MAGNETORESISTANCEを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1010件
To provide a method for manufacturing a magnetoresistance device using the manufacturing apparatus of a magnetic multilayered film having a normal configuration suitable in particular for manufacturing a magnetic multilayered film by a semiconductor device maker, capable of enhancing a film capability and improving productivity in the production of a magnetic head or an MRAM comprising an TMR device.例文帳に追加
ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
This magnetoresistance element comprises a semiconductor magnetoresistive film 2 formed on the surface of a substrate 1, short circuit electrodes 3 and electrical signal pickup electrodes 4 formed on the magnetoresistive film 2, and a moisture resistance film 6 formed to cover the magnetoresistive film 2 and the short circuit electrodes 3, excluding the pickup electrodes 4.例文帳に追加
基板１の表面に形成した半導体磁気抵抗膜２と、この半導体磁気抵抗膜２上に形成した短絡電極３及び電気信号取り出し用の電極部４と、この前記電極部４を残して前記半導体磁気抵抗膜２及び短絡電極３を覆うように形成した耐湿膜６を備えたことを特徴とする磁気センサ素子である。 - 特許庁
A method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a magnetization free layer 28, a magnetization fixed layer 26, and a barrier layer 27 provided between the magnetization free layer 28 and the magnetization fixed layer 26, includes steps of: laminating a MgO layer, a Mg layer, and a ZnO layer to form the barrier layer 27; and heating the barrier layer in vacuum after the formation of the barrier layer.例文帳に追加
磁化自由層２８と、磁化固定層２６と、前記磁化自由層２８と前記磁化固定層２６との間に配置されたバリア層２７とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層２７として、ＭｇＯ層／Ｍｇ層／ＺｎＯ層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。 - 特許庁
This method comprises a step for forming a lower electrode 202; a step for forming a colossal magnetoresistance (CMR) memory film 204 arranged on the lower electrode 202, a step for forming a memory-stable semiconductor buffer layer 206 (normally, a metal oxide) arranged on the memory film 204, and a step for forming an upper electrode 208 arranged on the semiconductor buffer layer 206.例文帳に追加
下部電極２０２を形成するステップ、下部電極２０２の上に配置される巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）メモリ膜２０４を形成するステップ、メモリ膜２０４の上に配置されるメモリ安定半導体バッファ層２０６（通常、金属酸化物）を形成するステップ、および半導体バッファ層２０６の上に配置される上部電極２０８を形成するステップを包含する。 - 特許庁
The magnetic sensors 13A, and so on contain a bias magnet 14, a substrate 15 to be disposed on a magnetic pole surface of the bias magnet 14, and magnetoresistance effect elements a, and so on disposed point-symmetrically about a central point O of the substrate 15 in four regions 15a, and so on respectively positioned at an identical distance from the central point O along two axes extended orthogonally at the central point O.例文帳に追加
磁気センサ１３Ａ等を、バイアス磁石１４と、バイアス磁石１４の磁極面に配置される基板１５と、基板１５の中心点Ｏで直交して延びる２つの軸に沿い中心点Ｏからそれぞれ同一距離の位置に設定された４つの領域１５ａ等に、中心点Ｏを中心として点対称に配置された磁気抵抗効果素子ａ等で構成した。 - 特許庁
The magnetoresistance effect element is provided with a magnetization fixing layer in which a magnetization direction is substantially fixed in one direction, a spacer layer arranged on the magnetization fixing layer while having an insulating layer and a metallic conductor penetrating through the insulating layer, and a magnetization free layer which is arranged on the spacer layer oppositely to the metallic conductor and in which the magnetization direction changes corresponding to an external magnetic field.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 - 特許庁
This magnetoresistance effect element comprises three or more metal magnetic layers, two or more connection layers provided between the three or more metal magnetic layers wherein the connection layer includes an insulating layer and current narrowing portions formed of a metal magnetic material penetrating this insulating layer, and electrodes for passing a current through the metal magnetic layers and the connection layers in the direction perpendicular to their surfaces.例文帳に追加
３層以上の金属磁性層と、前記３層以上の金属磁性層の間に設けられた、絶縁層とこの絶縁層を貫通する金属磁性材料で形成された電流狭窄部とを含む２層以上の接続層と、前記金属磁性層および接続層の膜面垂直方向に電流を通電させる電極とを有する磁気抵抗効果素子。 - 特許庁
A DC current (DCT current) which generates a magnetic field in the direction opposite to the predetermined magnetizing direction of the pin layer adjacent to an antiferromagnetic layer, is supplied to the spin valve magnetoresistance effect element 23 (SV element) while supplying a nearly rectangular alternating current (ACT current) to a recording element 22 of the magnetic head 21 equipped with the recording element 22 and the SV element 23.例文帳に追加
記録素子２２とスピンバルブ磁気抵抗効果素子２３（ＳＶ素子）とを備える磁気ヘッド２１の記録素子２２に略矩形状の交番する電流（ＡＣＴ電流）を供給しつつ、ＳＶ素子２３に反強磁性層に隣接するピン層の所定の磁化方向に対して逆方向の磁界を発生させる直流電流（ＤＣＴ電流）を供給する。 - 特許庁
At least one of the three or more magnetoresistance effect elements is located on the slopes of a plurality of wedge-like grooves in which the plurality of band-like portions are mutually adjacently and formed on the substrate in parallel.例文帳に追加
複数の帯状部と該複数の帯状部のうち隣接する２つを接続するバイアス磁石とからなる３個以上の磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子が配設される基板とを備え、３個以上の磁気抵抗効果素子のうち少なくとも１個は複数の帯状部が基板に互いに隣り合って平行に形成された複数の楔型溝の斜面上に配置されたものである磁気センサ。 - 特許庁
A magnetoresistance effect laminated film is formed by laminating a ferromagnetic thin film containing at least one or more kinds of metals selected from among transition metals of iron, cobalt, and nickel and an alloy thin film containing manganese and platinum upon another and the crystal structure of the alloy thin film becomes cubic near the boundary between the laminated layers and tetragonal at a distant portion from the boundary.例文帳に追加
本発明の磁気抵抗効果積層膜は、鉄、コバルトおよびニッケルの遷移金属から選ばれる少なくとも１種類以上を含む強磁性薄膜と、マンガンおよび白金を成分とする合金薄膜を積層した構造を有する磁気抵抗効果積層膜であって、前記合金薄膜の結晶構造が積層界面の近傍で立方晶系であり、積層界面から離れた部分で正方晶系になっていることを特徴とする。 - 特許庁
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