「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an angle detector capable of enhancing detection precision of a rotation angle, by making proper a fixed magnetization direction of a pin layer constituting a magnetoresistance element, in particular, in a fundamental state such as a completely stopped state and an idling state.例文帳に追加

特に、完全停止状態及びアイドリング状態等の基本状態において、磁気抵抗素子を構成するピン層の固定磁化方向を適正化することで、回転角度の検出精度を向上させることが可能な角度検出装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An electric contact between the magnetic substance layer 160# and the nodes 190, 195 also has the same structure as that between the tunnel magnetoresistance element in the MTJ memory cell and wiring provided in the same metal wiring layer as that of each of the nodes 190, 195.例文帳に追加

磁性体層１６０♯とノード１９０、１９５の間の電気的コンタクトも、ＭＴＪメモリセルにおける、トンネル磁気抵抗素子と、ノード１９０および１９５のぞれぞれと同一の金属配線層に設けられた配線との間の電気的コンタクトと同様の構造を有する。 - 特許庁

To provide a TMR type magnetoresistance effect film which achieves narrowing of a gap of a read head without impairing pinning to a pinned magnetic layer due to an antiferromagnetic layer, and consequently permits the high density of a magnetic disk device, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

TMR型の磁気抵抗効果膜において、反強磁性層による固定磁化層に対するピン止め作用を損なうことなく、リードヘッドの狭ギャップ化を図ることを可能とし、磁気ディスク装置の高密度化を可能とする磁気抵抗効果膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect sensor in which the generation of a Barkhausen noise can be suppressed by preventing a magnetic domain such as a closure domain from being formed in a free magnetization layer, by a galvano magnetic field to be guided to the intra-film surface direction by operation in a mode for electrifying a sense current vertically to a film surface.例文帳に追加

センス電流を膜面垂直方向に通電するモードで動作し、膜面内方向に誘導される電流磁界による磁化自由層での還流磁区などの磁区形成を防ぐことができ、バルクハウゼンノイズの発生を抑制できる磁気抵抗効果センサーを提供する。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer by interposing the thin film layer into ferromagnetic layers of the magnetoresistance effect element or the interface between them and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

A magnetoresistance sensor 50 is manufactured by preparing a substrate structure 80, depositing a magnetic fixation structure 86 onto the substrate structure 80, depositing a copper oxide spacer layer 98 onto the stably magnetized structure 86, and depositing a sensing structure 104 onto the copper oxide spacer layer 98 in piles.例文帳に追加

磁気抵抗センサ５０は、基板構造８０を用意し、基板構造８０の上に磁化固定構造８６を堆積し、磁化固定構造８６に重ねて酸化銅スペーサ層９８を堆積し、酸化銅スペーサ層９８に重ねて感知構造１０４が堆積することにより製作される。 - 特許庁

To provide a structure in a thin film magnetic head using a magnetoresistance effect wherein a width of a magnetic response area corresponding to a reproduction track width can be correctly formed, an active current to the magnetic response area is increased and, a step missing of an insulating film at a step part of a lead is prevented.例文帳に追加

磁気抵抗効果を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、再生トラック幅に対応する磁気応答領域幅を正確に形成でき、磁気応答領域への有効電流を増やし、かつリードの段差部における絶縁膜の段切れを防止できる構造を提供する。 - 特許庁

The sensor is provided further with a differential amplifier AMP for detecting the difference V0 of voltage drops generated, respectively in the magnetoresistance effect elements 1A, 1B by the constant currents 10, and the detection-object current Im is detected, based on the voltage drop difference V0.例文帳に追加

さらに定電流Ｉ０によって磁気抵抗効果素子１Ａ，１Ｂのそれぞれに生ずる電圧降下の差分Ｖ０を検出する差動増幅器ＡＭＰを備え、その電圧降下の差分Ｖ０に基づいて検出対象電流Ｉｍを検出するように構成されている。 - 特許庁

In the evaluation device for applying a magnetic field 3 from the outside to a magnetic head 1 using a magnetoresistance effect element to evaluate electromagnetic transduction characteristics of the magnetic head 1, a temperature evaluation is carried out for the electromagnetic transduction characteristics by heating and cooling the magnetic head 1 in non-contact therewith.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド１に対して外部から磁界３を印加して磁気ヘッドの電磁変換特性を評価する評価装置において、磁気ヘッド１に非接触状態で磁気ヘッドを加熱及び／又は冷却して、電磁変換特性の温度評価を行うこと。 - 特許庁

This device for detecting rotation 11 is integrally constituted by performing resin molding in a state where a sensor chip 2a equipped with magnetic resistance elements MRE1-MRE4 and a bias magnet 5 for applying a bias magnetic field to the magnetoresistance elements MRE1-MRE4 are mounted on a lead frame 6.例文帳に追加

回転検出装置１１は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ２ａと磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するバイアス磁石５とがリードフレーム６に装着された状態で一体に樹脂モールドされて構成されている。 - 特許庁

A plurality of magnetoresistance effect elements 41-45 are provided which are magnetically parallelly connected to a magnetic path (magnetic field guiding yoke 6) for guiding a signal magnetic field Ms and which are electrically serially connected by flowing a detecting electric current Is in the film thickness direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、信号磁界Ｍｓを誘導する磁路（磁界誘導ヨーク６）に磁気的に並列接続され、膜厚方向に検出電流Ｉｓを流して電気的に直列接続された複数の磁気抵抗効果素子４１〜４５を備える。 - 特許庁

The magnetoresistance RAM comprises a plurality of P-N diodes formed in a plurality of N^+-type regions in a semiconductor substrate, a barrier conductive layer, the MTJ and the word line laminated on a P-type impurity region to an MRAM cell array so that one end of the N^+-type region is coupled to a bit line, and the other end is connected to the cell plate via a diode.例文帳に追加

半導体基板内の複数のＮ＋領域に複数のＰ−Ｎダイオードを形成し、Ｐ型不純物領域の上に、バリヤー導電層、ＭＴＪ、及びワードラインを積層してＭＲＡＭセルアレイとし、Ｎ＋領域の一端はビットラインと連結し、他端はダイオードを介してセルプレートと接続する。 - 特許庁

As a result, even when the head 10 becomes a posture in which it bends its head so that the side of the electomagnetic tranducer 60 gets near a recording medium 2 when it is floated from the medium 2, the amount of thermal expansion by heat of the heat layer 80 of the magnetoresistance effect element 40 becomes lager than that of the element 60.例文帳に追加

従って、記録媒体２からの浮上時に電磁変換素子６０側が記録媒体に近づくように薄膜磁気ヘッド１０がうつむく姿勢になった場合でも、発熱層８０の熱による熱膨張量が電磁変換素子６０よりも磁気抵抗効果素子４０の方が大きくなる。 - 特許庁

Alternatively, the tunnel magnetoresistance element comprises a magnetite electrode and a barrier layer in which a magnesium oxide layer and an aluminum oxide amorphous layer of ≤2 nm in film thickness are formed at 60°C-130°C film forming temperature on the magnetite electrode and then annealed at a temperature higher by 0-60°C than the film forming temperature.例文帳に追加

または、マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層と２ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウム非晶質層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。 - 特許庁

When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult.例文帳に追加

読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。 - 特許庁

The manufacturing method provides for a magnetoresistance effect element which includes a first magnetic layer containing a ferromagnetic material, a second magnetic layer containing a ferromagnetic material, and an intermediate layer 16 provided between the first and second magnetic layers and including an insulating layer 161 and a conductive layer 162 penetrating through the insulating layer.例文帳に追加

強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層１６１と、絶縁層を貫通する導電部１６２と、を含む中間層１６と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

The positive magnetoresistance effect element may be constituted by a mixture of CrO_2 or CrO_2 and Ni_80Fe_20 (a first conductive magnetic material having positive spin polarizability) powder, and CrO_2 or CrO_2 and Ni_80Fe_20 (a second conductive magnetic material having negative spin polarizability) powder.例文帳に追加

正の磁気抵抗効果素子が、ＣｒＯ_2またはＣｒＯ_2およびＮｉ_80Ｆｅ_20（正のスピン分極率を有する第１導電性磁性体）の粉状体と、ＣｒＯ_2またはＣｒＯ_2およびＮｉ_80Ｆｅ_20（負のスピン分極率を有する第２導電性磁性体）の粉状体との混合物により構成されていてもよい。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 2 comprises a first magnetic sensing film 9 for detecting an external field generated from a recording medium and directed in parallel to a medium surface of the recording medium; and a second magnetic sensing film 7 for detecting an external field generated from the recording medium, and directed perpendicularly to the medium surface of the recording medium.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２は、記録媒体から生じる、記録媒体の媒体面に対して平行方向の外部磁界を検知する第１の感磁膜９と、記録媒体から生じる、記録媒体の媒体面に対して直交方向の外部磁界を検知する第２の感磁膜７と有している。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises a first magnetic layer whose magnetization direction is substantially fixed; a thin film layer which is arranged on top of the first magnetic layer and consists of either an oxide, a nitride, an oxynitride, or a metal; and a second magnetic layer which is arranged on top of the thin film layer, and whose magnetization direction is substantially fixed.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからなる薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層と，を具備する。 - 特許庁

The level difference in the base when a photoresist pattern is formed during forming the track width for the lead head is eliminated while conrolling the overetching amount and thickness of deposited films so as to allow the uppermost surface of a magnetoresistance film 30, the uppermost surface of a magnetic domain conrolling film 50 and the uppermost surface of a protective insulating film 40 to be on one plane.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜３０の最上面と磁区制御膜５０の最上面と保護絶縁膜４０の最上面が同一平面上にあるように、オーバーエッチング量及びデポ膜厚を制御することにより、リードヘッドのトラック幅形成におけるホトレジストパターン形成時の下地の段差をなくすもの。 - 特許庁

The structure of the enhance layer is changed from a conventional one-layered structure to a two-layered structure, and the value of magnetostriction constant λ of the second enhance layer 36b is made smaller than the value of magnetostriction constant λ of the first enhance layer 36a whereby the change rate of magnetoresistance can be increased while suppressing the increase of magnetostriction constant of the free magnetic layer.例文帳に追加

本発明ではエンハンス層を従来の１層構造から２層構造にし、第２エンハンス層３６ｂの磁歪定数λの値を第１エンハンス層３６ａの磁歪定数λの値よりも小さくすることによって、フリー磁性層の磁歪定数の増大を抑えつつ、磁気抵抗変化率を大きくすることができる。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to directly mount a current inductive type recording element and a magnetoresistance type reproduction element in a conventional active head slider because the built-in of wiring for recording/reproducing and wiring for actuator control is required in a small moving part in order to move a recording and reproducing element by using a minute actuator.例文帳に追加

従来のアクティブヘッドスライダでは、微小アクチュエータによって記録再生素子を動かそうとすると、小さな可動部に記録再生用の配線およびアクチュエータ制御用の配線を組み込む必要があり、現状のインダクティブ型記録素子および磁気抵抗型再生素子をそのまま搭載することは困難である。 - 特許庁

Electric resistance of a magnetoresistance effect element of about 51 Ω can be achieved when an MR height is made same dimension with a track width by making an electrode into a two-step structure and using an Rh film of a thickness of about 20 nm for a first electrode layer 5, and an Au film of about 100 nm of film thicknesses for a second electrode layer 6.例文帳に追加

電極を二段構造にし、第１電極層５に厚さ約２０ｎｍのＲｈを用い、第２電極層６に膜厚約１００ｎｍのＡｕを用いることによって、トラック幅と同じ寸法のＭＲ高さとしたときの磁気抵抗効果素子の電気抵抗は約５１Ωを実現することができる。 - 特許庁

This manufacture prepares a mold IC 10 formed by molding a lead frame 11 mounted an IC chip and a magnetoresistance element by a resin 12, and a magnetic 20 formed by injection-molding a thermoplastic resin, and then the mold IC 10 is inserted into a hollow hole of the magnet 20 until a prescribed position so as to make a magnetic circuit obtaining requested characteristics.例文帳に追加

ＩＣチップや磁気抵抗素子が搭載されたリードフレーム１１を樹脂１２でモールドしてなるモールドＩＣ１０と、熱可塑性樹脂を射出成形してなるマグネット２０とを用意し、所望の特性が得られる磁気回路となる様に定められた位置まで、マグネット２０の中空穴にモールドＩＣ１０を挿入する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive magnetic head made correspondent to narrow tracks and a method for manufacturing the magnetic head by which the level difference in the base is eliminated when the lead head track of the magnetoresistive magnetic head is formed, and degradation in the dielectric voltage due to overetching is prevented when the magnetoresistance film is patterned by etching.例文帳に追加

電極間隔を決定するためのホトレジストパターンを形成する時点で下地パターンの段差が大きいと、安定的な狭トラック形成が不可能となる事、磁気抵抗効果膜をエッチングでパターンニングする時のオーバーエッチングによって、下部絶縁膜の膜厚が薄くなり、絶縁耐圧が悪化する事。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive lead layer and a spin valve magnetoresistance effect reproducing element having the conductive lead layer which reveals a high conductivity, high hardness, high melting point, high corrosion resistance and high durability in server manufacturing environments and operating environments and is applicable to the present and future magnetic reproducing heads.例文帳に追加

高導電性、高硬度、高融点、高耐食性および苛酷な製造環境や動作環境における高耐久性を示し、現在および将来の磁気再生ヘッドについて適用可能な導電リード層の形成方法およびこの導電リード層を備えたスピンバルブ型磁気抵抗効果再生素子を提供する。 - 特許庁

A position detecting signal is reproduced by a magnetic disk apparatus which comprises a magnetic head having a magnetoresistance effect element for reproducing a recorded signal recorded on a magnetic disk, and positioning control means for controlling the position of this magnetic head based on the position detecting signals that are recorded at every sector interval on the magnetic disk.例文帳に追加

磁気ディスク２２に記録された記録信号を再生する磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド２３と、この磁気ヘッド２３の位置を磁気ディスク２２のセクタ間隔ごとに記録された位置検出信号に基づいて制御する位置決め制御手段とを備えた磁気ディスク装置にて位置検出信号を再生する。 - 特許庁

This rotary encoder is provided with a first member 10 having an NS magnetic pole part 20 alternately magnetized with N and S polarities in a ring shape inside a case body 11 made of a magnetism shielding material and a second member 50 inserted into the first member 10 and provided with the magnetoresistance effect element 70 arranged opposedly to the NS magnetic pole part 20.例文帳に追加

磁気シールド材料からなるケース１１内にリング状に交互にＮ，Ｓ磁極を着磁してなるＮＳ磁極部２０を設けた第１の部材１０と、第１の部材１０内に挿入されてＮＳ磁極部２０に対向する位置に磁気抵抗効果素子７０を設置してなる第２の部材５０とを具備する。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

This magnetoresistance element contains a chip-like magnetic resistance element body 11 and a plurality of soldering lead terminals 12 attached to the connection terminal of the magnetic resistance element body 11, and at least a soldering lead terminal, from among the soldering lead terminals, has a reinforcement soldering parts 13 and 14.例文帳に追加

チップ状の磁気抵抗素子本体１１と、磁気抵抗素子本体１１の接続端子に対して取り付けられた複数本のハンダ付け用リード端子１２とを含んでおり、上記ハンダ付け用リード端子のうち少なくとも一本のハンダ付け用リード端子が、補強用のハンダ付け部１３，１４を有している。 - 特許庁

Further, a magnetoresistance effect device can be constructed with ease, in which an inverse magnetic field of the memory magnetic layer is reduced, and the direction of the magnetization is maintained stably by making the magnetization of a pin magnetic layer optimum with the aid of the composition and film construction of the pin magnetic layer 13 by constituting the pin magnetic layer 13 with a TbFe or TbFeCo alloy.例文帳に追加

更に、ピン磁性層１３を、ＴｂＦｅまたはＴｂＦｅＣｏ合金とすることで、組成及び膜構成によりピン磁性層の磁化を最適化し、メモリ磁性層の反転磁界を低減すると共に、磁化方向を安定に維持する磁気抵抗効果素子を容易に構成することができる。 - 特許庁

At least one selected from an antiferromagnetic layer constituting the spin valve film of a magnetoresistance effect type magnetic head, a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a nonmagnetic layer is set such that a corrosive current density is 0.1 mA/cm^2 or less in a polarization curve (anode curve) using the NaCl solution of a concentration of 0.1 mol/L.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドのスピンバルブ膜を構成する反強磁性層、磁化固定層、磁化自由層、及び非磁性層の少なくともいずれかの単層膜が、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた分極曲線（アノード曲線）において、腐食電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^2以下となるようにする。 - 特許庁

The three terminal-type magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer having a larger magnetic coercive force than that of the first ferromagnetic layer; a nonmagnetic material of which the film thickness provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer monotonously changes; and a gate electrode provided on the first ferromagnetic layer via a gate insulating film.例文帳に追加

第１の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層より保磁力の大きな第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第１の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance RAM (MRAM) of a simple structure by forming a cell array by forming a cell having a simple structure and a small cell size by storing two or more data, by coupling an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) between a word line and a P-N diode and further coupling a plurality of cells in a NAND type between a bit line and a cell plate.例文帳に追加

ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをＮＡＮＤ型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）を具現する。 - 特許庁

To reduce wear of a high-sensitivity magnetoresistance effect type magnetic head capable of obtaining high sliding durability without generating magnetic spacing loss and increasing the capacity, in a magnetic tape in which a carbon protective film 3 is formed on a metal magnetic film 2 on a nonmagnetic support body, by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

非磁性支持体上の金属磁性膜２に、化学的気相成長法によってカーボン保護膜３を形成した磁気テープにおいて、磁気的スペーシング損失を発生させることなく高耐摺動性が得られるとともに、高容量化が実現できる感度の高い磁気抵抗効果型の磁気ヘッドの摩耗を軽減することができるようにする。 - 特許庁

According to the typical configuration, at each completion of measurement, the strength of the given coil magnetic field H is returned to the initial value and the spin-valve type magnetoresistance effect elements 11, 12 are magnetically saturated, so that an operating point of current control is always performed at a fixed route from among routes having linearity in a hysteresis curve.例文帳に追加

この特徴的な構成によると、測定が完了するたびに、与えられるコイル磁界Ｈの強度が初期値に戻されるとともに、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２が磁化飽和されるから、電流制御の動作点は、常に、ヒステリシス曲線の線形性を有するルート部分のうち、一定のルート部分で行われることになる。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistance element TMR constituting a magnetic material memory cell comprises a fixed magnetic layer 102 having a fixed magnetic field in a fixed direction, a free magnetic layer 103 which is magnetized by an applied magnetic field, and a tunnel barrier which is an insulator film and is provided between the fixed magnetic layer 102 and the free magnetic layer 103 in a tunnel junction region 115.例文帳に追加

磁性体メモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、一定方向の固定磁界を有する固定磁気層１０２と、印加磁界によって磁化される自由磁気層１０３と、トンネル接合領域１１５において固定磁気層１０２と自由磁気層１０３との間に設けられる絶縁体膜であるトンネルバリアとを有する。 - 特許庁

A distance responsive to a steering torque is detector by a relative positional change between a small piece 13j of a magnetic substance fixed to a slider 13f and a magnetoresistance element 13i fixed to a housing 12 through a bracket 18 at a moving amount of the slider 13f by moving the slider 13f in an axial lengthwise direction of an input shaft 5 and an output shaft 8.例文帳に追加

操舵トルクに応じた距離を、入力軸５及び出力軸８の軸長方向にスライダ１３ｆが移動し、該スライダ１３ｆの移動量をスライダ１３ｆに固定された磁性体製の小片１３ｊと、ブラケット１８を介してハウジング１２に固定された磁気抵抗素子１３ｉとの相対的位置変化によって検出する。 - 特許庁

For composing this type of magnetoresistance sensor for further reducing hysteresis and for obtaining improved linearity, at least one shielding strip due to the present invention is provided while it is being electrically separated from the conductor and while it is arranged at least nearly in parallel with a specific space from the conductor at a specific interval from the conductor.例文帳に追加

ヒステリシスの更なる減少および改良された直線性が得られるようにこの種の磁気抵抗センサを構成するために、導体からの所定の空間に少なくとも略平行に、導体からの所定の間隔で配置され、導体から電気的に分離される本発明による少なくとも１つの遮蔽ストリップが備えられている。 - 特許庁

The magnetic recording medium, in which a signal is reproduced by a reproducing head using a magnetoresistance effect element, includes a non-magnetic support, a magnetic layer including a granular iron nitride-based magnetic powder with an average particle size of 5 to 50 nm, a binder, and a nitro-triazole derivative on the non-magnetic support.例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子を利用した再生ヘッドによって信号が再生される磁気記録媒体であって、非磁性支持体と、前記非磁性支持体上に、５〜５０ｎｍの平均粒子径を有する粒状の窒化鉄系磁性粉末、結合剤、及びニトロ基を有するトリアゾール誘導体を含有する磁性層とを備える磁気記録媒体。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element of large magnetoresistance variation and stable characteristic by smoothly forming a magnetoresistive effect film even on a protruding part of a lower electrode, related to a current perpendicular to plane-magnetoresistive effect element, and to provide a method for manufacturing the element, a magnetic head and a magnetic reproducing device using the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

垂直通電型の磁気抵抗効果素子において、下側電極の凸部の上においても、磁気抵抗効果膜を平坦に形成することにより、磁気抵抗変化が大きく、特性が安定した磁気抵抗効果素子及びその製造方法、またこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド並びに磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this magnetoresistive element, wherein a pair of ferromagnetic layers face each other with an intermediate layer in between them and a variation in magnetoresistance is achieved by carrying an electric current in the direction vertical to the layer surfaces, at least one of the two ferromagnetic layers has a crystalline ferromagnetic layer containing FeCoB or FeCoNiB.例文帳に追加

対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、その強磁性層のうちの少なくとも一方が、ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢを含有する結晶質の強磁性層を有する構成とする。 - 特許庁

The spin valve type huge magnetoresistance effect element comprises a first antiferromagnetic layer 1, a fixed magnetic layer 2 connected to the first antiferromagnetic layer 1, a nonmagnetic conductive layer 3, a free magnetic layer 4 changing in the magnetizing direction by the signal magnetic field, and a second antiferromagnetic spacer layer 22 to be long distance exchange connected to the magnetic layer 4 via the spacer layer 21.例文帳に追加

第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２とを有する構成とする。 - 特許庁

On each of the radiation axes that pass through a center O, in the radial direction, inside the region where the magnetic field varies as a linear function of the direction of the radiation axis, the position of the detector 10 on the X-Y coordinate can be known, by detecting the variations in the electrical resistance of each of the magnetoresistance effect elements inside the detector 10.例文帳に追加

中心Ｏを通り半径方向に延びるそれぞれの放射軸上において、放射軸の方向の磁界の強度が一次関数で変化する領域内では、前記検知器１０内の各磁気抵抗効果素子の電気抵抗の変化を検知することで、検知器１０のＸ−Ｙ座標上の位置を知ることができる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 10 is manufactured by the method including a ferromagnetic layer formation process for forming a layer made of a ferromagnetic material on a substrate 14, and a patterning process for patterning the formed layer to set the maximum length of the nano-junction 12 for connecting the ferromagnetic layers 11, 13 to the Fermi length or smaller of the ferromagnetic material.例文帳に追加

こうした磁気抵抗効果素子１０は、基板１４上に強磁性材料からなる層を形成する強磁性層形成工程と、形成された層をパターニングして、前記２つの強磁性層１１，１３を連結するナノ接合部１２の最大長さを前記強磁性材料のフェルミ長以下にするパターニング工程とを有する方法により製造される。 - 特許庁