「MAGNETORESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetoresistance effect element which realizes a high magnetoresistance changing amount by restraining or recovering the deterioration of crystallinity.例文帳に追加

結晶性の劣化を抑制するかまたは回復させることによって、高い磁気抵抗変化量を実現した磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistance element 15A for reference is provided so that element surfaces are at 900 each other to a magnetoresistance element 15B for detection separately from the magnetoresistance element 15B for detection to prevent influence by magnetism to be detected, thus outputting an oscillation signal with a phase according to the magnetoresistance value of each magnetoresistance element from both the CMOS gates 10A and 10B.例文帳に追加

検出用磁気抵抗素子１５Ｂとは別に、検出すべき磁気に影響されないように検出用磁気抵抗素子１５Ｂに対して素子面同士が９０度の角度をなすようにして基準用磁気抵抗素子１５Ａを設けて、両CMOSゲート１０Ａ，１０Ｂから各磁気抵抗素子の磁気抵抗値に応じた位相の発振信号が出力されるように構成した。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR HEUSLER METAL, AND MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM例文帳に追加

ホイスラー金属の製造方法および磁気抵抗効果膜の製造方法 - 特許庁

ANTIPARALLEL CONNECTED MAGNETORESISTANCE SENSOR HAVING CONDUCTOR/SENSOR OVERLAPPED AREA例文帳に追加

逆平行結合された導線／センサ重複領域を有する磁気抵抗センサ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL USING THE SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

A use arctan computing unit to calculate arctan for both signals obtained by the magnetoresistance element 12 and a signal obtained by the magnetoresistance element 13.例文帳に追加

ａｒｃｔａｎ演算器によって、磁気抵抗素子１２により得られる信号と磁気抵抗素子１３により得られる信号をａｒｃｔａｎの演算をする。 - 特許庁

Within such a pattern space 62, the magnetoresistance effect film is laminated and formed.例文帳に追加

このパターン空間６２内で磁気抵抗効果膜は積層形成される。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING THIN-FILM RESISTANCE, AND METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

薄膜抵抗測定方法およびトンネル磁気抵抗素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE ELEMENT UTILIZING SWITCHING PHENOMENON BY MEANS OF METAL INSULATOR TRANSITION例文帳に追加

金属絶縁体転移によるスイッチング現象を利用した磁気抵抗素子 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect element having a high MR ratio, high reliability and a ferromagnetic tunnel junction and to provide the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

ＭＲ比が高く、かつ信頼性の高い強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The magnetic sensor is constituted by a positive magnetoresistance effect element, and a bridge circuit or a serial connection circuit having a negative magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明の磁気センサは、正磁気抵抗効果素子と、負磁気抵抗効果素子とを有するブリッジ回路または直列接続回路により構成されている。 - 特許庁

For temperature correction of an output of the magnetoresistance effect element, a temperature sensor 13 is provided to detect the temperature of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明では、前記磁気抵抗効果素子の出力を温度補正するために、前記磁気抵抗効果素子の温度を検出する温度センサ（１３）を設ける。 - 特許庁

To provide a new magnetoresistance effect element enabled to exert a high magnetoresistance effect without causing the problems of low resistance and interlayer coupling.例文帳に追加

低抵抗及びインターレイヤーカップリングの問題を生じることなく、高い磁気抵抗効果を発現できるような新規な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element having an improved MR change rate, and to provide a magnetoresistance effect element, a magnetic head assembly, and a magnetic recording and reproducing device.例文帳に追加

ＭＲ変化率を向上した磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 1 has a pair of electrodes 3, 4 for energizing a sense current in a direction perpendicular to the film surface of a spin-valve magnetoresistance effect film 2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１はスピンバルブ型磁気抵抗効果膜２の膜面垂直方向にセンス電流を通電する一対の電極３、４を具備する。 - 特許庁

A magnetoresistance element comprises one or a plurality of magnetoresistance elements disposed on a substrate 1, and a permanent magnet disposed on the substrate 1.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、基板１上に配置された１又は複数個の磁気抵抗効果素子と、基板１上に配置された永久磁石とを有する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, THIN-FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果装置、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

A magnetization fixing direction of the first element part of the first magnetoresistance effect element and a magnetization fixing direction of the second element part of the second magnetoresistance effect element are orthogonal.例文帳に追加

第１磁気抵抗効果素子の第１素子部の磁化固定方向と第２磁気抵抗効果素子の第２素子部の磁化固定方向は直交している。 - 特許庁

GIANT ANISOTROPIC MAGNETORESISTANCE ELEMENT USING DOPED PEROVSKITE MANGANITE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶を用いた巨大異方性磁気抵抗素子 - 特許庁

The CPP-type magnetoresistance effect element 51 includes a magnetoresistance effect film 53 and a pair of upper and lower power supply magnetic shielding films 55 and 57 sandwiching the film 53.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子５１は、磁気抵抗効果膜５３と、それを挟む上下一対の給電用磁気シールド膜５５、５７とを備える。 - 特許庁

RESISTANCE MEASURING METHOD OF THIN FILM, AND FORMING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM例文帳に追加

薄膜の抵抗測定方法及び磁気抵抗効果膜の製造方法 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element and a magnetoresistance effect type storage element for improving selectivity and output signals by controlling an application bias.例文帳に追加

印加バイアスを制御することにより、選択性および出力信号を改善した磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型記憶素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, CURRENT PERPENDICULAR TO PLANE MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、垂直通電型磁気ヘッド、および磁気ディスク装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに製造装置 - 特許庁

MAGNETIC THIN FILM AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING IT例文帳に追加

磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MAGNETORESISTANCE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性記憶装置、磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a CPP structure magnetoresistance effect film, by which the short-circuiting of an upper side electrode and a magnetoresistance effect film can surely be inhibited.例文帳に追加

上側電極と磁気抵抗効果膜との短絡を確実に阻止することができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 - 特許庁

Among them, A1, A2, B1 and B2 are magnetoresistance effect elements constituting the sensing part, and MR1 and MR2 are magnetoresistance effect elements constituting the reference part.例文帳に追加

このうち、Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２はセンシング部を構成する磁気抵抗効果素子であり、ＭＲ１，ＭＲ２はリファレンス部を構成する磁気抵抗効果素子である。 - 特許庁

To measure the characteristics of a magnetoresistance effect magnetic head, while the magnetoresistance effect magnetic head is assembled in a head supporting member or a rotary drum.例文帳に追加

ヘッド支持部材又は回転ドラムに磁気抵抗効果型磁気ヘッドが組み付けられた状態で、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの特性を測定する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect film 46 below the first insulating film 51 and the magnetoresistance effect film 46 exposed in the contact hole 53 are almost uniformly processed.例文帳に追加

第１絶縁膜５１下の磁気抵抗効果膜４６と、コンタクトホール５３で露出する磁気抵抗効果膜４６とはほぼ均一に削り取られる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, a magnetoresistance effect head, a magnetoresistance conversion system and a magnetic recording system wherein sense current is prevented from flowing in a vertical bias layer, noises in a regenerating wave is little, and S/N ratio and bit error rate are superior.例文帳に追加

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, a magnetoresistance effect head, a magnetoresistance conversion system and a magnetic recording system wherein sense current is prevented from flowing in a vertical bias layer, noises in a regenerating wave is little and S/N ratio and bit error rate are superior.例文帳に追加

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 2 has a magnetoresistance effect layer which is formed on one surface side of the base body and includes a free layer 27, hard magnetic layers 32 and 33 which are arranged on both sides of the magnetoresistance effect layer, and soft magnetic layers 42 and 43 which are formed on the hard magnetic layers 32 and 33 on both the sides of the magnetoresistance effect layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２は、前記基体の一方の面側に形成されフリー層２７を含む磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層の両側に配置された硬磁性層３２，３３と、前記磁気抵抗効果層の両側において硬磁性層３２，３３上に形成された軟磁性層４２，４３と、を有する。 - 特許庁

This magnetic sensor is provided with at least three of the identical magnetoresistance effect elements, having different sensitivity directions, and the single substrate, whereon the magnetoresistance effect elements are arranged, and a direction of magnetization of a magnetoresistance effect film, constituting the magnetoresistance effect elements, crosses each other in the three-dimensional direction.例文帳に追加

本発明の磁気センサは、異なる感度方向をもつ同一の３個以上の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子が配設される単一基板と、前記磁気抵抗効果素子を構成する磁気抵抗効果膜の磁化の向きが、互いに三次元方向に交差するように形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE COMBINED HEAD AND ITS PRODUCTION METHOD, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

The shift operator 13 has magnetoresistance elements 28 and the shift lever 16.例文帳に追加

シフト操作体１３は、磁気抵抗素子２８及びシフトレバー１６を備えている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element with small variation of a characteristic and sufficient reproducibility.例文帳に追加

特性のばらつきが小さく再現性のよい磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

SPIN VALVE MAGNETORESISTANCE EFFECT REPRODUCING ELEMENT AND CONDUCTIVE LEAD LAYER FORMING METHOD例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果再生素子、および導電リード層の形成方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD AND ROTARY MAGNETIC HEAD AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッド、回転型磁気ヘッド装置及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 - 特許庁