「Implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Indium ions are implanted using the gate electrode 102 as a mask for the formation of an amorphous layer, and arsenic ions are implanted using the gate electrode 102 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極１０２をマスクとしてインジウムをイオン注入してアモルファス層を形成した後、ゲート電極１０２をマスクとしてヒ素イオンをイオン注入する。 - 特許庁

Ions 15 are implanted upwards onto a silicon nitride film 2 into a polycrystalline silicon layer 3 to obtain an ion-implanted polycrystalline silicon layer 16.例文帳に追加

多結晶シリコン層３に対しシリコン窒化膜２越しに上方からイオン１５を注入することにより、イオン注入多結晶シリコン層１６を得る。 - 特許庁

In a method of manufacturing the marked semiconductor substrate, at least one of oxygen ions, nitrogen ions, and carbon ions are implanted nearby under the upper surface of the semiconductor substrate to form the marking consisting of an ion-implanted layer.例文帳に追加

半導体基板の表面下近傍に、酸素イオン、窒素イオンおよび炭素イオンの少なくとも1つのイオンを注入して、イオン注入層からなるマーキングを形成する、マーク付き半導体基板の製造方法。 - 特許庁

With a gate electrode 4 and an element isolation insulation film 2 as a mask, boron ions 5 are implanted to form a high concentration ion implanted layer 6 for extension.例文帳に追加

ゲート電極４及び素子分離絶縁膜２をマスクとして、ボロンイオン５をイオン注入して、高濃度エクステンション用イオン注入層６を形成する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in a piezoelectric single-crystal substrate 1 under prescribed conditions to form an ion-implanted layer 100 at a position of prescribed depth from one principal surface of the piezoelectric single-crystal substrate 1 (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate, hydrogen ions are implanted into a nitride-based semiconductor crystal 10 provided on a first substrate 20 to form a hydrogen ion implanted layer 13 in a low dislocation density region 12.例文帳に追加

第１の基板２０上に設けられた窒化物系半導体結晶１０に水素イオンを注入して、低転位密度領域１２内に水素イオン注入層１３を形成する。 - 特許庁

Nitrogen (N_2) ions are implanted into the nickel silicide region of an N channel MIS transistor, and boron difluoride (BF_2) ions are implanted into the nickel silicide region of a p-channel MIS transistor.例文帳に追加

ＮチャネルＭＩＳトランジスタのニッケルシリサイド領域に、窒素（Ｎ_2）イオンを注入し、ＰチャネルＭＩＳトランジスタのニッケルシリサイド領域に、二フッ化ホウ素（ＢＦ_2）イオンを注入する。 - 特許庁

Boron atoms are implanted by an accelerating voltage passing atoms through a nitride film 4 by using a resist film as a mask, and phosphorus atoms are implanted by an accelerating voltage which does not allow atoms to pass through the nitride film 4.例文帳に追加

レジストをマスクに、ボロン原子を窒化膜４を貫通する加速電圧でイオン注入を行い、また、リン原子を窒化膜４を貫通しない加速電圧でイオン注入を行いう。 - 特許庁

At first, ions are implanted in the source/drain precursor 165a with low acceleration energy, and then ions are implanted in the channel precursor 161a with high acceleration energy.例文帳に追加

まず低加速エネルギーでソース・ドレイン前駆体１６５ａにイオン注入し、次に、高加速エネルギーでチャネル前駆体１６１ａにイオン注入する。 - 特許庁

Specifically, when threshold control ions are implanted in a channel region, impurities having concentration different from a memory cell or impurities having different conductivity types are ion implanted.例文帳に追加

具体的には、チャネル領域へのしきい値制御用イオン注入を行なう際に、メモリセルと異なる不純物濃度に、又は異なる導電型の不純物をイオン注入する。 - 特許庁

For example, the subcutaneously implanted access port 10 can be provided and at least one feature of the subcutaneously implanted access port 10 can perceived.例文帳に追加

例えば、皮下に埋め込まれたアクセスポート１０を提供することができ、皮下に埋め込まれたアクセスポート１０の少なくとも１つの特徴を知覚できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device reducing the thickness reducing amount of an ion-implanted layer or an ion-implanted region.例文帳に追加

イオン注入された領域であるイオン注入層の厚みの除去量を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Indium ions are implanted into a TiN film 10 which is the gate electrode on the condition that they do not reach the gate insulation film 9, to form an In ion implanted layer 12 in the TiN film 10.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９に達しない条件で、ゲート電極であるＴｉＮ膜１０中にインジウムイオンを注入し、ＴｉＮ膜１０中にＩｎイオン注入層１２を形成する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into an SiC substrate 11 in a multistage manner, by which an implanted layer 12 having several concentration peaks of impurity ion is formed in the SiC substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１内に不純物イオンを多段階で注入して、ＳｉＣ基板１１内に不純物濃度のピークが複数個形成された注入層１２を形成する。 - 特許庁

The element ion larger than Si is implanted to the contact liner 513 in a P-channel region 202 to break the connection of the constituent atoms, and then oxygen or the like is ion-implanted.例文帳に追加

Ｐチャネル領域２０２内のコンタクトライナー５１３にＳｉより大きな元素イオンを注入して構成原子の結合を切断後、酸素などをイオン注入する。 - 特許庁

The oxygen ions 16b implanted directly into the substrate reaches deep region of substrate, and oxygen ions 16a implanted via the mask pattern are located in the region near the substrate surface.例文帳に追加

直接基板内へ注入する酸素イオン１６ｂは、基板深部に達し、マスク・パターンを介して注入された酸素イオン１６ａは基板表面近傍に位置する。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁

The release film comprises a substrate film 1 the surface of which an ion-implanted layer is formed by plasma-based ion implantation and a release layer formed on the ion-implanted layer of the substrate film.例文帳に追加

プラズマイオン注入法により、表面部にイオン注入層が形成された基材フィルムと、該基材フィルムのイオン注入層上に形成された剥離層とを有することを特徴とする剥離フィルム。 - 特許庁

In the case phosphorus is to be doped to the pixel part, initially phosphorus is ion implanted into all regions without any mask and subsequently boron is ion implanted into all parts except the pixel part by arranging the mask.例文帳に追加

また、画素部にリンをドープする場合には、最初マスクなしで全面にリンをイオン注入後、マスクを配置して画素部以外にボロンをイオン注入後する。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an Si substrate 1, the SiGe layer SG formed on the surface of the substrate 1, and an implanted region 1a, into which hydrogen ions or helium ions are implanted near the surface of the substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板上のＳｉＧｅ層ＳＧとを備え、前記Ｓｉ基板表面近傍に、水素イオンあるいはヘリウムイオンが注入された注入領域１ａを有する。 - 特許庁

Then, the ion-implanted layer 13a of the wafer 21 for the activated layer is laminated together with the ion-implanted layer 13b of the wafer 22 for support.例文帳に追加

そして、活性層用ウェーハ２１のイオン注入層１３ａを貼り合わせ面として、支持用ウェーハ２２のイオン注入層１３ｂに貼り合わせる。 - 特許庁

In this grinder, cotton fibers are implanted on a surface side of a base cloth, and vertical grooves and horizontal grooves are formed in the face with the cotton fibers implanted in a lattice-like manner.例文帳に追加

ベース布の表面側に綿繊維が植設されていると共に綿繊維を植設した面内に縦溝及び横溝が格子状に形成されている研磨盤を使用した。 - 特許庁

It is preferable, as needed, that the energy of the ion beam is varied, a mask is used, the ion beam or the optical fiber is turned, ions are implanted from a plurality of directions or a plurality of kinds of ions are simultaneously implanted.例文帳に追加

必要に応じて、イオンビームのエネルギーを変化させたり、マスクを用いたり、イオンビームまたは光ファイバを回転させたり、複数の方向からイオンを注入したり、複数種のイオンを同時に用いたりしても好ましい。 - 特許庁

An extension region 17 is formed, where P-type impurity ions is vertically implanted into the Si substrate 12, and a first pocket region 18 is formed, where N-type impurity ions is implanted.例文帳に追加

ほぼ垂直方向からＳｉ基板１１にＰ型不純物イオンが注入されたエクステンション領域１７、Ｎ型不純物イオンが注入された第１ポケット領域１８を形成する。 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into the cathode surface side of the N--type semiconductor substrate 45, by which an ion-implanted layer 23 which is gradually decreased in thickness as it approaches the periphery of the substrate 45 is formed (S3a).例文帳に追加

その後、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側にイオンを注入して、前記ｎ^-型半導体基板４５の外周側に近づくに連れて厚さの薄いイオン注入層２３を形成する(Ｓ３ａ)。 - 特許庁

A peeling ion-implanted layer 4 is formed in a bonded wafer 1 and another ion-implanted layer 6 for stopping etching is formed in the wafer 1 at a position shallower than that of the layer 4.例文帳に追加

ボンドウェーハ１に対し剥離用イオン注入層４を形成し、さらに該剥離用イオン注入層４よりも浅い位置にエッチストップ用イオン注入６層を形成する。 - 特許庁

First element ions are implanted into a dose area of a polysilicon semiconductor film, and then a second element which is heavy and gives no influence to potential is implanted thereto.例文帳に追加

注入イオンを第１元素として、この第１元素のイオンを注入するポリシリコン半導体膜のドーズ領域に、重くかつ電荷に影響のない第２元素を注入する。 - 特許庁

To provide a nucleus-implanted egg that is a nucleus-implanted egg having 2 haploid genome sets derived from mammal ova and shows excellent production efficiency of adults.例文帳に追加

本発明の目的は、哺乳動物の卵子由来の半数ゲノムを２セット有する核移植卵であって、成体の作出効率に優れた核移植卵を提供することにある。 - 特許庁

Then, arsenic ions are implanted with a POS side masked with a resist, while boron ions are implanted with an NMOS side masked with a resist, and thermally processed for diffusing impurities in a gate/drain region and gate electrode.例文帳に追加

そして、ＰＭＯＳ側をレジストでマスクしてヒ素イオンを注入し、ＮＭＯＳ側をレジストでマスクしてホウ素イオンを注入し、熱処理して、ゲート／ドレイン領域及びゲート電極の不純物を拡散する。 - 特許庁

With photoresist 6 being a mask, a first conductivity type impurity is ion-implanted in a separated implanted region of a silicon layer 3 to form an impurity region having higher impurity concentration than a channel region.例文帳に追加

フォトレジスト６をマスクとして、シリコン層３の分離注入領域に第１導電型の不純物をイオン注入しチャネル領域よりも高い不純物濃度を有する不純物領域を形成する。 - 特許庁

Kind and density of the ion to be implanted are selected such that it compensates for a dopant in a ground layer material to cause the ground layer material to be insulative in an area where the implanted ion of substantial density develops.例文帳に追加

注入されるイオンは、グランド層物質内のドーパントを補償して、十分な濃度の注入イオンが生じる領域内において、グランド層物質を絶縁性にするように、種類と濃度が選択される。 - 特許庁

To provide an ion implantation method which enables a reduction of an amount of ions implanted under a conductive film of an electrode or the like and variations in the implanted position independently of employment of oblique ion implantation.例文帳に追加

斜めイオン注入を行うにも拘わらず、電極等の導電膜下に注入されるイオンの量や注入位置のばらつきを低減する。 - 特許庁

After that, a diamond semiconductor thin film 15 is obtained (Fig.5(f)) by activating ion-implanted impurities by annealing (Fig.5(e)) a diamond thin film 13 in which two kinds of ions are implanted.例文帳に追加

その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 - 特許庁

Accordingly, when ions for forming the source/drain region of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor are implanted, the ions can be implanted into the active region 7 that is further inside than the width W_U2 of the upper electrode 22.例文帳に追加

そのため、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入の際に、上部電極２２の幅Ｗ_U2よりも内側の活性領域７にも、イオンを注入可能である。 - 特許庁

Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2.例文帳に追加

そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

In the case a small quantity of boron is to be doped also to the pixel part, initially boron is ion implanted into all regions without any mask and subsequently it is ion implanted into all parts except the pixel part by arranging the mask.例文帳に追加

また、画素部にも少しボロンをドープする場合には、最初にマスクなしで全面にボロンをイオン注入後した後、マスクを配置して画素部以外にボロンをイオン注入する。 - 特許庁

When the RFID tag 1 for the biological implantation is implanted in the living body, the inlet portion 10 is implanted in a subcutaneous tissue layer 53 to project most of the auxiliary antenna 30 to the outside of the living body.例文帳に追加

生体植込用ＲＦＩＤタグ１を生体に植え込むと、インレット部１０が皮下組織層５３に植え込まれ、補助アンテナ３０の大部分が生体外へ突き出る。 - 特許庁

Impurities are implanted into the first portion 11, gate electrodes 71 and 72 are formed on the first portion 11 and second portion 12, and impurities are implanted into the second portion 12.例文帳に追加

不純物を第１部分１１に注入し、第１部分１１及び第２部分１２上にゲート電極７１、７２を形成し、不純物を第２部分１２に注入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An n type ion is implanted to a memory cell transistor 110 in an on-state, and a p type ion is implanted to at least a part of a memory cell transistor 120 in an off-state.例文帳に追加

オン状態のメモリセルトランジスタ１１０にｎ型イオンが注入されており、オフ状態のメモリセルトランジスタ１２０の少なくとも一部にｐ型イオンが注入されている。 - 特許庁

In addition, since the threshold controlling ion-implanted layer 6 and n-type ion-implanted layer 5 are formed continuously with the same conductivity, the occurrence of a potential barrier in the channel of the transfer transistor can be prevented.例文帳に追加

また、しきい値制御イオン注入層６をｎ型イオン注入層５と同じ導電型で連続して形成することにより、転送トランジスタのチャネルにおいてポテンシャルバリアの発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a method and device for producing fiber-implanted steel sheet capable of stably mass-producing a fiber-implanted steel sheet with desired external appearance quality and bending property in an industrial scale.例文帳に追加

所望の外観品質や曲げ加工性を有する植毛鋼板を、工業的規模で安定して量産することができる植毛鋼板の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface.例文帳に追加

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

A titanium film 4 and a titanium nitride film 5 are formed in order on the inner surface of a contact hole 3, and germanium ions are implanted in the film 5 on the sidewall of the hole 3 to reduce the film thickness of this ion-implanted part of the film 5.例文帳に追加

コンタクトホール３の内面にチタン膜４及び窒化チタン膜５を順次形成し、コンタクトホール３の側壁の窒化チタン膜５に対し、ゲルマニウムイオンを注入してこの部分の膜厚を縮小させる。 - 特許庁