「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The Z-axis sensor is composed by providing four giant magnetoresistance elements 4i to 4l on an inclined plane of a plurality of juxtaposed grooves formed by etching a part of the thick film.例文帳に追加

Ｚ軸センサは、厚膜の一部をエッチングして形成した複数の並列した溝の斜面に、４個の巨大磁気抵抗素子４ｉ〜４ｌを設けて構成する。 - 特許庁

To make it possible to obtain a magnetoresistance effect element and a magnetic memory having high reliability without element damage, and also capable of operating in low power consumption and in low current writing.例文帳に追加

低消費電力でかつ低電流書き込みで動作するとともに、素子破壊が無く信頼性が高い磁気抵抗効果素子および磁気メモリを得ることを可能にする。 - 特許庁

When the control film is used for this magnetoresistance effect type sensor, the antiferromagnetic layer in the direction of magnetization controlled film is formed, so as to come into contact with a soft magnetic layer whose direction of magnetization is to be controlled.例文帳に追加

磁気抵抗効果型センサに使用するときには、磁化方向を制御したい軟磁性層に上記磁化方向制御膜の反強磁性層を接して設ける。 - 特許庁

To decrease variation in sensitivity Sa of a magnetism detecting circuit which is caused when a magnetic sensor comprising a magnetoresistance element of bridge configuration is driven with a constant current down to a variation in sensitivity Sd of the magnetic sensor itself.例文帳に追加

ブリッジ構成の磁気抵抗素子からなる磁気センサーが電流駆動される磁気検出回路の感度のバラツキを、磁気センサーの感度のバラツキまで縮小すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element of higher plateau magnetic field (Hpl) than conventional one while, especially, a high ΔRA is maintained.例文帳に追加

特に、高いΔＲＡを維持しながら、プラトー磁界（Ｈｐｌ）を従来に比べて大きくすることが可能な磁気抵抗効果素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

When the insulating film and the upper-side electrode are formed based on a flat base layer, short-circuiting is surely avoided between the upper-side electrode and the magnetoresistance effect film.例文帳に追加

平坦な基層に基づき絶縁膜や上側電極が形成されていくと、上側電極と磁気抵抗効果膜との間で短絡は確実に回避されることができる。 - 特許庁

To provide a position detection device that uses a magnetoresistance effect element, capable of performing accurate position detection by using a magnet and a detector moving opposite to the magnet.例文帳に追加

磁石とこの磁石に対向して移動する検知器を用いて、位置検知を正確にできるようにした磁気抵抗効果素子を用いた位置検知装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element exhibiting a high MR ratio of 50% or more at room temperature and capable of achieving a recording density of several Tbit/inch^2, and to provide a magnetic device.例文帳に追加

室温で５０％以上の高いＭＲ比を示し、数テラビット／インチ^２の記録密度を実現可能な磁気抵抗効果素子および磁気デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head that causes no deterioration of insulation property between the lead against a magnetoresistance element and the upper/lower shield, even if a shield gap layer is made thinner for the purpose of improving the thermal asperity of the magnetoresistance effect type thin film magnetic head, and than also reduces the resistance of the lead so as to accurately read a minute reproducing signal.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

A writing electrode of the magnetoresistance material element memory 200 for writing a plurality of magnetoresistance material elements 2 by writing electrodes 20, 21 comprises a plurality of electrically insulated wire bundles 10 which are structured with one wiring repeatedly bundled in a loop shape.例文帳に追加

複数の磁気抵抗素子２を書き込み用電極２０、２１によって書き込みを行う磁気抵抗素子メモリ２００において、該書き込み用電極は、電気的に絶縁された複数本の配線束１０からなり、該配線束１０は、１本の配線がループ状に複数回巡って束ねられたものであるように磁気抵抗素子メモリ２００を構成する。 - 特許庁

This magnetoresistance sensor device is provided with a substrate 100, a signal processing circuit 5 formed on the substrate 100, a flattening film 6 for flattening the signal processing circuit 5, a silicon nitride film 7 formed on the flattened signal processing circuit 5, and a magnetoresistance sensor element 9 formed on the silicon nitride film 7.例文帳に追加

基板１００と、前記基板１００上に形成された信号処理回路５と、前記信号処理回路５を平坦化する平坦化膜６と、前記平坦化された信号処理回路上に形成された窒化ケイ素膜７と、前記窒化ケイ素膜７上に形成された磁気抵抗センサ素子９とを備えることを特徴とする磁気抵抗センサ装置とする。 - 特許庁

In a magnetoresistance effect type head, a magnetic domain control film formed on the end of a free layer of the magnetoresistance effect laminated body is formed by a Co alloy film, and a ground film for controlling the crystalline state of the Co alloy film and an amorphous metallic film layer for controlling the crystalline state of the ground film are formed under the magnetic domain control film.例文帳に追加

本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果積層体の自由層の端部に形成される磁区制御膜がＣｏ合金膜で形成されており，かつその磁区制御膜の下部にＣｏ合金膜の結晶状態を制御する下地膜と，その下地膜の結晶状態を制御するアモルファス金属膜層を設けてなる構成とする。 - 特許庁

A level shifter comprises: a wiring 112 for generating a magnetic field to which an input signal is applied; a magnetoresistance effect element 11 for detection which outputs a detection signal for which the wiring 112 for generating the magnetic field takes a value corresponding to the generated magnetic field; magnetoresistance effect elements 21 and 31 for reference which output reference signals of a certain value.例文帳に追加

レベルシフタは、入力信号が印加される磁界発生用配線１１２と、磁界発生用配線１１２が発生した磁界に対応した値をとる検出信号を出力する検出用磁気抵抗効果素子１１と、一定の値をとる参照信号を出力する参照用磁気抵抗効果素子２１，３１を備える。 - 特許庁

In the magnetoresistance effect type reproducing head with a magnetoresistance effect type element 100 arranged between two shield parts for performing magnetic shielding to external magnetism, planar shapes of the shield parts are formed in an annular shape, and otherwise, a conductor film is wound around a prescribed area of the shield parts formed in an annular shape so as to form a coil.例文帳に追加

本発明は、外部磁気に対する磁気シールドを行う２つのシールド部の間に磁気抵抗効果素子を配置した磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、シールド部の平面形状を環状に形成するよう構成する、あるいは環状に形成したシールド部の所定領域に導体膜を巻き付けコイルを形成するよう構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁

Between upper/lower magnetic shield layers 1, 2 and a magnetoresistance effect film 10, electrodes 3 and 4 are disposed only near a medium facing surface to locally supply a minimum sensation current to the vicinity of the medium facing surface of the magnetoresistance effect film 10, thereby reducing effective magnetic spacing to realize the magnetic reproduction head having the high resolution and reduced reading blur.例文帳に追加

上下磁気シールド層１，２と磁気抵抗効果膜１０の間に、媒体対向面付近にのみ電極３，４を配置し、感知電流を磁気抵抗効果膜１０の媒体対向面近傍に局在して通電させることによって、実効的な磁気的スペーシングを小さくし、高分解能で読み滲みが小さい磁気再生ヘッドを実現することができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element having a high output and a good sensitivity to an external magnetic field, and to provide a magnetic head, magnetic storage device, and magnetic memory device using the same.例文帳に追加

本発明の目的は、高出力でかつ外部磁界に対する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element capable of realizing high density of magnetic recording by suppressing the influence of the noise by the magnetic signal leaked from an adjoining truck at the time of signal regeneration.例文帳に追加

信号再生時に、隣接するトラックから漏洩する磁気信号によるノイズの影響を抑えて、磁気記録の高密度化を図ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a position detector, having a magnetoresistance effect element capable of detecting position over a comparatively wider region using a magnet and a detector which moves while facing this magnet.例文帳に追加

磁石とこの磁石に対向して移動する検知器を用いて、比較的広い領域で位置検知ができるようにした磁気抵抗効果素子を用いた位置検知装置を提供する。 - 特許庁

In the CPP structure magnetoresistance effect device, a large resistance change can be realized with the inversion of a direction of magnetization established in a free-side ferromagnetic layer 58.例文帳に追加

こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、自由側強磁性層５８で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。 - 特許庁

Consequently, the magnetoresistance effect element can be provided which has a high MR variation rate within a temperature range of room temperature or above it without increasing the element resistance.例文帳に追加

その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a magnetoresistive element and a method and device for manufacturing a magnetic device improving the reproducibility of a magnetoresistance effect.例文帳に追加

磁気抵抗効果の再現性を向上させた磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置を提供する。 - 特許庁

The magnet 13c is arranged in such a way that the magnet 13c is faced oppositely to the bias magnet 13b at a distance and, at the same time, sandwiches the first magnetoresistance element 13a together with the magnet 13b.例文帳に追加

補助磁石１３ｃはバイアスマグネット１３ｂに離間して対向配置されるとともに、バイアスマグネット１３ｂとともに第１磁気抵抗素子１３ａを挟むように配置されている。 - 特許庁

On the other hand, the element 2 is provided with a plurality of magnetoresistance bodies 6 and the output characteristic of the element 2 in the magnetic field direction which varies depending upon the arranging pattern of the bodies 6 has a sine waveform.例文帳に追加

一方、磁気抵抗素子２は磁気抵抗体６を複数備え、その磁気抵抗素子２の配置パターンにより決まる磁界方向−出力特性は正弦波形をとる。 - 特許庁

The second thin-film resistance heater element is located on a layer lower than the first thin film resistance heater element and exists near the floating surface and magnetoresistance effect element than the position of the first heater element.例文帳に追加

第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり、前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面及び前記磁気抵抗効果素子に近くにある。 - 特許庁

Furthermore, special iron cores including an iron core having a low iron loss, an iron core having a high magnetoresistance, etc., can be produced by purposely using different annealing conditions within the iron core 1a.例文帳に追加

また、意図して鉄心１ａ内の焼鈍条件に差異をつけることで特殊仕様の鉄心、例えば鉄損の低い鉄心、磁気抵抗の高い鉄心等を製作することができる。 - 特許庁

Then, a first wiring layer M1B is arranged in a layer with the same height as those of the first wiring layer M1A and the magnetoresistance effect device 19 from the semiconductor substrate surface on the contact plug 16C.例文帳に追加

そして、第１配線層Ｍ１Ｂは、コンタクトプラグ１６Ｃ上の、第１配線層Ｍ１Ａ及び磁気抵抗効果素子１９と半導体基板面から同じ高さの層に配置されている。 - 特許庁

A high frequency current is supplied to the magnetoresistance effect element of a probe tip part via a current supply cable connector 33 and a current supply cable 34 from a high frequency current source 32.例文帳に追加

高周波電流源３２から電流供給用ケーブルコネクタ３３、電流供給用ケーブル３４を介し、プローブ先端部の磁気抵抗効果素子への高周波電流を供給する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head, a head gimbal assembly and a hard disk device capable of obtaining high reproducing output by reducing the interval between a magnetoresistance effect element and a recording medium.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と記録媒体との間隔を低減することで高い再生出力を得られる薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置を提供すること。 - 特許庁

A high-output tunnel magnetoresistance effect element with a free layer having high-temperature stability applied thereto is equipped to a nonvolatile magnetic memory so as to apply a write system by spin transfer torque.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises a bias substrate layer 33, a hard bias layer 34 and an electrode layer 36 laminated on the antiferromagnetic layer 26 of both side regions of a multilayer film 31 via an amorphous insulating layer 32.例文帳に追加

多層膜３１の両側領域の反強磁性層２６上に、アモルファス絶縁層３２を介してバイアス下地層３３、ハードバイアス層３４、電極層３６を積層する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor in which that magnetoresistance change rate is sufficiently large, and that coercive force of a pin layer is sufficiently large and coercive force of a free layer is sufficiently small are compatible.例文帳に追加

磁気抵抗変化率が充分大きいことと、ピン層の保磁力が充分大きく、フリー層の保磁力を小さくすることとが両立された磁気センサを提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance element, which is excellent in a control of the coercive forces of its ferromagnetic layers, a miniaturization, stability, recording density and the like, has a high rate of change of magnetic reluctance and is useful for a magnetic memory element or the like.例文帳に追加

強磁性層の保磁力の調整、小型化、安定性、記録密度等に優れ、高い磁気抵抗変化率を有する磁気メモリ素子等に有用な磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

A second magnetization fixed layer is deposited further thereon and then heat treatment is performed thus producing a double tunnel magnetoresistance effect film having a crystal lattice connected continuously to all.例文帳に追加

さらにその上に第２磁化固定層を成膜し、その後に加熱処理を行うことで全てに連続して繋がった結晶格子を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜が製造される。 - 特許庁

To provide a high output vertical conduction magneto-resistance effect element through high MR (magnetoresistance) ratio, and a magnetic head as well as a magnetic reproduction device which are employing such a magneto-resistance effect element.例文帳に追加

高いＭＲ比による高出力の垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect type magnetic head wherein characteristic deterioration due to oxygen diffusion is not generated, in a magnetoresistive effect film to which an oxide is applied for obtaining a high changing ratio of magnetoresistance.例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率を得る為に、酸化物を適用した磁気抵抗効果膜において、酸素拡散による特性劣化を起こさない磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a double tunnel magnetoresistance effect film having two tunnel barrier layers in which the MR ratio is enhanced, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

２つのトンネルバリア層を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜について、ＭＲ比を向上させた二重トンネル磁気抵抗効果膜及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first sensor part 120 includes one or more magnetoresistance effect elements to be magnetically saturated by a magnetic field to be measured and outputs angle signals V1 and V2 in accordance with a direction of the magnetic field.例文帳に追加

第１のセンサ部１２０は、測定対象である磁界により磁化飽和する１以上の磁気抵抗効果素子を含み、磁界の向きに応じた角度信号Ｖ１，Ｖ２を出力する。 - 特許庁

When the magnetic disk device is in an operation waiting state, feedback control for positioning a carriage is released, and the flowing of a sense current through a magnetoresistance effect element for an MR head is stopped.例文帳に追加

磁気ディスク装置が動作待機状態のときは、キャリッジの位置決めのためのフィードバック制御を解除し、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を流すのを止める。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element, in which a sensor current is flowed in a direction perpendicular to a film surface, has an electron reflection layer on at least one of a pin layer, free layer, or nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加

センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに電子反射層を設ける。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises: a free layer; a pinned magnetic layer; and a barrier layer formed between the free layer and the pinned magnetic layer.例文帳に追加

本本発明に係る磁気抵抗効果素子は、フリー層と、磁化固定層と、該フリー層と該磁化固定層との間にバリア層とを備える磁気抵抗効果素子であって、該バリア層が半導体からなる。 - 特許庁

There is disclosed the differential current-perpendicular-to-the plane (CPP) type giant magnetoresistance (GMR) sensor 400 having non-magnetic high conductivity lead wires 418 and 420 to achieve low lead resistance.例文帳に追加

低抵抗を実現するための非磁性高導電率リード線４１８，４２０を有する差動膜面垂直通電（ＣＰＰ）型巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサ４００が提供される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element where the width of a conductor is easy to control, and where a free layer and a fixed layer are conducted via the conducting part having a minute width.例文帳に追加

自由層と固定層が微小な幅の導通部分を介して導通される磁気抵抗効果素子であって、導通部分の幅の制御が容易な磁気抵抗効果素子を実現する。 - 特許庁

Moreover, by increasing the volume of the magnetoresistance effect film 10 at an element height rear part, the magnetic fluctuation noise is suppressed to realize the magnetic reproduction head showing a high SN ratio.例文帳に追加

さらに、素子高さ後部において磁気抵抗効果膜１０の体積を大きくすることで、磁気揺らぎノイズを抑制し、高ＳＮ比を示す磁気再生ヘッドを実現することができる。 - 特許庁

To provide a rotary encoder provided with a magnetoresistance effect element hardly affected by an external magnetic field, simply constructed of a small number of parts, and capable of minimizing centering work.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子が外部磁場の影響を受けにくく、構造が簡単で部品点数が少なく、芯出し作業も最小限に抑えることができるロータリーエンコーダを提供する。 - 特許庁