「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To design magnetic field bias of a magnetoresistance effect film with good controllability relating to a magnetic read head, compound thin film magnetic head, and a hard disk magnetic recording unit.例文帳に追加

再生磁気ヘッド、複合型薄膜磁気ヘッド、及び、ハードディスク磁気記録装置に関し、磁気抵抗効果膜の磁界バイアス設計を制御性良く行う。 - 特許庁

To provide a vertical energization type magnetoresistance effect element capable of suppressing a Barkhausen noise by exhibiting good reproducing sensitivity even when an element size is reduced.例文帳に追加

素子サイズが小さくなっても、良好な再生感度を示し、バルクハウゼンノイズを抑制できる垂直通電型磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a no-grain-boundary magnetoresistance-effect material and a method of manufacturing the same, capable of forming an element and a thin film, without increasing the electrical resistance.例文帳に追加

電気抵抗を増大させることなく、素子化・薄膜化することができる無粒界型磁気抵抗効果素材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The X-ray CT unit has an involute gear 10 and a magnetoresistance sensor 5 as a configuration for detecting the rotation of a frame rotating part 1 without contact.例文帳に追加

Ｘ線ＣＴ装置では、架台回転部１の回転を無接触で検出する構成として、インボリュート歯車１０及び磁気抵抗センサ５を有する。 - 特許庁

Furthermore, the magnetoresistance sensor comprises a specular layer formed on the second non-magnetic conductive layer and an exchange coupling control layer formed on the specular layer.例文帳に追加

磁気抵抗センサはさらに、第２非磁性導電層上に設けられたスペキュラ層と、該スペキュラ層上に設けられた交換結合制御層とを含んでいる。 - 特許庁

To suppress errors in the detection of angle dependent upon the applied intensity of a magnetic field and a temperature in a magnetic field detecting device using a spin valve type-magnetoresistance effect element.例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用いた磁界検出器において、印加磁界強度および温度に依存する角度検出誤差を抑制する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect-type element capable of having a high TMR ratio by a low area resistance (RA) and capable of performing the writing with a low current.例文帳に追加

低い面積抵抗（ＲＡ）で高いＴＭＲ比を有することができるとともに、低電流での情報の書き込みを行うことを可能にする。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 19 is arranged in a layer with the same height as that of the first wiring layer M1A from a semiconductor substrate surface on the contact plug 16B.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１９は、コンタクトプラグ１６Ｂ上の、第１配線層Ｍ１Ａと半導体基板面から同じ高さの層に配置されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, capable of preventing drifting of midpoint electric potential of the output waveform by equalizing temperature rise values of respective magnetic resistance patterns.例文帳に追加

各磁気抵抗パターンの温度上昇値を同一にすることでその出力波形の中点電位のドリフトを防止できる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

HETERO CRYSTAL MULTILAYER STRUCTURE, METAL PASTE TRANSISTOR INCLUDING THE SAME, VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER, MAGNETORESISTANCE FILM, AND RESONANCE TUNNEL DIODE例文帳に追加

異種結晶多層構造体ならびに異種結晶多層構造体を含む金属ベーストランジスタ、面発光レーザ、磁気抵抗膜および共鳴トンネルダイオード - 特許庁

To provide a spin transistor with a sufficient magnetoresistance change rate of a source electrode and drain electrode, and provide a semiconductor memory using such the spin transistor.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極の磁気抵抗変化率が十分大きなスピントランジスタ及びこのようなスピントランジスタを使用した半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The sensor 105 is fixed to a position apart from the outer circumference of the detection gear wheel 102, and detects the magnetoresistance with the outer circumference of the detection gear wheel 102.例文帳に追加

センサ１０５は、検出用歯車１０２の外周と離間した位置に固定され、検出用歯車１０２の外周との磁気抵抗を検出する。 - 特許庁

A magnetic sensor 1 detects a change in magnetism on the basis of the fact that each electric resistance value of magnetoresistance elements 31-34 varies in response to the change in magnetism.例文帳に追加

磁気センサ１は、磁気の変化に応じて磁気抵抗素子３１〜３４の各々の電気抵抗値が変化することに基づいて磁気の変化を検出する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor with a magnetoresistance effect element arranged to cross toward a three-dimensional direction on a single substrate and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the effectively narrow track-width corresponding to the width of the current controlling region 8a is so made obtainable as to promote the improvement of the recording density of this magnetoresistance effect element.例文帳に追加

さらに、電流制御領域８ａの幅に相当する、実効的に狭いトラック幅を得られるようにして、記録密度の向上を促すようにした。 - 特許庁

To provide a CPP structured magnetoresistance effect head capable of reducing the influence of etching damage in a magnetoresistance effect sensor film junction end part in a device height direction, suppressing the deterioration of withstand voltage between upper and lower shield layers or the fluctuation of a reproduction characteristic caused by shielding, and keeping a reduced electrostatic capacitance.例文帳に追加

CPP構造磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、素子高さ方向の磁気抵抗効果センサ膜ジャンクション端部のエッチングダメージの影響を低減し、また、上部シールド層と下部シールド層の間の絶縁耐圧の劣化や、シールド起因の再生特性の変動を小さく抑え、さらに静電容量を小さく保つ。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head capable of reducing the magnetic resistance of a magnetoresistance effect element in a magnetic path for guiding a signal magnetic field and also capable of improving reproducing output characteristics through the increase in the electric resistance of the magnetoresistance effect element in a detecting electric current path.例文帳に追加

信号磁界を誘導する磁路中の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗を減少させることができ、かつ検出電流経路中の磁気抵抗効果素子の電気抵抗を増加させることにより、再生出力特性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

In the magnetometric sensor, a magnetoresistance effect element 11 is covered with a magnetic flux absorber 12 comprising a soft magnetic material, so that the magnetic flux absorber 12 absorbs magnetic flux in a magnetic field given to a circuit board 1 up to the saturated magnetic flux quantity, to thereby prevent the magnetic flux from being given to the magnetoresistance effect element 11.例文帳に追加

磁気センサは、磁気抵抗効果素子１１が、軟磁性材料からなる磁束吸収体１２により覆われているから、この磁束吸収体１２が、回路基板１に与えられる磁界の磁束を、その飽和磁束量まで吸収して、当該磁束が磁気抵抗効果素子１１に与えられないようにすることができる。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 21 for detection of A-phase/B-phase or A-phase and a magnetoresistance effect element 22 for detection of Za-phase/Zb-phase or Z-phase are provided side by side in the same shape on the same substrate, and an arrangement direction with respect to a moving body is vertical to a moving direction of the moving body.例文帳に追加

Ａ相／Ｂ相又はＡ相検出用の磁気抵抗効果素子２１とＺａ相／Ｚｂ相又はＺ相検出用の磁気抵抗効果素子２２とは、同一基板上に同一形状で並設され、かつ運動体に対する配置方向が前記運動体の運動方向に垂直方向である。 - 特許庁

In this device structure, all electric currents flow through a magnetoresistance effect film, and a non-magnetic metal (conductor) as an electrode is connected to at least one part of the magnetoresistance effect film, so that a magnetic field in a narrow region can be detected with high sensitivity and high resolution.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜に流れるすべての電流が上記中間層を必ず通過する形状の素子構造にして、電極として非磁性金属（導体）を磁気抵抗効果膜の少なくとも一部に接続した素子構造として、狭い領域の磁界を高感度に検出できる磁気抵抗効果素子を構成する。 - 特許庁

A rotation detecting device which is an example of the resin sealed integrated circuit is integrally plastic molded with a sensor chip having a magnetoresistance element, a bias magnet for applying a bias magnetic field to the pair of magnetoresistance elements, and a detecting circuit chip for electrically processing the detected signal from the sensor chip fixed to a lead frame.例文帳に追加

樹脂封止型集積回路の一例である回転検出装置は、磁気抵抗素子を備えるセンサチップと、これら磁気抵抗素子対にバイアス磁界を付与するバイアス磁石と、センサチップによる検出信号を電気的に処理する検出回路チップとがリードフレームに装着された状態で一体に樹脂モールドされている。 - 特許庁

In a shield type magnetoresistance effect element using a tunnel joined element consisting essentially of a free layer 6, a barrier layer 5 and a fixed layer 4 as a magnetoresistance effect element, the uppermost and lowest layers of the tunnel joined element are made different from each other in pattern shape and the pattern area of the uppermost layer is made smaller.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子としてフリー層／バリア層／固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いたシールド型磁気抵抗効果素子において、トンネル接合素子を構成する層のうち最上層と最下層とでパターン形状が異なり、そのパターンの面積が最上層の方が小さいようにする。 - 特許庁

In the magnetoresistance effect element wherein the magnetoresistance effect film is exposed to the ABS surface, shields 30a and 30b consisting of a soft magnetism film for shielding a side truck are arranged by sandwiching a first free layer 14a that constitutes laminated ferri-structure, an antiferromagnetism combining layer 15 and a second free layer 14b.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜がABS面に露出した磁気抵抗効果素子において、サイドトラックシールドを目的とした軟磁性膜からなるシールド部３０ａ、３０ｂが、積層フェリ構造を構成する第１のフリー層１４ａ、反強磁性結合層１５および第２のフリー層１４ｂを挟んで配置されている。 - 特許庁

To provide a magnetic reproducing device and a bias current adjusting method for a magnetic head, wherein by automatically controlling a bias current value supplied to the magnetic head which uses a magnetoresistance effect or a giant magnetoresistance effect to an optimal value, changes in output characteristics caused by the abrasion of the magnetic head are dealt with, and a high recording density is achieved inexpensively.例文帳に追加

磁気抵抗効果や巨大磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドに供給するバイアス電流値を自動的に最適値に制御することで、磁気ヘッドの摩耗による出力特性の変化に対応し、安価で高記録密度化を実現する磁気再生装置及び磁気ヘッドのバイアス電流調整方法を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect composite head comprises a magnetoresistance effect element 3 consisting of a spin valve element, an electrode part 5 adjacent to the element 3 and supplying a sensing current and 1st and 2nd magnetic shields 1 and 6 which hold the element 3 and the electrode part 5 between them with reading gaps 2a and 2b therebetween.例文帳に追加

磁気抵抗効果型複合ヘッドはスピンバルブ素子から成る磁気抵抗効果素子３と、これに隣接しかつセンス電流を供給する電極部５と、これらを読出しギャップ２ａ、２ｂを介して挟みこむように形成された第一の磁気シールド１と、第二の磁気シールド６とから構成されている。 - 特許庁

As a result, when securing the same surface recoding density as before on a memory medium, the magnetoresistance change ratio (MR ratio) of the magnetoresistive effect film 44 is increased than before.例文帳に追加

その結果、記憶媒体で従来と同様の面記録密度が確保される場合に、磁気抵抗効果膜４４の磁気抵抗変化率（ＭＲ比）は従来に比べて増大する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which is formed by suppressing as much as possible, the usage of etching method using physical sputtering such as ion milling method or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To especially provide a magnetic sensor and magnetic sensor module which is rationalized in arrangement of fixed resistance provided with a first soft magnetic material and a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

特に、第１軟磁性体を備える固定抵抗素子と磁気抵抗効果素子との配置を適正化した磁気センサ及び磁気センサモジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

An axisymmetric trapezoidal magnetoresistance element 2 is arranged so that the symmetric axis of the trapezoidal shape is tilted along the magnetic flux direction emitted from a bias magnet 4.例文帳に追加

線対称のハの字形状を成す磁気抵抗素子２を、ハの字形状の対称線がバイアス磁石４にて発せられる磁束の方向に沿って傾斜するように配置する。 - 特許庁

To provide a flattened tunnel magnetoresistance element having high alignment and a flat interface without being influenced by the structure and irregularities of a ground such as an amorphous substance and a polycrystalline substance.例文帳に追加

アモルファスや多結晶体などの下地の構造や凹凸にとらわれることなく高配向で平坦な界面を持つ平坦化トンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

When the magnetoresistance effect film 46 is completely processed outside the resist 73, the formation of a deep recessed part in a base layer 44 corresponding to the contact hole 53 is avoided.例文帳に追加

レジスト７３の外側で磁気抵抗効果膜４６が完全に削り取られた際に、コンタクトホール５３に対応して基層４４に深い窪みが形成されることは回避される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect element, in which the step coverage of a formed film can be enlarged and also the film can be deposited in a low temperature range.例文帳に追加

形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce a manufacturing cost in an electronic part which mounts electronic parts, such as a magnetoresistance sensor element, in substrates, such as a printed circuit board, etc., and performs sealing by a protection resin.例文帳に追加

プリント配線板などの基板に磁気抵抗センサ素子などの電子素子を搭載して保護樹脂で封止した電子部品において、その製造コストを削減する。 - 特許庁

The magnetism-sensitive part 23 is formed of a serpentine magnetoresistance pattern 26 to obtain a predetermined magnetic reluctance value, with having a rectangular area as indicated by a chain line.例文帳に追加

感磁部２３は、所定の磁気抵抗値を得るため蛇行形状の磁気抵抗パターン２６にて構成され、点線で示すように長方形の領域を有している。 - 特許庁

A nonvolatile magnetic memory includes a resonance tunnel magnetoresistance effect element, and to which a writing system by spin transfer torque produced with a voltage corresponding to the resonance level is applied.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を装備し、共鳴準位に相当する電圧によりスピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

By sliding and moving the magnet 50 with respect to the magnetic sensor 10, the direction of the magnetic field applied to the magnetoresistance elements R1-R4 is changed, and their resistance values are changed.例文帳に追加

磁気センサ１０に対して磁石５０をスライド移動することで磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４に印加する磁界の方向を変化してその抵抗値を変化させる。 - 特許庁

Meanwhile, magnetization difficult axis regions 112 and 114 which have the property not desirable as the memory cell are not used as a component of the tunnel magnetoresistance element TMR.例文帳に追加

一方、メモリセルとして望ましくない特性を有する磁化困難軸領域１１２，１１４は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの構成部分としては、用いられない。 - 特許庁

To provide a magnetic reproduction head wherein the magnetization direction of a fixed layer is stabilized without having effects on the magnetization direction of a free layer, even when a magnetoresistance effect element is miniaturized.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を小さくした場合であっても、自由層の磁化方向に影響を与えずに、固定層の磁化方向を安定させる磁気再生ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic sensing element capable of preventing degradation in reproduction output by preventing a conductive substance from sticking to a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に導電性の付着物が付着することを防止して、再生出力の低下を防ぐ磁気検出素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device having a magnetoresistance effect element which efficiently utilizes a magnetic field for achieving stable data writing and the stable storage of written data.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリデバイスにおいて、磁界を効率よく利用して書込を安定して行い、かつ、書き込まれた情報を安定して保持する。 - 特許庁

An MR(magnetoresistance effect) element 50 as a magnetic conversion element has a laminated body 5 produced by laminating an antiferromagnetic layer 51, pinned layer 52, nonmagnetic metal 53 and free layer 54.例文帳に追加

磁気変換素子であるＭＲ素子５０は、反強磁性層５１、ピンド層５２、非磁性金属５３およびフリー層５４を積層してなる積層体５を有している。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element and the manufacturing method of the same capable of increasing a change rate of magnetoresistance while suppressing the increase of magnetostriction constant of a free magnetic layer.例文帳に追加

フリー磁性層の磁歪定数の増大を抑えつつ、磁気抵抗変化率を大きくすることのできる磁気検出素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently increase a torque by allowing a magnetoresistance change at an initial time of superposing a pole surface of a permanent magnet block on polar teeth of polar tooth yoke.例文帳に追加

永久磁石ブロックの磁極面と極歯ヨークの極歯の重なり合い初期における磁気抵抗変化を大きくできるようにして、効率良くトルクの増大を図る。 - 特許庁

The data recorded in ultrahigh density in the magnetic recording medium 100 can be reproduced, for example, by using a magnetoresistance element mounted on a recording and reproducing head.例文帳に追加

磁気記録媒体１００に超高密度に記録されたデータは、例えば、記録再生用ヘッドに搭載された磁気抵抗素子を用いて再生することができる。 - 特許庁

To improve the insulation performance between electrodes connected to a magnetoresistance(MR) element and shielding layers, without increasing the thickness of the insulating layer between the MR element and the shielding layers.例文帳に追加

磁気抵抗素子とシールド層との間の絶縁層を厚くすることなく、磁気抵抗素子に接続された電極とシールド層との間の絶縁性能を向上させる。 - 特許庁