「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING EQUIPMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、及び磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法、並びに磁気記録再生装置 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, excellent in a film-thickness controllability of the protective film of the magnetoresistance effect film, and having a stable element shape.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜の保護膜の膜厚制御性に優れ、安定した素子形状の磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁

A magnetoresistance effect member 4 formed of a magnetoresistance effect material inputs a high frequency current to this magnetoresistance effect member 4, and this magnetoresistance effect element 1 forms a part of a transmission line 15 for deriving output of the magnetoresitance effect member 4.例文帳に追加

磁気抵抗効果材料で形成された磁気抵抗効果部材４が、この磁気抵抗効果部材４に高周波電流を入力し、磁気抵抗効果部材４の出力を導出する伝送線路１５の一部をなしている磁気抵抗効果素子１である。 - 特許庁

Heating resistance patterns U1, U2 for heating the magnetoresistance patterns R1, R4 are arranged in the vicinity of the magnetoresistance patterns R1, R4 small in a temperature rise in the respective magnetoresistance patterns R1 to R4.例文帳に追加

各磁気抵抗パターンＲ１〜Ｒ４の内の温度上昇の少ない磁気抵抗パターンＲ１，Ｒ４近傍に、磁気抵抗パターンＲ１，Ｒ４を加熱する加熱用抵抗パターンＵ１，Ｕ２を設ける。 - 特許庁

YOKE TYPE MAGNETORESISTANCE TYPE THIN FILM MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ヨーク型磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND SPIN MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子及びスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ - 特許庁

The magnetoresistance effect type head, the thin film magnetic memory and the thin film magnetic sensor are each constituted by providing the giant magnetoresistance effect element 1.例文帳に追加

また、上記巨大磁気抵抗効果素子１を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。 - 特許庁

The oxide 14 becomes a a magnetoresistance tunnel junction element, wherein a magnetoresistance tunnel effect is obtained through the (L-O)2 layer in the crystal structure.例文帳に追加

この酸化物は、結晶構造内の(Ｌ−Ｏ)_2層を介して磁気抵抗トンネル効果が得られる磁気抵抗トンネル接合素子となる。 - 特許庁

A magnetoresistance sensor element 5 is carried on a metal plate 3, and a printed circuit 6 and a magnetoresistance sensor element 5 are connected by wire connection 7.例文帳に追加

金属プレート３上に磁気抵抗センサ素子５を搭載し、プリント回路６と磁気抵抗センサ素子５とを結線７で接続する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 - 特許庁

NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETORESISTANCE ELEMENT, AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗素子を用いた不揮発固体メモリとその形成方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD AND THEIR PRODUCTION例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 - 特許庁

EXCHANGE JUNCTION FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE EXCHANGE JUNCTION FILM, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SUBSTRATE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HARD DISK DEVICE, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC SENSOR ASSEMBLY, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、磁気センサアセンブリ、および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気記憶装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC RECORDING/REGENERATIVE APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気記録再生装置 - 特許庁

METHOD FOR FORMING HOLE AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

空孔の形成方法および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD THEREOF例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド - 特許庁

ALTERNATING MAGNETIC FIELD GENERATING CIRCUIT AND EVALUATION DEVICE OF MAGNETORESISTANCE HEAD例文帳に追加

交番磁界発生回路及び磁気抵抗効果ヘッドの評価装置 - 特許庁

A magnetic collection spacer is formed on a side wall of a magnetoresistance memory cell.例文帳に追加

磁気抵抗記憶セルの側壁に磁気集束スペーサを形成する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC MEMORY USING THE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY AND MAGNETIC RECORDING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC TAPE UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気テープ装置 - 特許庁

To control characteristics of a single-dimensional linear giant magnetoresistance element and movement of a magnetic wall from the outside regarding a three terminal-type magnetoresistance effect element.例文帳に追加

三端子型磁気抵抗効果素子に関し、一次元線状巨大磁気抵抗素子の特性や磁壁の移動を外部から制御する。 - 特許庁

An element constituting the sensor 10 is a big magnetoresistance membrane element.例文帳に追加

センサ１０を構成する素子は、巨大磁気抵抗膜素子とされる。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE ELEMENT OF DOUBLE ALIGNMENT PEROVSKITE STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a CPP-structure magnetoresistance effect element which can contribute to reduce Barkhausen noise and to provide a method of manufacturing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

バルクハウゼンノイズの低減に大いに寄与することができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Complementary data are stored in the magnetoresistance effect elements M1 and bM1.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子Ｍ１，ｂＭ１には、相補のデータが記憶される。 - 特許庁

MAGNETIC DISK DEVICE AND METHOD FOR CORRECTING CHARACTERISTIC OF MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD例文帳に追加

磁気ディスク装置及び磁気抵抗効果型ヘッド特性補正方法 - 特許庁

Dry etching treatment is not applied to the magnetoresistance effect film at all.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜には全くドライエッチング処理は施されない。 - 特許庁

Further, a Za-phase signal is output from a terminal electrode 22A at the middle point between a magnetoresistance effect element 22a and a magnetoresistance effect element 22b, and a Zb-phase signal is output from a terminal electrode 22B at the middle point between a magnetoresistance effect element 22c and a magnetoresistance effect element 22d.例文帳に追加

また、磁気抵抗効果素子２２ａと磁気抵抗効果素子２２ｂとの中点の端子電極２２ＡからＺａ相の信号が、磁気抵抗効果素子２２ｃと磁気抵抗効果素子２２ｄとの中点の端子電極２２ＢからＺｂ相の信号が出力される。 - 特許庁

An A-phase signal is output from a terminal electrode 21A at the middle point between a magnetoresistance effect element 21a and a magnetoresistance effect element 21b, and a B-phase signal is output from a terminal electrode 21B at the middle point between a magnetoresistance effect element 21c and a magnetoresistance effect element 21d.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２１ａと磁気抵抗効果素子２１ｂとの中点の端子電極２１ＡからはＡ相の信号が、磁気抵抗効果素子２１ｃと磁気抵抗効果素子２１ｄとの中点の端子電極２１ＢからＢ相の信号が出力される。 - 特許庁

The molded IC for the magnetic sensor is formed by providing a magnetoresistance element (MRE chip) as an IC, and a molded section which has the magnetoresistance element within.例文帳に追加

磁気センサは、ＩＣである磁気抵抗素子（ＭＲＥチップ）と、前記磁気抵抗素子を内蔵するモールド部とを具備して、モールドＩＣを形成する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ヘッド、及び、磁気ディスク装置 - 特許庁

To reduce processing time of an ion milling process of a magnetoresistance effect film for use in a magnetoresistance effect element, thereby improve resolution of a lead element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に使用する磁気抵抗効果膜のイオンミリング工程の加工時間を短縮し、リード素子の分解能を向上させる。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, ITS MANUFACTURE AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法および磁気記憶装置 - 特許庁

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

EXTRAORDINARY MAGNETORESISTANCE AT ROOM TEMPERATURE IN INHOMOGENEOUS NARROW-GAP SEMICONDUCTORS例文帳に追加

不均一ナローギャップ半導体の室温における極超巨大磁気抵抗 - 特許庁

To miniaturize a magnetometric sensor using a huge magnetoresistance effect element.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子を使用した磁気センサを小型化すること。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE SENSOR, ITS PRODUCTION AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗センサ及びその製造方法並びに磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, HEAD SUSPENSION ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISC UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - 特許庁