「Ge atom」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for analyzing and measuring a present state and abundance without destroying and contacting in a dopant Ge in a dopant atom dope Ge.例文帳に追加

ドーパント原子ドープＧｅにおけるドーパントのＧｅ中での存在状態及び存在量を、非破壊・非接触で分析・測定する方法を提供する。 - 特許庁

The Ag alloy film has a composition consisting of, by atom, 0.2 to 1.5% Ge as an additive element and the balance essentially Ag.例文帳に追加

添加元素として、Ｇｅを０．２〜１．５原子％含み残部実質的にＡｇからなるＡｇ合金膜である。 - 特許庁

The Al alloy film for the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜用Ａｌ合金膜である。 - 特許庁

The Al alloy film directly connected to a transparent conductive film on a substrate of the display device has 0.05 to 0.5 atom% Ni, 0.4 to 1.5 atom% Ge, 0.05 to 0.3 atom% at least one element selected from a rare earth element group in total and ≤1.7 atom% sum total of Ni and Ge.例文帳に追加

表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 - 特許庁

The aluminum based alloy comprises, by atom, 0.2 to 1.0% Mg and 0.1 to 0.5% Ge, and has excellent age hardening speed properties and high temperature strength.例文帳に追加

Ｍｇ：０．２〜１．０ａｔ％，Ｇｅ：０．１〜０．５ａｔ％含有し、時効硬化速度性及び高温強度に優れていることを特徴とする。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

In the Cu-Ge target, there is a need of suppressing the mixing amounts of impurity elements other than Cu, Ge to ≤2 atom% for controlling the above intensity ratio to ≤1, therefore, it is produced by a powder sintering process.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 - 特許庁

The sputtering target material for forming the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

また、上記組成の配線膜用Ａｌ合金膜を得るための、Ｇｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材である。 - 特許庁

As a result, a range in which function as an SiGeC layer is enabled in a condition that a C atom is made to enter a lattice position is enlarged as far as a range in which Ge composition ratio is high.例文帳に追加

これにより、Ｃ原子が格子位置に入った状態でＳｉＧｅＣ層として機能しうる範囲がＧｅ組成率の高い範囲まで拡大する。 - 特許庁

To provide a polycrystalline film which acts as an SiGeC layer wherein a C atom is made to enter a lattice position in composition in which Ge composition ratio is high.例文帳に追加

Ｇｅ組成率が高い組成においてＣ原子を格子位置に入らせたＳｉＧｅＣ層として機能する多結晶膜，その製造方法等を提供する。 - 特許庁

From a surface of an insulating film (High-k film) 32 of a Ge substrate 31 for which the insulating film 32 is laminated on an upper surface, plasma of process gas containing oxygen-atom-containing gas is radiated.例文帳に追加

上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The active compounds are substituted triaryl methane compounds or analogues thereof where one or more of the aryl groups are replaced with a heteroaryl, cycloalkyl or heterocycloalkyl group and/or the tertiary carbon atom is replaced with a different atom such as Si, Ge, N or P.例文帳に追加

活性化合物は、置換されたトリアリールメタン化合物又はこれらの類似体であって、１以上のアリール基がヘテロアリール、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル基で置換され、及び／又は四級炭素原子がＳｉ、Ｇｅ、Ｎ又はＰのような異なった原子で置換されるものである。 - 特許庁

The strength of the localized oscillating peak of the dopant element observed by the Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge is determined by standardizing based on the optical phonon peak strength of Ge observed at 290-301 cm^-1, and the concentration of a dopant element doped in Ge is measured from the comparison data (calibration curve) between the concentration of the dopant element and the localized oscillating peak strength that are previously prepared.例文帳に追加

また、ドーパント元素ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測される前記ドーパント元素の局在振動ピークの強度を、２９０〜３０１ｃｍ^−１に観測されるＧｅの光学フォノンピーク強度を基準として規格化することによって求め、予め作成されている前記ドーパント元素の濃度と局在振動ピーク強度の比較データ（検量線）から、Ｇｅ中にドープされたドーパント元素の濃度を測定する。 - 特許庁

The information recording medium has a substrate and a recording layer provided on the substrate and formed of a phase change material containing Bi, Ge, Te and an element M other than these elements, wherein Ge is partially substituted by the element M, and the content of the element M in the recording layer is 10 atom% or less.例文帳に追加

基板と、基板上に設けられ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅ及びこれらの元素以外の元素Ｍを含む相変化材料で形成された記録層とを備え、Ｇｅの一部が元素Ｍで置換されており、記録層中の元素Ｍの含有量が１０原子％以下であることを特徴とする情報記録媒体を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The Cu alloy film for a display device comprising films 25, 26, 34 is directly connected to transparent conductive films 5, 41 on the substrate, and contains 0.1 to 0.5 atom% of Ge and 0.1 to 0.5 atom% in total of one kind or more selected from a group comprising Ni, Zn, Fe and Co.例文帳に追加

基板上にて、透明導電膜５，４１に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜２５，２６，３４であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜。 - 特許庁

The oxynitride includes Zn and at least one element selected from In, Ga, Sn, Mg, Si, Ge, Y, Ti, Mo, W and Al, wherein an atomic composition ratio of N in the oxynitride, which is expressed by N/(N+O), is 7 atom% to 80 atom%.例文帳に追加

金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 - 特許庁

The phosphor having a magnetoplumbite-type crystal structure comprises at least one sort of atom selected from B, Si, P, Ge, Ti, V, Ni, Ta, Nb, Mo, W, Yb, Tm, and Bi.例文帳に追加

マグネトプランバイト型結晶構造を有する蛍光体において、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｂｉのうち少なくとも１種類の元素を有することを特徴とする蛍光体により上記課題を解決する。 - 特許庁

This metal-containing compound is a specific compound having in the molecule thereof, two or more epithio groups and containing in the molecule thereof, one type of metal atom selected from Sn, Ge and Pb, and there are also provided a composition comprising the compound and an optical material obtained by polymerizing and curing the composition.例文帳に追加

分子内にエピチオ基を２個以上有し、かつＳｎ，ＧｅまたはＰｂの金属原子の中から選ばれる一種を分子内に含有する特定の化合物、該化合物を含有してなる組成物、および該組成物を重合硬化して得られる光学材料。 - 特許庁

The Cu alloy film is used for a source electrode and/or drain electrode as well as a signal line and/or a gate electrode and a scan line of a thin film transistor of a display apparatus, and contains Ge by 0.1-0.5 atom%.例文帳に追加

表示装置における薄膜トランジスタの、ソース電極および／またはドレイン電極並びに信号線、および／または、ゲート電極および走査線に用いられるＣｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering target material of the Ag alloy comprises 0.1 to 0.7 atom% Si and 0.1 to 1.0 atom% Cu and/or Ge in total, as additional elements, and the balance Ag with unavoidable impurities; has a recrystallized structure dispersing a second phase containing the additional elements in the matrix mainly made of Ag; and has the Vickers hardness of 60 HV or lower.例文帳に追加

添加元素として、Ｓｉを０．１〜０．７原子％、Ｃｕおよび／またはＧｅを合計で０．１〜１．０原子％含有し、残部不可避的不純物およびＡｇからなるスパッタリングターゲット材であって、Ａｇを主体とする基地中に、添加元素を含む第二相が分散した再結晶組織を有し、ビッカース硬さが６０ＨＶ以下であるＡｇ合金スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

It is preferable to have aspects that the catalyst contains further a cesium (Cs)-containing catalyst, the reaction is a homo-coupling reaction, the atom in the alkene compound is any of Si, S, Se, O, Ge, Sn, Pb and B atoms and two of the alkene compounds are the same as each other.例文帳に追加

触媒が更にセシウム（Ｃｓ）含有触媒を含む態様、反応がホモカップリング反応である態様、アルケン化合物における原子が、Ｓｉ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、Ｏ原子、Ｇｅ原子、Ｓｎ原子、Ｐｂ原子及びＢ原子のいずれかである態様、アルケン化合物の２つが互いに同じである態様、などが好ましい。 - 特許庁

This polyester mainly comprises ethylene terephthalate-derived repeating units and has a Ge atom content of 30 ppm or lower and a cyclic trimer content of 0.35 wt.% or lower, and when the polyester is kept melted at 290°C for 60 min, the cyclic trimer content increases by 0.30 wt.% or lower.例文帳に追加

主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレ−トであるポリエステルであって、該ポリエステル中のＧｅ原子の含有量が３０ｐｐｍ以下、環状３量体含有量が０．３５重量％以下であり、且つ２９０℃の温度で６０分間溶融した時の環状３量体の増加量が０．３０重量％以下あることを特徴とするポリエステル。 - 特許庁