「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a tunnel magnetoresistance effect element, a tunnel magnetoresistance effect head and manufacturing methods therefor, which provides a high TMR ratio and low resistance at room temperature and allows the thickness of the tunnel barrier layer to be reduced, as compared with the conventional cases.例文帳に追加

室温下において、高ＴＭＲ比が得られると共に、低抵抗が得られ、トンネルバリア層の厚みを従来より大きくすることのできるトンネル磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する - 特許庁

To manufacture an element which greatly develops the tunnel phase transform magnetoresistance (TPMR) effect or the tunnel magnetoresistance (TMR) effect by precisely controlling the shape and size of a cluster electrode, the location and thickness of layers, and spin direction.例文帳に追加

クラスタ電極の形状、サイズ、各層の位置、厚さ、ならびに、スピンの方向を精密に制御することにより、トンネル相変態磁気抵抗（ＴＰＭＲ）効果、あるいは、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果が大きく発現する素子を作製すること。 - 特許庁

To obtain a CPP giant magnetoresistance head, with which the magnetization direction of a pinned magnetic layer can be stabilized without preparing an anti-ferromagnetic layer in a giant magnetoresistance element, and a noise and joule heat due to the AMR effect of a shield layer can be reduced.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子内に反強磁性層を備えずに固定磁性層の磁化方向を安定させることができ、シールド層のＡＭＲ効果によるノイズとジュール熱を低減可能なＣＰＰ型巨大磁気抵抗効果ヘッドを得る。 - 特許庁

To provide a current sensor which can suppress variance in performance by reducing a discontinuous error in a response of a magnetoresistance effect element without an attaching means of adjusting a direction of a magnetic field to be applied to the magnetoresistance effect element from a primary conductor.例文帳に追加

一次導体から磁気抵抗効果素子に印加する磁界の方向を調整する手段を設けずに、磁気抵抗効果素子の応答における不連続な誤差を低減でき、性能のばらつきを抑制した電流センサを提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device, a magnetic head and a read/write device using it, the magnetoresistance effect device being capable of detecting the variation of a very small amount of leakage flux from a high density magnetic recording medium made to have a narrow track with high sensitivity and high resolution.例文帳に追加

狭トラック化された高密度磁気記録媒体からの微小な漏洩磁束の変化を高感度に、かつ高分解能に検出することができる磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ヘッドならびに記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a position detector easy to adjust the remove between a magnetic recording medium and magnetoresistance (MR) element in a lens barrel wherein the position detector uses the magnetoresistance element for detecting the travel distance of the magnetic recording medium and the lens barrel uses it.例文帳に追加

磁気記録媒体の移動量を検出する磁気抵抗（ＭＲ）素子を用いた位置検出装置およびこれを用いたレンズ鏡筒において、磁気記録媒体と磁気抵抗素子の間隔の調整が容易な位置検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance measuring method of a thin film capable of measuring with high precision resistance in a direction perpendicular to the film face of the thin film such as a thin film magnetoresistance effect film, and a forming method of a magnetoresistance effect film using the resistance measuring method.例文帳に追加

薄膜磁気抵抗効果膜等の薄膜について、その膜面に垂直方向の抵抗を高精度に計測することを可能にする薄膜の抵抗測定方法及びこれを用いた磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which includes a magnetoresistance effect element using a spin injection magnetization reversal mechanism and can prevent malfunction due to leaked magnetic field of wiring provided adjacent to the magnetoresistance effect element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory is provided with first magnetoresistance effect elements MTJ1 to 0 arranged in a matrix to be used as storage elements, and a second magnetoresistance effect element BMTJ1 inserted in between a bit line to which the first magnetoresistance effect elements are connected and a reading bias power source to supply a negative current from the reading bias power source circuit.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、記憶素子として使用するマトリクス状に配置された第１の磁気抵抗効果素子ＭＴＪ１−０と、該第１の磁気抵抗効果素子が接続されたビット線と読み出し用バイアス電源との間に介挿されて、該読み出し用バイアス電源回路からの負荷電流を供給する第２の磁気抵抗効果素子ＢＭＴＪ１とを具備する。 - 特許庁

The method includes steps of forming a material layer which is used for the magnetoresistance effect element 23, forming the magnetoresistance effect element 23 by processing at least a part of the material layer, and forming a protecting film 24 covering sides of the magnetoresistance effect element 23 under consistent vacuum condition within a device which is formed by processing at least a part of the material layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリの製造方法は、磁気抵抗効果素子２３となる材料層を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工し、磁気抵抗効果素子２３を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工した装置内において、真空一貫状態で、磁気抵抗効果素子２３の側面を覆う保護膜２４を形成する工程と具備する。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which can improve the stability of output, as well as a magnetic disk device using the same.例文帳に追加

出力の安定性を向上させることができる磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element capable of improving an MR change rate and reliability, to provide a magnetic head, and to provide a magnetic disk device.例文帳に追加

ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

From such a constitution, the high reproducing output level of this magnetoresistance effect element is obtained by the current constricting effect of the current controlling region 8a.例文帳に追加

このような構成により、電流制御領域８ａの電流狭窄効果によって高い再生出力レベルを得る。 - 特許庁

To enhance detection accuracy by making the direction of magnetization of a pinned layer of a magnetoresistance effect element for a sensor more hardly change.例文帳に追加

センサ用の磁気抵抗効果素子のピンド層の磁化方向をより変化しにくくすることによって、検知精度を高める。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive device having a high giant magnetoresistance (GMR) value and a moderate low resistance area product (RA).例文帳に追加

高い巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）値と中程度に低い抵抗面積積（ＲＡ）とを有する磁気抵抗装置を提供する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistance effect element manufacturing apparatus capable of reducing variations in characteristics in manufacturing, and its manufacturing method.例文帳に追加

製造における特性ばらつきを低減できるトンネル磁気抵抗効果素子の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress a spin-torque effect, to achieve a high magnetoresistance effect and to reduce a gap between shields in a magnetic field detecting element.例文帳に追加

磁界検出素子において、スピントルク効果を抑えると共に、高い磁気抵抗効果の実現とシールド間ギャップの低減を図る。 - 特許庁

Word lines WLs and source lines SLs are provided corresponding to the rows of the tunnel magnetoresistance elements TMRs along an X direction.例文帳に追加

Ｘ方向に沿って、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの行に対応してワード線ＷＬとソース線ＳＬが設けられる。 - 特許庁

The magnetism detecting body of the detecting section body 10 is composed of a magnetoresistance element 13a, a bias magnet 13b, and an auxiliary magnet 13c.例文帳に追加

検知部本体１０の磁気検知体１３は、磁気抵抗素子１３ａと、バイアスマグネット１３ｂと、補助磁石１３ｃとからなる。 - 特許庁

A free layer is thereby restrained from being magnetized in the magnetoresistance effect element 2, and a rotation angle of a magnetization vector 42 is also reduced thereby.例文帳に追加

そのため、磁気抵抗効果素子２における自由層の磁化が抑制され、磁化ベクトル４２の回転角度も減少する。 - 特許庁

A magnetoresistance-effect layer comprises a tunnel-barrier layer 26, which is interposed by a pinned layer 25 in the lower side and a free layer 27 in the upper side.例文帳に追加

磁気抵抗効果層は、トンネルバリア層２６と、これを挟む下側のピンド層２５及び上側のフリー層２７とを有する。 - 特許庁

VARYING METHOD OF MAGNETIZING STATE OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING MAGNETIC WALL MOVEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND SOLID MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁壁移動を利用した磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化方法及び該方法を用いた磁気メモリ素子、固体磁気メモリ - 特許庁

The magnetic substance layer 160# is provided in the same layer as that of a tunnel magnetoresistance element in the MTJ memory cell in the same structure as that of the same.例文帳に追加

磁性体層１６０♯は、ＭＴＪメモリセル中のトンネル磁気抵抗素子と同一層に同一構造で設けられる。 - 特許庁

A bias layer for a magnetoresistance(MR) sensor comprises an in-plane magnetizing facilitation axis which applies vertical bias to the MR layer.例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）センサのためのバイアス層は、ＭＲ層に縦方向バイアスを与えるための面内磁化容易軸を有する。 - 特許庁

The magnetoresistance elements 31-38 are arranged, to bring each thereof into point symmetry around the center point CP as the center.例文帳に追加

この磁気抵抗素子３１〜３８を、さらにその各々が中心点ＣＰを中心にして点対称になるかたちで配置する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE THIN-FILM MAGNETIC ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD HAVING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気素子及びその製造方法と、その磁気抵抗効果型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

The magnetoresistance elements 31-38 are formed on a substrate 10 to constitute two bridge circuits via an insulating film 20.例文帳に追加

基板１０上に、絶縁膜２０を介して磁気抵抗素子３１〜３８を２つのブリッジ回路を構成するかたちで形成した。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND INSPECTING METHOD, APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の検査方法及び装置、トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、並びにトンネル磁気抵抗効果素子 - 特許庁

A selected portion of a giant magnetoresistance effect wafer is masked to define a masked region and an unmasked region including the lap guide.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子ウェハの選択された部分をマスキングし、マスク領域と、ラップガイドを含む非マスク領域とを画成する。 - 特許庁

To reduce the film thickness of a magnetoresistance effect element, to facilitate narrowing the shield gap, and to reduce the noise due to the spin injection effect.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子において、膜厚を抑え、狭シールドギャップ化を容易とし、かつスピン注入効果によるノイズを低減する。 - 特許庁

Thus, the rotational position of the magnet 4 can be obtd., based on the signal level of a detected signal from the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

従って、磁気抵抗効果素子からの検出信号の信号レベルに基づいて磁石５の回転位置を求めることができる。 - 特許庁

The CPP-MR(Magnetoresistance) reproducing head includes an upper shield 50 consisting of conductive magnetic shielding material, and a lower shield 10.例文帳に追加

ＣＰＰ−ＭＲ再生ヘッドは、導電性を有する磁気遮蔽材料からなる上部シールド５０と下部シールド１０とを含む。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, WAFER THEREOF, HEAD GIMBAL, HARD DISC, MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ - 特許庁

To provide a method of forming an Ru film which can perform precise film thickness control and a tunnel magnetoresistance effect multilayer film.例文帳に追加

精密な膜厚制御を行うことが可能なＲｕ膜の形成方法及びトンネル磁気抵抗効果多層膜を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device utilizing a magnetoresistance effect and being capable of suppressing reduction in a TMR ratio caused by a thermal load.例文帳に追加

熱負荷によるＴＭＲ比の減少を抑制できる磁気抵抗効果を利用した半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

Namely, in this device structure, the area of the magnetic layers at the end surface of the magnetoresistance effect film, having the multilayer structure is made very small.例文帳に追加

すなわち、多層構造の磁気抵抗効果膜の端面部の磁性層の面積を極めて小さくした素子構造とする。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD JIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 4 is arranged adjacent to part of wiring 5 extending in an arbitrary direction, and further, an external magnetic field protection structure 20 is provided that protects the magnetoresistance effect element 4 from a magnetic field effect caused by a reason other than the part of the wiring 5.例文帳に追加

任意の方向に延在する配線５に対して、その一部に磁気抵抗効果素子４を隣接配置し、更に、配線５の一部以外の要因で生じる外部磁界から磁気抵抗効果素子４を保護する外部磁界保護構造２０を備えるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film magnetic head that can correct the writing positions in electron beam lithography, a manufacturing method of a magnetoresistance effect assembly, a manufacturing method of a head gimbal assembly, and a manufacturing method of a hard disc drive, and a magnetoresistance effect assembly.例文帳に追加

電子ビームリソグラフィにおける描画位置を的確に補正できる薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気抵抗効果素子集合体の製造方法、ヘッドジンバルアセンブリの製造方法、ハードディスク装置の製造方法、及び、磁気抵抗効果素子集合体の提供。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect type reproducing head having stable head output by preventing irregularity of head output caused by the magnetic domain structure of a magnetic shield layer in the magnetoresistance effect type reproducing head provided with shield parts such as a lower shield, and an upper shield.例文帳に追加

下部シールドおよび上部シールドといったシールド部を備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、磁気シールド層の磁区構造に起因するヘッド出力のばらつきを防止し、より安定したヘッド出力を有する磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor magnetoresistance element 1 where a semiconductor magnetoresistance film 3 is formed on a semiconductor substrate 2, an identification number (identification symbol) 6 indicative of the position of the semiconductor substrate 2 in a wafer 7 is provided on the rear surface 2b of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上に半導体磁気抵抗膜３が形成された半導体磁気抵抗素子１であって、半導体基板２における裏面２ｂに、ウエハ７内における半導体基板２の位置を示す識別番号（識別記号）６を設けてなる。 - 特許庁

For example, at least one part of the magnetoresistance effect film having a multilayer structure is formed on a conductor consisting of non-magnetic metal, and the surface direction of all the magnetic layers of the magnetoresistance effect film is made nearly perpendicular to the surface of the magnetic recording medium.例文帳に追加

例えば、多層構造の磁気抵抗効果膜の少なくとも一部を非磁性金属からなる導体上に形成し、磁気抵抗効果膜のすべての磁性層の膜面方向を、磁気記録媒体面に対してほぼ直角に配置できる素子構造とする。 - 特許庁

Furthermore, provided that the thickness of the magnetic sensor 25 and the length of the sides of the electrodes 22 and 24 vertical to the direction of a magnetic field are represented by (t) and Lb respectively, a ratio t:Lb can be set very large, so that a compound semiconductor magnetoresistance element 20 possessed of a large magnetoresistance change can be realized.例文帳に追加

しかも感磁部２５の厚みをｔとし、電極２２、２４の磁界方向と垂直な辺の長さをＬｂとすると、比ｔ／Ｌｂを非常に大きくすることができ、磁気抵抗の変化率の大きな化合物半導体磁気抵抗素子２０が得られる。 - 特許庁

In a magnetoresistance effect type reproduction head provided with the shield parts 12 and 14 for magnetically shielding a magnetoresistance effect type element, the shield parts 12 and 14 are formed to be polygonal in a plan view and are shaped asymmetrically in a height direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子を磁気シールドするシールド部１２、１４を備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、前記シールド部１２、１４は、平面形状が多角形状に形成され、ハイト方向の形状が非対称に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁