「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子の製造方法とトンネル磁気抵抗素子および磁気メモリ装置の製造方法と磁気メモリ装置 - 特許庁

To provide a three-terminal magnetoresistance effect head providing a high output and a large output current.例文帳に追加

高出力且つ大きな出力電流を得ることができる３端子型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

EXCHANGE-COUPLING FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK UNIT例文帳に追加

交換結合膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

To provide a direction of magnetization controlled film which is formed thin, and to provide a magnetoresistance effect-type sensor which uses the control film.例文帳に追加

薄く形成した磁化方向制御膜及びこれを用いた磁気抵抗効果型センサを提供する。 - 特許庁

To provide a high-output ferromagnetic tunneling magnetoresistive effect film which has a magnetoresistance ratio small in bias dependency.例文帳に追加

高出力且つ磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい強磁性トンネル型磁気抵効果膜を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MAGNETORESISTANCE DETECTION SYSTEM, AND MAGNETIC RECORDING SYSTEM例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム - 特許庁

SPIN VALVE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH THE SAME, AND MANUFACTURE OF THE SAME例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY STRUCTURE AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド - 特許庁

LAPPING GUIDE, METHOD FOR FORMING ELECTRIC LAPPING GUIDE, MANUFACTURE OF MAGNETORESISTANCE HEAD AND ELECTRIC LAPPING GUIDE例文帳に追加

ラッピングガイド、電気的ラッピングガイドを形成する方法、磁気抵抗ヘッドを作製する方法、及び電気的ラッピングガイド - 特許庁

To improve the sensitivity, output and output stability of a magnetoresistance effect device or a thin-film magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置または薄膜磁気ヘッドの感度、出力および出力安定性を向上させる。 - 特許庁

To set a resistance value of a magnetoresistance effect element to a proper value, and to increase an MR (Magnetoresistive) change ratio sufficiently.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の抵抗値を適当な大きさにし、且つＭＲ変化率を十分に大きくする。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element is mounted at a position facing the magnet 4 on the end face of the oscillator actuator.例文帳に追加

揺動アクチュエータの端面において磁石５と対向する部位には磁気抵抗効果素子が搭載されている。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD SLIDER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY AND HARD DISK DRIVE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気ヘッド、磁気ヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスクドライブ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC FIELD DETECTOR, POSITION DETECTOR, ROTATION DETECTOR, AND CURRENT DETECTOR USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、それを用いた磁界検出器、位置検出器、回転検出器および電流検出器 - 特許庁

SOFT MAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE SAME AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

軟磁性膜、及び前記軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

Thus, a magnetoresistance element, satisfactory in moisture resistance and a low-cost magnetic sensor using the same, can be formed.例文帳に追加

これにより、耐湿性の良い磁気抵抗素子及びそれを用いた低コストの磁気センサを形成できるものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element, for increasing efficiency of a hard bias by performing ion milling after lift-off after formation of a hard film in the forming process of the magnetoresistance effect element, and processing the hard film tip part near the uppermost layer of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、より詳細には磁気抵抗効果素子の形成過程においてハード膜成膜後のリフトオフを行った後にイオンミリングを行い、磁気抵抗効果素子の最上層近辺のハード膜先端部分を加工することによりハードバイアスの効率を高めた磁気抵抗効果素子を製造する方法に関するものである。 - 特許庁

A magnetoresistance tunnel junction element, wherein represented by a chemical equation (RxA1-x)m+1MnmO3m+1, a barrier layer 13 of the oxide of at least one kind of element selected from among Bi, Tl, and Pb is jointed to a perovskite type composite oxide 12 and 14 which has magnetoresistance effect provides a magnetoresistance tunnel effect via the barrier layer 13.例文帳に追加

化学式（Ｒ_xＡ_1-x)_m+1Ｍｎ_mＯ_3m+1により表示され、磁気抵抗効果を有するペロブスカイト型複合酸化物１２、１４に、Ｂｉ、ＴｌおよびＰｂから選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物からなるバリア層１３を接合した磁気抵抗トンネル接合素子として、このバリア層１３を介して磁気抵抗トンネル効果を得る。 - 特許庁

To provide a current sensor capable of reducing discontinuity error in response of a magnetoresistance effect element, for suppressed variation in performance, by optimizing direction of magnetic field which is applied to the magnetoresistance effect element from a primary conductor.例文帳に追加

一次導体から磁気抵抗効果素子に印加する磁界の方向を最適化することで、磁気抵抗効果素子の応答における不連続な誤差を低減でき、性能のばらつきを抑制した電流センサを提供すること。 - 特許庁

This azimuth meter has a plane coil of a quadrilateral having parallel opposite sides, and four sets of spin valve type giant magnetoresistance effect element pairs comprising two of the spin valve type giant magnetoresistance effect elements provided in a plane parallel thereto.例文帳に追加

平行な対辺対を持った四辺形をした平面コイルと、それに平行な平面に設けられたスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子２個からなるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子対４組とを有する方位計である。 - 特許庁

In this magnetoresistance effect thin-film magnetic head of a magnetic flux induction type, the width Ws of a magnetoresistance effect element (an MR element or a GMR element) 4 is formed in the range of 0.85 times to 0.95 times the width W1 of a first magnetic flux induction film 3.例文帳に追加

磁束誘導タイプの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子（MR素子又はGMR素子）４の幅Ｗｓが、第１磁束誘導膜３の幅Ｗ１の0.85倍から0.95倍の範囲内で形成されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element having a large MR change rate, and to provide a magnetic head assembly, a magnetic recorder/reproducer, and a memory cell array using the same, and a manufacturing method of a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明の実施形態によれば、劣化しにくく、ＭＲ変化率の大きい磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

The magnetoresistance sensor 5 composed of a magnet 51 and magnetoresistance(MR) elements 52 and 53 detects the change of magnetic flux caused by the rotation of the involute gear 10 together with the frame rotating part 1 and outputs a pulse signal corresponding to this change.例文帳に追加

マグネット５１、磁気抵抗（ＭＲ）素子５２及び５３から構成される磁気抵抗センサ５は、架台回転部１と共にインボリュート歯車１０が回転することによる磁束の変化を検出し、これに応じたパルス信号を出力する。 - 特許庁

A spin torque oscillator (STO) has a single free ferromagnetic layer which forms a part of both a giant magnetoresistance (GMR) structure having a non-magnetic conductive spacer layer and a tunnel magnetoresistance (TMR) structure having a tunnel barrier layer.例文帳に追加

スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、非磁性導電スペーサ層を有する巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）構造とトンネルバリア層を有するトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）構造の両方の一部を形成する単一の自由強磁性層を有する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device that has a high MR ratio, a high productivity and a high marketability, in a magnetoresistance effect device having a pair of ferromagnetic layers and an intermediate layer disposed between the pair of ferromagnetic layers.例文帳に追加

一対の強磁性層及び該一対の強磁性層の間に位置する中間層を有する磁気抵抗効果素子において、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

On the surface of a substrate, a magnetoresistance effect element layer 11 and a reference resistance layer 21 are connected in series and formed thereon, and a reference resistance layer 22 and a magnetoresistance effect element layer 12 are connected in series and formed thereon.例文帳に追加

基板の表面に、磁気抵抗効果素子層１１と参照抵抗層２１とが直列に接続されて形成され、参照抵抗層２２と磁気抵抗効果素子層１２とが直列に接続されて形成されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element of a spin injection writing system which is capable of carrying out magnetization inversion at low current.例文帳に追加

低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To enlarge an MR ratio and reduce the coercive force of a free layer in an MR element using a tunnel magnetoresistance effect.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果を用いたＭＲ素子において、ＭＲ比を大きくし且つ自由層の保磁力を小さくする。 - 特許庁

In each column, an access transistor is provided respectively corresponding to the two tunnel magnetoresistance elements adjacent to each other.例文帳に追加

各列において、互いに隣接する２つのトンネル磁気抵抗素子にそれぞれ対応してアクセストランジスタが設けられる。 - 特許庁

The magnetic element and latch circuit 17 has magnetoresistance effect elements M1 and bM1, in which the tuning information is stored.例文帳に追加

磁性素子＆ラッチ回路１７は、磁気抵抗効果素子Ｍ１，ｂＭ１を有し、これにチューニング情報が記憶される。 - 特許庁

Further, the tunnel barrier layer is also smoothed, whereby stable magnetoresistance characteristics can be obtained even if the layer is formed thin.例文帳に追加

また、トンネルバリア層をも平滑化し、薄層化した場合においても安定した磁気抵抗特性を得ることができる。 - 特許庁

The barrier layer in the resonance tunnel magnetoresistance effect element includes at least two layers among layers 3021, 3022 and 3023.例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子における障壁層は少なくとも２層３０２１，３０２２，３０２３で構成される。 - 特許庁

LAMINATE HAVING HEUSLER ALLOY, SPIN MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE LAMINATE, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子 - 特許庁

A magnetoresistance memory element has: a reading structure; and a writing structure provided in the vicinity of the reading structure.例文帳に追加

磁気抵抗記憶素子は、読出し構造体と、読み出し構造体の近傍に設けられた書込み構造体とを具備する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element with a high MR change rate and a magnetic recording/reproducing device using the element.例文帳に追加

本発明は、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a giant magnetoresistance effect element which enhances an S/N ratio and durability at a large MR change rate.例文帳に追加

大きなＭＲ変化率で、Ｓ／Ｎ比及び耐久性を向上させる巨大磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To make an electric current to be conducted turnable into a high frequency current, and to enhance the sensitivity of a magnetic sensor using a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

通電する電流の高周波化が可能として、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサの感度を高める。 - 特許庁

An element which can exhibit extraordinary magnetoresistance (EMR) effect includes an elongated channel (2) formed of silicon.例文帳に追加

異常磁気抵抗（ＥＭＲ）効果を示すことができる素子はシリコンにより形成された細長チャネル（２）を含んでいる。 - 特許庁

A TMR element 4 is a magnetoresistance effect element comprising a magnetism sensitive layer 44 where a magnetization direction changes by spin implantation.例文帳に追加

ＴＭＲ素子４は、スピン注入によって磁化方向が変化する感磁層４４を含む磁気抵抗効果素子である。 - 特許庁

To locate a magnetoresistance element at a position at which a current magnetic field generated by a write line is most effectively applied.例文帳に追加

書き込み線から発生する電流磁界が最も効果的に印加される位置に磁気抵抗効果素子を配置する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element MR is electrically connected to the second wiring W2 without interposing a spin filter SF.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子ＭＲは、スピンフィルタＳＦを介することなく第２配線Ｗ２に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a magnetoresistive effect element having a high MR ratio (Magnetoresistance ratio) even at a low RA (electrical resistance value).例文帳に追加

低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To enlarge an MR ratio and to reduce the coercive force of a free layer in an MR element using a tunnel magnetoresistance effect.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果を用いたＭＲ素子において、ＭＲ比を大きくし且つ自由層の保磁力を小さくする。 - 特許庁

To realize a high magnetic resistance change rate in a magnetoresistance element where a plurality of magnetic tunnel resistance elements are connected in series.例文帳に追加

複数の磁気トンネル抵抗素子を直列接続した磁気抵抗素子において、高い磁気抵抗変化率を実現する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT FOR LAMINATING HEUSLAR MAGNETIC LAYER AND NON-MAGNETIC INTERMEDIATE LAYER IN BODY-CENTERED CUBIC STRUCTURE AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加

ホイスラー磁性層と体心立方構造の非磁性中間層を積層した磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド - 特許庁