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Lift-Off Methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 207件
To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element, for increasing efficiency of a hard bias by performing ion milling after lift-off after formation of a hard film in the forming process of the magnetoresistance effect element, and processing the hard film tip part near the uppermost layer of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加
本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、より詳細には磁気抵抗効果素子の形成過程においてハード膜成膜後のリフトオフを行った後にイオンミリングを行い、磁気抵抗効果素子の最上層近辺のハード膜先端部分を加工することによりハードバイアスの効率を高めた磁気抵抗効果素子を製造する方法に関するものである。 - 特許庁
To provide a stress measurement method and a stress measuring apparatus for more accurately measuring stress by excluding the influence of residual stress and lift-off and bringing the relationship between a measurement value outputted from a magnetic anisotropy sensor and the stress of an object to be measured closer to a linear relation in stress measurement using the magnetic anisotropy sensor.例文帳に追加
磁気異方性センサを用いた応力測定において、残留応力及びリフトオフの影響を排除しつつ、磁気異方性センサから出力される測定値と被測定物の応力との関係をさらに線形に近付けて、より正確な応力測定を行うことができる応力測定方法及び装置を提供する。 - 特許庁
In the method by which fine wiring is formed through a lift-off process, a deposited-film removing process is performed one or more times in the course of forming a thin film composed of a wiring material on a substrate 1 for widening the planar area of the opening 3 of a resist pattern 2 by partially or wholly removing a film 7 deposited on a resist pattern 2.例文帳に追加
リフトオフプロセスにより、微細配線を形成する方法において、基板1上に配線材料からなる薄膜を形成する成膜工程の途中に、レジストパターン2上の堆積膜7の一部又は全部を除去してレジストパターン2の開口部3の平面面積を広くする堆積膜除去工程を一回以上実施する。 - 特許庁
To provide an eddy current measuring sensor and an eddy current measurement method with which a hardened depth measurement test can be conducted with high detection accuracy even when inspecting a high-frequency hardened component with a widely changing outer diameter or a recessed part, and measurement accuracy can be improved by eliminating influence of lift-off at the measurement of the hardened depth.例文帳に追加
外径が大きく変化したり、凹部を有したりするような高周波焼入れ部品を検査する場合であっても高い検出精度で焼入れ深さ測定試験を行うことができ、また、焼入れ深さの計測にあたってリフトオフの影響を排除することで計測精度を向上させることが可能となる、渦流計測用センサ及び渦流計測方法を提供する。 - 特許庁
By physically and electrically separating the conductor layer 5 by the segmented partition wall 4 and forming the electric circuit which is made of electric wiring and electrode pads such as signal wiring and ground wiring, a lift-off method and etching are not required after forming the optical waveguide 6 in order to form the electric circuit and the electric circuit is formed without damaging the optical waveguide 6.例文帳に追加
導体層5が分断隔壁4によって物理的にかつ電気的に分断されることによって信号配線やグランド配線等の電気配線や電極パッドからなる電気回路が形成されるので、電気回路の形成のために光導波路6を形成した後にリフトオフ法やエッチングを用いる必要がなく、従って、光導波路6にダメージを与えることなく電気回路を形成することができる。 - 特許庁
This method includes the steps for: forming an etching mask extending in a predetermined direction on a second semiconductor region 30 of a substrate product 10A having first and second semiconductor regions 20, 30 including an InP based compound semiconductor; forming a stripe mesa structure 40 by performing dry etching using an etching mask, and then performing wet etching; forming an insulation film 42; and forming an electrode 50 by the lift-off method.例文帳に追加
この方法は、InP系化合物半導体を含む第1及び第2の半導体領域20,30を有する基板生産物10Aの第2の半導体領域30上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを用いてドライエッチングを行い、その後にウェットエッチングを行うことによりストライプメサ構造40を形成する工程と、絶縁膜42を形成する工程と、リフトオフ法により電極50を形成する工程とを備える。 - 特許庁
The manufacturing method of a metallic material layer has a process for forming a resist layer on a substrate, a process for forming a resist pattern by patterning the resist layer, a process for disposing an organic metallic solution on the substrate and on the resist pattern, a solvent removal process for removing solvent of the organic metallic solution, and a lift-off process for removing the resist pattern after the solvent removal process.例文帳に追加
本発明の一つの側面は、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程とを有する金属材料層の製造方法にある。 - 特許庁
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