「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect thin-film magnetic head which can enhance the intensity of the exchange coupling magnetic field of an SV-GMR (spin valve-type magnetoresistance effect) element, the magnetoresistance change rate of the element and the heat-resistant stability of the element, can be formed by a simple process.例文帳に追加

SV-GMR素子の交換結合磁界強度を向上させ、磁気抵抗変化率を向上させ、さらに耐熱安定性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを簡易なプロセスで形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

This one-dimensional magnetoresistance effect element has a structure in which a plurality of magnetic dot bodies 30 composed of magnetoresistance effect elements are coupled one-dimensionally by a coupling body 40 composed of a nonmagnetic conductive material (e.g. an aluminum material).例文帳に追加

磁気抵抗効果素子よりなる複数の磁気ドット体３０を非磁性の導電材料（例えばアルミニウム）よりなる連結体４０で一次元的に結合した構造を有する。 - 特許庁

To realize a method for removing a tantalum cap from a magnetoresistance sensor by minimizing a damage to the magnetoresistance sensor and purifying a surface, on which a succeeding layer is formed.例文帳に追加

磁気抵抗センサに対する損傷を最小にし、且つ後続の層が形成される面を清浄ににして磁気抵抗センサからタンタルキャップを除去する方法を実現することにある。 - 特許庁

A perpendicular magnetization magnetoresistance effect element corrects a difference in record holding time corresponding to storing information by differentiating areas of a reference layer 106 and a record layer 107 which compose the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する参照層１０６と記録層１０７の面積を異ならせることにより、保存している情報に応じた記録保持時間の差を補正する。 - 特許庁

A magnetic sensor 10 includes a single substrate 10a, a plurality of magnetoresistance-effect elements 11 to 18, a wiring section 19 via which the plurality of magnetoresistance-effect elements are connected, and a control circuit section 31.例文帳に追加

磁気センサ１０は、単一の基板１０ａ、複数の磁気抵抗効果素子１１〜１８、複数の磁気抵抗効果素子を接続する配線部１９、及び、制御回路部３１を含む。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance sensor that can be adjusted to normally detect a semiconductor magnetoresistance element even when disturbance occurs by uniformly impressing a magnetic field upon the element by means of an electromagnet.例文帳に追加

本発明は、半導体磁気抵抗素子に対して電磁石により均一磁界を印加することにより、外乱時にも正常検出が可となるように調整可とすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance material element memory capable of applying a large magnetic field even though the current flowed in the upper electrode and the lower electrode is small for applying the magnetic field in close proximity to the magnetoresistance material element.例文帳に追加

磁気抵抗素子に近接して磁界を印加する上部電極および下部電極に流す電流が小さくても、大きな磁界が印加できる磁気抵抗素子メモリを実現する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element is composed by utilizing the ferromagnetic tunnel effect, in which the magnetoresistance effect element comprising an antiferromagnetic layer, the magnetic layer, an intermediate layer, and the magnetic layer is formed between electrode layers.例文帳に追加

反強磁性層／磁性層／中間層／磁性層からなる磁気抵抗効果素子を電極層間に形成した強磁性トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子とする。 - 特許庁

To solve problems with the surface roughness of an antiferromagnetic layer and the crystallinity of a tunnel barrier layer to obtain favorable magnetoresistance characteristics, for achieving the thinning of a tunnel magnetoresistance effect element layer.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の薄層化を図るべく、反強磁性層の表面粗さやトンネルバリア層の結晶性の問題を解消し、良好な磁気抵抗特性を得る。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element having a lower resistance in its barrier layer and a good MR ratio, and also to provide its manufacturing method, and a magnetic storage device equipped with the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

バリア層の低抵抗化を図るとともに、良好なMR比を備える磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device, that achieves high MR ratio without containing oxygen, Si atoms, or the like in a structure body as much as possible, and at the same time, has superior thermal stability in the magnetoresistance effect device, having an artificial-lattice-type or a spin- valve-type structure body, and to provide a method for manufacturing the magnetoresistance effect device.例文帳に追加

人工格子型又はスピンバルブ型の構造体を備えた磁気抵抗効果素子において、構造体内に酸素やＳｉ原子などを極力含有させずに高いＭＲ比を実現し、かつ、熱的安定性にも優れる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, two huge magnetoresistance effect elements whose magnetic field detection directions are antiparallel mutually can be formed close, by forming on a substrate 11 the first huge magnetoresistance effect element 20 wherein the direction of magnetization of the fixed layer is fixed to the same direction and an ordinary huge magnetoresistance effect element.例文帳に追加

従って、固定層の磁化の向きを同じ向きに固定した第１巨大磁気抵抗効果素子２０と通常の巨大磁気抵抗効果素子とを基板１１上に形成すれば、互いに磁界検出向きが反平行の二つの巨大磁気抵抗効果素子を近接して形成することができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which does not use a multilayer structure of a pin layer, a spacer layer, and a free layer.例文帳に追加

ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To improve magnetic characteristics, macro magnetoresistance characteristics and heat stability with respect to a spin valve sensor.例文帳に追加

スピン・バルブ・センサに関し、磁気特性、巨大磁気抵抗特性、および熱安定性を改善する。 - 特許庁

The source lines SL is provided corresponding to each row of the two tunnel magnetoresistance elements TMRs.例文帳に追加

ソース線ＳＬは、２つのトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの行ずつに対応して設けられる。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC FIELD DETECTING DEVICE, ITS PRODUCTION AND MAGNETIC HEAD USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果型磁界検出素子及びその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

The resist film 61 is partitioned with a pattern space 62 forming the contour of the magnetoresistance effect film.例文帳に追加

レジスト膜６１には、磁気抵抗効果膜の輪郭を象ったパターン空間６２が区画される。 - 特許庁

The first huge magnetoresistance effect element is equipped with a fixed layer P, a spacer layer S and a free layer F.例文帳に追加

第１巨大磁気抵抗効果素子は、固定層Ｐ、スペーサ層Ｓ及びフリー層Ｆを備える。 - 特許庁

The first and second magnetoresistance elements (12, 14) are provided with sense layers (18, 24) having different coercive forces (L1, L2).例文帳に追加

第1および第2の磁気抵抗素子(12,14)は、異なる保磁力(L1,L2)を有するセンス層(18,24)を有する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD USING THE SAME, MAGNETIC HEAD UNIT AND MAGNETIC DISC UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子とそれを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置 - 特許庁

A tunnel magnetoresistance reproduction element includes a sensor stack for separating an upper magnetic shield from a lower magnetic shield.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗再生素子は、下部磁気シールドから上部磁気シールドを隔てるセンサスタックを含む。 - 特許庁

To provide a method capable of inhibiting deterioration of magnetic characteristics by protecting a magnetoresistance effect element from outgas of an interlayer film.例文帳に追加

層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果装置、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

THIN FILM MAGNETORESISTANCE(MR) SPIN VALVE READING SENSOR EQUIPPED WITH DIFFUSION BARRIER AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加

拡散障壁を備えた薄膜磁気抵抗（ＭＲ）スピン・バルブ読取りセンサおよび磁気ディスク・ドライブ - 特許庁

SPIN VALVE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS PRODUCTION AND THIN FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED WITH THAT ELEMENT例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果素子およびその製造方法とその素子を備えた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

ANTIFERROMAGNETIC FILM, EXCHANGE-COUPLING FILM USING THE SAME, MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

反強磁性体膜とそれを用いた交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁

The magnetic resistance of the magnetoresistance effect element changes when the thin film layer detects an external magnetic field.例文帳に追加

薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変化する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND THIN FILM MAGNETIC HEAD AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND HIGH-SPEED MAGNETIC RECORDING DEVICE BASED ON DOMAIN WALL DISPLACEMENT BY PULSE CURRENT例文帳に追加

パルス電流による磁壁移動に基づいた磁気抵抗効果素子および高速磁気記録装置 - 特許庁

To suppress magnetostriction and obtain high MR (magnetoresistance) ratio in a magnetic field detecting element for CPP-GMR (current perpendicular to plane-giant magnetoresistive) head.例文帳に追加

ＣＰＰ-ＧＭＲヘッド用の磁界検出素子において、磁歪を抑え高ＭＲ比を得る。 - 特許庁

Then, a protection resin 9 is applied so that the magnetoresistance sensor element 5 and the wire connection 7 may be covered.例文帳に追加

その後、磁気抵抗センサ素子５および結線７を覆うように保護樹脂９を塗布する。 - 特許庁

A bias magnetic field Hb and an external magnetic field Hex are applied to a magnetoresistance effect element 2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２には、バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘが印加される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance element capable of improving an MR ratio in a tunnel magnetoresistive (TMR) element and decreasing variation in resistance.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子におけるＭＲ比の向上、抵抗のバラツキの抑制を図る。 - 特許庁

The multi-layer magnetoresistance(MR) structure is arranged between the upper shield 50 and the lower shield 10.例文帳に追加

多層磁気抵抗（ＭＲ）構造は、上部シールド５０と下部シールド１０の間に配置される。 - 特許庁

The sensing part and the reference part are formed wholly of the same magnetoresistance effect element in this way.例文帳に追加

このように、センシング部及びリファレンス部を全て同じ磁気抵抗効果素子で形成している。 - 特許庁

The magnetoresistance element is made from a polycrystalline La1-xSrxMnO3 thin film 2 (0.2<x<1).例文帳に追加

多結晶性Ｌａ_１−ｘＳｒ_ｘＭｎＯ_３薄膜（但し、０．２＜ｘ＜１）２から成るようにする。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SUBSTRATE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HARD DISC DEVICE, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETIC SENSOR ASSEMBLY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ - 特許庁

To provide a device which prepares a huge magnetoresistance cobalt compound by a combination synthesis.例文帳に追加

組み合わせ合成により巨大な磁気抵抗性コバルト化合物を製造する装置を提供する。 - 特許庁

METHODS OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッド - 特許庁

The magnetoresistance effect type element comprises a magnetoresistance effect film 1 interposed above a first upper shield film 2 and below a first lower shield film 3, a second upper shield film 4 and a second lower shield film 5 formed above the film 2 and below the film 3.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜１を挟む、第１の上部シールド膜２の上方及び第１の下部シールド膜３の下方に、第２の上部シールド膜４及び第２の下部シールド膜５を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and manufacturing method thereof in which a malfunction of a non-selected magnetoresistance element is suppressed when performing a write operation or the like on a selected magnetoresistance element.例文帳に追加

選択された磁気抵抗素子に書き込み動作等を行う際に、非選択の磁気抵抗素子の誤動作の抑制が図られた半導体装置およびこの半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element improved in an MR ratio by relieving in-plane stress on a tunnel barrier layer of a crystalline structure, and also to provide a method of manufacturing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

結晶質構造のトンネルバリア層における面内応力を緩和し、ＭＲ比の向上を可能とする磁気抵抗効果素子及びかかる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that is stable in a free layer and a magnetic domain at a nano-junction and is high in sensitivity in the magnetroresistance effect element for magnetic heads having BMR effect, and to provide a method for manufacturing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

ＢＭＲ効果を用いた磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子において、自由層やナノ接合部の磁区の安定性や感度の高い磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance sensor, which can attain optimum combination with the maximum electronic regular reflection of the magnetoresistance sensor and high quality stable interface between a sensor structure body and a lower structure body.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗センサの製造方法において、磁気抵抗センサの最大限の電子正反射と、下部構造体との間における高品質の安定な界面との最適な組合せを達成する。 - 特許庁