「Implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

In this washing brush 1, a fluid is supplied to a brush body 5 implanted with a number of brush bristles 7 on the outer surface thereof from inside, the brush body 5 is rotated by the fluid, and the fluid is discharged to the outer surface of the brush body 5 through a fluid passage 6 formed in the brush body 5.例文帳に追加

この発明の洗浄用ブラシ１は、外表面に多数のブラシ毛７…を植毛したブラシ本体５に内側から流体を供給し、その流体でブラシ本体５を回転させるとともに、その流体をブラシ本体５に形成した流体通路６を介してブラシ本体５の外表面に排出するようにした、ことを特徴としている。 - 特許庁

Then, as shown in Figure 2 (a), N-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask, so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, and the lower electrode 118 of a capacitive element is formed.例文帳に追加

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｎ型不純物をイオン注入し、容量素子の下部電極１１８を形成する。 - 特許庁

The semiconductor crystal 10 and a second substrate 30 are laminated to each other, and shock is applied from the outside in this state to separate the density region 12 of the semiconductor crystal 10 along the implanted layer 13, and an uppermost surface layer 12b of the density region 12 is transferred (peeled) onto the second substrate 30.例文帳に追加

窒化物系半導体結晶１０と第２の基板３０とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層１３に沿って窒化物系半導体結晶１０の低転位密度領域１２を分離して低転位密度領域１２の表層部１２ｂを第２の基板３０上に転写（剥離）する。 - 特許庁

After a passivation film 6 is formed and a contact hole c for taking out an electrode are formed, the depression type transistor side is coated with a resist material r, impurity ions are implanted into the enhancement type transistor side using the gate electrode 5e as a mask, and thus an n-type source region 7 and a drain region 8 are formed.例文帳に追加

パッシベーション膜６を成膜し、電極取り出し用コンタクトホールｃを形成した後、デプレッション型トランジスタ側をレジスト材ｒで被覆し、ゲート電極５ｅをマスクにしてエンハンスメント型トランジスタ側に不純物イオンを打ち込み、ｎ型のソース領域７とドレイン領域８を形成する。 - 特許庁

To provide a method for patterning on the surface of a rock wool board which can be continuously produced with a novel surface appearance, capable of forming stripe-like grooves on a surface of the rock wool board and thereafter continuously forming a rugged pattern by a patterning roll having pins implanted to a stripe-like rugged part or a patterning roll having protruding parts.例文帳に追加

ロックウール基板の表面にストライプ状の凹溝を切削加工で形成し、その後でストライプ状の凹凸部にピンを植設した模様付けロールや突起部を有する模様付けロールで連続的に凹凸模様を形成することができる新規表面外観を有する連続的に生産可能なロックウールボードの表面模様付け方法を提供することにある。 - 特許庁

The cosmetic material extracting cover is composed in a barred sheet shape and in a way that the fluffs implanted on adjacent lacing lines overlap with each other to prevent the powdery cosmetic material from carelessly leaking from the cosmetic material receiving part and to enable the adjustment of volume of the powdery cosmetic material extracted on the cosmetic material extracting cover by changing the direction of a cosmetic applicator such as puffs slidably in contact.例文帳に追加

化粧料取出し蓋が、隣接するモール線に植立される毛羽同士が互いに重なり合わされると共にスダレシート状に構成され、化粧料収容部から粉状化粧料が不用意に漏出することを防ぐと共にパフ等の化粧用アプリケータの摺接方向を変えることにより粉状化粧料の化粧料取出し蓋上への取出し量が調整されるようにする。 - 特許庁

In the mold for molding the magnesium alloy which is made by successively stacking a carbon implanted layer which is made by implanting carbon ion and a diamond-like carbon layer on a base material composed of a cemented carbide, an alloy which contains WC (tungsten carbide) having the average particle diameter of 0.3-2.6 μm as a hard phase is adopted as the cemented carbide for composing the base material.例文帳に追加

超硬合金からなる基材に、カーボンイオンが注入されてなるＣ注入層と、ダイヤモンドライクカーボン層とが順次積層されてなるマグネシウム合金成形用金型において、前記基材を構成する超硬合金として、平均粒径0.3〜2.6μmのWC（タングステンカーバイト）を硬質相として含有するものを採用する。 - 特許庁

Because the particles of a film material composed essentially of ZnO and containing compounds of group III elements, such as Al2O3, are ionized with high efficiency and implanted in a film by optimum kinetic energy, the surface migration of the group III impurity elements, such as Al, can be accelerated and the dispersion of the impurity elements can be performed more uniformly as compared with that by the other methods.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分としＡｌ_２Ｏ_３等の３族元素を含有する膜材料粒子が高効率でイオン化し、膜中に最適な運動エネルギーで打ち込まれるので、Ａｌ等の３族不純物元素の表面マイグレーションが促進され、他の方法に比べてより均一に不純物元素を分散させることできる。 - 特許庁

The prosthetic element includes an anchoring cavity (8), which has a tapered shape to be thinned from a side connected to a guide means (5) toward the outer surface of the prosthetic element, and the opening of the anchoring cavity (8) is sharpened at a terminal outer circumference (8a) to act as a small cutting device for cutting implanted fibers when removing the element.例文帳に追加

固定用キャビティ（８）がガイド手段（５）に接続される側から人工器官素子の外面側へ向け先細りとなるテーパ形状を有し、該固定用キャビティ（８）の開口が末端外周（８ａ）で尖っており、それによって素子除去時に内殖した繊維を切断する小型の切断装置として作用するよう構成されている。 - 特許庁

An entire back surface of a substrate 1 having a loop-engaging element 3 implanted on one entire planar surface is provided with an adhesive layer 5 or a double-sided adhesive tape 7, and a release paper 9 is affixed to an outside surface of the adhesive layer 5 or of the double-sided adhesive tape 7 to form a female mating planar fastener member of the mating planar fastener members.例文帳に追加

面ファスナー組部材は、一方の面全面にループ係合素子３を植設した基材１の裏面全面に接着剤層５または両面粘着テープ７を配備し、この接着剤層５または両面粘着テープ７の外面側に、剥離紙９を貼着して雌型の面ファスナー組部材を形成する。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

In a method for producing the napped pile fabric with a pile yarn which is implanted in a base structure where weft is woven into warp, the conjugate fiber composed of a non-latent crimpable finished yarn and a latently highly crimpable finished yarn different in crimp percents is used as the pile yarn and finish processing including a heat treatment step for developing crimp of the latently highly crimpable finished yarn is applied.例文帳に追加

経糸に緯糸が織り込まれてなる地組織にパイル糸が植設された立毛パイル布吊において、前記パイル糸として捲縮率が異なる非潜在捲縮性加工糸と潜在高捲縮性加工糸からなる複合糸が用いられ、前記潜在高捲縮性加工糸の捲縮を発現させる熱処理工程を含む仕上げ加工を施すことを特徴とした立毛パイル布吊の製造方法。 - 特許庁

The optical lens 1 is formed so as to have refractive power, and four through holes 2a as conduits for improving the flow of the aqueous humor, and a plurality of circular recesses 2b for reducing the contact area of the lens with the crystalline lens in the eye are formed on the side facing the crystalline lens as if to surround the optical lens 1 in the intermediate portion 2 when it is intraocularly implanted.例文帳に追加

光学レンズ部１は屈折力を持つように形成し、中間部２には眼内にインプラントした場合に水晶体側となる面に、房水の流れを良くするための導水路である４つの貫通孔２ａと、眼内で水晶体との接触面積を削減するための複数個の円形状の窪み２ｂを光学レンズ部１を取り囲むように形成する。 - 特許庁

This vacuum gage has as elements a communication space for communicating a vacuum space inside the clean box with a space of atmospheric pressure, a diaphragm arranged in the communication space to partition it into a vacuum side and an atmospheric side, and a pin implanted in the diaphragm to facilitate monitoring for a deformation level of the diaphragm caused by a pressure difference.例文帳に追加

クリーンボックス内部の真空空間と大気圧となる空間とを連通する連通空間と、この連通空間に配置されてこれを真空側と大気側とに隔置するダイアフラムと、当該ダイアフラムに植設されの圧力差によるダイアフラムの変形の量の監視を容易とするピンとを要素とする簡易真空計を構築する。 - 特許庁

Respective products of the weight of each blade in the arrangement around the turbine disk D with a sine function and a cosine function in the arrangement of the blades are found, base end parts of the blades implanted in positions 1, 13, 25, 37 in the direction X and direction Y are corrected on the basis of the sum total of the respective products to counteract a vector V of residual unbalance.例文帳に追加

そして、タービンディスクＤの周回りの配置における各ブレードの重量とそのブレードの配置における正弦関数、余弦関数とのそれぞれ積を求め、各積の総和によってＸ方向およびＹ方向の位置１、１３、２５、３７に植え込まれるブレードの基端部を修正して残留アンバランスのベクトルＶを打消す。 - 特許庁

By setting the thickness of the mask layer 15 thinner than the implanted depth of the impurity, a high dose region 12 is formed in a region, not covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11, while low-dose regions 13 are formed in regions, covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11.例文帳に追加

マスク層１５の厚さを不純物注入深さよりも浅く設定しておくことにより、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われていない部分には多量ドーズ領域１２を形成し、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われている部分には低量ドーズ領域１３を形成する。 - 特許庁

In addition, impurity ion groups 23a and 23b are implanted from gaps 19a and 19b formed between the accumulation electrodes 17a, 17b, 17c, etc. and the barrier electrodes 21a, 21b, etc., so as to form a barrier regions 23 on the surface of the n-type region 13 that correspond with the barrier electrodes 21a, 21b, etc.例文帳に追加

また、蓄積電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，〜とバリア電極２１ａ，２１ｂ，〜との間にそれぞれ設けられたギャップ１９ａ，１９ｂより不純物イオン群２３ａ，２３ｂを注入し、バリア電極２１ａ，２１ｂ，〜に対応する、ｎ型領域１３の表面部にそれぞれバリア領域２３を形成してなる構成とされている。 - 特許庁

With a pin threading plate 35 corresponding to a type of a printed board P set in frame wiring 41, and this frame wiring 41 position-fixed to a movable shoot 20 and fixable shoot 21 of a positioning section; back-up pins 30 are implanted to a back-up base 31 through multiple threading holes set up in the pin threading plate 35.例文帳に追加

プリント基板Ｐの種類に対応したピン挿通用板体３５を支持枠体４１にセットし、この支持枠体４１を位置決め部の可動シュート２０及び固定シュート２１に位置決め固定した状態で、ピン挿通用板体３５に開設された複数の挿通孔を介してバックアップピン３０をバックアップベース３１に植設する。 - 特許庁

Further, a state of energization between a measuring electrode 7a and an implanted electrode 15 embedded in the impervious sheet 3a in order to detect breakage of a sheet body 16 comprised of the impervious sheet 3a and having water-sealing performance is measured by a corrosion resistance measuring box 10 and the measuring result is supervised by using a supervision box 11.例文帳に追加

そして、この遮水シート３ａを構成する遮水性を有するシート体１６の破損を検知するために、測定用電極７ａと遮水シート３ａ内に埋設された埋込電極１５との間の通電状態が耐食性測定ボックス１０により測定され、この測定結果が監視用ボックス１１を用いて監視される。 - 特許庁

The silicon layer is doped with ions at an angle based on the height of a second field effect transistor adjacent to the first one so that ions of a predetermined type, which have concentration that is the same as that of a portion adjacent to the channel region of the silicon layer and is not equal to zero, are implanted into one portion of the channel region.例文帳に追加

シリコン層は、シリコン層のチャネル領域に隣接する部分と同じゼロでない濃度の特定のタイプのイオンがチャネル領域の一部に注入されるように、第１電界効果型トランジスタに隣接する第２電界効果型トランジスタの高さに基づいた角度でイオンをドープされている。 - 特許庁

Except for regions of a capacitor first electrode 107, a ferroelectric film 108 and a capacitor second electrode 109, an aluminum film 110 is implanted with oxygen ions 111 through a resist 112 to form an aluminum oxide film 113, and it is then dipped in a phosphoric acid mixed liquid to remove the non-oxidated aluminum film, thus forming a hydrogen barrier film around the ferroelectric capacitor only.例文帳に追加

キャパシタ第１電極１０７、強誘電体膜108、及びキャパシタ第２電極１０９の領域以外のアルミニウム膜１１０をレジスト１１２を介してに酸素イオン１１１を注入して酸化アルミニウム膜を１１３を形成し、続いてリン酸混合液中に入れ酸化されないアルミニウム膜を除くことにより、強誘電体キャパシタ周囲のみに水素バリア膜を形成する。 - 特許庁

A photoresist is removed from a nitride film at a position where the gate electrode of an HV-MOS is formed, and boron ions are implanted into the surface layer of a P well region 2 at a part 9 which serves as a second P well region penetrating through both a nitride film 4 and an oxide film 3, using the residual photoresist 8 as a mask.例文帳に追加

工程Ｄにおいて、ＨＶ−ＭＯＳのゲート電極を形成する箇所の窒化膜上のフォトレジストを除去し、それ以外のフォトレジスト８をマスクに、第２ｐウエル領域となる箇所９に、窒化膜４と酸化膜３を貫通し、ｐウエル領域２の表面層にボロンをイオン注入する。 - 特許庁

Then, before implanting the fixture to the jaw, the optical molding model is attached to an articulator, the surge guide is tried after removing the artificial tooth part of the optical molding model, a dummy fixture is implanted to the optical molding model, an abutment for a technical operator is connected to the dummy fixture, and the orthoprosthesis is manufactured.例文帳に追加

そして、フィクスチャーを顎骨に埋入する前に、光造形模型を咬合器に付着させ、光造形模型の人工歯部分を除去した後にサージガイドを試適させ、光造形模型にダミーフィクスチャーの埋入を行うと共に、ダミーフィクスチャーに技工用のアバットメントを接続して歯科補綴物を製造する。 - 特許庁

A user can adjust a pushing force operating and moving the artificial lens using changes in depression angles and elevation angles from a horizontal view to a head lowered view, and leadingly control the accommodation diopter of the eyeball implanted with the artificial lens, or controls the position of the artificial lens using an extrinsic magnetic field so as to control the light refraction diopter of the eyeball.例文帳に追加

使用者は平視から低頭の間の俯角仰角の変化を利用して人工水晶体に作用し移動させる押動力を調整して主動的に人工水晶体を植え込んだ眼球の遠近調節度数を制御でき、或いは外在の磁場を利用して人工水晶体の位置を制御することで眼球の光の屈折度数を制御することができる。 - 特許庁

According to this manufacturing method, the uptapered parts of the bristles are pushed into bristle holders 20, 30 having through-holes having an implanted pattern, the bottoms of the bristle holders 20, 30 are fused to fix the needle-shaped bristles to the bristle holder, and then the bristle holders are bonded to a head part of the toothbrush body.例文帳に追加

また、本発明による製造方法は、一側の毛先にテーパーが形成された針状毛６０において、テーパーが形成されなかった部分を植毛される模様の通孔を有した剛毛ホールダー２０、３０に押し入れて、この剛毛ホールダー２０、３０の底部を熱溶着させることにより針状毛を剛毛ホールダーに固定させた後、この剛毛ホールダーを歯ブラシ本体のヘッド部に接着させることを特徴とする。 - 特許庁

This improved manufacturing method of an SOI substrate is such that, after oxygen ions have been implanted into a silicon substrate through one of its main surfaces, the silicon substrate is annealed to form an embedded oxide layer in a region in the silicon substrate at a prescribed depth from the one main surface.例文帳に追加

シリコン基板の一方の主面からシリコン基板内部に酸素イオンを注入した後、アニール処理してシリコン基板の一方の主面から所定の深さの領域に埋込み酸化層を形成し、埋込み酸化層上の基板の一方の主面にＳＯＩ層を形成するＳＯＩ基板の製造方法の改良である。 - 特許庁

A surface temperature of a semiconductor wafer into which impurities are implanted, is raised from a pre-heating temperature to a target temperature over a period of time from 1 to 20 milliseconds by performing a first irradiation in which light-emission output of a flashlamp is increased up from zero to a maximal value I_max over a period of time from 1 to 20 milliseconds.例文帳に追加

フラッシュランプの発光出力を１ミリ秒以上２０ミリ秒以下の時間をかけてゼロから最大値Ｉ_maxにまで増加させる第１照射を行うことにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面温度が予備加熱温度から目標温度にまで１ミリ秒以上２０ミリ秒以下にて昇温する。 - 特許庁

An insulating film 905 is attached, a gate electrode 108 is deposited, a trench 105 is cut by etching, a spacer 103 is attached, then N-type ions are implanted to form a drain region 106 adjacent to the upper gate 108, and the opening 105 is filled up with conductor to serve as a contact.例文帳に追加

絶縁膜９０５を付着させゲイト電極１０８を堆積し、エッチングによりトレンチ１０５を開口しスペーサ１０３を付着させた後ｎ型イオン注入してドレイン領域１０６を基板１０上部ゲート１０８に隣接して形成し、開口部１０５に導電体を充填してコンタクトとする。 - 特許庁

Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2.例文帳に追加

第２実施例）振動板基板１に半導体基板の電極基板２の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板２と接合した。 - 特許庁

The greening method comprises implanting Japanese lawn grasses 10 in an objective ground (a planting basis K), and implanting herbaceous domestic wild grasses 20 symbiotic with the naturally renewable Japanese lawn grasses 10 and bearing flowers to make the objective ground the green space where people enjoy the flowers all year round, and the plants implanted in the objective ground are maintained.例文帳に追加

対象地盤（植栽基盤Ｋ）に日本芝１０を植え付けるとともに、この日本芝１０と共生可能であり、かつ、自然更新する日本在来の花を付ける野草２０を植え付けて、この対象地盤を緑地にすることにより、年間を通して、花を楽しむことができ、かつ、対象地盤に植え付けられた植物が維持される緑地を形成するものである。 - 特許庁

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction.例文帳に追加

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。 - 特許庁

The catheter for delivering a self-expanding prosthesis implanted in a vessel, includes the outer shaft, and an inner shaft axially movable relative to the outer shaft, wherein part of the inner surface of the outer shaft has a low sliding resistance so that the inner shaft is readily axially moved.例文帳に追加

脈管内に留置される自己拡張型プロテーゼを送達する搬送用カテーテルであって、アウターシャフトと、アウターシャフトに対し軸方向に移動可能なインナーシャフトで構成され、アウターシャフトの内面の一部は、インナーシャフトが容易に軸方向に移動することが可能な低い滑り抵抗を持つことを特徴とする自己拡張型プロテーゼ搬送用カテーテルを提供する。 - 特許庁

To provide a toothbrush implanted with needle-like bristles manufacturable in a simple process reducing a fraction defective, and a toothbrush manufacturing method using defective bristles failing in adjusting the length for manufacturing the toothbrush, more firmly fixing the bristles for the toothbrush to the toothbrush, and freely adjusting an implanting bristle pattern and the quantity of bristles.例文帳に追加

製造工程が簡単で不良率が減少された針状毛が植毛された歯ブラシと、長さ調節に失敗した不良毛を歯ブラシの製造に利用でき、歯ブラシ用毛を歯ブラシに一層堅固に固定でき、植毛される毛のパターンと毛の数量を自由に調節できる歯ブラシの製造方法を提供する。 - 特許庁

The toothbrush has bristles 2 bunched in sets 1 each with a melted, swelling base implanted in a head implantation surface via a thermal fusion or in-mold process.例文帳に追加

複数本の刷毛を束ねた毛束の基端部を溶融して肥大を形成し、該肥大部をヘッド部植毛面に熱融着法またはインモールド法によって植毛した歯ブラシにおいて、前記植毛された毛束のうち、少なくとも一部の毛束１について、毛束１を構成する刷毛２の本数が２本以上、かつ、２０本以内であって、下記の数式（１）を満足する本数Ｙに設定する。 - 特許庁

The planetary gear has a pair of pins implanted in each side face and the supporting member has a restricting groove for restricting the rotation of the planetary gear with the engagement of the pair of pins.例文帳に追加

主軸と一体に回転可能な太陽歯車と、前記太陽歯車に噛合する少なくとも１の遊星歯車と、前記遊星歯車を支持し、一体回転する案内部材と、前記太陽歯車、遊星歯車及び案内部材を支持する支持部材とを備え、前記遊星歯車はその両側面にそれぞれ一対のピンが植設されており、前記支持部材は前記一対のピンが係合し、前記遊星歯車の自転を規制する規制溝が形成されている。 - 特許庁

Thus, even when the carcass cord 24 is fed from a wire feeding device 12 while rotating around the axis, slackness of tension in the constant length carcass cord 24A can be prevented, and the constant length carcass cord 24A can be reliably fed (implanted) in an annular body 72 as the next step.例文帳に追加

従って、線材送出装置１２よりカーカスコード２４が軸周りに回転しながら送出される場合であっても、定長カーカスコード２４Ａのテンションの緩みを防止することができるので、これにより次工程としての円環状体７２に確実に定長カーカスコード２４Ａを供給する（植え込む）ことが可能となる。 - 特許庁

A computer read out medium in another embodiment is implanted with the program constituted so as to execute receiving of the command about the battery status of a plurality of imaging systems to a computer and setting of the schedule of inspection and recharging at least partially based on the received command.例文帳に追加

別の態様におけるコンピュータ読み取り可能媒体は、コンピュータに対して複数の撮像システムの電池ステータスに関する指示を受け取ること、並びにこの受け取った指示に少なくとも部分的に基づいて検査及び再充電をスケジュール設定すること、を実行させるように構成したプログラムの移植を受けている。 - 特許庁

The method for patterning on the surface of the rock wool board comprises the steps of forming the stripe-like grooves 2 on the surface of the rock wool board 1 by cutting, and thereafter continuously pressing the stripe-like rugged part by the patterning roll 5 having the pins 4 of different diameters and protruding lengths and implanted thereto to form the rugged pattern 6.例文帳に追加

ロックウール基板１の表面にストライプ状の凹溝２を切削加工で形成し、その後でストライプ状の凹凸部に直径、突出長さの異なるピン４を植設した模様付けロール５で連続的に押圧して凹凸模様６を形成することを特徴とするロックウールボードの表面模様付け方法にある。 - 特許庁

In the method of manufacturing the laminated wafer by laminating a wafer for active layer to wafer for support layer and then thinning the wafer for active layer, a terrace grinding for forming a terrace portion is carried out prior to a step of exposing the oxygen ion implanted layer while leaving an oxide film on a terrace portion of the wafer for support layer.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 酸素イオン注入層を露出させる工程に先立ち、テラスを形成するためのテラス研磨を行い、その際、支持層用ウェーハ上テラス部の酸化膜を残存させる。 - 特許庁

When the SiO_2 film 102 and a Zr implantation layer 103 are annealed subsequently, Zr ions implanted into the Zr implantation layer 103 are diffused and the SiO_2 film 102 and the Zr implantation layer 103 are entirely varied to produce a dielectric film 106 of Zr-Si-O (silicate) having a high dielectric constant.例文帳に追加

その後、ＳｉＯ_2 膜１０２及びＺｒ注入層１０３のアニール処理を行なうことにより、Ｚｒ注入層１０３内において注入されたＺｒが拡散して、ＳｉＯ_2 膜１０２及びＺｒ注入層１０３全体が、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｏ（シリケート）からなる比誘電率の高い高誘電体膜１０６に変化する。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device which includes an inverter circuit composed of a pMOS transistor and an n MOS transistor Q2, the threshold voltage of the transistor Q2 is made lower than the threshold of the transistor Q1 by setting the dosage of implanted ions to the units of elements and executing a multi-Vth process.例文帳に追加

ｐＭＯＳトランジスタＱ１とｎＭＯＳトランジスタＱ２で構成されるインバータ回路１を含む半導体集積回路装置において、注入イオンのドーズ量を素子単位に設定してマルチＶｔｈプロセスを実行することにより、トランジスタＱ２のしきい値電圧をトランジスタＱ１のしきい値電圧よりも低くする。 - 特許庁

Therefore, by performing ion implantation using a mask 180 in a second ion implantation process, an impurity ion is implanted into a region including the defective portion where the width of the offset region 114 is enlarged, to form the hole storage region 113 including a protruding region 113A to the transfer electrode 160A, 160B sides.例文帳に追加

そこで、第２のイオン注入工程によってマスク１８０を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域１１４の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極１６０Ａ、１６０Ｂ側へのはみ出し領域１１３Ａを有する正孔蓄積領域１１３を形成する。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device by forming a shallow trench isolation (STI) 12 on a silicon substrate 11 and forming a gate insulation film covering the corner part of the STI 12 in a region isolated by the STI 12, fluorine ions are implanted into a gate electrode 15 and diffused to the gate insulation film 14.例文帳に追加

シリコン基板１１上にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）１２を形成し、このＳＴＩ１２で分離された領域にＳＴＩ１２のコーナー部を覆うゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極１５にフッ素イオンを注入し、該フッ素イオンをゲート絶縁膜１４に拡散させる。 - 特許庁

A p^+-type base region 108, n^+-type emitter region 109, a gate insulating film 110, a gate electrode film 111, an interlayer insulating film 112, p^+-type collector layer 113, and an emitter electrode film 114, are formed on an implanted substrate 102 on which n^--type drift layer 106 and n^+-type buffer layer 107 are formed.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１０６及びＮ^＋型バッファ層１０７を形成した注入基板１０２に、Ｐ^＋型ベース領域１０８及びＮ^＋型エミッタ領域１０９、ゲート絶縁膜１１０、ゲート電極膜１１１、層間絶縁膜１１２、Ｐ^＋型コレクタ層１１３、エミッタ電極膜１１４を形成する。 - 特許庁

An objective RI beam selected from RI beams generated from an RI beam factory is implanted directly into a material such as a solution held by a material holding part 50 and stopped in the material, to thereby enable supply of an RI having a lifetime or a disintegration characteristic which is optimum for a utilization purpose relative to all the elements on a periodic table.例文帳に追加

ＲＩビームファクトリーによって発生させたＲＩビームの中から選別した目的とするＲＩビームを、材料保持部５０に保持された溶液等の材料中に直接打ち込み、材料中に停止させることにより、周期表上のすべての元素について利用目的に最適な寿命や壊変特性を有するＲＩの供給を可能にする。 - 特許庁