「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To mass-produce a magnetoresistance-effect element being capable of obtaining a large magnetoresistance effect and being difficult to break by a Joule heat generated around a micro-contact.例文帳に追加

大きな磁気抵抗効果を得ることが可能でかつ微小接点周辺に発生するジュール熱によって破壊されにくい磁気抵抗効果素子を量産可能とする。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element has a lower layer, a tunnel barrier layer 8 and an upper layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、下部層と、トンネルバリア層８と、上部層とを有している。 - 特許庁

The word line WL is disposed between the row of the tunnel magnetoresistance element TMR and the row of the adjacent tunnel magnetoresistance element TMR disposed along the X direction.例文帳に追加

ワード線ＷＬは、Ｘ方向に沿って配置されたトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの行と隣接するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの行との間に配置される。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED WITH THE ELEMENT AND PRODUCTION OF THE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド、及び該素子の製造方法 - 特許庁

To provide a ferromagnetic double quantum well tunnel magnetoresistance device which obtains an infinite tunnel magnetoresistance ratio by a desired bias voltage, utilizing a two-dimensional electron (hole) system.例文帳に追加

２次元電子（正孔）系を利用して無限大のトンネル磁気抵抗比を所望のバイアス電圧で得る強磁性２重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイスを提供する。 - 特許庁

Thus, magnetic field leaking from wiring provided adjacent to the magnetoresistance effect element 62 can be effectively prevented from reaching the magnetoresistance effect element 62.例文帳に追加

これにより、磁気抵抗効果素子６２の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界が磁気抵抗効果素子６２に達するのを効果的に防止することができる。 - 特許庁

The magnetic storage contains a memory cell array arranging magnetoresistance-effect elements in a line.例文帳に追加

磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子を行列に配置したメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

Magnetoresistance effect element includes a magnetization fixed layer 3 in which a magnetization direction is fixed.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、磁化の方向が固定された磁化固定層３を含む。 - 特許庁

To suppress occurrence of a spin torque noise of a Current Perpendicular to Plane (CPP) magnetoresistance effect head.例文帳に追加

垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドのスピントルクノイズの発生を抑止する。 - 特許庁

To provide a design method of a tunnel magnetoresistance effect element which can ensure the operation life, by appropriately setting the operating voltage of the tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の作動電圧を適性に設定することにより寿命を確保することが可能なトンネル磁気抵抗効果素子の設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method by which the magnetic characteristics of a magnetoresistance effect film can be evaluated comparatively easily and accurately in the manufacturing process for a magnetoresistance effect read element.例文帳に追加

磁気抵抗効果読み取り素子の製造過程で比較的に簡単に高い精度で磁気抵抗効果膜の磁気特性を評価することができる評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tunnel magnetoresistance effect film having a structure of ferromagnetic layer/barrier layer/ferromagnetic layer and exhibiting a high magnetoresistance change ratio.例文帳に追加

強磁性層／バリア層／強磁性層の構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜において、磁気抵抗変化率が高いトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, the magnetic sensor circuit 610 has a magnetoresistance effect element 612, a DC power source 611 for applying a DC voltage to the magnetoresistance effect element 612, and a resistor R1.例文帳に追加

また、磁気センサ回路６１０は、磁気抵抗効果素子６１２と、磁気抵抗効果素子６１２に直流電圧を印加する直流電源６１１と、抵抗Ｒ１とを有する。 - 特許庁

To provide a Heusler alloy which has a high spin polarization ratio in spite of its being a Co-based alloy and is effective in manufacturing giant magnetoresistance (GMR) and tunnel magnetoresistance (TMR) devices.例文帳に追加

Ｃｏ基でありながら高いスピン分極率を得て、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）およびトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）デバイス作製に有効なホイスラー合金を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD PROVIDED THEREWITH AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、及びそれを備える磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, ITS MANUFACTURING METHOD, AND RECORDING AND REPRODUCING SEPARATION TYPE MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法、記録再生分離型磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, BASE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISC DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、基体、ウェハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD HAVING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, HEAD GIMBAL ASSEMBLY HAVING THE THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC DISC DEVICE HAVING THE HEAD GIMBALS ASSEMBLY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置 - 特許庁

This magnetoresistance effect magnetic head 1 is a magnetoresistance effect magnetic head which detects a signal from a magnetic recording medium by a magnetoresistance effect element by sliding the magnetic recording medium and is provided with the conductor arranged roughly parallel with the magnetoresistance effect type element and one pair of terminals 10a, 10b drawn out from both ends of the conductor.例文帳に追加

この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体を摺動させて、当該磁気記録媒体からの信号を磁気抵抗効果素子によって検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果素子と略平行に配された導電体と、上記導電体の両端から導出された一対の端子とを備える。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, MAGNETIC REPRODUCING HEAD AND INFORMATION STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気再生ヘッド、および情報記憶装置 - 特許庁

Each of the magnetoresistance-effect elements is formed on an upper surface of one of the plurality of layers.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子はその複数の層の一つの層の上面に形成される。 - 特許庁

The magnetoresistance elements 28 detect a selection condition of the shift lever 16.例文帳に追加

磁気抵抗素子２８は、シフトレバー１６の選択状態を検出するようになっている。 - 特許庁

METHOD OF ENHANCING MAGNETORESISTANCE EFFECT OF MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC MEMORY CELL, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

磁気メモリセルの磁気抵抗効果増加方法、磁気メモリセル、およびその形成方法 - 特許庁

To provide a magnetoresistance memory element with high reliability while reducing a writing current.例文帳に追加

書込み電流を低減しつつ、信頼性の高い磁気抵抗記憶素子を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC FIELD SENSOR EQUIPPED WITH MACRO- MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND ITS MANUFACTURE AND MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 - 特許庁

THIN FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED WITH MAGNETORESISTANCE EFFECT THIN FILM MAGNETIC ELEMENT AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、および前記磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

An upper-layer body 39b on a magnetoresistance effect film 39 is sandwiched between insulators 58.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜３９の上層体３９ｂは絶縁体５８に挟み込まれる。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING SAME, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，磁気再生装置，および磁気抵抗素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE ELEMENT HAVING FREE LAYER INCLUDING MAGNETOSTRICTION REDUCTION LAYER, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁歪低減層を含むフリー層を有する磁気抵抗効果素子および薄膜磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT SENSOR, THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND THIN FILM WAFER EQUIPPED WITH THAT THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドを備えた薄膜ウエハ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND FORMING METHOD THEREFOR, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその形成方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

A magnetoresistance sensor 15 is arranged on a position deviating from the rotation center of the magnet 12.例文帳に追加

磁気抵抗センサ１５は、マグネット１２の回転中心からずれた位置に配置されている。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING EQUIPMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置 - 特許庁

A plurality of tunnel magnetoresistance elements TMRs integrated and disposed in a matrix shape.例文帳に追加

行列状に集積配置された複数のトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲが設けられる。 - 特許庁

NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETORESISTANCE EFFECT, MEMORY, AND ITS RECORDING/ REPRODUCING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which can cope with high-density recording of at least 500 Gbit/inch^2.例文帳に追加

５００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２以上の高密度記録に対応できる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The electric resistance of the tunnel junction magnetoresistance effect (TMR) element as a whole is reduced.例文帳に追加

トンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子全体の電気抵抗値は低減される。 - 特許庁

When a current flows, a magnetic field is generated, and the electric resistance value of the magnetoresistance element is changed.例文帳に追加

電流が流れると磁場が生じ、磁気抵抗素子の電気抵抗値が変化する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF LAYER STRUCTURE CONTAINING ARTIFICIAL ANTIFERROMAGNETIC SYSTEM AND MAGNETORESISTANCE SENSOR SYSTEM例文帳に追加

人工反強磁性システムを含む層構造の製造方法並びに磁気抵抗センサシステム - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT LAMINATED FILM AND MAGNETIC SENSOR, MAGNETIC HEAD, OR MAGNETIC RECORDER USING IT例文帳に追加

磁気抵抗効果積層膜とそれを用いた磁気センサー、磁気ヘッドまたは磁気記録装置 - 特許庁

LAMINATED THIN-FILM FUNCTIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC REPRODUCTION HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCTION DEVICE例文帳に追加

積層薄膜機能素子、磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、および磁気再生装置 - 特許庁

To actualize high magnetoresistance effect by accelerating regularization of a Heusler alloy inexpensively.例文帳に追加

低コストでホイスラー合金の規則化を促進させ、高い磁気抵抗効果を実現すること。 - 特許庁

To provide a high sensitive magnetoresistance tunnel junction element which uses a composite manganese oxide.例文帳に追加

複合マンガン酸化物を用いた高感度の磁気抵抗トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁