「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetoresistance element 10 and the bias magnet 50 are insert-molded into a case 60 made of molded resin as the sensor pattern 20 remain exposed.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１０とバイアス磁石５０は、センサパターン２０を露出した状態でモールド樹脂製のケース６０内にインサート成形される。 - 特許庁

Using these multilayer structures, devices can be obtained including a metal paste transistor 1, a vertical cavity surface emitting laser, a magnetoresistance film, and a resonance tunnel diode.例文帳に追加

これらの多層構造体によれば、金属ベーストランジスタ１、面発光レーザ、磁気抵抗膜および共鳴トンネルダイオードなどのデバイスが得られる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element, which retracts a planarized surface with comparatively high dimensional accuracy after planarization polishing.例文帳に追加

平坦化研磨後に比較的に高い寸法精度で平坦化面を後退させることができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductive vias increase the current density in the sensing region of the read sensor, thereby simultaneously increasing the resistance and the magnetoresistance.例文帳に追加

導電性ビアは、読み取りセンサの検出領域における電流密度を増加させ、それによって同時にその抵抗と磁気抵抗を増加させる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element for spin injection writing system which is thermally stable and enables magnetization reversal of low current.例文帳に追加

熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

As a result that a magnetoresistance change when the side end of the polar surface bridges the side end of the polar teeth is increased, a large torque is generated.例文帳に追加

磁極面の側端部が極歯の側端部を跨ぐときの磁気抵抗変化が大きくなる結果、大きなトルクを発生することとなる。 - 特許庁

A fixed resistance element formation region 80 surrounding the fixed resistance elements 4, 5 and the magnetoresistance effective elements 2, 3 are opposing in a lateral direction (X1-X2 direction).例文帳に追加

固定抵抗素子４，５を囲む固定抵抗素子形成領域８０と磁気抵抗効果素子２，３とが横方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に対向している。 - 特許庁

Consequently, a magnetic field generated by bit lines and digit lines is collected to the magnetic collection spacer, and is effectively transmitted to the magnetoresistance memory cell.例文帳に追加

これによって、ビットライン及びデジットラインにより発生した磁場が前記磁気集束スペーサに集束し、前記磁気抵抗記憶セルに効率的に伝達する。 - 特許庁

With this arrangement, it is possible to obtain the magnetoresistance effect element that has low resistance so as to obtain a desired current value, and has a high TMR ratio.例文帳に追加

これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor which has magnetoresistance effect elements, located on a single substrate to cross each other in the three-dimensional direction, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF CHANGING MATTER PHASE USING LIGHT RADIATION, MANUFACTURING METHOD AND METAL WIRING METHOD OF TUNNEL BARRIER TYPE MAGNETORESISTANCE ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

光照射により物質相を変化させる方法及びその方法を用いたトンネル障壁型磁気抵抗素子の製造方法並びに金属配線方法 - 特許庁

An upper metal layer 27 as a protective layer is formed on a top surface of a uppermost free layer 26 of the magnetoresistance effect layer forming a TMR device 2.例文帳に追加

ＴＭＲ素子２を構成する磁気抵抗効果層の最上層のフリー層２６の上面の上面に、保護膜として、上部金属層２７を形成する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which includes a magnetic material, which forms antiferromagnetic combination with full Heusler alloy high in spin polarization rate, and which is high in TMR (tunnel magnetoresistance ratio).例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistance type head and its manufacturing method used in magnetic disk devices such as an HDD or magnetic tape devices such as a DVC.例文帳に追加

ＨＤＤ等の磁気ディスク装置、あるいはＤＶＣ等の磁気テ−プ装置に用いられる磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The pulse signal provided by the magnetoresistance sensor 5 is supplied through a signal processing unit 6 to a servo amplifier 8 and a CT main control part 9 or the like.例文帳に追加

磁気抵抗センサ５により得られたパルス信号は信号処理ユニット６を経てサーボアンプ８及びＣＴ主制御部９等に供給される。 - 特許庁

To provide a closed magnetic circuit inductor which is increased in magnetoresistance so as to have a desired inductance and direct current superimposition characteristics and generates no irritating sound.例文帳に追加

磁気抵抗を上げて所望のインダクタンス及び直流重畳特性を得ることができ、耳障りな音が発生しない閉磁路型インダクタを提供する。 - 特許庁

As a typical configuration of the magnetic sensor, the initial value is a point of the strength of a magnetic field for giving saturation magnetization to spin-valve type magnetoresistance effect elements 11, 12.例文帳に追加

本願発明の特徴的な構成は、初期値が、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２に飽和磁化を与える磁界の強度である点である。 - 特許庁

To provide a material stack which forms a resistor, having such a temperature coefficient as to be identical with or similar to the temperature coefficient of a giant magnetoresistance (GMR) element.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子の温度係数と同じかまたは類似の温度係数を有する抵抗器を形成する材料スタックを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance evaluation device capable of easily generating a magnetic field in a direction perpendicular to the surface of a wafer to enhance measurement precision.例文帳に追加

ウエハの表面に対して垂直方向の磁界を容易に発生させることができ、測定精度を高めることができる磁気抵抗評価装置を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile magnetic thin film memory device has: a substrate; and a memory cell array composed of memory cells each having a magnetoresistance effect element, the memory cells being two-dimensionally arranged on the substrate.例文帳に追加

不揮発磁気薄膜メモリ装置は、基板と、その基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配されたメモリセルアレイとを有している。 - 特許庁

To reliably ensure an insulating property due to an intershield gap while effectively preventing electromigration by suppressing the temperature rise of an MR (magnetoresistance) element.例文帳に追加

ＭＲ素子の温度上昇を抑制して、エレクトロマイグレーションの発生を有効に防止しながら、シールド間ギャップによる絶縁性の確保を確実なものとする。 - 特許庁

The bias magnet is assembled integrally with a sensor chip, having a magnetoresistance element to manufacture a rotation detector, when the magnetic field characteristics are the desired characteristics.例文帳に追加

そしてこの磁界特性が所望とする特性であるときには、磁気抵抗素子を有するセンサチップと一体に組み付けて回転検出装置を製造する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor device having improved detection sensitivity, which improves a magnetic field intensity applied to an object to be detected without causing saturation in a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を飽和させることなく、被検知物へ掛かる磁界強度が強化され、検知感度を向上させる磁気センサ装置を得る。 - 特許庁

Magnetoresistance elements 12, 13 are provided on the semiconductor substrate 10, resistance values vary depending on the intensity of the magnetic field parallel to the surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上に磁気抵抗素子１２，１３が形成され、半導体基板１０の表面に平行な磁界の強さにより抵抗値が変化する。 - 特許庁

To obtain a high reproducing output by a structure which can control with high accuracy the distance between a magnetoresistance effect element and a flux guide element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とフラックスガイド素子との間の距離を極めて精度良く制御できる構造とし、高い再生出力が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a coating type magnetic recording medium having a magnetic layer of ≤0.1 μm, excellent in productivity and having good electromagnetic transducing characteristics in an MR(magnetoresistance) head.例文帳に追加

0.1μｍ以下の磁性層を有し、生産性に優れ、ＭＲヘッドに於ける電磁変換特性が良好である塗布型磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 31 is accumulated and formed in a recessed part 21a of an insulation film 21, formed on a lower electrode 11 by using the collimation method.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子３１を下部電極１１上に形成された第１の絶縁膜中２１の凹部２１ａにコリメート法で堆積形成する。 - 特許庁

Hence, the protective layer can be deposited while leaving a resist, and also the number of steps in the manufacturing of a magnetoresistance effect element having a multilayered structure can be reduced.例文帳に追加

これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。 - 特許庁

The electrical resistance of the material stack 50 generally has the same value as that of a magnetoresistance effect element used in a resistance-type potential divider or a wheatstone bridge device.例文帳に追加

材料スタック５０の電気抵抗は、抵抗分圧器またはホイートストンブリッジ装置で使用される、磁気抵抗効果素子と通常同じ温度係数を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect head, where a high recording density magnetoresistive effect head can be stably manufactured at high yield.例文帳に追加

高記録密度の磁気抵抗効果型ヘッドを歩留まり良く安定して製造することができる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To easily adjust the resistance of a multilayer structure film without damage in a magnetic detector using a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を使用した磁気検出装置において、多層構造の膜の抵抗値をダメージを与えることなく、簡単に調整できるようにする。 - 特許庁

To provide a compact magnetic sensor capable of detecting magnetic field intensity in triaxial directions by arranging three or more giant magnetoresistance elements on one substrate.例文帳に追加

１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得る。 - 特許庁

The EPVR material is a colossal magnetoresistance (CMR) material, a high-temperature superconductor (HTSC) material, a perovskite metal oxide material or the like.例文帳に追加

ＥＰＶＲは、超巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）材料、高温超伝導（ＨＴＳＣ）材料、またはペロブスカイト酸化金属材料などの材料である。 - 特許庁

To realize a magnetoresistance element, which has a high magnetic resistance change rate and an appropriate manufacturing yield, and uses a magnetic tunnel effect useful to reduction of variance during manufacture.例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率を有し、製造の歩留まりが良好で、かつ製造のバラツキの少ない磁気トンネル効果を用いた磁気抵抗素子を実現する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor in which, in particular, two kinds of magnetoresistance effect elements with orthogonal sensitivity axes can be formed on the same chip.例文帳に追加

特に、感度軸が直交する２種類の磁気抵抗効果素子を同じチップ上に形成可能とした磁気センサを提供することを目的とする。 - 特許庁

In a CPP-mode magnetoresistance-effect element, a hybrid layer 8 is provided wherein a current control region 8a is formed locally in an insulator region 8b.例文帳に追加

ＣＰＰ方式の磁気抵抗効果素子において、絶縁体領域８ｂに電流制御領域８ａが局所的に形成される混成層８を設ける。 - 特許庁

The change in magnetic resistance of a magnetoresistance effect (MR) film is measured, before an upper shield layer is formed and prior to patterning of a lower shielding layer.例文帳に追加

上部シールド層が形成される以前に、しかも、下部シールド層のパターニングに先立って磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の磁気抵抗変化は測定される。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film surrounding the magnetoresistance memory cell is formed with a high permeable magnetic film to make the transmission of the magnetic field further effective.例文帳に追加

また前記磁気抵抗記憶セルを囲む層間絶縁膜を高透磁率の磁性膜で形成して磁場の伝達をさらに効果的にすることができる。 - 特許庁

To provide a sensor unit capable of reducing the dispersion of the change in the electrical resistance value in each magnetoresistance element, while maintaining stress balance.例文帳に追加

応力バランスを維持しつつ、各磁気抵抗素子における電気抵抗値の変化のばらつきを低減することのできるセンサ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetometric sensor provided with a space-saving and low-power-consumption coil used to generate a bias magnetic field for a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に付与するバイアス磁界を発生するための、省スペース且つ低消費電力のコイルを備えた磁気センサを提供すること。 - 特許庁

To provide an azimuth meter using a spin valve type giant magnetoresistance effect element capable of simplifying a production process, capable of reducing a size, and capable of realizing a low electric power consumption.例文帳に追加

製造プロセスが簡単で、小型化、低消費電力とすることのできるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子を用いた方位計を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance element 12 is arranged to make a longitudinal direction of the magnetism-sensitive part 23 parallel to a direction K in which an object to be detected passes.例文帳に追加

この磁気抵抗素子１２は、検出対象物の通過方向Ｋに対して、感磁部２３の長手方向が平行になるように配置されている。 - 特許庁

To provide a CPP-type magnetoresistance effect element or the like capable of avoiding the drop in a shielding function of a magnetic shielding film while improving MR.例文帳に追加

ＭＲの向上を図りながらも磁気シールド膜のシールド機能低下を回避することができるＣＰＰ型磁気抵抗効果素子等を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor which has magnetoresistance effect elements located on a single substrate to cross each other in the three-dimensional direction, and to provide manufacturing method thereof.例文帳に追加

単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A selection control circuit 6 for a mode or the like controls a recording reproducing amplifier 5 so that the sense current is not made to flow through the magnetoresistance effect element of the MR head.例文帳に追加

また、モード等選択制御回路６は、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を流さないよう記録再生増幅器５を制御する。 - 特許庁