「Lift-Off Method」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time of forming the soft magnetic thin film 6, the thin film is formed by a lift-off method by using a resist film 48 which is to be an inverted taper shape at an opening.例文帳に追加

また、この軟磁性薄膜６を形成する際には、開口部で逆テーパー型となるレジスト膜４８を用いて、リフトオフ法により形成する。 - 特許庁

In a method for fabricating a vertical light emitting device, separation or lift-off of a substrate 10 from a light emitting diode structure formed on the substrate 10 is facilitated by forming voids 13' at the interface between the substrate 10 and the light emitting diode structure where the separation or lift-off occurs.例文帳に追加

垂直型発光素子の製造方法において、基板１０とＬＥＤ構造のインターフェースが分離するまたは剥離するところに隙間１３’を形成することで、基板１０を該基板１０に形成されたＬＥＤ構造から容易に分離または剥離できるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head, wherein when formation of a narrow pattern exceeding a limit of resolution of an imaging layer is required, a lift-off resist of a narrow pattern is applied and an angle of an end part of a GMR film is made steep so as to be ≥45° by a lift-off method to form a GMR element.例文帳に追加

イメージング層の解像度の限界を超える狭いパターンを形成する必要がある場合に、狭いパターンのリフトオフレジストを適用し、リフトオフ方法によって,ＧＭＲ膜端部の角度を４５度以上に急峻にして、ＧＭＲ素子を作成する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the field emission element, an emitter 50a is formed by a lift-off method and a separation layer 70 for preventing reaction is formed between a sacrifice layer 60 for emitter patterning and an emitter substance.例文帳に追加

リフトオフ法によってエミッタ５０ａを形成し、エミッタパターニングのための犠牲層６０と、エミッタ物質との間にこれらの間の反応を防止する隔離層７０とを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring of a display device in which an upper layer of metal wiring is completely covered with a wiring protective film in the case the metal wiring is formed with a lift-off method.例文帳に追加

リフトオフ法により金属配線を形成する場合において、金属配線の上層を配線保護膜で完全に被覆する表示装置の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF PRINTED CIRCUIT BOARD INCORPORATING THIN FILM CAPACITOR HAVING DIELECTRIC THIN FILM USING LASER LIFT-OFF, AND PRINTED CIRCUIT BOARD INCORPORATING ITS THIN FILM CAPACITOR MANUFACTURED BY THIS METHOD例文帳に追加

レーザリフトオフを用いた誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板の製造方法、及びこれから製造された薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板 - 特許庁

To provide a resist removing agent for lift-off which can peel off and remove an overhanging resist pattern on a substrate in a short time, and which does not corrode a metal film and a method for manufacturing an electronic device using the same.例文帳に追加

基板上のオーバーハング状のレジストパターンを短時間で剥離、除去でき、しかも金属膜を腐食させないリフトオフ用レジスト除去剤、及び、該除去剤を用いた電子デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents a compound semiconductor layer from cracking as a result of an internal stress of the compound semiconductor layer at the time of lift-off, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

リフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない半導体素子と半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the thin film may be formed by the lift-off method by using a first resist film 48b and a second resist film 48c projecting from the first resist film 48b at the opening.例文帳に追加

この際に、第１のレジスト膜４８ｂと、第１のレジスト膜４８ｂよりも開口部で突出した第２のレジスト膜４８ｃを用いて、リフトオフ法により形成してもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting element by using laser lift-off, by which a yield and a light emission output are improved.例文帳に追加

レーザリフトオフを用いた半導体発光素子の製造方法において、歩留まり及び発光出力の向上を図ることができる製造方法を提供すること。 - 特許庁

After a resist layer R2 having an aperture H2 having an opening diameter L2 is formed (S5), a gate electrode 21 is formed to a part of the aperture H2 with the lift-off method (S6).例文帳に追加

開口径Ｌ２の開口部Ｈ２を有するレジスト層Ｒ２を形成したのち（Ｓ５）リフトオフにより開口部Ｈ２の部位にゲート電極２１を形成する（Ｓ６）。 - 特許庁

After forming the film of the barrier metal layer F2, the barrier metal layer F2 on the second bank B2 is removed together with the second bank B2 by lift off method to form the conductive film pattern F.例文帳に追加

バリアメタル層Ｆ２の成膜後、リフトオフ法により、第２のバンクＢ２とともに第２のバンクＢ２上のバリアメタル層Ｆ２を除去し、導電膜パターンＦを形成する。 - 特許庁

High-frequency characteristics not causing unnecessary parasitic capacity between a gate and a source and between the gate and a drain can be improved by forming a gate electrode by a lift-off method.例文帳に追加

さらに、リフトオフ法によるゲート電極形成によって、ゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間の、不要な寄生容量が存在せず、高周波特性の改善が可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a planar optical waveguide circuit device for improving wiring pattern dimension accuracy by suppressing the resist contraction of a lift-off wiring process.例文帳に追加

リフトオフ配線プロセスにおけるレジスト収縮を抑制し、配線パターン寸法精度を向上させる平面光導波回路デバイスの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a simple method of manufacturing a semiconductor device for forming a gate electrode by a lift-off process by which elements can be miniaturized.例文帳に追加

本発明は、リフトオフ加工によりゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、素子の微細化が可能でかつ、簡単な製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head, by which the necessary time in its manufacturing stage can be reduced by making it possible to perform lift-off in a short time.例文帳に追加

短時間でリフトオフを行うことを可能にすることにより、製造工程の所要時間の短縮を図ることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of lift-off, a surface of a wafer 2 is set in a range of angles, in which the surface thereof is located to face continuously, starting from the horizontal direction in the downward direction, inside a chemical solution.例文帳に追加

リフトオフ方法において、ウエハ２の表面を横方向から連続的に下方向に向く状態になる角度範囲で薬液中に設置すること。 - 特許庁

A conductor (Cu) thin film 6 is further deposited on the dielectric thin film 5 under normal temperature at the substrate temperature of 150°C or below and then the conductor thin films 4, 6 and the dielectric thin film 5 are stripped along with the resist pattern 2 to form a wiring pattern 7 lift-off method.例文帳に追加

この後、レジストパターン２と共にその上の導体薄膜４，６と誘電体薄膜５を剥離させ、リフトオフによって配線パターン７を形成する。 - 特許庁

To form an isolated line pattern with high controllability by using a multiple resist layer having a two-layer structure with a LOF (lift-off) layer left in the lower part of the resist in the method for forming a fine resist pattern.例文帳に追加

微細レジストパターンの形成方法に関し、ＬＯＦ層をレジスト下部に残した２層構造の積層レジスト層を用いて、孤立ラインパターンを制御性良く形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a semiconductor stacked element and a manufacturing method thereof, which shortens a long working time required for joining a stacked element etc. on a semiconductor and applying laser lift off thereto, and reduces a stress applied to the stacked element etc. or thermal/dynamic/chemical load applied thereto.例文帳に追加

半導体上に積層素子等を接合し、且つそれをレーザーリフトオフするために長時間を要していた作業時間を短縮化する。 - 特許庁

The p-type electrode is bonded onto a retaining substrate 6 and, thereafter, the matrix substrate 1 is separated by laser lift-off method to expose the nitrogen surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ型電極と保持基板６とを貼り合わせた後、レーザリフトオフ法により母材基板１を剥離してｎ型半導体層２の窒素面を露出させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device and its manufacturing method which minimize crack and damage to be generated in a nitride semiconductor unit element, when a laser lift-off process is performed.例文帳に追加

レーザリフトオフ工程時、窒化物半導体単位素子に発生するクラックや損傷を最小限にする窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a lift-off method without requiring an etching process for patterning a source electrode and a drain electrode of the pixel part, and source wiring extending in the terminal part is employed.例文帳に追加

さらには、画素部のソース電極及びドレイン電極と端子部に延在するソース配線のパターニングにエッチング工程を必要としないリフトオフ方法を採用する。 - 特許庁

To provide a base thin-film transistor substrate for a display element and its manufacturing method that can improve the lift-off process.例文帳に追加

本発明の目的は、リフト−オフ工程の効率を向上させることができる表示素子用薄膜トランジスター母基板およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent an increase in the parasitic capacitance of a field effect transistor while eliminating a problem with lift-off performance or the erosion of a T-shaped gate electrode.例文帳に追加

リフトオフ性の問題やＴ型ゲート電極の侵食が無く、電界効果トランジスタの寄生容量の増大を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

Then, a shielding film S made of a stripe shape Al_2O_3 extended in the resonance direction in the flat top surface of the first metal layer 106a is formed by about 180 nm of thickness by a lift-off method.例文帳に追加

その後、リフトオフ法によって、第１金属層１０６ａの平頂部に共振方向に伸びるストライプ状のＡｌ_2 Ｏ_3 から成る遮蔽膜Ｓを膜厚約１８０ｎｍで形成した。 - 特許庁

In addition, at least a surface of the substrate 1 on which the interconnection pattern 2 is to be formed is mirror-polished, subsequently the interconnection pattern 2 is formed using the lift-off method on the mirror polished surface.例文帳に追加

また、基板１の、少なくとも配線パターン２を形成すべき面を鏡面研磨した後、該鏡面研磨を施した面に、リフトオフ法により配線パターン２を形成する。 - 特許庁

To provide a patterning method wherein, when etching a chemically stable material, the dry etching technique is mainly used while partially using the lift-off technique and thereby what is called the fence can be prevented and there is no overetching, and to provide a high-durability ink jet head using the same.例文帳に追加

化学的に安定な材料をエッチングする場合、ドライエッチングを主に、部分的にリフトオフをすることで、フェンスを防止し、オーバーエッチングのないパターン形成をする。 - 特許庁

To provide a means for easily obviating a defect of the lift-off method being one of the forming methods of an electrode pattern, that is, a residual substance formed on a side face of a resist pattern without giving effect on the electrode pattern.例文帳に追加

電極パターンの形成法の１であるリフトオフ法の欠点、即ちレジストパターンの側面に形成される残渣を電極パターンに影響を及ばさず容易に取り去る手段を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that can further reduce a dislocation density of group III nitride semiconductor and at the same time can greatly reduce the time required for a chemical lift-off particularly during the independent substrate manufacturing.例文帳に追加

III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display element substrate of 3 Mask type by using photoresist being sufficiently strippable in a lift-off process irrespective of high temperature in vapor deposition.例文帳に追加

蒸着温度が高い場合であってもリフトオフプロセスにおいて十分に剥離することのできるフォトレジストを用いた３Ｍａｓｋ方式の表示素子基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method capable of flat face having no hollow, lift, flaw or falling-off, relative to a sample including minerals having various hardnesses such as an ore or a metal refining intermediate.例文帳に追加

鉱石や金属製錬中間物のように様々な硬さの鉱物を含有する試料に対して、平滑で、凹みや浮上がり、傷、脱落のない面が得られる研磨方法を提供する。 - 特許庁

In this method, the lift-off piece separated from the substrate 1a moves on a mask layer 15 on the substrate 1a and reaches the edge of the substrate 1a as shown by an arrow C.例文帳に追加

この方法では、基板１ａから剥離されたリフトオフ片は、矢印Ｃにより示されるように基板１ａ上のマスク層１５上を移動して基板１ａのエッジに到達する。 - 特許庁

The optical multilayer film 41G is formed over a mask layer 31 for the lift-off method formed on a substrate 21 and a crack 52 is introduced into a difference part 50 formed by the mask layer 31.例文帳に追加

基板２１の上に形成されたリフトオフ用のマスク層３１に重ねて、光学多層膜４１Ｇを形成し、マスク層３１により形成された段差部分５０にクラック５２を導入する。 - 特許庁

To provide a flaw inspection method of a cast piece, capable of increasing lift-off and capable of inspecting cracks of a cast piece in a high temperature state, immediately after casting without having to widen the observation range, and to provide a flaw inspection device therefor.例文帳に追加

リフトオフを大きくでき、鋳片の割れを鋳造直後の高温の状態で検査し、且つ観察範囲を広げることなく検査する方法とその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate of a horizontal electric field application type and a fabricating method for simplifying three mask processes by using a lift-off process.例文帳に追加

リフト-オフ工程を利用することによって３マスク工程で工程を単純化することができる水平電界印加型薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board where lead-free soldering is sufficiently leaked and spread to an upper land electrode, and lift-off or land peeling is prevented from being generated in a flow method using the lead-free soldering.例文帳に追加

鉛フリーはんだを用いるフロー工法において、はんだが十分に上面側ランド電極に濡れ広がり、且つリフトオフおよびランド剥離を発生しないプリント回路板を提供する。 - 特許庁

The photosensitive composition can be used to produce a desired cured pattern such as a flat panel display bulkhead pattern, a dielectric pattern, or an electrode pattern in good productivity by a lift-off method or a photolithographic method.例文帳に追加

このような感光性組成物を用いることにより、リフトオフ法やフォトリソグラフィー法により、フラットパネルディスプレイの隔壁パターン、誘電体パターン、電極パターンなどの所望の焼成物パターンを生産性良く形成できる。 - 特許庁

To enable the formation of a pattern having a finer width which exceeds the limit of dimensional shape such as a film thickness of the layer which is lifted off and is patterned and a cut shape of resist when the pattern having the narrow width is formed by means of the lift-off method.例文帳に追加

リフトオフ法により狭小な幅を有するパターンを形成する際に、リフトオフされてパターニングされる層の膜厚や、レジストの切れ込み形状などの寸法形状の限界を越えた、より微細な幅を有するパターンの形成を可能にする。 - 特許庁

In this method for manufacturing a planar optical waveguide circuit device, a mask layer for lift-off is formed on an optical waveguide circuit composed of cores and clads, and a mask having a plurality of first patterns corresponding to the respective cores and a plurality of second patterns formed at at least one side of each of the first patterns apart from the first pattern is used to expose the mask layer for lift-off.例文帳に追加

平面光導波回路デバイスの製造方法であって、コアとクラッドから成る光導波回路上にリフトオフ用マスク層を形成し、各コアに対応する複数の第１パターンと該各第１パターンの少なくとも片側に該第１パターンから離間して形成された複数の第２パターンを有するマスクを使用してリフトオフ用マスク層を露光する。 - 特許庁

To provide a method and device for measuring stress wherein a magnetic anisotropic sensor is used to exclude the effect of a residual stress and lift-off, for accurate stress measurement.例文帳に追加

磁気異方性センサを用いた応力測定において、残留応力及びリフトオフの影響を排除して、より正確な応力測定を行うことができる応力測定方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which a crack caused by an internal stress does not occur in a compound semiconductor layer when a chemical lift is off, and to provide a manufacturing method of the light-emitting element and a semiconductor element.例文帳に追加

ケミカルリフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない発光素子と発光素子および半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can prevent remaining of an unremoved melting layer after lift-off with inhibiting roughening of a surface of an Al layer on a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a surface emitting semiconductor laser capable of forming a dielectric bragg reflector having a desired shape by reducing deformation of a mask in lift-off.例文帳に追加

リフトオフの際のマスクの変形を低減することにより、所望の形状を有する誘電体ブラッグ反射器を形成することが可能な面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an eddy current flaw detection multi-coil probe and its manufacturing method for reducing an increase in a sensitivity fluctuation by reducing a lift-off fluctuation of flaw detection coils, and improving the inspection accuracy.例文帳に追加

探傷コイルのリフトオフばらつきを小さくして感度バラツキの増大を抑え、検査精度を向上することができる渦流探傷マルチコイル式プローブ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁