「Lift-Off Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

As the conductive layer 7 is formed on the whole face of the substrate and then the conductive layer 7 in the vicinity of the bonding pad section 8 is removed by a lift-off method, it is possible to surely remove the conductive layer 7 in a simple making method.例文帳に追加

また、基板全面に導電層７を形成した後、リフトオフ法によりボンディングパッド部８周辺の導電層７を除去するため、ボンディングパッド部８周辺の導電層７を簡易な製法で確実に除去できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electron source in which the lower electrode can be patterned in cross-sectionally trapezoidal shape and the yield of manufacture can be made greater compared with the case of patterning the lower electrode using a lift-off method.例文帳に追加

下部電極を断面台形状の形状にパターニングすることができ且つリフトオフ法を利用して下部電極をパターニングする場合に比べて製造歩留まりを高めることができる電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent thin-film electrode capable of preventing a transparent conductive film from reduction of film thickness and increase of resistance, and realizing the transparent thin-film electrode with high precision and high quality even when a lift-off method is applied.例文帳に追加

透明導電膜の膜厚減少や高抵抗化を防止でき、リフトオフ法を用いた場合でも高精細で高品質な透明薄膜電極を実現可能な透明薄膜電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an EL element which has a luminous layer containing quantum dots and in which the luminous layer can be patterned stably by a lift-off method, and which has good life characteristics.例文帳に追加

本発明は、量子ドットを含有する発光層を有し、リフトオフ法により発光層を安定してパターニングすることが可能であり、寿命特性が良好なＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element comprising processes for providing a lift-off layer including at least a crystal defect or void on a substrate; providing a layer made of a nitride semiconductor on the lift-off layer; and separating the substrate from the layer made of the nitride semiconductor.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法であって、基板上に結晶欠陥または空隙の少なくともいずれかを含んだリフトオフ層を設ける工程と、前記リフトオフ層の上に窒化物系半導体からなる層を設ける工程と、前記基板と前記窒化物系半導体からなる層とを分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁

To provide a waveguide type optical modulator with high performance which has its dc drift suppressed and is superior in long-period reliability by suppressing the contamination of a buffer layer when a signal electric field adjustment area is formed in the buffer layer by a lift-off method or etching method.例文帳に追加

バッファ層に信号電界調整領域などをリフトオフ法やエッチング法で形成する場合のバッファ層の汚染を抑制し、ｄｃドリフトが抑えられ長期信頼性に優れた高性能の導波路型光変調器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring an eddy-current type nonmagnetic metal film thickness which can improve the accuracy of measuring a plate thickness in the case of lift-off, and to provide an apparatus for measuring the same for performing the method.例文帳に追加

本発明は、リフトオフ時の板厚の測定精度をさらに向上することができる渦電流式非磁性金属膜厚測定方法及びそれを実施するための渦電流式非磁性金属膜厚測定装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of forming an electrode for a semiconductor device capable of preventing occurrence of galvanic corrosion and precisely forming a micro-electrode when forming a micro-electrode with a lift-off method using an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜を用いたリフトオフ法によって微細な電極を形成する場合に、電食反応の発生を防ぐことができ、非常に微細な電極を正確に形成することができる半導体装置用電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing and patterning nanowire stably at high temperature using a new material that can overcome a problem of instability of conventional lift off material at high temperature.例文帳に追加

従来のリフトオフ材料が持っている高温での不安定性の問題を克服することができる新規材料を利用して、高温で安定してナノワイヤを成長及びパターニングすることができる方法を提供する。 - 特許庁

An inventive anti-oxidation film S is formed on a second metal layer 106c of gold (Au) having a thickness of about 200 nm and located above a p-type contact layer 105b by lift-off method employing photolithography.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１０５ｂの上方に位置する金（Ａｕ）から成る膜厚約２００ｎｍの第２金属層１０６ｃの上には、フォトリソグラフィーを用いたリフトオフ法にしたがって、本発明の酸化防止膜Ｓを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern-like thin film layer which has a mask layer material having a high heat resistance by a lift-off process and has a good stripping property, while preventing generation of a decomposed gas at its processing temperature upon formation of the thin film.例文帳に追加

マスク層材料の耐熱性が高く、又薄膜形成時の処理温度下での分解ガスの発生もなく、さらに、剥離性が良好なリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing process, after source and drain electrodes 16a, 16b of an FET are formed, a gate electrode 18a of the FET and the lower electrode 18b of the MIM capacitor are simultaneously formed by a lift-off method.例文帳に追加

製造工程において、ＦＥＴのソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂを形成した後に、リフトオフ法によりＦＥＴのゲート電極１８ａとＭＩＭキャパシタの下側電極１８ｂとを同時に形成する。 - 特許庁

To provide a method of surface treating a substrate which can remove organic residues, such as a release solution and a resist residue, etc. effectively without giving a damage to a compound semiconductor exposed after resist lift-off by the release solution.例文帳に追加

剥離液によるレジストリフトオフ後に露出した化合物半導体にダメージを与えることなく、剥離液やレジスト残渣等の有機残留物を効果的に除去できる基板表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting element not impeding emission of a generated gas and preventing generation of cracks and the like in a grown semiconductor layer when removing a substrate for growth by an LLO (Laser Lift Off) method, and the semiconductor light emitting element manufactured by the method.例文帳に追加

ＬＬＯ法による成長用基板の除去の際に、発生ガスの放出を妨げず且つ半導体成長層におけるクラック等の発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The ferromagnetic thin membrane layer 15 has 0.5-50 oersted coercive force, may have a squareness ratio regulated so as to be 0.7-1.0, may be formed into the pattered one by a thin film-removing means such as a laser processing method, an etching method and a lift-off method, and further may have a bar code mark formed by patterning.例文帳に追加

上記強磁性薄膜層１５は、保磁力が０．５〜５０エルステッドで、かつ角型比が０．７〜１．０に調整されているようにでき、レーザ加工法、エッチング法、リフトオフ法等の薄膜除去手段によりパターン化されたものとすることができ、また、バーコードマークをパターン化して設けることができる。 - 特許庁

To provide a circuit board for high frequencies that forms a circuit pattern by a lift-off method even if a fluorocarbon-based resin is used to a substrate material, imparts an easy, accurate circuit pattern in multilayer structure, and has superior productivity; and also to provide a method for manufacturing the circuit board for high frequencies.例文帳に追加

基板材料にフッ素系樹脂を用いてもリフトオフ法による回路パターン形成が可能で、容易に高精細でかつ多層構造の回路パターン部を持たせることもでき、量産性に優れた高周波用回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an eddy current flaw detection probe, an eddy current flaw detection device, and an eddy current flaw detection method for performing flaw detection of a defect inside a capillary, and eliminating an error resulting from lift-off of a probe included in a flaw detection signal.例文帳に追加

細管内面の欠陥を探傷することができると共に、探傷信号に含まれるプローブのリフトオフに起因する誤差をなくすことができる渦流探傷プローブ、渦流探傷装置、及び渦流探傷方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the thickness of an RIE(reactive ion etching) resist film within a specific range by forming a metallic pattern having a high RIE resistance on an organic film by the lift off method, and performing RIE on the organic film by using the metallic pattern as a resist.例文帳に追加

反応イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etchting）を用いて、多層配線基板の有機膜パターンを作製する上で、金属膜をＲＩＥレジストにする場合に、基板とのアライメントをとることができる有機膜パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor in which a gate electrode and a source drain electrode are formed with high alignment precision and the source-drain electrode is patterned with high precision without performing a lift-off step.例文帳に追加

ゲート電極とソース・ドレイン電極を高いアライメント精度で形成することができるとともに、リフトオフ工程を行うことなくソース・ドレイン電極を高い精度でパターニングすることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the lift-off of terminals for connection when mounting, on a mount circuit board, an electronic component package which can respond to the reduction in size and to higher integration, with respect to a thin-film multilayer wiring board, and the electronic component package, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

薄膜多層配線基板、電子部品パッケージ、及び、電子部品パッケージの製造方法に関し、小型化・高集度化に対応できる電子部品パッケージを実装回路基板に実装する際に接続用端子の剥離を防止する。 - 特許庁

To provide a method for patterning source/drain electrodes and an active layer by etching without using any lift-off methods in the case of a material having properties capable of etching with at least the same type of etchant.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極と活性層が、少なくとも同じ種類のエッチャントによってエッチング可能な性質を有する材料である場合において、リフトオフ法を使用せず双方をそれぞれエッチングによってパターニングする方法を提供する。 - 特許庁

The laser lift-off method peels a crystal layer formed on a substrate by irradiating the crystal layer with laser beams from the substrate side, and laser beams are irradiated in an elliptical shape.例文帳に追加

本発明による方法は、基板上に形成された結晶層に該基板側からレーザー光を照射することにより該結晶層を剥離するレーザーリフトオフ法であって、該レーザー光を楕円形にして照射することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming a low-resistance metallic semiconductor contact with an excellent reproducibility and excellent adhesive properties, by using a lift-off method proper to the formation of a fine pattern without an oxidation process and a heat treatment process; and to provide the semiconductor device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

酸化工程や熱処理工程を行うことなく、微細パターン形成に適したリフトオフ法を用いて低抵抗金属半導体接触を密着性良く、かつ再現性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of a patterned passivation film for preventing deterioration of an organic EL element caused by permeation of moisture from an ambient environment includes processes of: forming a patterned film for lift-off on the organic EL element; forming the passivation film after that; and separating the film for lift-off along with a part of the passivation film present on top of it.例文帳に追加

周囲環境から水分の浸透による有機ＥＬ素子の劣化を防止するためのパターンニングされたパッシベーション膜の製造方法であって、上記有機ＥＬ素子にパターニングされたリフトオフ用フィルムを形成する工程と、その後のパッシベーション膜を形成する工程と、上記リフトオフ用フィルムをその上に存在する上記パッシベーション膜の一部とともに剥離する工程と、を含んでなるパターニングされたパッシベーション膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for measuring the thickness of a solidified shell which can measure the thickness of a casting billet by non-contact measurement of a transmission signal of the ultrasonic wave for the casting billet with a sufficient lift-off without a complicated mechanism.例文帳に追加

複雑な機構を伴わずに、十分なリフトオフで鋳片に対して非接触に超音波の透過信号を計測し、鋳片の厚みを測定することが可能な凝固シェル厚測定方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a pattern formation method capable of preventing occurrence of a short circuit failure even when a resist layer as a lift-off layer is separated from a base insulation film by generation of film stress, and an unnecessary metal film adheres to its exposure part.例文帳に追加

本発明の課題は、膜応力の発生により、リフトオフ層としてのレジスト層が下地絶縁膜から剥離し、その露呈部分に不要な金属膜が付着してもショート不良になることを防止できるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor light-emitting element capable of forming a high-luminance nitride semiconductor light-emitting element without any deterioration without damaging a light emitting region, when forming a separation groove for separating chips and that for laser lift-off.例文帳に追加

チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝を形成する場合に、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子を形成することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Although Fig is not shown, but thereafter metal is deposited through the resist mask 12 by a vapor deposition method; and the metal located higher than the resist mask 12 is removed by a lift-off process to form the standard sample, wherein the recess parts of the silicon substrate 10 have been filled with the metal.例文帳に追加

図示を省略するが、その後、レジストマスク１２の上から蒸着法によりメタルをデポジションし、リフトオフプロセスにより、レジストマスク１２より上のメタルを除去し、シリコン基板１０の窪み部にメタルが埋め込んだ標準サンプルを形成する。 - 特許庁

To provide a nondestructive inspecting device capable of stably evaluating a near-side crack, a far-side crack, and an internal crack at relatively low cost in a short time and miniaturizing and lightening itself while eliminating the influence of lift-off by using a method of a magnetic potentiometer.例文帳に追加

磁位差計の手法を用いることにより、リフトオフの影響をとり除くことができるとともに、ニヤサイド亀裂、ファーサイド亀裂及び内部亀裂を比較的低コストかつ短時間で安定して評価できる小型軽量化が可能な非破壊検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for flow soldering on a mounting board (i.e., insertion mounting component), by using a lead-free solder which can significantly reduce any opportunity of lift-off effect and ensure higher reliability of a connecting section.例文帳に追加

リフトオフという現象が生じるのを著しく低減し、しかも接続部の高信頼性を確保できるようにした鉛フリーはんだを使用して実装基板（挿入実装部品）へのフローはんだ付けを行う方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element capable of preventing foreign matters such as metal materials from adhering while preventing occurrence of cracks in a semiconductor growth layer when the growth substrate on which convexoconcave patterns are formed, is removed by the laser lift-off method, and to provide the semiconductor light-emitting element manufactured by the method.例文帳に追加

凹凸パターンが表面に形成された成長用基板をレーザリフトオフ法によって除去の際に、金属材料等の異物の付着を防止しつつ、半導体成長層におけるクラックの発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a semiconductor film on a substrate 1, forming a P-side electrode 10, for instance, on which an Au and Al are deposited one by one on the semiconductor film, depositing an insulating film 11, and removing the electrode 10 and the film 11 by a lift-off method.例文帳に追加

基板１上に半導体膜を形成する工程と、該半導体膜上に例えばＡｕおよびＡｌが順に積層されたＰ側電極１０を形成する工程と、絶縁膜１１を堆積する工程と、リフトオフによってＰ側電極１０、絶縁膜１１を除去する工程を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device preventing a semiconductor film from being damaged in peeling a substrate for growth by using a laser lift-off method and preventing adhesion of a foreign material to the semiconductor film with ablation of a resin material in a resin-embedded type semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

樹脂埋め込み型の半導体発光装置において、レーザリフトオフ法を用いて成長用基板を剥離する際の半導体膜へのダメージを防止し、更に樹脂材料のアブレーションに伴う半導体膜への異物の付着を防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal film 76 on a gate made of Au is formed at the opening of the mask 78 by the lift-off method, a WSi film 71a is subjected to patterning with the metal film 76 on the gate as a mask, and a gate electrode 71 made of WSi is formed right above the p-type region 90.例文帳に追加

マスク７８の開口部に、リフトオフ法によりＡｕからなるゲート上金属膜７６を形成し、ゲート上金属膜７６をマスクとしてＷＳｉ膜７１ａをパターニングして、ｐ型領域９０の直上にＷＳｉからなるゲート電極７１を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element of high luminance without deterioration, in which electrodes are oppositely installed, separation grooves for chip separation and laser lift-off are formed by etching, and a light emitting region is not damaged, and also to provide a manufacturing method of the light emitting element.例文帳に追加

電極が対向して設けられるとともに、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する窒化物半導体発光素子であっても、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a soldering device for mounting an insertion-type electronic component on a substrate by using a lead-free soldering material, and a soldering method of the substrate excellent in the reliability of connection between the electronic component and the substrate by reducing the generation of lift-off and the generation of a shrinkage cavity.例文帳に追加

鉛フリーのはんだ材料を用いて挿入タイプの電子部品を基板に実装するためのはんだ付け方法およびはんだ付け装置であって、リフトオフの発生と引け巣の発生を低減して電子部品と基板の接続の信頼性に優れた基板のはんだ付け方法を提供する。 - 特許庁

The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.例文帳に追加

（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁

To provide a turning fork type bent crystal oscillating element for suppressing a CI value to a conventional one or smaller, and improving the releasability of an electrode film with a lift-off method, and to provide a crystal resonator and a crystal quartz oscillator mounted with the same.例文帳に追加

本発明の目的は、ＣＩ値を従来以下に抑え、且つリフトオフ法による電極膜の剥離性の向上した音叉型屈曲水晶振動素子、及び、その音叉型屈曲水晶振動素子を搭載した水晶振動子や水晶発振器を提供することにある。 - 特許庁

The organic EL display device is provided with a substrate, a first electrode formed on the substrate, one or more organic layers at least involved in luminescent function, and a second electrode formed on the organic layer, and it is so structured in the manufacturing method that at least one of the above layers is formed by a method of application and patterned by a lift-off method.例文帳に追加

基板と、この基板上に形成された第１の電極と、少なくとも発光機能に関与する１種類以上の有機層と、この有機層上に形成された第２の電極とを有し、前記有機層の少なくとも１層が塗布法により形成され、かつリフトオフ法によりパターニングされている構成の有機ＥＬ表示装置および製造方法とした。 - 特許庁

In manufacturing the chip for the high frequency circuit in which an interconnection pattern 2 is arranged on a substrate 1 with a through hole 7, (a) an electrode 7a for conduction of the through hole 7 is formed by filling and sintering a conductive paste in a through hole 11 and (b) an interconnection pattern 2 is formed using a lift-off method as well.例文帳に追加

スルーホール７を備えた基板１に配線パターン２が配設された高周波用回路チップを製造するにあたって、(ａ)スルーホール７の導通用電極７ａを、貫通孔１１に導電性ペーストを充填、焼成することにより形成するとともに、(ｂ)配線パターン２を、リフトオフ法により形成する。 - 特許庁

In the membrane washing method, membrane washing particles 4 in which each surface is hydrophilized, and has ruggedness of ≥100 μm are charged inside a bioreaction tank 1, are made to flow by the air lift effect of bubbles jetted from a diffuser 3, and are made to scratch off depositions on the surface of a separation membrane element 2.例文帳に追加

請求項１の発明は、表面が親水化されており、表面の凹凸が１００μｍ以上である膜洗浄粒子４を生物反応槽１中に投入し、散気装置３から噴出する気泡のエアリフト効果により流動させ、分離膜エレメント２の表面の付着物を掻き取らせる。 - 特許庁

A lift-off method is used, soft magnetic thin films 1a are formed by a patternization process, a magnetic field neutral film forming process and an unnecessary part removal process and moreover, by repeating these processes once more, soft magnetic thin films 1b are formed, and a closed magnetic circuit thin film magnetic core 1 consisting of the soft magnetic thin films having an uniaxial anisotropy is formed.例文帳に追加

リフトオフ法を用い、パターン化、磁場中成膜、不要部分の除去の工程により、軟磁性薄膜１ａを形成し、さらにこれらの工程をもう１回繰り返すことにより、軟磁性薄膜１ｂを形成し、一軸異方性を有する軟磁性薄膜からなる閉磁路薄膜磁心１を形成する。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A resist pattern 5 is formed on a thin-film electrode (interconnection) 3, a resist residue which remains on the surface of the electrode 3 and a resist residue which is put into the inside of the electrode 3 are removed, and the thin-film interconnection 7 is formed by the lift-off method on the surface of the electrode 3 from which the resist residue has been removed.例文帳に追加

厚膜電極（配線）３上にレジストパターン５を形成した後、厚膜電極３の表面に残留するレジスト残渣及び厚膜電極３の内部に入り込んだレジスト残渣を除去し、レジスト残渣が除去された厚膜電極３の表面に、リフトオフ法により薄膜配線７を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the surface acoustic wave device, first electrode layers 2a on the electrode pad are formed on the piezoelectric substrate 1 through etching operation; after the layers 2a have been formed, electrodes 5a for a surface acoustic wave element are formed by the lift-off method; and an electrode film which comprises second electrode layers 7a and wiring electrodes 7a on the electrode pad are formed.例文帳に追加

圧電基板１上に電極パッドの第１の電極層２ａをエッチングにより形成し、第１の電極層２ａを形成した後に、弾性表面波素子用電極５ａをリフトオフ法により形成し、しかる後電極パッドの第２の電極層７ａ及び配線電極７ｂを有する電極膜を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 - 特許庁