「Implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5.例文帳に追加

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。 - 特許庁

Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface.例文帳に追加

そして、半導体基板１に水素のイオン注入を施し、Ｐ−Ｎ接合界面より深い位置に注入欠陥層５を形成する。 - 特許庁

For controlling threshold voltage of the thin film transistor, impurity is ion-implanted into the polysilicon film 3.例文帳に追加

そして、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、不純物をポリシリコン膜３の中にイオン注入する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a structure where a good epitaxial growth layer is further stacked on an ion implanted layer.例文帳に追加

イオン注入された層の上にさらに良好なエピタキシャル成長層を積んだ構造を得る方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the danger of restenosis of a vessel in a stent implanted region.例文帳に追加

ステントが移植された領域において管の再狭窄の危険性を減少させるステントを提供すること。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR EVALUATING DEMAND REFERENCE OF INDUCED DEFIBRILLATION OF DEVICE IMPLANTED WITHOUT REPEATED INDUCTION OF FIBRILLATION例文帳に追加

細動を繰り返し誘発することなく埋植された装置の誘導除細動要求基準を評価するシステムおよび方法 - 特許庁

Silicon ions (Si^+) are implanted on a front surface of an aluminum-nitride layer with acceleration energy of 90keV and dosage of 5×10^15cm^-2.例文帳に追加

窒化アルミニウム層の表面に、加速エネルギー９０ｋｅＶ、ドーズ量５×１０^15ｃｍ^-2でシリコンイオン（Ｓｉ^+）を注入した。 - 特許庁

Ions are densely implanted 10 through contact holes 9 bored in an insulating layer 8 covering the gate electrode and the oxide film.例文帳に追加

高濃度イオン・インプランテーション１０をゲート電極と酸化膜とを覆う絶縁層８に開けたコンタクト穴９を用いて行う。 - 特許庁

With the gate electrode 12 being the mask, a second conductivity type impurity is ion-implanted in the silicon layer 3 to form source/drain regions 14.例文帳に追加

ゲート電極１２をマスクとしてシリコン層３に第２導電型の不純物をイオン注入しソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁

Impurity ion with a dose amount of 1×10^14 cm^-2 or more is implanted into the semiconductor substrate using the resist film pattern as a mask.例文帳に追加

次いで、当該レジスト膜パターンをマスクとして半導体基板に１×１０^14ｃｍ^-2以上のドーズ量で不純物イオンが注入される。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into a channel region 3C, and the implanting quantity of the impurity ions is not smaller than 1×10^12 cm^-2.例文帳に追加

チャネル領域３Ｃには不純物がイオン注入されており、不純物のイオン注入量が１×１０^１２ｃｍ^−２以上である。 - 特許庁

Then nitrogen or fluorine is implanted in the semiconductor substrate 1 in the transistor formation region 220, 230 through the gate insulating films 3 (or 6).例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜３（または６）越しに、トランジスタ形成領域２２０，２３０の半導体基板１に対して、窒素またはフッ素を注入する。 - 特許庁

Subsequently, ions are implanted into the region for forming the source-drain region of a PMOS transistor, thus forming the source- drain region.例文帳に追加

その後、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン形成予定領域にイオン注入を行い、ソース／ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁

A photomask that is formed on a semiconductor substrate is deformed by thermal treatment and then impurities are implanted.例文帳に追加

半導体体基板に作成したフォトマスクを、熱処理することによって変形させ、その後不純物注入を行なう。 - 特許庁

Si^29 ions are then implanted in the GaN layer 2 under conditions where the GaN layer 2 does not take amorphous state easily.例文帳に追加

そして、ＧａＮ層２のアモルファス化の起こりにくい条件で、ＧａＮ層２にＳｉ^２９のイオン注入を行なう。 - 特許庁

To provide various powering devices for transferring and/or generating energy from numerous sources to a communicating member implanted in a patient.例文帳に追加

多数の供給源から、患者に植え込まれた連絡部材までエネルギーを運び、かつ／もしくは発生させる、様々な電力供給装置を提供する。 - 特許庁

Phosphorous is ion-implanted in the polycrystalline silicon film 13 of an NchTr forming region NTR with resist 14 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト１４をマスクにしてＮｃｈＴｒ形成領域ＮＴＲの多結晶シリコン膜１３にリンをイオン注入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a blocking zone implanted in semiconductors substrates, and a semiconductor component having the blocking zone.例文帳に追加

半導体基板に埋設された阻止ゾーンを形成する方法、及び阻止ゾーンを有する半導体部品の提供。 - 特許庁

Conductive impurity ions are implanted only at a part 25a positioned in a capacitor formation scheduled region in the second PolySi layers 25.例文帳に追加

続いて、第２のＰｏｌｙＳｉ層２５のうち、キャパシタの形成予定領域に位置する部分２５ａのみに、導電型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

To provide an expandable stent being able to be readily implanted with little or no trauma to the target lumen.例文帳に追加

目標の管腔に対してわずかのまたは全く外傷を与えずに、容易に移植することができる改良された拡張可能なステントを提供する。 - 特許庁

By using the resist pattern 21 as a mask, P-type impurity (e.g., boron (B)) ions are implanted.例文帳に追加

その後、そのレジストパターン２１をマスクとして用いて、ｐ型不純物（例えば、ボロン（Ｂ））のイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide an ion implanting device without using a dummy wafer, and a wafer ion-implanted using the same inexpensively.例文帳に追加

ダミーウエハを使用せずにイオン注入可能なイオン注入装置、及びこれを用いてイオン注入されたウエハを低コストで提供する。 - 特許庁

Since helium ions are implanted to the wafer 10 for an active layer, an exfoliation temperature reaches 800 to 1,100°C.例文帳に追加

ヘリウムを活性層用ウェーハ１０にイオン注入したので、剥離温度は８００〜１１００℃となる。 - 特許庁

Argon ions are implanted from a direction vertical to the surface orientation (111) inside the trench 14, and then formation of an oxide film is carried out.例文帳に追加

トレンチ１４の内部の面方位（１１１）に垂直方向より、アルゴンをイオン注入し、その後、酸化膜形成をおこなう。 - 特許庁

The tension of the wire 17 is changed by a positional change of the implanted plate 10 with respect to the reference member 16.例文帳に追加

ワイヤ１７の張力は、着床プレート１０の基準部材１６に対する位置の変化によって変化する。 - 特許庁

Successively, the impurities are ion-implanted in the semiconductor substrate 4 in a state where the mask film 30 is arranged on the surface of the second gate electrode 28.例文帳に追加

続いて、第２ゲート電極２８の表面にマスク膜３０を配置した状態で不純物を半導体基板４にイオン注入する。 - 特許庁

n-type impurities are implanted from above the substrate 1, and the gate electrode 4, a source region 6 and a drain region 7 are formed.例文帳に追加

そして、基板１の上方からｎ型の不純物を注入することで、ゲート電極４や、ソース領域６、ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

TOOTHBRUSH IMPLANTED WITH NEEDLE-LIKE BRISTLE WITH ONLY ONE SIDE OF BRISTLE TIP SHARPENED IN TAPER SHAPE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

一側の毛先だけテーパー状に先鋭化された針状毛が植毛された歯ブラシ及びその製造方法 - 特許庁

A layer of SiGe is deposited on a substrate and implanted with ions to form a depletion region within a SiGe material below its surface.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層は、基板上に堆積され、イオンが注入されて、その表面の下のＳｉＧｅ材料内に欠乏領域を形成する。 - 特許庁

To provide a material for a vascular stent useful as a material constituting a vascular stent to be implanted into the vascular channel of the human body.例文帳に追加

人体の脈管に植え込まれる脈管ステントを構成する材料として有用な脈管ステントの材料を提供する。 - 特許庁

An ion is implanted to the exposed substrate to form a common source region 120 and a drain region 122.例文帳に追加

露出された基板にイオン注入して共通ソース領域１２０及びドレイン領域１２２を形成する。 - 特許庁

Each contact means in the implanted state, penetrates the through-hole of the base body and penetrates a part of the bone 18.例文帳に追加

埋込まれた状態で、各接触手段は、ベース体の貫通穴を貫通すると共に骨（１８）の一部を貫く。 - 特許庁

The top of the turntable base 46 is implanted with struts 47 in the three directions on the circumference enclosing the outer periphery of the turntable 36.例文帳に追加

ターンテーブルベース４６上にはターンテーブル３６の外周を囲む円周上の三方向に支柱４７が植設される。 - 特許庁

To provide a functional member by which brushing effect can be obtained that is comparable to or greater than a brush with fibers implanted and which can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

繊維を植毛したブラシと同等以上のブラシ効果を得る一方で低コストに製造することを可能にした機能性部材を提供する。 - 特許庁

A remote reader with an antenna is provided to selectively interrogate and provide inductive power to the implanted shunt.例文帳に追加

アンテナを備えた遠隔読み取り装置が、埋め込まれたシャントに選択的に問い合わせし、かつ誘導電力を供給するために、提供される。 - 特許庁

By the irradiation of laser light, the implanted ion impurities and the crystal damaged at the time of implantation are subjected to the activation and the restoration process, respectively.例文帳に追加

レーザ光を照射してイオン注入した不純物の活性化と注入時に損傷を受けた結晶の回復処理を行う。 - 特許庁

RESIST COMPOSITION, RESIST LAYERED BODY, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING ION IMPLANTED SUBSTRATE例文帳に追加

レジスト組成物、レジスト積層体、レジストパターンの形成方法、及びイオン注入基板の製造方法 - 特許庁

In forming a p-type deep layer 10, p-type impurities are implanted by oblique ion implantation tilted in a direction for canceling an off-angle.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０を形成する際に、オフ角をキャンセルする方向に傾斜させた斜めイオン注入によりｐ型不純物を注入する。 - 特許庁

The upper spacer part layer (104) has a composition which functions as a barrier layer of electron implanted in the activity layer (103).例文帳に追加

上部スペーサ層（１０４）は、活性層（１０３）に注入される電子の障壁層として機能する組成を有している。 - 特許庁

Ions are implanted into the substrate 10 through the S/D contact opening 50, and a slightly doped drain region is formed.例文帳に追加

Ｓ／Ｄ接点開口部５０を通じてイオンを基板１０内に注入し、軽くドープしたドレーン領域を形成する。 - 特許庁

P-type impurities 210 are ion implanted with a large inclination angle of 25° for forming pocket areas 211.例文帳に追加

ｐ型不純物２１０を大きな傾斜角度２５°でイオン注入し、ポケット領域２１１を形成する。 - 特許庁

Silver is implanted into the silicon oxide film 110 with a negative ion implantation method in the implantation energy of about 30 keV.例文帳に追加

シリコン酸化膜１１０中に、約３０ｋｅＶの注入エネルギーで、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

In the ion implantation process, the ions are implanted to the silicon carbide substrate where the implantation inhibition layer is formed with the implantation inhibition layer as the mask.例文帳に追加

イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted through a gate insulating film of two different thicknesses to form an LDDTFT.例文帳に追加

異った二種類の膜厚を有するゲート絶縁膜を通じて不純物イオンを打ち込んでＬＤＤＴＦＴを作成する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into a semiconductor wafer 7 in which a capacitive insulating film is formed on the main surface.例文帳に追加

主面上に容量性絶縁膜が形成された半導体ウェーハ７に対して、不純物イオンを注入する。 - 特許庁