「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The mechanism 8 for generating a magnetic field forms a magnetic field distribution in a region including the object 5 and the magnetoresistance effect film 12.例文帳に追加

磁界を発生する機構８は、物体５と磁気抵抗効果膜１２とを含む領域に磁界分布を形成するためのものである。 - 特許庁

To effectively concentrate a magnetic field generated from a writing line at a perpendicular magnetoresistance effect element without complicating a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスを複雑にすることなく、書込み線から発生する磁界を効果的に垂直磁気抵抗効果素子に集中させる。 - 特許庁

In other words, the chemical potential of the ferromagnetic material is changed by applying the oriented magnetic field and a Coulomb blockade anisotropic magnetoresistance effect is produced.例文帳に追加

即ち、該配向磁場の印加により該強磁性物質の化学ポテンシャルが変化し、クーロンブロッケード異方性磁気抵抗効果が生じる。 - 特許庁

A characteristic of a resistance value in the magnetoresistance effect element 2 is, therefore, shifted by the bias magnetic field Hb, with respect to the external magnetic field Hex.例文帳に追加

したがって、外部磁界Ｈｅｘに対する磁気抵抗効果素子２の抵抗値の特性は、バイアス磁界Ｈｂだけシフトする。 - 特許庁

The first thin-film resistance heater element is formed on a position far from the floating surface than the positions of a magnetoresistance effect element and a recording magnetic pole.例文帳に追加

第１薄膜抵抗ヒータ素子は、磁気抵抗効果素子及び記録磁極よりも、浮上面から遠い位置に形成されている。 - 特許庁

To improve characteristics of a magnetoresistance effect device by improving the crystallinity and orientation property of a film constituting a MR element.例文帳に追加

ＭＲ素子を構成する膜の結晶性や配向性を向上させることによって、磁気抵抗効果装置の特性を向上させる。 - 特許庁

Positions and shapes of the air gaps 21 are determined so that magnetoresistance of magnetic pole parts 9 of the divided cores 3 will not become uneven.例文帳に追加

複数の分割コア３の磁極部９の磁気抵抗が不均等にならないように空隙部２１の位置及び形状を定める。 - 特許庁

To provide a magnetic device and a frequency analyzer of utilizing industrially a resonance phenomenon in the magnetization direction of a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の磁化の向きの共振現象を工業的に利用した磁気デバイス及び周波数アナライザを提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor magnetoresistance element which is inexpensive, provided with electrodes arranged at a narrow interval, and manufactured without using a high photolighography technique.例文帳に追加

電極間の間隔が狭く、高度なフォトリソ技術を必要としない安価な化合物半導体磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE MAGNETORESISTANCE EFFECT SENSOR HAVING FREE LAYER STABILIZED TO VORTEX MAGNETIC DOMAIN GENERATED BY SENSE CURRENT例文帳に追加

センス電流により発生する渦磁気ドメインに対して安定化された自由層を有する面垂直電流磁気抵抗効果型センサ - 特許庁

A magnetic sensor 2 is constituted of a magnetoresistance element MR1 and a magnet 5 which applies a bias magnetic field upon the element MR1.例文帳に追加

磁気センサ２は、磁気抵抗素子ＭＲ１と、この磁気抵抗素子ＭＲ１にバイアス磁界を印加する磁石５とで構成されている。 - 特許庁

To provide a novel CPP type magnetoresistance effect type element, capable of providing reproducing information of a high S/N ratio by reducing an external noise.例文帳に追加

外部ノイズを低減し、高Ｓ／Ｎ比の再生情報を得ることのできる、新規なＣＰＰ型の磁気抵抗効果型素子を提供する。 - 特許庁

The permeability of the I-type core 2 is set lower than that of the E-type core 1 so as to be increased in magnetoresistance to set the closed magnetic circuit core at the desired inductance.例文帳に追加

Ｅ型コア１の透磁率よりもＩ型コア２の透磁率を小さくして、磁気抵抗を上げて所望のインダクタンスを得る。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic material storage device where each memory cell comprises the tunnel magnetoresistance element of even magnetizing property.例文帳に追加

一様な磁化特性を有するトンネル磁気抵抗素子によって各メモリセルが構成された薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic head having magnetoresistance effect elements with high output and low resistance, and to provide a magnetic head assembly and a magnetic recording and reproducing device.例文帳に追加

高出力で低抵抗の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a CIP (current perpendicular to the plane) type giant magnetoresistance effect element capable of preventing a shunt loss and strongly fixing a magnetization direction of a pin layer in one direction.例文帳に追加

シャントロスを防ぎつつ、ピン層の磁化方向を一方向に強固に固定できるＣＩＰ型巨大磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

To reduce ion-beam damage in a magnetoresistance-effect element while realizing a resistance decrease by removing a surface oxide film to resultantly improve characteristics of the element.例文帳に追加

表面酸化膜を除去して低抵抗化を実現しつつイオンビームダメージを低減し、ひいては素子の特性を向上させる。 - 特許庁

FILM BONDED THROUGH EXCHANGE INTERACTION, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE FILM, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

To provide a magnetic device and a frequency detector for industrially utilizing a resonance phenomenon in the direction of magnetization of a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の磁化の向きの共振現象を工業的に利用した磁気デバイス及び周波数検出器を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance element which has a high MR ratio even when a layer containing Pd is provided, and a magnetic memory.例文帳に追加

Ｐｄを含む層を設けた場合でも高いＭＲ比を有する磁気抵抗素子および磁気メモリを提供することを可能にする。 - 特許庁

In addition, the film thickness T1 of the first magnetic flux induction film 3 is set to be thinner than the element film thickness Tsa of the magnetoresistance effect element 4.例文帳に追加

さらに、第１磁束誘導膜３の膜厚Ｔ１が、磁気抵抗効果素子４の素子膜厚Ｔｓａよりも薄く設定される。 - 特許庁

PATTERN FORMING METHOD, MANUFACTURING OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD USING METHOD, AND HEAD SUSPENSION ASSEMBLY AND MAGNETIC DISK UNIT例文帳に追加

パターン形成方法、これを用いた磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッドの製造方法、並びに、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - 特許庁

A characteristic of a resistance value in the magnetoresistance effect element 2 is thereby shifted by the bias magnetic field Hb, with respect to the external magnetic field Hex.例文帳に追加

したがって、外部磁界Ｈｅｘに対する磁気抵抗効果素子２の抵抗値の特性は、バイアス磁界Ｈｂだけシフトする。 - 特許庁

Each access transistor is connected respectively with the two tunnel magnetoresistance elements adjacent to each other with the corresponding word line as a gate electrode.例文帳に追加

各アクセストランジスタは、対応するワード線をゲート電極として、互いに隣接する２つのトンネル磁気抵抗素子とそれぞれ接続される。 - 特許庁

The first magnetic layer L1 is located on the side closer to a substrate on which the magnetoresistance effect element is formed than the second magnetic layer L2.例文帳に追加

第１の磁性層Ｌ１は、磁気抵抗効果素子が形成される基板に対し、第２の磁性層Ｌ２よりも近い側に位置している。 - 特許庁

To provide a spin bulb type magnetoresistance effect element which can realize a high resistance change ratio with reducing the heat treating time.例文帳に追加

熱処理時間を短縮しつつ、高い抵抗変化率を実現することを可能としたスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To prevent the characteristics of an artificial lattice type gigantic magnetoresistance(GMR) element from varying due to the heat applied to the element after formation.例文帳に追加

人工格子型巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子形成後に加えられる熱によって、ＧＭＲ素子の特性が変化してしまう。 - 特許庁

In a magnetoresistance effect thin film 1 wherein ferromagnetic particles are covered with a nonmagnetic film, the ferromagnetic particles 2 are formed on a substrate 5, and resistance between electrodes 4 interposing the nonmagnetic film 3 is very largely changed by applying a magnetic field as compared with the conventional magnetoresistance effect material.例文帳に追加

強磁性粒子を非磁性膜にて覆った磁気抵抗効果薄膜１であり、強磁性粒子２は基板５上に作製され、非磁性膜３を介した電極４間の抵抗が、磁場の印加により従来の磁気抵抗効果材料に比べて非常に大きく変化する。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

The sensor chip 2a is provided so that the disposal surface of the magnetoresistance elements MRE1-MRE4 is faced in parallel to one surface of the rotor which is the detection object in a rotation mode, and the bias magnet 5 is provided on the rear back MRE1-MRE4 of the magnetoresistance elements via the lead frame 6.例文帳に追加

センサチップ２ａは、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の配設面が回転態様の検出対象となるロータの一面と平行に対向するように設けられるとともに、バイアス磁石５は、リードフレーム６を介して磁気抵抗素子の後方裏面ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に設けられている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance element utilizing switching phenome non by means of metal insulator transition, with which a greater magnetoresistance ratio is shown in a magnetic field lower than or equal to the conventionally known element, in a thin-film structure required for practical use for a magnetic storage device.例文帳に追加

磁気記憶装置への実用化において必須である薄膜構造において、従来知られているものより低磁場で、あるいは、同じ磁場でより大きな磁気抵抗比を示す金属絶縁体転移によるスイッチング現象を利用した磁気抵抗素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The vibration of the magnetization direction F is resonated, when a frequency f_F of the magnetization direction F in a free layer 1A_F of the magnetoresistance effect element 1A is consistent with a frequency f of the alternating current i flowing in the magnetoresistance effect element 1A, and a voltage V increases between output terminals OUTPUT1, OUTPUT2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１Ａのフリー層１Ａ_Ｆの磁化の向きＦの振動数ｆ_Ｆと、磁気抵抗効果素子１Ａを流れる交流電流ｉの周波数ｆが一致した場合、磁化の向きＦの振動が共振し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖが増加する。 - 特許庁

This magnetoresistance sensor which detects the semiconductor magnetoresistance element (2) by impressing the magnetic field upon the element (2) through the electromagnet (1) is constituted to normally detect the element (2), by eliminating the influence of a disturbing magnetic flux by selecting the intensity of a current and/or magnetic poles when the disturbing magnetic flux is applied to the element(2).例文帳に追加

本発明による磁気抵抗センサは、半導体磁気抵抗素子（２）に対して電磁石（１）を介して磁界を与え、外部からの外乱磁束がかかる場合に、電流の強さ及び／又は磁極の選択によって外乱の影響をなくし、正常検出ができるようにする構成である。 - 特許庁

To make a satisfactory MR ratio compatible with the resistance change ratio of a magnetoresistance effect element utilizing a ferromagnetic tunnel junction.例文帳に追加

強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗効果化素子において、十分なＭＲ比と抵抗変化率とを両立できるようにすること。 - 特許庁

In a region between the magnetoresistance effective elements 2, 3 and the fixed resistance element formation regent 80, a third soft magnetic material 71 is provided.例文帳に追加

また、磁気抵抗効果素子２，３と固定抵抗素子形成領域８０との間の領域に第３軟磁性体７１が設けられている。 - 特許庁

The flattened tunnel magnetoresistance element has a ground layer consisting of double layers of a MgO amorphous layer 2 and a MgO (001) high alignment layer 3.例文帳に追加

平坦化トンネル磁気抵抗素子であって、ＭｇＯアモルファス層２とＭｇＯ（００１）高配向層３の二重層からなる下地層を有する。 - 特許庁

To solve the problem where magnetization inversion of a recording layer by a recording current magnetic field is difficult in a magnetoresistance effect element, using the conventional vertical magnetization.例文帳に追加

従来の垂直磁化を用いた磁気抵抗効果素子では、記録電流磁界で記録層の磁化反転を行うことが困難である。 - 特許庁

A lower side core layer 33 is vertically extended from the above of a first magnetic material layer 31 to be formed above a magnetoresistance effect element layer 22.例文帳に追加

下部コア層３３が、第１の磁性材料層３１上から垂直に延び、磁気抵抗効果素子層２２上にまで形成されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, magnetoresistive head, magnetic storage device, and magnetic memory, capable of achieving reduction in noise caused by spin transfer torque.例文帳に追加

スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ANTIFERROMAGNETIC FILM, MANUFACTURING METHOD OF EXCHANGE COUPLING FILM, MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

反強磁性体膜の製造方法、交換結合膜の製造方法、磁気抵抗効果素子の製造方法、および磁気装置の製造方法 - 特許庁

To form a plurality of magnetoresistance effect elements located on a single chip that are provided with pinned layers, having fixed magnetization axes in mutually crossing directions.例文帳に追加

単一チップ上に、互いに交差する向きの固定磁化軸を有するピンド層を備えた複数の磁気抵抗効果素子を形成すること。 - 特許庁

The current-perpendicular-to-plane (CPP) read sensor with Co-Fe buffer layers is proposed to improve pinning and magnetoresistance properties.例文帳に追加

ピン止めおよび磁気抵抗特性を改善するために、Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサが、提案される。 - 特許庁

To enhance a switched-connection magnetic field in a spin valve type magnetoresistance effect multilayered film formed using an X-Mn type anti-ferromagnetic material.例文帳に追加

Ｘ−Ｍｎタイプの反強磁性材料を使用したスピンバルブ型磁気抵抗効果多層膜において交換結合磁界を向上する。 - 特許庁

Another magnetic sensor 3 is also constituted of a magnetoresistance element MR2 and a magnet 6 which impresses a bias magnetic field upon the element MR2.例文帳に追加

同様に、磁気センサ３も、磁気抵抗素子ＭＲ２と、この磁気抵抗素子ＭＲ２にバイアス磁界を印加する磁石６とで構成されている。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR, REPRODUCING HEAD, COMPOSITE HEAD, MAGNETIC INFORMATION REPRODUCER, MAGNETIC INFORMATION RECORDING REPRODUCER, AND MAGNETIC INFORMATION REPRODUCING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気センサー、再生ヘッド、複合ヘッド、磁気情報再生装置、磁気情報記録再生装置、および、磁気情報の再生方法 - 特許庁