| 意味 | 例文 |
MONOCRYSTALを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 359件
In this method for annealing diamond in which a defective layer generated in the diamond monocrystal at the time of injecting an additional element into the diamond crystal is restored through heat treatment, the temperature of the heat treatment is adjusted to 600-1,100°C, and the inside of the diamond crystal is irradiated with a helium ion beam by adjusting the ion irradiation energy of the ion beam to 40-100 keV.例文帳に追加
本発明のアニール方法は、ダイヤモンド単結晶中に添加元素を注入する際に生じた欠陥層を熱処理により回復させるアニール方法において、熱処理の温度を６００℃以上１１００℃以下にして、ヘリウムイオンのイオンビームを用い、イオン照射エネルギーを４０keV以上１００keV未満にして、ダイヤモンド単結晶中に照射することにより行われる。 - 特許庁
In this method of producing the optical reflecting surface, wherein the optical reflecting surface consisting of 111 faces is formed on a monocrystal Si substrate with 100 faces, using anisotropic etching, the shape of the etching mask for forming the optical reflecting surface is formed into a circular or polygonal recessed shape comprising segments with angles larger than 1° and smaller than 44° to the direction of the faces 111 predicted from orientation flat.例文帳に追加
（１００）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射面を形成する光学反射面作製方法であって、光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形状を、オリフラから予想される（１１１）面の方向に対して１度より大きく４４度より小さい角度の線分からなる円弧または多角形の凹形状としている。 - 特許庁
A processing object is prepared which includes a monocrystal semiconductor substrate, a first film consisting of a material having a heat conductivity lower than that of the semiconductor substrate with a plurality of grooves arranged parallel with each other formed so as to reach the semiconductor substrate, and a second film consisting of an amorphous or microcrystalline semiconductor provided in the grooves and on the first film.例文帳に追加
単結晶半導体基板と、その半導体基板よりも熱伝導率の低い材料からなり、相互に平行に配置されて前記半導体基板まで達する複数の溝が形成されている第１の膜と、アモルファスまたはマイクロクリスタルの半導体からなり、溝内及び第１の膜の上に配置されている第２の膜とを有する加工対象物を準備する。 - 特許庁
The method for manufacturing the ferroelectric thin film two-dimensional photonic crystal constitutes mold by a substrate consisting of an oxide monocrystal and a two-dimensional periodical structure consisting of amorphous oxide or a semiconductor, forms an amorphous film by a chemical gas phase growth method at a lower temperature than a crystallization temperature, and forms a ferroelectric thin film having epitaxial crystallinity.例文帳に追加
酸化物単結晶からなる基板と非晶質酸化物または半導体からなる二次元周期構造部によってモールドを構成し、このモールド上に結晶化温度より低い温度で化学的気相成長法でアモルファス膜を形成し、このアモルファス膜を結晶化温度以上に加熱させることによって、エピタキシャル結晶性を有する強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁
The production method of silicon carbide single crystals comprises receiving a raw material 40 for sublimation in a first end part in a reaction vessel 10, arranging seed crystals 50 of the silicon carbide single crystals in a second end part nearly facing to the raw material 40 for sublimation in the reaction vessel 10, and recrystallizing the sublimed raw material 40 for sublimation on the seed crystal 50, to grow the silicon carbide monocrystal.例文帳に追加
反応容器１０内の第一端部に昇華用原料４０を収容し、反応容器１０内の昇華用原料４０に略対向する第二端部に炭化ケイ素単結晶の種結晶５０を配置し、昇華させた昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。 - 特許庁
An SiC monocrystal substrate is mechanically lapped using a lapping plate formed with a predetermined flatness manufactured by a facing process of cutting the surface of the lapping plate made of material quality having a predetermined hardness and generating two kinds of grooves by machining, a shaving process of shaving with a circular-arc shaving tool, and a process of charging the lapping plate after the shaving process using a charging ring.例文帳に追加
所定の硬度の材質よりなる前記ラッピング定盤の表面を平坦に切削するとともに２種類の溝を加工生成するフェージング工程と、円弧状のシェービング治具でシェービングするシェービング工程と、該シェービング工程後のラッピング定盤をチャージングリングを用いてチャージングする工程とにより製作される所定の平坦度に形成されたラッピング定盤を使用して、ＳｉＣ単結晶基板をメカニカルラッピングする。 - 特許庁
In the production method for compound single crystal for epitaxially growing the compound single crystal layer, different from a compound single crystal substrate on the surface of this substrate, at least one part of the substrate surface has a plurality of projections, extending in one direction and each of such projections is provided, so that the defects to be grown with the epitaxial growth of this compound monocrystal layer can mutually meet.例文帳に追加
化合物単結晶基板の表面にこの基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつこの起伏は前記化合物単結晶層のエピタキシャル成長に伴って成長する欠陥が互いに会合しあうように設けられた方法。 - 特許庁
To provide a heat treatment method, which can prevent occurrence of slip dislocation and sufficiently eliminate grown-in defects in the vicinity of the surface even when a CZ silicon monocrystal wafer having a diameter of 300 mm or larger is mainly subjected to a high heat treatment, and an annealed wafer having a DZ layer in the wafer surface layer and containing high-density oxygen precipitates capable of achieving a high gettering effect in a bulk.例文帳に追加
主に直径が３００ｍｍ以上のＣＺシリコン単結晶ウェーハに高温熱処理を行なってもスリップ転位の発生を抑制し、表面近傍のGrown-in欠陥を十分に消滅させることのできる熱処理方法を提供し、及びウェーハ表層部にＤＺ層を有し、かつバルク中に高いゲッタリング効果が得られる高密度の酸素析出物を有するアニールウェーハを提供する。 - 特許庁
When performing depth direction analysis of at least one metal element of Ga, In, Cu, Au or Ag in a sample using monocrystal silicon as a base material by a mass spectrometry method by using oxygen as primary ion, at least a deeper domain than a domain where the sample is oxidized by oxygen as primary ion, is reformed beforehand as a diffusion suppression domain for suppressing diffusion of the metal element resulting from oxidation of the sample.例文帳に追加
一次イオンに酸素を用いて単結晶シリコンを母材とする試料中のＧａ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｕ或いはＡｇの少なくとも一つの金属元素の深さ方向分析を二次イオン質量分析法によって行う際に、前記試料が前記一次イオンとしての酸素により酸化される領域より少なくとも深い領域を、予め試料の酸化に伴う前記金属元素の拡散を抑制する拡散抑制領域に改質しておく。 - 特許庁
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