「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic material layer 10 comprises a ferromagnetic material, for example, of NiFe (nickel iron) as a material, and serves as a role of reducing the saturation magnetic flux density of a magnetoresistance element 6 in an upper face of the magnetic material layer 10.例文帳に追加

この磁性体層１０は、例えばNiFe（ニッケル鉄）の強磁性体を材質とするとともに、磁性体層１０の上部にある磁気抵抗素子６の飽和磁束密度を低減させる役目を果たしている。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD WITH IT, HEAD-GIMBALS ASSEMBLY WITH THIN-FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC DISK DRIVE WITH HEAD-GIMBALS ASSEMBLY AND METHOD FOR REPRODUCING MAGNETIC RECORDING USING THIN-FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置、及び該薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記録再生方法 - 特許庁

After the recessed part 21a use been filled with a second insulation film 41, first and second insulation films are etched back flat, and a contact metal of the magnetoresistance effect element 31 is exposed, and then an upper electrode 51 is formed thereon.例文帳に追加

第２の絶縁膜４１で凹部２１ａを埋め込んだ後、第１と第２の絶縁膜を平面的にエッチバックし、磁気抵抗効果素子３１のコンタクトメタルを露出させ、その上に上部電極５１を形成する。 - 特許庁

To provide a practical magnetoresistance effect element having an appropriate resistance value, high sensitivity, and a small number of magnetic materials to be controlled, and also to provide a magnetic head and a magnetic reproduction device using the element.例文帳に追加

適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを可能にする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device capable of reducing a switching magnetic field required when, in a fine magnetic detection device and a magnetic memory cell and the like, a magnetic field is detected or information is written in the magnetic memory cell.例文帳に追加

微小な磁気検出素子や磁気メモリセルなどにおいて磁場検出あるいはセルに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁場を低減することができる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The magnetoresistance-effect elements, the wiring section, and the control circuit section are connected to one another in the plurality of layers via a connecting section, made of an electrically conductive substance, which extends in a direction that intersects with planes of those layers.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と配線部と制御回路部とは、その複数の層内にてそれらの層の層面に交差する方向に伸びる導電性物質からなる接続部により互いに接続されている。 - 特許庁

Magnetic bodies 6, 7 having protruding parts 6b, 7b whose width in the direction of rotation on a side opposing to an outer peripheral face 2a on which teeth 2b of a gear 2 are formed is reduced are provided between the gear 2 and magnetoresistance elements 4, 5.例文帳に追加

ギヤ２と磁気抵抗素子４，５との間には、ギヤ２の歯２ｂが形成される外周面２ａと対向する側の回転方向の幅を幅狭とした突部６ｂ，７ｂを有する磁性体６，７が介在される。 - 特許庁

The magnetic sensor is equipped with a giant magnetoresistance element (GMR element) 12, 13 and a reference resistance 14, 15 in structure wherein nonmagnetic layers 21a and 21b and ferromagnetic layers 22a and 22b are laminated by turns on a substrate 11.例文帳に追加

磁気センサは、基板１１上に非磁性層２１ａ，２１ｂと強磁性層２２ａ，２２ｂとを交互に積層した構造体にて巨大磁気抵抗素子（ＧＭＲ素子）１２，１３と基準抵抗１４，１５を備える。 - 特許庁

This magnetoresistance effect element is configured such that a free layer 20 in an MR element 1 is a stacked body including first and second FeCo layers 31 and 32 and first to fourth CoFe layers 21 to 24 the thicknesses of which are larger than those of the first and second FeCo layers 31 and 32.例文帳に追加

ＭＲ素子１におけるフリー層２０は、第１および第２のＦｅＣｏ層３１，３２と、これらよりも厚みの大きな第１〜第４のＣｏＦｅ層２１〜２４とを含む積層体である。 - 特許庁

To provide a high density magnetoresistance memory and its manufacturing method which reduces a demand current and improves the selectivity by concentrating a magnetic flux, and is advantageous in forming a high-density and highly integrated memory cell.例文帳に追加

磁束を集中させることによって要求電流を減少させて選択度を向上させ、メモリセルの高密度および高集積化に有利である高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating layer 304 and a non-magnetic conductive layer 305 are laminated to a ferromagnetic free layer 303 in a tunnel magnetoresistance effect film 1, comprising the non-volatile magnetic memory having a writing method by a spin transfer torque.例文帳に追加

スピントランスファートルクによる書込み方式をもつ不揮発性磁気メモリを構成するトンネル磁気抵抗効果膜１において、絶縁層３０４と非磁性導電層３０５を強磁性自由層３０３に積層する。 - 特許庁

In applying a sense current to the CPP magnetoresistance effect head in a direction of a first fixed layer from a free layer, a relative angle formed by magnetization of a second fixed layer and that of the free layer is 70° to 80°.例文帳に追加

垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドにセンス電流を自由層から第一の固定層の方向に流す場合、第二の固定層と自由層の磁化の相対角度が、70〜80度の角度である構成を用いる。 - 特許庁

The magnetic memory comprises a magnetoresistance effect element (10), and wiring structures (21 to 24) to which the writing current for making a writing magnetic field for writing data act on the element (10) is made to flow.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは、磁気抵抗効果素子（１０）と、データを書き込むための書き込み磁場を磁気抵抗効果素子（１０）に作用させる書き込み電流が流される配線構造（２１〜２４）とを具備する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance sensor which can be applied even to a narrow lead gap in which the magnetization of a fixed layer can be made stable to an outer magnetic field, and the soft magnetic characteristics of a free layer can not be damaged, and the decrease of an output can be reduced.例文帳に追加

狭リードギャップにも適用できる、固定層の磁化が外部磁界に対して安定で、自由層の軟磁気特性も損なわれない、かつ出力の減少が小さい磁気抵抗センサを提供する。 - 特許庁

To make it possible to apply a stable bias magnetic field to a magnetism sensing layer by increasing the coercive force of a bias magnetic field application layer for applying to the magnetism sensing layer a bias magnetic field for making the magnetism sensing layer of a magnetoresistance effect element have a single magnetic domain.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の感磁層を単磁区化するためのバイアス磁界を感磁層に印加するバイアス磁界印加層の保磁力を大きくして、安定したバイアス磁界を感磁層に印加できるようにする。 - 特許庁

The magnetoresistance effect film 2 is constituted by laminating a half metallic antiferromagnetic layer comprising a half metallic antiferromagnetic layer 21, a nonmagnetic spacer layer 22, and a magnetization free layer 23 of which the direction of magnetization is changed.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果膜２は、ハーフメタリック反強磁性体からなるハーフメタリック反強磁性層21と、非磁性スペーサ層22と、磁化の方向が変化する磁化自由層23とを積層して構成されている。 - 特許庁

In this manufacturing method for a magnetoresistance effect thin-film magnetic head provided with an SV-GMR element 4, a process in which a plasma treatment layer 45 is formed between a fixation layer 44 and an antiferromagnetic layer 46 for the SV-GMR element 4 is provided.例文帳に追加

SV-GMR素子４を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、SV-GMR素子４の固定層４４と反強磁性層４６との間にプラズマ処理層４５を形成する工程を備える。 - 特許庁

To evade the non-uniformity of the levels of pilot signals which are detected from adjacent tracks on both sides of a recording track when reproduction is performed on the recording track by an ATF system, etc., through the use of a magnetoresistance effect type MR head.例文帳に追加

ＡＴＦ方式等で記録トラック上を磁気抵抗効果型のＭＲヘッドで再生する際の記録トラックの両側の隣接トラックから検出するパイロット信号のレベルの不均一性を回避する。 - 特許庁

To obtain a method and an apparatus for inspecting a tunnel magnetoresistance effect element whereby the characteristic of the element can be derived 'without damaging or breaking the element' and 'efficiently', and obtain a hard disk drive apparatus.例文帳に追加

「素子にダメージを与えたり破壊させることなく」しかも「効率良く」、素子の特性が導出することができるトンネル磁気抵抗効果素子の検査方法および特性検査装置、ならびにハードディスクドライブ装置を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element has an underlying layer 12 composed of a Cr/Ag layer under the first half metal ferromagnetic layer 13, and has an antioxidation layer 16 composed of an Ag/Ru layer on the second half metal ferromagnetic layer 15.例文帳に追加

第１のハーフメタル強磁性体層１３の下に、Ｃｒ／Ａｇ層から成る下地層１２を有し、第２のハーフメタル強磁性体層１５の上に、Ａｇ／Ｒｕ層から成る酸化防止層１６を有している。 - 特許庁

An output voltage Vout of a magnetic sensor 10 in the state where an external magnetic field does not incur a difference between resistance value changes of two magnetoresistance effect elements, and an offset voltage Os1 of the output voltage Vout are acquired.例文帳に追加

外部磁界が２つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態での磁気センサ１０の出力電圧Ｖoutを取得するとともに、出力電圧Ｖoutのオフセット電圧Ｏs1を取得する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory where wiring can easily be arranged so that wiring for writing current passes the face of a magnetoresistance effect element for a multiple number of times and enlargement of a storage region due to wiring can be suppressed.例文帳に追加

書き込み電流を流す配線が磁気抵抗効果素子の面上を多数回通過するように該配線を容易に配設でき、且つ、該配線による記憶領域の拡大を抑えることができる磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum.例文帳に追加

真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

Since the magnetostriction constant of the magnetoresistance effective element 20 is equal to/lower than 0, the changing quantity of asymmetry due to the MR height is reduced, and even when there is small fluctuation in the MR height, no fluctuation occurs in asymmetry.例文帳に追加

この磁気ヘッド１によれば、磁気抵抗効果素子２０の磁歪定数が０以下であるので、ＭＲハイトに対するアシンメトリーの変化量が小さくなり、ＭＲハイトに僅かなばらつきが生じてもアシンメトリーが変動することがない。 - 特許庁

Especially, when a free-side ferromagnetic layer 56 is contained in the body 39b, the strong vertical bias magnetic field BS can act on the layer 56 as compared with a conventional CPP-structure magnetoresistance effect element.例文帳に追加

特に、上層体３９ｂに自由側強磁性層５６が含まれる場合には、従来のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子に比べて自由側強磁性層５６に比較的に強い縦バイアス磁界ＢＳは作用することができる。 - 特許庁

A differential output Vd is calculated with a differential amplifying circuit 50, using the Equation Vd=2(V3-V4)-α(V1-V2), based on the output values V1, V2, V3 and V4 of first to fourth magnetoresistance element bridges 31, 32, 33 and 34.例文帳に追加

第１〜第４磁気抵抗素子ブリッジ３１、３２、３３、３４の出力値Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４から、差動増幅回路５０で差動出力Ｖｄを、Ｖｄ＝２（Ｖ３−Ｖ４）−α（Ｖ１−Ｖ２）との式によって算出する。 - 特許庁

To make a giant magnetoresitance element composing a Z-axis sensor a good characteristic one when obtaining a small magnetic sensor capable of detecting strength in triaxial direction magnetic fields by arranging the three or more giant magnetoresistance elements on a substrate.例文帳に追加

１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得る際に、Ｚ軸センサをなす巨大磁気抵抗素子を特性の良好なものとする。 - 特許庁

A magnet 4 is provided in such a way that the magnet 4 can move in a stroke direction S relatively to an IC package 3 incorporating a magnetoresistance element 2, and the magnetic poles of the magnet 4 are directed in the direction perpendicular to the stroke direction S.例文帳に追加

磁石４は、磁気抵抗素子２を内蔵したＩＣパッケージ３に対してストローク方向Ｓに相対移動可能に設けられ、磁石４の磁極の向きはそのストローク方向Ｓと直交する向きに配置されている。 - 特許庁

Finally, a giant magnetoresistance(GMR) element, the electrical resistance of which drops greatly due to tunnel effect caused by a low magnetic field is manufactured, by forming clusters between electrodes 1 and 2 (10 and 11) by precisely controlling the intervals among the clusters.例文帳に追加

最終的に、電極１および２（１０および１１）の間に、間隔を精密に制御したクラスタを形成して、小さな磁場によりトンネル効果が発現して、電気抵抗が大きく低下する、巨大磁気抵抗（GMR）素子を作製する。 - 特許庁

To realize constitution for making both high reproduction output and high stability, by improving the structure of a magnetic film to improve the electron scattering ability of a thin magnetic film in a magnetic head that uses a magnetoresistance effect element of a spin valve type.例文帳に追加

スピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いる磁気ヘッドにおいて、磁性膜の構造を改良し、薄い磁性膜の電子散乱能を高めることにより高い再生出力と高い安定性を両立する構成を実現する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element exhibiting a high MR variation rate by controlling the magnitude of magnetic coupling between a pin layer and a free layer to assure magnetization rotation of the free layer with respect to an external magnetic field as a practical operation.例文帳に追加

ピン層とフリー層との間の磁気結合の大きさを制御することにより、外部磁界に対するフリー層の磁化回転という実用的な動作を確保して、高いＭＲ変化率を示す磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality magnetoresistance effect element which is capable of reducing resistance in the perpendicular-plane direction, and preventing deterioration in the performance of a barrier layer, and a magnetoresistive device using the element.例文帳に追加

面直方向の抵抗値を低下させることが可能な磁気抵抗効果素子を提供するとともに、バリア層の性能低下を防止して、高品質の磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気抵抗デバイスを提供する。 - 特許庁

The magnetic storage device having a recording density of 3 Gbits or higher per square inch can be obtained by combining the magnetic recording medium with a magnetic head having an element specialized for reproduction utilizing magnetoresistance effect.例文帳に追加

本発明の磁気記録媒体と磁気抵抗効果を利用した再生専用の素子を有する磁気ヘッドとを組み合わせることによって、１平方インチあたり３ギガビット以上の記録密度を有する磁気記憶装置が得られる。 - 特許庁

A double-layer film consisting of layers 35a, 35b is formed on the opposite side (-Y side) of an air bearing surface so as not to overlap the effective area that effectively participates in magnetic detection by the magnetoresistance-effect layer but to touch the effective area.例文帳に追加

層３５ａ，３６からなる複層膜が、ＡＢＳと反対側（−Ｙ側）において、磁気抵抗効果層における磁気検出に有効に関与する有効領域と重ならずに、前記有効領域と接するように形成される。 - 特許庁

A layer structure incorporated in the magnetoresistance effect reproducing head and the magnetic tunnel junction device has a ferromagnetic structure of two ferromagnetic layers which are antiferromagnetically coupled against an improved antiferromagnetic coupled (AFC) film.例文帳に追加

磁気抵抗効果再生ヘッドおよび磁気トンネル接合装置に組み込まれる積層構造は、改良された反強磁性結合(ＡＦＣ)膜に対して反強磁性的に結合された２層の強磁性層の強磁性構造を有する。 - 特許庁

The flat face 4a is formed thereon with a magnetic detecting element 10 for detecting the external magnetic field by magnetoresistance effect, and a fixed resistance element 20, having electrical resistance identical to that of the magnetic detecting element 10 and that does not react with the external magnetic field.例文帳に追加

平坦面４ａ上に、磁気抵抗効果により外部磁界を検出する磁気検出素子１０と、磁気検出素子１０と同じ電気抵抗を有し、外部磁界に反応しない固定抵抗素子２０を形成する。 - 特許庁

In respective open end parts 14 and 16 of the magnetic yoke 18, maximum thickness T1 in a magnetic yoke diameter direction Y is made larger than maximum thickness T2 in the magnetic yoke diameter direction Y of a second magnetic layer 28 in a magnetoresistance effect element 20.例文帳に追加

磁気ヨーク１８の各開放端部１４、１６における、磁気ヨーク径方向Ｙの最大厚さＴ１を、磁気抵抗効果素子２０の第２磁性層２８の磁気ヨーク径方向Ｙの最大厚さＴ２よりも大きくした。 - 特許庁

To provide a tray for conveying magnetoresistance effect heads for magnetic disks having a surface resistance value which is stable in the range of 104-1012 Ω/(square) and a uniform surface condition and hardly generating particles due to scratching, friction or cleaning.例文帳に追加

１０^４〜１０^１２Ω／□において安定した表面抵抗値を有し、また、表面症状も均質でひっかきや摩擦、洗浄によるパーティクルの発生が極めて少ない磁気ディスク用磁気抵抗効果ヘッド搬送トレーを提供する。 - 特許庁

To provide a practical magnetoresistance effect element which has a suitable resistance value, is capable of obtaining high sensitivity, and has few magnetic layers to be controlled, and further, to provide a magnetic head, and a magnetic recording/reproducing device which use the element.例文帳に追加

適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To make easily and surely removable an unnecessary resist material existing on a substrate without impairing substrate characteristics, in the manufacture of a thin film magnetic head such as a magnetoresistance effect type.例文帳に追加

磁気抵抗効果型などの薄膜磁気ヘツドの製造において、基板上に存在する不要となつたレジスト材を、基板特性を損なうことなく、簡便にしてかつ確実に除去できる薄膜磁気ヘツドの製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the value of 1.8 times the product of the sensing-part film thickness Ts of the magnetoresistance effect element 4 multiplied by its saturation magnetic flux density Bs is set to be smaller than the product of the film thickness T1 of the first magnetic flux induction film 3 multiplied by its saturation magnetic flux density B1.例文帳に追加

さらに、磁気抵抗効果素子４のセンス部膜厚Ｔｓと飽和磁束密度Ｂｓとの積の1.8倍の値が、第１磁束誘導膜３の膜厚Ｔ１と飽和磁束密度Ｂ１との積よりも小さく設定される。 - 特許庁

To provide a laminate having a Heusler alloy epitaxial-grown on a semiconductor layer, and to provide semiconductor devices using the laminate having a Heusler alloy such as a spin MOS field-effect transistor and a tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。 - 特許庁

Either a metal protective film 5 having oxidation-resistance or a metal protective film 5 wherein oxide has conductivity is disposed on an antiferromagnetic layer 2 constituting an extraordinary magnetoresistance effect film 1 via a mutual diffusion preventing film 4.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２上に、相互拡散防止膜４を介して、耐酸化性を有する金属保護膜５或いは酸化物が導電性を有する金属保護膜５のいずれかを設ける。 - 特許庁

A magnetic layer, forming two magnetic tunnel effect elements 11 and 21, are formed as a magnetoresistance effect element on a substrate, and a magnetic layer for applying magnetic field made of NiCo is formed in a manner so as to pinch the magnetic layer, as viewed from the top.例文帳に追加

基板１０上には磁気抵抗効果素子として二つの磁気トンネル効果素子１１，２１となる磁性層が形成され、同磁性層を平面視において挟むようにＮｉＣоからなる磁場印加用磁性層が形成される。 - 特許庁

This magnetic head is provided with a magnetic shielding layer 7 formed by laminating plural antiferromagnetic layers 71 and ferromagnetic layers and a magnetoresistance effect layer and executes recording of information to a magnetic recording medium and reproducing of information from the magnetic recording medium.例文帳に追加

反強磁性層７１及び強磁性層を複数積層した磁気シールド層７と、磁気抵抗効果層とを備え、磁気記録媒体への情報の記録や磁気記録媒体からの情報の再生を行う磁気ヘッドである。 - 特許庁