the determined gate length is made to be an upper-limit gate length.例文帳に追加

半導体基板の表面の一部の領域上にゲート電極を有する半導体素子のゲート長を決定し、決定されたゲート長を上限ゲート長とする。 - 特許庁

The length of the gate for the gate electrode (1) is longer than the minimum working size.例文帳に追加

ゲート電極（１）のゲート長は、最小加工寸法よりも長い。 - 特許庁

GATE LENGTH MEASURING CIRCUIT AND METHOD THEREOF例文帳に追加

ゲート長測定回路及びゲート長測定方法 - 特許庁

The diameters R of the gate contacts C23a-C13c are larger than the gate length L of the gate polysilicon film G20.例文帳に追加

ゲートコンタクトＣ２３ａ〜Ｃ１３ｃの径Ｒは、ゲートポリシリコン膜Ｇ２０のゲート長Ｌよりも大きい。 - 特許庁

The gate length of the second gate electrode 115B is made larger than the gate length of the first gate electrode 115A, and the thickness of the central part of the gate length direction in the second gate electrode 115B is made smaller than that of the first gate electrode 115A.例文帳に追加

第２のゲート電極１１５Ｂのゲート長は、第１のゲート電極１１５Ａのゲート長よりも大きく、且つ、第２のゲート電極１１５Ｂにおけるゲート長方向の中央部の厚さは、第１のゲート電極１１５Ａの厚さよりも小さい。 - 特許庁

The Formula 1 is expressed as: (gate electrode height [nm] - active region height [nm]) / (active region height [nm]) = 3.5e^-5 × (gate length [nm])^2 - 0.002 × (gate length [nm]) + 0.16.例文帳に追加

［数１］ (ゲート電極高さ[nm]−活性領域高さ[nm])／活性領域高さ[nm] ＝3.5ｅ^−５×(ゲート長[nm])^２−0.002×(ゲート長[nm])＋0.16 - 特許庁

Gate length information 1g of pattern data 323b of a gate electrode is extracted.例文帳に追加

ゲート電極のパターンデータ３２３ｂのゲート長情報ｌｇを抽出する。 - 特許庁

A gate width W2 and the gate length L2 of the FETs 32, 34, 36, 38 are equal to gate width W3, and the gate length L3 of FETs 12, 22, respectively.例文帳に追加

ＦＥＴ３２，３４，３６，３８のゲート幅Ｗ２およびゲート長Ｌ２はそれぞれ、ＦＥＴ１２，２２のゲート幅Ｗ３およびゲート長Ｌ３に等しい。 - 特許庁

To prevent shortening an effective gate length of a first and second gate electrodes.例文帳に追加

第１，第２のゲート電極の実効ゲート長が短くなることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for forming a gate electrode having further fined gate length by restraining variations in gate length.例文帳に追加

ゲート長のバラつきを抑え、さらに微細化したゲート長の異なるゲート電極を形成することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To control variations of characteristics in a standard cell of which gate length of a gate or a dummy gate is irregular.例文帳に追加

ゲートもしくはダミーゲートのゲート長が不規則な標準セルにおいて、特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁

To control variation in characteristics in a standard cell with irregular gate length of a gate or a dummy gate.例文帳に追加

ゲートもしくはダミーゲートのゲート長が不規則な標準セルにおいて、特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁

The MOS transistor has a gate length of ≤1.25 μm.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート長さは１．２５μｍ以下である。 - 特許庁

To stably form a T-shape gate electrode having a short gate length and a low resistance.例文帳に追加

短いゲート長で且つ低抵抗のT形のゲート電極を安定に形成する。 - 特許庁

The gate width W1 and the gate length L1 of the MN1 and the gate width W2 and the gate length L2 of the MN2 are set so that, for example, L1=L2 and W2>W1 are satisfied.例文帳に追加

ＭＮ１のゲート幅Ｗ１およびゲート長Ｌ１とＭＮ２のゲート幅Ｗ２およびゲート長Ｌ２は、例えば、Ｌ１＝Ｌ２かつＷ２＞Ｗ１とされる。 - 特許庁

To form a gate valve whose lateral length is approximately the same as that of a rocking type gate valve, and vertical length is shorter than that of the rocking type gate valve.例文帳に追加

横方向の長さが揺動形ゲートバルブと略同じで、縦方向の長さを揺動形ゲートバルブよりも短くすることを課題とする。 - 特許庁

In the first pixel 1a and the second pixel 1b, the ratios of a gate length L1 of the first gate electrode 7a, a gate length L2 of the second gate electrode 7b, and a gate length L3 of the virtual electrode 7c are different.例文帳に追加

第１の画素１ａ内と第２の画素１ｂ内とにおいて、第１のゲート電極７ａのゲート長Ｌ１と第２のゲート電極７ｂのゲート長Ｌ２と仮想電極７ｃのゲート長Ｌ３との比率が異なっている。 - 特許庁

A gate length of a gate electrode 108 gradually gets longer as it comes farther away from a gate oxide film 107.例文帳に追加

ゲート電極１０８のゲート長は、ゲート酸化膜１０７から離れるに従って漸次長くなっている。 - 特許庁

In first and second gate electrodes 6a, 6b constituting a gate electrode 6, a gate length W6b of the second gate electrode 6b is configured to be shorter than a gate length W6a of the first gate electrode 6a, and the gate length W6b of the second gate electrode 6b is configured to be shorter to the extent that a short channel effect generates.例文帳に追加

ゲート電極６を構成する第１及び第２ゲート電極６ａ，６ｂにおいて、第１ゲート電極６ａのゲート長Ｗ６ａよりも、第２ゲート電極６ｂのゲート長Ｗ６ｂを短く構成し、かつ、第２ゲート電極６ｂのゲート長Ｗ６ｂを、短チャネル効果を発生させる程度に短く構成する。 - 特許庁

The gate polysilicon layer G11 extends along the length of the cell.例文帳に追加

ゲートポリシリコン層Ｇ１１は、セルの長手方向に延びている。 - 特許庁

As viewed from above, the length of the active region 1b along the gate width is not greater than the length of the active region 1c along the gate width.例文帳に追加

上面視上において、活性領域１ｂのゲート幅方向の長さは活性領域１ｃのそれ以下である。 - 特許庁

Also, the gate length of a MOSFET for output is made a minimum gate length partially to suppress the increase of an exclusive area low.例文帳に追加

また、出力用のＭＯＳＦＥＴのゲート長を一部最小ゲート長にし、専有面積の増大を低く抑える。 - 特許庁

At this time, the gate length is prescribed by the opening width of the SiO2.例文帳に追加

この時ゲート長はＳｉＯ_2の開口幅で規定される。 - 特許庁

To suppress variation in gate projection length in a semiconductor device with a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造の半導体装置において、ゲート突出長のばらつきを抑制すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, having a gate electrode of short gate length.例文帳に追加

短ゲート長のゲート電極を有する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The gate length of the gate electrode 105 and the interval of the respective gate electrodes 105 are about several nm to several hundreds nm.例文帳に追加

ゲート電極１０５のゲート長および各々のゲート電極１０５の間隔は、数ｎｍ〜数１００ｎｍ程度とする。 - 特許庁

To accurately manufacture a semiconductor device having a short gate length.例文帳に追加

ゲート長の短い半導体装置を精度よく製造すること。 - 特許庁

As a consequence, the gate length Lg can be controlled accurately.例文帳に追加

この結果、ゲート長Ｌｇを精度良く制御することができる。 - 特許庁

A gate electrode 1 has a relatively large gate length L of about 10 μm, for example.例文帳に追加

ゲート電極１のゲート長Ｌは例えば１０μｍ前後の値であって比較的に大きい。 - 特許庁

A gate length of the thin-film transistor is 2 μm or less, and a gate width thereof is 10 μm or more.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート長は２μｍ以下であり、ゲート幅は１０μｍ以上である。 - 特許庁

A gate electrode, having a gate length shorter than 0.4 μm, is formed on a semiconductor substrate (S4).例文帳に追加

半導体基板上に０．４μｍ以下のゲート長を持つゲート電極を形成する（Ｓ４）。 - 特許庁

The width of the U-shaped groove is dependent on the gate length of the gate electrodes 14T1 and 14T2.例文帳に追加

凹状溝は、ゲート電極１４Ｔ１、１４Ｔ２のゲート長に依存した幅寸法を有している。 - 特許庁

A two-stage gate electrode 20a is formed which comprises a first gate electrode film 17a and a second gate electrode film 20 having a longer gate length than the first gate electrode film 17a, so that the gate length is controlled with high accuracy.例文帳に追加

第１のゲート電極膜１７ａと、第１のゲート電極膜１７ａのゲート長よりも長いゲート長を具備する第２のゲート電極膜２０とを有する２段型ゲート電極２０ａを形成することにより、ゲート長が高精度に制御される。 - 特許庁

A highly integrated transistor in which the horizontal length of the tunnels buried as a gate electrode is limited to the region of gate length and which has a gate length smaller than the channel width, can be attained.例文帳に追加

ゲート電極として埋めたてられるトンネルの水平の長さがゲート長さ領域に限定されてチャンネル幅よりも小さなゲート長さを有する高集積トランジスターを具現することができる。 - 特許庁

In addition, the gate length dependency of the capacity between the gate source drains is deviated at prescribed gate voltage, the overlapping length ΔL is calculated from the addition capacity value on the basis of the gate length dependency of the capacity, and the fringe capacity value and the gate overlapping capacity value are found.例文帳に追加

また、所定のゲート電圧でのゲート−ソース・ドレイン間の容量のゲート長依存性を導出し、上記容量のゲート長依存性に基づいて上記和容量値からオーバラップ長ΔＬを算出し、上記フリンジ容量値、ゲートオーバラップ容量値を求める。 - 特許庁

A field effect transistor, provided with a gate electrode having a gate length of not more than 0.2 μm, is provided with a substrate 1, a gate insulating film 2 and a gate electrode 6.例文帳に追加

０．２μｍ以下のゲート長を有するゲート電極を備える電界効果トランジスタであって、基板１とゲート絶縁膜２とゲート電極６とを備える。 - 特許庁

The gate length of each gate of a P channel transistor 12a and an N channel transistor 13a is set to value that is larger than the gate length of the other complimentarily connected FET.例文帳に追加

ＰｃｈＴｒ１２ａとＮｃｈＴｒ１３ｂの各ゲートのゲート長が、コンプリメンタリ接続されている他方のＦＥＴのゲート長よりも大きい値に設定されている。 - 特許庁

Thereby, not only the process margin of a gate pattern and a field poly pattern is assured, but also the gate pattern or gate length and, further, the length of the field poly pattern is shortened.例文帳に追加

これにより、ゲートパターン及びフィールドポリパターンの工程マージンが確保できるだけではなく、ゲートパターンまたはゲート長さ、さらに、フィールドポリパターンの長さが縮められる。 - 特許庁

The gate length of the transistor 123 is longer than that of the transistor 122.例文帳に追加

トランジスタ１２２よりも、トランジスタ１２３の方が、ゲート長が長い。 - 特許庁