「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a laminated structure composed of a ferromagnetic layer and a barrier layer on the ferromagnetic layer, having a high MR ratio and improved in mass productivity and practicality.例文帳に追加

強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a potentiometer, capable of detecting a rotational angle of a magnetic cord member and capable of obtaining large output, by employing a unique structure using macro-magnetoresistance effect elements.例文帳に追加

本発明の目的は、巨大磁気抵抗効果素子を用いた特異な構造を採用することによって磁気コード部材の回転角度を検出することができるようにするとともに、大きな出力を得ることができるポテンショメータの提供を目的とする。 - 特許庁

By constituting the sensor like this by molding the IC to be molded with the magnet resin as molding resin, the magnetic sensor is provided which has increased position accuracy between the magnetoresistance element (MRE chip) and the magnets, and has been miniaturized.例文帳に追加

この様に構成することにより、モールドＩＣの成形樹脂をマグネット樹脂にて成形することにより、磁気抵抗素子（ＭＲＥチップ）とマグネットの位置精度を向上すると共に、小型化を図ることが可能な磁気センサを提供可能である。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistance element comprises a magnetite electrode and a barrier layer having an magnesium oxide layer formed at 60°C-130°C film forming temperature on the magnetite electrode and annealed at a temperature higher by 0-60°C than the film forming temperature.例文帳に追加

マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。 - 特許庁

The magnetoresistance effect type thin film magnetic head has a 1st lead wire 15 and a 2nd lead wire 19 divided into two and electrically connected by way of an inter-wire connection filler 17C.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、２分割された２層の第１リード配線１５及び第２リード配線１９を備え、第１リード配線１５と第２リード配線１９とは配線間接続充填材１７Ｃを通して電気的に接続される。 - 特許庁

To obtain a large magnetoresistance effect based on a conductor with improved reproducibility by controlling the state of a current path including the conductor, when applying an intermediate layer having the conductor to a spin-valve GMR element in a CPP structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造のスピンバルブ型ＧＭＲ素子に導通部を有する中間層を適用する場合に、導通部を含む電流経路の状態を制御することによって、導通部に基づく大きな磁気抵抗効果を再現性よく得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head in which an effective track width is prevented from spreading and very high output stability is obtained by more reducing read-blurring at both ends in the track width direction of a magnetoresistance effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両端部における読みにじみをより一層低減して、実効トラック幅の拡大を効果的に抑制すると共に、極めて高い出力安定性を得ることが可能な薄膜磁気ヘッドを提供すること。 - 特許庁

The magnetoresistance sensor is formed by a magnetoresistive material, has at least one strip-like conductor, is affected by an external magnetic field, and/or determines the electric resistance that can be operated by current.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗材料から形成され、少なくとも１つのストリップ状導体を有し、外部磁界によって影響され、および／または電流で動作されることができるその電気抵抗を決定するように設計される磁気抵抗センサに関する。 - 特許庁

In the magnetic head using a magnetoresistance effect element, the magnetization of two free magnetic layers is set to be in mutually opposite directions and at nearly 45° to a surface facing a medium by a current magnetic field for detection, thus obtaining reproduction output approximately two times larger than before.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、感知用の電流磁界により二つの自由磁性層の磁化を、互いに反対方向であって、媒体対向面に対し凡そ45°とすることで、従来に比べて約2倍の再生出力を得る。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 4 has first and second magnetic layers L1 and L2 of which the relative angle formed by a magnetization direction with respect to an external magnetic field changes, and a spacer layer 16 which is located between the first magnetic layer L1 and the second magnetic layer L2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。 - 特許庁

In addition, even if heat is applied to the GMR element during the manufacturing process of while the element is in use after the element is manufactured, the magnetoresistance changing rate will not vary, and accordingly, an artificial lattice type GMR element having stable characteristics can be provided.例文帳に追加

また、このＧＭＲ素子を製造した後の、製造工程中又は使用中に熱を加えられても、その抵抗変化率が変化することはなく、特性が安定した人工格子型ＧＭＲ素子を提供することが可能である。 - 特許庁

The reference cell has a reference cell transistor of which the gate is connected to a reference word line, and a second magnetoresistance element, of which one end is connected to a reference read-out word line and the other end is connected to the bit line BL2 via the reference cell transistor.例文帳に追加

参照セルは、ゲートが参照ワード線に接続された参照セルトランジスタと、一端が参照読み出しワード線に接続され他端が参照セルトランジスタを介してビット線ＢＬ２に接続された第２磁気抵抗素子とを有する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes first and second magnetic layers L1, L2 having a relative angle of magnetization directions that changes in response to the external magnetic field, and a spacer layer 16 located between the first and second magnetic layers L1, L2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、外部磁界に応答して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a multilayer structure composed of a ferromagnetic layer and a barrier layer on the ferromagnetic layer, which provides a high MR ratio and higher mass productivity and practicality.例文帳に追加

強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive device which is improved in characteristics through a method wherein the surface of a magnetoresistance effect layer is protected against oxidation by a metal layer, a superior electrical contact between an electrode and the metal layer is ensured, and the magnetoresistive layer is protected against damage caused by an ion beam.例文帳に追加

金属層を用いて磁気抵抗効果層表面の酸化を防止しつつ、電極と前記金属層との間の良好な電気的接触を確保し、しかも、磁気抵抗効果層へのイオンビームダメージを低減し、ひいては素子の特性を向上させる。 - 特許庁

Disclosed is the magnetoresistance effect element having a substrate, a magnetic multilayered film including at least two magnetic layers, a metal layer made of one kind of metal among Ru, Rh, Os, Nb, Ir and Re, and a conductive oxide layer made of an oxide of the metal.例文帳に追加

基板、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ及びＲｅのいずれか１つの金属からなる金属層、並びに該金属の酸化物からなる導電性酸化物層、を有する磁気抵抗効果素子とする。 - 特許庁

To provide an exchange-coupling film capable of increasing a Hex/Hc ratio between an AFM layer and an AP2 pinned layer without degrading an MR ratio and stably holding the magnetization of the AP2 layer in a fixed direction, and a magnetoresistance effect element using the same.例文帳に追加

ＭＲ比を低減することなく、ＡＦＭ層とＡＰ２ピンド層との間のＨｅｘ／Ｈｃ比を増加させることができ、ＡＰ２層の磁化を一定方向に安定して保持することのできる交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating a microelement which enables precise evaluation of the characteristic without damaging the microelement upon evaluating a resistance characteristic, etc., of a microelement such as magnetoresistance effect element damageable to a flow of microcurrent.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のような微小な電流を流すだけで簡単に損傷してしまう微細な素子の抵抗特性等を評価する際に、素子を損傷させることなく、的確に特性を評価することができる微細素子の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect element having an antiferromagnetic layer made of an antiferromagnetic material with high corrosion resistance and antiferromagnetism obtained by a low-temperature heat treatment.例文帳に追加

耐蝕性の高い反強磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、耐蝕性が高く、かつ反強磁性を付与するための加熱処理の温度が低い材料からなる反強磁性層を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an inexpensive high quality single crystal insulating iron oxide film which has a flat and smooth surface and is free from the deterioration in the characteristics caused by N_2 or the like, and with which high efficiency spin injection is possible even in a coherent tunnel mechanism of a spin filter-type tunnel magnetoresistance element.例文帳に追加

平滑面を有し、Ｎ_２等により特性が劣化されていない、スピンフィルタ型トンネル磁気抵抗素子のコヒーレントトンネル機構でも高効率なスピン注入が可能な、安価で高品質の単結晶絶縁酸化鉄膜の作製方法を実現する。 - 特許庁

A center value between a maximum value and a minimum value of the output voltage of the magnetic sensor in the case where the external magnetic field is rotated with respect to the two magnetoresistance effect elements at the same temperature Trt as a case of the offset voltage Os1 is calculated and acquired as an output amplitude center value.例文帳に追加

オフセット電圧Ｏs1の場合と同一温度Ｔrtにおいて、外部磁界を２つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して出力振幅中心値として取得する。 - 特許庁

The tray for conveying the magnetoresistance effect heads for magnetic disks is formed by molding a resin composition prepared by blending 0.1-8 pts.wt. carbon fibril having 100 nm fibril diameter or smaller and a ratio of fibril length to fibril diameter of 5 or larger with 100 pts.wt. thermoplastic resin material.例文帳に追加

繊維径が１００ｎｍ以下で、繊維長と繊維径との比が５以上の炭素フィブリルを熱可塑性樹脂材料１００重量部に対して０．１〜８重量部配合した樹脂組成物を成形してなる磁気ディスク用磁気抵抗効果ヘッド搬送トレー。 - 特許庁

To obtain an exchange bias ferromagnetic tunnel junction element which has a high magnetoresistance change rate and is never deteriorated in characteristics due to a thermal treatment which is required to be carried out at high temperatures for many hours when an Mn ordered alloy is used as an anti-ferromagnetic body.例文帳に追加

交換バイアス型強磁性トンネル素子において、Ｍｎ系規則合金を反強磁性体として用いる際に必要とされる高温、長時間の熱処理によっても特性の劣化がなく、高い磁気抵抗変化率を示す強磁性トンネル接合素子を得る。 - 特許庁

A plurality of MR heads 3 (3A, 3B, 3C, 3D), where the shielded surface distance between magnetoresistance effect elements are different each are arranged in a width direction W of the magnetic tape MT, in parallel, thus setting the contact state between the magnetic tape and the MR head to different conditions each.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とシールド面の距離がそれぞれ異なる複数のＭＲヘッド３（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ）を、磁気テープＭＴの幅方向Ｗに並列に配置することにより、磁気テープとＭＲヘッドの接触状態をそれぞれ異なる条件に設定することができる。 - 特許庁

To provide a magnetic detector, in particular, capable of reducing properly damage on an integrated circuit caused by a thin film process in patterning formation for a magnetoresistance effect element, and capable of compactifying the magnetic detector, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

特に、磁気抵抗効果素子のパターニング形成の際の薄膜プロセスによる集積回路へのダメージを適切に軽減できるとともに、磁気検出装置の小型化を実現できる磁気検出装置及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the thin film magnetic head 10, the distance of the end part of the side of a medium opposed face S in a magnetoresistance effect element 40 to a heat layer 80 is made smaller than that of the end part of the side of a recording medium opposed face S in an electromagnetic transducer 60(64, 61).例文帳に追加

本発明の薄膜磁気ヘッド１０は、電磁変換素子６０（６４，６１）における記録媒体対向面Ｓ側の端部よりも、磁気抵抗効果素子４０における媒体対向面Ｓ側の端部の方が、発熱層８０までの距離が小さくなっている。 - 特許庁

The magnetic semiconductor memory device 1 is an MRAM that uses tunnel magnetoresistance effect (TMR) to read recorded information, and it is provided with adjacent two magnetoresistive elements 4 and 5 which comprise one memory cell.例文帳に追加

本発明に係る磁気半導体メモリ装置１は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を用いて、記録された情報を読み出すＭＲＡＭであって、隣接する２つの磁気抵抗素子４・５を備えており、これら磁気抵抗素子４・５によって１つのメモリセルが形成されている。 - 特許庁

The method for dry etching a magnetoresistance effect element is composed of a magnetic multilayer film including at least two magnetic layers, wherein a second mask formed of one of Ru, Rh, Os, Nb, Ir, and Re is doubly stacked on a lower layer of a first mask formed of Ta.例文帳に追加

少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 - 特許庁

The second permanent magnet 25 is provided on a reverse face of a substrate 23, and a magnetization direction 33a of free magnetic layers for all the magnetoresistance effect elements formed on a surface 23a of the substrate 23 are directed to a direction orthogonal to a magnetization direction (PIN direction) of a fixed magnetic layer 31 and along the same direction.例文帳に追加

基板２３の裏面に第２の永久磁石２５を設け、前記基板２３の表面２３ａに形成された全ての磁気抵抗効果素子のフリー磁性層の磁化方向３３ａを、固定磁性層３１の磁化方向（ＰＩＮ方向）と直交する方向で且つ同一方向に向ける。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes at least two first magnetization fixed layers 1a, 1b whose direction of magnetization is fixed, a magnetization free layer 2 whose direction of magnetization formed on a XY plane is variable, and a second magnetization fixed layer 4 which is connected to the magnetization free layer 2 through a non-magnetic layer 3.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが固定された少なくとも２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂと、ＸＹ面上に形成され磁化の向きが可変な磁化自由層２と、非磁性層３を介して磁化自由層２に接続された第２磁化固定層４とを備える。 - 特許庁

This slide-type variable resistor is provided with a magnetic sensor 10, in which magnetoresistance elements R1-R4, whose resistance values change with respect to the direction of the applied magnetic field are arranged, and a magnet 50 which slides and moves to the magnetic sensor 10 and applied a magnetic field to the magneto resistance elements R1-R4 in accordance with the sliding position.例文帳に追加

印加する磁界の方向に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４を設けた磁気センサ１０と、磁気センサ１０に対してスライド移動し磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４に対してそのスライド位置に応じた磁界を印加する磁石５０とを具備する。 - 特許庁

A magnetic domain control base layer is formed at the lower section of a magnetoresistance effect multilayer film for bringing a magnetic domain control film into contact with both side end faces of the free layer, thus appropriately controlling the magnetic domain while miniaturizing an unnecessary bias magnetic field from the magnetic domain control film.例文帳に追加

磁区制御下地層を磁気抵抗効果多層膜の下部に形成することにより、磁区制御膜を自由層の両側端面に接触させて、磁区制御膜からの余分なバイアス磁界を最小化した状態で適切な磁区制御を実現することができる。 - 特許庁

To provide a material which improves detection sensitivity of a biosensor using a magnetic sensor, while maintaining reactivity and dispersibility, in particular, to provide a material which enables realization of high sensitivity by using a simple magnetic biosensor, such as, a semiconductor Hall element and a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気センサーを用いたバイオセンサーにおいて、反応性や分散性を保ちつつ、検出感度を向上させる材料に関し、特に半導体ホール素子や磁気抵抗効果素子のような簡便な磁気バイオセンサーを用いて高感度化を可能とする材料を提供すること。 - 特許庁

The method also comprises the step of manufacturing the magnetoresistance effect element having the ferromagnetic tunnel junction of the constitution in which the oxide layer 106 of the second stage is interposed between the first ferromagnetic layer 103 and the second ferromagnetic layer 107.例文帳に追加

その絶縁層上に第２の強磁性体層（フリー層）１０７を作製することで、第１の強磁性体層１０３と第２の強磁性体層１０７で第２段階の酸化物層１０６を挟んだ構成の強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子を製造する。 - 特許庁

To provide a bridge circuit and a relative position signal detecting method ensuring stable output characteristics with respect to an ambient temperature change by configuring a magnetic sensor element with an element formed with a magnetoresistance effect film and a fixed resistance film having the same electric resistivity and electric resistance temperature characteristics.例文帳に追加

電気抵抗率と電気抵抗の温度特性が同じ磁気抵抗効果膜と固定抵抗膜で形成した素子で磁気センサー素子を構成し、周囲温度変化に対しても安定した出力特性が得られるブリッジ回路および相対位置信号検出方法を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element for the sensor which detects a change in magnetism given from outside includes the pinned layer 12 of which the direction of magnetization is fixed, a free layer 14 of which the direction of magnetization changes according to an external magnetic field, and an intermediate layer which is provided between the pinned layer 12 and the free layer 14.例文帳に追加

外部から加わる磁気の変化を検知するセンサ用の磁気抵抗効果素子が、磁化方向が固定されたピンド層１２と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層１４と、ピンド層１２とフリー層１４との間に設けられている中間層と、を含んでいる。 - 特許庁

The magnetic sensor is equipped with a detection part, the selection device electrically connected to one end of the detection part and a sensing amplifier for inputting the signal from the detection part, and the detection part comprises at least two magnetoresistance effect films electrically connected in series.例文帳に追加

検出部と、前記検出部の一端に電気的に接続された選択デバイスと、前記検出部からの信号を入力とするセンスアンプを備え、前記検出部のそれぞれは、電気的に直列に接続された少なくとも２つ以上の磁気抵抗効果膜からなる。 - 特許庁

A comparison amplifier 17 for comparing and amplifying an output signal is connected to signal output sections 14 and 15 of a magnetic detection circuit 11 having magnetoresistance elements MR_1-MR_4, and a power supply terminal Vcc as a first terminal is connected to a power supply connection section 12 via a constant current circuit 16.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＭＲ１〜ＭＲ４を有する磁気検出回路１１の信号出力部１４，１５には、出力信号を比較増幅する比較増幅器１７が接続され、電源接続部１２には定電流回路１６を介して第１端子としての電源端子Ｖccが接続されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element manufactured by using a ferromagnetic material having perpendicular magnetic anisotropy, which improves a state in which record holding time is different depending on storing information due to imbalance of thermal stability between a parallel state and an antiparallel state of magnetization corresponding to bit information.例文帳に追加

垂直磁気異方性を有する強磁性材料を用いて作製した磁気抵抗効果素子において、ビット情報に対応する磁化の平行状態及び反平行状態の熱安定性が不均衡になり、保存している情報により記録保持時間が異なる状態を改善する。 - 特許庁

To provide a magnetic field sensor, capable of surely controlling, in a desirable direction, individual magnetization of an exchange bias layer of each of four bridge-connected macro-magnetoresistance effect elements, and a manufacturing method as well as a manufacturing device.例文帳に追加

本発明の目的は、４つの巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の磁化を個々にブリッジ接続型として好ましい方向に確実に制御できるとともに、その制御が容易にできる磁界センサとその製造方法と製造装置の提供を提供することにある。 - 特許庁

To effectively stop etching near a tunnel insulating film and to thereby suppress occurrence of a leakage current in a microminiaturizing process of a tunnel magnetoresistance element having a structure in which a tunnel insulating film containing a non-magnetic material is interposed between thin films each of which mainly contains a magnetic material.例文帳に追加

磁性体材料を主体とした薄膜により非磁性体を主体としたトンネル絶縁膜を挟んだ構造を有するトンネル磁気抵抗素子の微細加工プロセスにおいて、トンネル絶縁膜付近でエッチングを効果的に停止させ、これにより、リーク電流の発生などを抑制する。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 30 of a second sensor part 130 is not magnetically saturated by the magnetic field B to be measured, and therefore, it may detect intensity of the magnetic field in an unsaturated region of its characteristic, namely, in a region where an output voltage is linearly changed against intensity change of the magnetic field.例文帳に追加

第２のセンサ部１３０の磁気抵抗効果素子３０は、測定対象である磁界Ｂにより磁化飽和しないから、その特性上の不飽和領域、すなわち、磁界の強度変化に対して出力電圧が線形に変化する領域において磁界の強度を検出することができる。 - 特許庁

An intermediate core 3 which serves as a common shield between a reproducing head and a recording head, and provided directly above the magnetoresistance effect element 8, to which a pair of electrodes 9 for supplying a sense current are formed at its both end parts, is formed in a frame shape, having a through-hole provided in its center.例文帳に追加

再生ヘッドと記録ヘッドとの共通シールドとなり、両端部にセンス電流を供給する一対の電極９が形成された磁気抵抗効果素子８の直上に設けられる中間コア３を、中央部に貫通孔が設けられた額縁状に形成する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element has a first half metal ferromagnetic layer 13 and a second half metal ferromagnetic layer 15 composed of a Co_2Fe_xMn_1-xSi Heusler alloy (x=0.0 to 1.0) and having a thickness of 2-20 nm, and a nonmagnetic metal layer 14 composed of Ag sandwiched therebetween.例文帳に追加

Ｃｏ_２Ｆｅ_ｘＭｎ_１−ｘＳｉホイスラー合金（ｘ＝０．０〜１．０）から成り、層厚が２〜２０ｎｍである第１のハーフメタル強磁性体層１３および第２のハーフメタル強磁性体層１５と、それらの間に挟まれたＡｇから成る非磁性金属体層１４とを有している。 - 特許庁

To provide a magnetometric sensor for equalizing each resistance change temperature coefficient (TCR) of a fixed resistance element and a magnetoresistance effect element furthermore in comparison with hitherto, and manufacturing the fixed resistance element more easily than hitherto, for example, agreement of each resistance value is not required.例文帳に追加

固定抵抗素子及び磁気抵抗効果素子の抵抗変化温度係数（ＴＣＲ）を従来に比べて等しくでき、また、抵抗値を合わせ込む必要ない等、前記固定抵抗素子を従来よりも簡単に製造できる磁気センサを提供することを目的とする。 - 特許庁