「Implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

The distance between a skin surface 42 on which hair is implanted and the convex lens 24 is set at a prescribed distance by contacts 25 and 26 connected to a touch sensor circuit 28, and the laser beams are emitted from the convex lens 24 to the skin surface 42 at the set interval.例文帳に追加

さらに、タッチセンサ回路２８に接続された接触子２５、２６は、育毛対象の皮膚面４２と凸レンズ２４との間隔を所定の離間距離に設定し、この離間距離おいて凸レンズ２４から皮膚面４２にレーザ光を放出させるようにすることで、ビーム径が所定のサイズに拡大された照射スポット４３を育毛対象の皮膚面４２上に形成することができる。 - 特許庁

Finally, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using an insulating sidewall 11 formed on the opposite side parts of the gate electrode 9 and the gate electrode 9 as an impurity implantation mask to form an offset region 10 beneath the sidewall 11 thus forming a source region 12 and a drain region 13 on the outside of the offset region 10.例文帳に追加

その後、ゲート電極９の両側部に壁状に形成した絶縁性のサイドウォール１１と、ゲート電極９とを不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入することにより、該サイドウォール１１の下方にオフセット領域１０を形成し、オフセット領域１０の外側に、ソース領域１２及びドレイン領域１３を形成する。 - 特許庁

A memory cell is formed of a single MOS transistor, wherein an ion implantation stop film 7 is formed outside the channel region of the MOS transistor, and code ions are implanted into the channel region of a prescribed MOS transistor by the use of an ion implantation mask that includes the ion implantation stop film 7 to set the MOS transistor at a prescribed threshold value.例文帳に追加

１個のＭＯＳトランジスタで構成されるメモリセルにおいて、ＭＯＳトランジスタのチャネル領域外にイオン注入阻止膜が形成され、このイオン注入阻止膜を含むイオン注入マスクでもって所定のＭＯＳトランジスタのチャネル領域にコードイオン注入がなされ所定のトランジスタしきい値に設定される。 - 特許庁

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask.例文帳に追加

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 - 特許庁

A surface temperature of a semiconductor wafer into which impurities are implanted, is raised from a pre-heating temperature T1 to a target temperature T2 over a period of time from 1 to 20 milliseconds by performing a first irradiation in which light-emission output of a flashlamp is increased up to a maximal value over a period of time from 1 to 20 milliseconds.例文帳に追加

フラッシュランプの発光出力を１ミリ秒以上２０ミリ秒以下の時間をかけて最大値にまで到達させる第１照射を行うことにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面温度を予備加熱温度Ｔ１から目標温度Ｔ２にまで１ミリ秒以上２０ミリ秒以下にて昇温している。 - 特許庁

The system has a high frequency quadrupole accelerator 7 which accelerates ion beams 10a generated by an ion source and after the ion beams 10a accelerated by the quadrupole accelerator 7 are implanted to a substrate 11, the thin film is separated from the substrate 11 by generating a hydrogen layer in the substrate by heating the substrate 11.例文帳に追加

イオン源により生成されたイオンビーム１０ａを加速する高周波４重極加速器７を有し、高周波４重極加速器７によって加速されたイオンビーム１０ａを基板１１に注入した後、基板１１を加熱することにより基板内部に水素層を形成させて薄膜を基板から剥離させる。 - 特許庁

The fine particles of pH-responsive water-swelling polymer, having such a particle diameter to instantaneously cause water swelling in a physiological environment having less moisture (e.g. subcutaneous or submucosa), facilitate injection (injected by a finer injection needle), have less risk of transition to another organ due to foreign body reaction after injection, and are suitable for in-vivo implanted material which is subcutaneous or submucosa.例文帳に追加

水分が少ない生理的環境下（例えば皮下、粘膜下）で即座に含水膨張する粒子径のｐＨ応答吸水膨潤性高分子微粒子は、注入が容易であり（より細い注射針で注入が可能である）、注入後の異物反応による他臓器への移行リスクが小さく、皮下または粘膜下への生体内埋め込み材料として適している。 - 特許庁

This minus ion air cleaner has a minus ion generating brush 2 implanted and provided with a multiplicity of a fabric 2c adhered with fine powder formed by densely fixing the fine powder of a material generating the minus ions (OH") by coming into contact with atomized moisture to the surface of fiber material and fiber bristles 2b, an atomized moisture forming means 3 and a motor 4 for rotating the minus ion generating brush 2.例文帳に追加

霧化水分と接触してマイナスイオン（ＯＨ^-）を発生する物質の微粉末を繊維素材の表面に密に固着した微粉末付着布２ｃと繊維毛２ｂを多数植設した円筒体２ａからなるマイナスイオン発生ブラシ２、霧化水分生成手段３およびマイナスイオン発生ブラシ２を回転させるモーター４を有するマイナスイオン空気清浄装置。 - 特許庁

This ladder 10 for a quay is constituted so that horizontal three step bars 11 are installed and arranged at prescribed intervals in the vertical direction between both inside surfaces 20A of a vertically extending arranging recessed part 20 formed on a quay surface 1B of a quay 1 by being fastened to support metal fittings 12 implanted in an inside surface of the arranging recessed part 20 by bolts and nuts 13.例文帳に追加

岸壁用梯子１０は、岸壁１の岸壁面１Ｂに形成された上下方向に延びる設置凹部２０の両内側面２０Ａ間に、水平な三本のステップバー１１が、設置凹部２０の内側面に植設された支持金具１２にボルト・ナット１３で締着されて上下方向に所定間隔で架設配設されて構成されている。 - 特許庁

To provide a support for tissue regeneration capable of holding and taking cells in the uniform distribution state at the time of culture, securing the excellent reproduction and survivability, and particularly in case of the cartilage, capable of performing the fixing process such as suture when implanted to an affected part and having the sufficient mechanical strength to bear the compression (weighting) at the initial stage of the implant.例文帳に追加

培養時に細胞を均一な分布状態で安定に保持・生着させ、さらに良好な増殖・生存性を確保できるものであり、特に軟骨の場合には、加えて培養後、患部への移植時に縫合等の固定処理が可能であり、かつ移植初期の（加重）圧縮に耐える機械的強度を併せ持った支持体の開発。 - 特許庁

There is provided a method for confirming an ion implantation status upon implanting ions into one entire surface of a semiconductor wafer having an insulating film thereon, in which it is confirmed whether the ion implantation is conducted into the entire surface of the semiconductor wafer by observing directly or indirectly light emitted when the surface of the semiconductor wafer is irradiated with an ion beam of the implanted ions from the start of the ion implantation through the end thereof.例文帳に追加

表面に絶縁膜を有する半導体ウェーハの一方の表面の全面にイオンを注入する際のイオン注入状況の確認方法であって、イオン注入の開始から終了までの間を通して、前記注入イオンのイオンビームが前記半導体ウェーハの表面上に照射される際に生ずる発光を直接的または間接的に観察することによって、前記半導体ウェーハへのイオン注入が前記全面に行われているかどうかを確認することを特徴とするイオン注入状況の確認方法。 - 特許庁

The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 - 特許庁

The electric stimulator implanted in a living body includes: a stimulation circuit block having a lumen opened at a proximal end part and formed inside to the vicinity of a distal end part and including a stimulation electrode for stimulating nerves or muscles in the living body and an electronic circuit which is electrically connected to the stimulation electrode and used for applying a stimulation signal to the stimulation electrode; and a support body having a lumen communicated with the lumen of the stimulation circuit block.例文帳に追加

生体内に植え込まれる電気刺激装置であって、基端部に開口して先端部付近まで内部にルーメンが形成され、前記生体内の神経または筋肉を刺激する刺激電極と、前記刺激電極と電気的に接続され、前記刺激電極に刺激信号を印加する電子回路とを含む刺激回路ブロックと、前記刺激回路ブロックのルーメンと連通するルーメンを備える支持体と、を備えるものである。 - 特許庁

An impurity (boron), which is of the same conductivity type as the impurity used for adjusting the threshold voltage, is implanted into the boundary region between the channel region of the MOS transistor and the isolation region, so as to form a boron-implantated layer 105.例文帳に追加

シリコン基板１０１にシリコン酸化膜で素子分離領域（ＳＴＩ）１０８を形成し、このＳＴＩ１０８で区画される素子形成領域にしきい値電圧調整のための不純物を導入し、かつ前記素子形成領域内にチャネル領域を有するＭＯＳトランジスタを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ＭＯＳトランジスタのチャネル領域の素子分離領域との境界領域に、しきい値電圧調整のための不純物と同一導電型の不純物（ボロン）を注入してボロン注入層１０５を形成する。 - 特許庁

This brush is formed of a brush body (a) implanted with multiple bristles c with durability and a handle (b) attached to the brush body.例文帳に追加

このブラシは、多数の毛ｃ（研磨、足付け、サンディングができるように強くて柔軟性に優れたナイロン基材の中に、サンドペーパー等の使われている研磨粒材を混ぜ合わせて糸状にしたもので、被塗物の旧塗膜や新規塗装面への研磨、足付け、サンディング作業ができ、従来のサンドペーパー等研磨材料に比べ、ブラシ状なので、目づまりがなく、ナイロン基材特有の柔軟性があるため、凹凸面にもよくなじみ、耐久性もある。）を植設したブラシ本体ａと、このブラシ本体に付設している柄ｂとからなる。 - 特許庁

The method of treating arrhythmia includes: delivering the treatment device to a target site; manipulating the device to conform a shape of the device to a shape of the target site; modifying a tissue makeup at the target site; allowing the modification of tissue makeup to proceed so as to induce a response that results in electrically decoupling the tissue; and leaving the treatment device implanted at the target site.例文帳に追加

不整脈を処置する方法であって、その方法は、以下： 標的部位に処置デバイスを送達する工程；そのデバイスの形状をその標的部位の形状に適合するようにそのデバイスを操作する工程；その標的部位における組織構成を改変する工程；その組織構成の改変が進行することを可能にしてその結果、その組織を電気的に分断することを生じる応答を誘導する工程；およびその処置デバイスをその標的部位に移植しておく工程；を包含する、方法。 - 特許庁

In a buried bit line type flash memory arranged such that a bit line 5 functioning as source-drain formed by implanting impurity ions into a semiconductor substrate 1 intersects a word line 7 functioning as a gate electrode, a three layer structure ONO film 6 of silicon oxide film/silicon nitride film/silicon oxide film is formed after impurity ions for forming the bit line 5 are implanted and annealing for activation is performed.例文帳に追加

半導体基板１に不純物がイオン注入されて形成されたソース／ドレインとして機能するビットライン５と、ゲート電極として機能するワードライン７とが交差する構成の埋め込みビットライン型フラッシュメモリにおいて、ビットライン５を形成するための不純物のイオン注入及びその活性化のためのアニール処理を行った後に、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜からなる３層構造のＯＮＯ膜６を成膜する。 - 特許庁

To provide the subject piece of clothing aiming at preventing electromagnetic wave effect on the human body due to a high-frequency electromagnetic field radiated from antennas of e.g. portable telephones, radio equipment placed near the human body, and capable of not only preventing electromagnetic wave effect on the human body but also effectively preventing the malfunction of a medical equipment implanted in the human body such as a pacemaker.例文帳に追加

本発明は、携帯電話機や無線機器などの人体の近傍に置かれたアンテナから輻射される高周波電磁界による、人体に対する電磁波の影響を防止することを目的とする電磁波シールド衣服に関するものであり、更に本発明は、人体に対する電磁波の影響を防護できるばかりでなく、体内に植え込まれた医療機器、例えばペースメーカ等に対する誤作動防止にも有効に作用するものである。 - 特許庁

By enabling the irradiation of different type ion beams generated by first and second ion sources 11, 12, a process irradiating a silicon wafer 10 with a polyatomic molecule ion beam for removing a surface oxide film and a process irradiating the silicon wafer 10 with an ion beam of the implanted ions for implanting ions are continuously carried out to the silicon wafer 10 attached to a platen in a chamber 18 without breaking a vacuum atmosphere during them.例文帳に追加

第１および第２のイオン源１１・１２で生成される、異なる種類のイオンビームの照射を可能とすることで、多原子分子のイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射して表面の酸化膜を除去する工程と、注入イオンのイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射してイオンを注入する工程とを、チャンバ１８内のプラテンに装着されたシリコンウェーハ１０に対し、その間の真空雰囲気を破ること無く連続して行う。 - 特許庁

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a deteriorated layer removal step, wherein the deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to the silicon carbide substrate is removed by executing, in order, a first etching step of anisotropic plasma etching using an inert gas and a second etching step of isotropic plasma etching using an inert gas.例文帳に追加

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、不活性ガスを用いた異方性プラズマエッチングによる第１エッチング工程と、不活性ガスを用いた等方性プラズマエッチングによる第２エッチング工程とをこの順序で実施することにより除去する変質層除去工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the epitaxial wafer includes at least the processes of: forming an organic film on the surface of a silicon single-crystal substrate; forming an ion-implanted layer in the silicon single-crystal substrate by ion implantation through the organic film; removing the organic film; and forming the epitaxial layer on the surface with the organic film removed.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板の表面に有機膜を形成する工程と、該有機膜を通してイオン注入することによって前記シリコン単結晶基板にイオン注入層を形成する工程と、前記有機膜を除去する工程と、前記有機膜を除去された表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

At least the outer surface of a region 6 where maximum tensile vacuum stress occurs and if necessary, a region 7 where maximum thermal stress occurs in a body part 3 of the glass funnel 1 is chemically strengthened using paste containing potassium nitrate and silver nitrate by an electric field assist method to form a compressive stress layer and simultaneously silver ion is implanted to the glass in the chemically strengthened region to color by ion exchange.例文帳に追加

ガラスファンネル１のボディ部３の、最大引張り真空応力が発生する領域６および必要に応じて更に最大熱応力が発生する領域７の少なくとも外表面を、硝酸カリウムと硝酸銀を含むペーストを用いて電界アシスト法により化学強化して圧縮応力層を形成すると同時に、該化学強化した領域のガラスに銀イオンを注入してイオン交換着色する。 - 特許庁

The depth to the peak position depends on the film thickness of the resist pattern through which the impurity ions to be implanted pass.例文帳に追加

本方法は、光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、半導体基板に塗布されたフォトレジストを露光する露光工程と、フォトレジストを現像して、フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンの膜厚が互いに異なる複数の領域を通して半導体基板に不純物イオンを注入して、半導体基板の表面からピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成する注入工程とを有し、ピーク位置までの深さは、注入される不純物イオンが通るレジストパターンの膜厚に依存することを特徴とする。 - 特許庁