「MONOCRYSTAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, rotation is prevented, by using a template drawn in the same pattern shape (with orientation flat (OF)) as the wafer substrate, so that an abrasion is not caused on the wafer substrate reverse, when the piezoelectric oxide monocrystal wafer substrate freely rotates in a recessed part becoming a wafer holding position of the plate.例文帳に追加

この際、圧電性酸化物単結晶ウェーハ基板が、プレートのウェーハ保持位置となる凹部内で自由に回転することによりウェーハ基板裏面に擦れキズが生じないよう、ウェーハ基板と同一形状（オリエンテーションフラット（ＯＦ）付き）に型抜きされたテンプレートを用い、回転を防止する。 - 特許庁

To provide a method with which silicon carbide monocrystal which is excellent in dielectric breakdown property, heat resistance and radiation resistance, etc., is suitable for electronic and optical device, etc., is free from the contamination of polycrystal and polymorphism and the defect such as micropipe and is high quality can be efficiently manufactured in the form of large diameter in the state having no breakage, etc.例文帳に追加

絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶を割れ等がない状態で大口径に効率よく製造し得る方法の提供。 - 特許庁

The nitride semiconductor growth substrate having (111) face as a main face, consisting of monocrystal of composite oxide expressed by a general expression (La_aSr_1-a)(Al_bTa_1-b)O_3 (0<a<1, 0<b<1), and having a nitride film or a SiC film formed by treating the main face with nitride is used.例文帳に追加

（１１１）面を主面とし一般式（Ｌａ_ａＳｒ_１−ａ）（Ａｌ__ｂＴａ_１−ｂ）Ｏ_３（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされる複合酸化物の単結晶から成り、主面を窒化処理して形成した窒化物膜あるいはＳｉＣ膜を有する窒化物半導体用成長基板を用いる。 - 特許庁

To provide a substrate for a light-emitting element which can manufacture the light-emitting element of a group III polarity on both faces of a monocrystal substrate of a nitride semiconductor, and to provide a light-emitting device which has the substrate, reduces an amount of current injection per element, and increases a brightness without increasing a size of one element.例文帳に追加

窒化物半導体の単結晶基板の両面に、III族極性の発光素子を作製することが可能な発光素子用基板、およびそれを具備し、１素子当たりの電流注入量を低下させ、また1素子のサイズを大きくすること無く高輝度化した発光装置を提供する。 - 特許庁

To decrease the propagation loss of light propagating in an optical waveguide by suppressing the deformation, surface roughness and microcrack of the machined surface of a base material in forming the optical waveguide by irradiating the base material composed of a monocrystal oxidized material with a laser beam.例文帳に追加

酸化物単結晶からなる基材にレーザー光を照射することで光導波路を形成するのに際して、基材のレーザー加工面における湾曲、表面粗れやマイクロクラックを抑制し、光導波路を伝搬する光の伝搬損失を低減できるようにする。 - 特許庁

The piezoelectric monocrystal that is the new matter corresponding to the problem to be solved of the specified invention (Claim 1) is substantial part of matters in the claim of the related invention (Claim 2). Therefore the substantial parts of matters in the claims of the inventions are the same. 例文帳に追加

また、関連発明（請求項２）は、特定発明（請求項１）の解決しようとする課題に対応した新規な事項である圧電体単結晶をその請求項に記載する事項の主要部としているので、両発明の請求項に記載する事項の主要部は同一である。 - 特許庁

Then a piezoelectric film 13 composed of aluminum nitride is crystallized on the exposed part 11a of the substrate 11 and on the mask 12 and a monocrystal film part 13a grown on the exposed part 11a out of the piezoelectric film 13 is used as a resonance part to form the resonator.例文帳に追加

次に、基板１１の露出部１１ａの上及びマスク１２の上に窒化アルミニウムからなる圧電体膜１３を結晶成長させ、圧電体膜１３のうち露出部１１ａの上に成長させた単結晶膜部１３ａを共振部とする共振器を形成する。 - 特許庁

This cantilever for a scan type probe microscope is constructed of a monocrystal silicone supporting part 101, a stress-reduced silicone nitride lever part 102 extending from the supporting part 102, and a probe part 103 arranged in the vicinity of the free end of the lever part, while the supporting part and the lever part are connected together via a Si-B-O glass layer.例文帳に追加

単結晶シリコン製支持部101 と、該支持部より延びた低応力化した窒化シリコン製レバー部102 と、該レバー部の自由端近傍に設けた探針部103とを有し、支持部とレバー部とはSi-B-Oガラス層を介して接合して走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーを構成する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has a laminated structure in which an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22 serving as a light-emitting layer, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron stopping layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated in this order from the side of the GaN monocrystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層としての多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

A recessed part and a trench are formed on the main surface of a monocrystal silicon substrate 101, an n+ diffusion layer 117 as a pair of counter electrodes is formed in the substrate surface direction with the trench between, and an n+ diffusion layer 117 is also formed in a direction orthogonal to the substrate surface direction.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０１の主表面に凹部，トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのｎ＋拡散層１１７を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にｎ＋拡散層１１７を形成する。 - 特許庁

PN inversion is performed by annealing P-type silicon monocrystal, doped with a group 13 atom having a true resistivity between or equal to 1 Ωcm and 100 Ωcm, so that the silicon member, having a resistivity between or equal to 0.1 Ωcm and 100 Ωcm, is manufactured.例文帳に追加

真性抵抗率が１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下の１３族原子がドープされたＰ型シリコン単結晶を、３００℃以上５００℃以下でアニール処理することによりＰ／Ｎ反転させて、抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下であるシリコン部材を製造する。 - 特許庁

An insulation film (a gate oxide film) is formed on the surface of a monosrystal layer of Si, Ge, or the like comprising not less than two kinds of semiconductor on the semiconductor wafer by thermal oxidation in an atmosphere including reducer and oxidizing agent as oxidation species to the monocrystal layer.例文帳に追加

また、半導体基板上の２種類以上の半導体からなるＳｉＧｅなどの単結晶層の表面上に前記単結晶層に対する酸化種として還元剤及び酸化剤を含む雰囲気による熱酸化によって絶縁膜（ゲート酸化膜）を形成する。 - 特許庁

This embodiment comprises a silicon substrate 2, a silicon dioxide layer 3, a monocrystal silicon layer 4, a silicon dioxide layer 5, a spacer 13 of N+ doped polysilicon, a conformal layer 15 of a conductive diffusion preventing substance, a metal silicide layer 16, a CVD silicon dioxide layer 17, an insulator spacer 18, a silicon oxide layer 19, and a polysilicon 21.例文帳に追加

シリコン基板２、二酸化シリコン層３、単結晶シリコン層４、二酸化シリコン層５、Ｎ＋ドープ・ポリシリコンのスペーサ１３、導電性拡散防止物質のコンフォーマル層１５、金属シリサイド層１６、ＣＶＤ二酸化シリコン層１７、絶縁体スペーサ１８、酸化シリコン層１９、ポリシリコン２１を備える。 - 特許庁

Lattice matching property and matching property of thermal expansion coefficient between the (0001) plane of diboride monocrystal and a nitride semiconductor layer are high, lattice defect of a formation layer can be reduced, the layer is thermally stabilized, heat dissipation of a substrate is raised and performance of a semiconductor device is raised.例文帳に追加

二硼化物単結晶の（０００１）面と窒化物半導体層との格子整合性と熱膨張率の整合性が高く、成長層の格子欠陥を低減でき、成長層が熱的に安定化され、基板の放熱特性を高めて、半導体装置の性能を高める。 - 特許庁

To provide a workpiece thickness measuring method capable of preventing the detection of a thickness of a workpiece from being affected by mechanical precision of a polishing device polishing both faces simultaneously or one face of surfaces of a monocrystal silicone wafer used in a substrate for a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路用基板に用いられる単結晶シリコンウエハ等の表面を両面同時または片面を研磨する研磨装置において、被加工物の厚さの検出が研磨装置の機械的精度に影響されない被加工物厚み計測方法を提供する。 - 特許庁

Portions of a vibrator 11 formed out of a monocrystal silicon substrate 1, other than surfaces where a lower electrode 4a, a piezoelectric thin film 5a, and upper electrodes 6a, 6b, and 6c, are ground by means of reactive ion etching, dry isotropic ion etching, or crystal anisotropic etching, thereby obtaining a desired detuning degree.例文帳に追加

反応性イオンエッチング、乾式等方性イオンエッチング又は結晶異方性エッチングにより、単結晶シリコン基板１から形成された振動子１１の下部電極４ａ、圧電薄膜５ａ、上部電極６ａ，６ｂ，６ｃが形成された面以外を研削することで、所望の離調度とする。 - 特許庁

Then, the individual electrodes 4 and the common electrodes 5 are extended through on the insulating film 7, and the ends constitute electrodes 6 for external connection being the electrodes for connection with external circuits, and these electrodes 6 for external connection are provided on the non-film growing sections of insulating film 7 on the semiconductor-uncovered face of the monocrystal substrate 1.例文帳に追加

そして、個別電極４と共通電極５を絶縁膜７上を通して延在して、その端部を外部回路との接続電極である外部接続用電極６と成し、この外部接続用電極６を単結晶基板１の非半導体被膜面上における絶縁膜７の非成膜部分に設けている。 - 特許庁

To provide a polishing method of wafer substrate, and a wafer provided thereby, superior in high flatness, and manufacturable with excellent reproducibility of work accuracy, without using a wax sticking method, in a mirror surface polishing work method of a piezoelectric oxide monocrystal wafer substrate such as for an elastic surface wave device.例文帳に追加

弾性表面波デバイス等の圧電性酸化物単結晶ウェーハ基板の鏡面研磨加工方法に関し、ワックス貼り付け方法を用いることなく、高平坦度等の優れた加工精度を再現性よく製造することができるウェーハ基板の研磨方法及びこれによって得られるウェーハを提供する。 - 特許庁

A double hetero epitaxial structure 4 of a Si base plate/metal silicide/Si thin film is formed on a Si monocrystal base plate 1, which is put under heat treatment in H2, so that an island-shaped structure made of Si monocrystals 5 is formed by self-matching regrowth and the metal silicide 6 is made cohered in gaps between an island 5 and an island 5.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１上にＳｉ基板／金属シリサイド／Ｓｉ薄膜のダブルヘテロエピタキシャル構造４を形成し、Ｈ_2 中で熱処理し、自己整合的な再成長により、Ｓｉ単結晶５からなる島状構造が形成すると共に島５と島５の間隙に金属シリサイド６を凝集させる。 - 特許庁

A shield nozzle is structured by providing a layer consisting of a ceramic cement 7 formed by making a porous thin film (core material 5, 15) immersed in or coated with a liquid, for which a ceramic powder (including pulverized monocrystal, glass, sintered body, etc., besides powders to the raw material) is kneaded with a binder, and by making the film dried and fixed.例文帳に追加

多孔の薄膜（芯材５、１５）にセラミック粉末（原材料となる粉体のほか、単結晶、ガラス、焼結体などを粉末にしたものも含む）を結合剤と混練した液中に浸漬又は塗布し、乾燥、固着して形成したセラミックセメント７からなる層を設けてシールド用ノズルを構成する。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed on a prescribed channel region 13 on a substrate 11 of a monocrystal Si enclosed with an element isolation oxide film 12 via a gate oxide film 14 of a combination structure, and a source/ drain diffusion layer 16 is formed away from the channel region 13 on the both-side substrates 11.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた単結晶Ｓｉの基板１１上における所定のチャネル領域１３上には組み合わせ構成のゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５が形成され、その両側の基板１１上にはチャネル領域１３を隔ててソース／ドレイン拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

This method comprises a step of processing a first wafer with two faces and providing at least one semiconductor layer patterned and made plane, on at least one face of these two faces, and a step of connecting a second wafer of monocrystal silicon to the semiconductor layer on the first wafer.例文帳に追加

本方法は、２つの面を有する第１のウェーハを処理し、これらの２つの面の少なくとも一方の上に少なくとも１つのパターン化されて且つ平面化された半導体層を設けるステップと、単結晶シリコンの第２のウェーハを、第１のウェーハ上の半導体層に結合させるステップとを含む。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

A Raman microspectroscopic apparatus and a Raman spectroscopic method include, at least, a laser source emitting excitation light and an objective lens irradiating the excitation light to a sample, and measure Raman scattered light from the sample, in which a transparent body holding the sample is composed of CaF_2 monocrystal, synthetic quartz, or fluoride glass.例文帳に追加

少なくとも、励起光を発するレーザ光源と、励起光を試料に照射する対物レンズとを有し、試料からのラマン散乱光を測定するラマン顕微分光装置及びラマン分光方法であって、試料を保持する透明体は、ＣａＦ_２単結晶、合成石英、または、フッ化物ガラスから構成する。 - 特許庁

The optical control element is characterized in that it is composed of a monocrystal, that at least two regions are formed in which the refractive indexes are different from each other by reason of different polarization directions and that, with an optical path penetrating through the boundary of the two regions, the light output direction is split by the wavelength.例文帳に追加

単結晶からなり、分極方向が異なることにより屈折率が互いに異なる少なくとも２つの領域が形成されており、２つの領域の界面を光路が貫通することにより光の出力方向を波長により分離することを特徴とする光制御素子である。 - 特許庁

The brewster window is disposed inside a laser oscillator such that laser light is oscillated by linear polarization, and includes: a substrate 1 which is constituted of an alkaline earth metal fluoride monocrystal and of which the surface is flattened; and fluoride films 2a, 2a' of a polycrystal or amorphous structure formed on at least one surface of the substrate.例文帳に追加

レーザ光が直線偏光で発振するようにレーザ共振器の内部に配されるブリュースター窓であって、アルカリ土類金属フッ化物単結晶から成り、表面が平坦化された基板１と、その基板の少なくとも一方の面に形成された多結晶又はアモルファス構造であるフッ化物膜２ａ，２ａ’と、を備える。 - 特許庁

Radiation such as X-rays are absorbed in a monocrystal substrate, or absorbed in a light absorber provided on the surface of the substrate when the radiation is light, and radiation energy is converted into non-thermal equilibrium phonons, and these phonons are absorbed in a plurality of superconductive in-series junctions to generate signals.例文帳に追加

Ｘ線などの放射線を単結晶基板に吸収させ、あるいは放射線が光である場合には基板の表面に設けた光吸収体に吸収させ、放射線のエネルギーを熱非平衡フォノンに変換し、それらのフォノンを複数の超伝導直列接合に吸収させて信号を発生させる。 - 特許庁

The GaN semiconductor layer 2 is grown without using conditions of a V/III ratio less than 1,000 and without interposing a buffer layer on the surface of the GaN monocrystal board 1 by using conditions of the V/III ratio of 1,000 or more as the ratio (a mole ratio) of a nitrogen raw material to a gallium raw material in this case.例文帳に追加

この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。 - 特許庁

A non-monocrystal semiconductor layer made of polycrystalline or micronized crystal silicon having a channel-forming layer, a source region and a drain region on an organic film is constituted.例文帳に追加

有機フィルム上にチャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を有する多結晶シリコンまたは微結晶シリコンからなる非単結晶半導体層を形成し、当該非単結晶半導体層のチャネル形成領域を除いた領域を紫外光によって結晶化を助長したソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic probe, hardly causing breakage and chipping of an oscillator in the case of cutting array even if a monocrystal oscillator is used as a piezoelectric material, having an acoustic matching layer and acoustic backing material having a small impedance change in driving and excellent array cutting performance and heat radiation characteristic in driving, and decreasing damage due to cutting.例文帳に追加

圧電材料として単結晶振動子を用いても、そのアレイ切断時の振動子の折れやチッピングが生じ難く、さらに駆動時にインピーダンス変化が小さい音響整合層および音響バッキング材であり、アレイ切断性および駆動時の放熱特性に優れ、切断によるダメージの少ない超音波プローブを提供する。 - 特許庁

To provide a mask matching method for preventing reduction in matching accuracy between patterns formed of different masks when there is displacement between a mask pattern formed in a first place and a crystal orientation of a base board when forming the patterns on the monocrystal base board by using the different masks by anisotropic wet etching.例文帳に追加

単結晶基板上に異方性ウエットエッチングにより異なるマスクを用いてパターンを形成する場合、最初に形成されたマスクパターンと基板の結晶方位とでずれがある場合、異なるマスクで形成されたパターン間の合わせ精度が低下することを防止するマスク合わせ方法を提供する。 - 特許庁

Concerning the memory device having plural memory cells formed above a substrate and a driving circuit for driving the memory cells, each of memory cells has a membrane-like insulated gate type transistor, and the channel forming area of the membrane-like insulated gate type transistor has a monocrystal silicon.例文帳に追加

基板上方に形成された複数のメモリー素子と、前記メモリー素子を駆動する駆動回路とを有するメモリー装置において、前記メモリー素子は、薄膜状絶縁ゲート型トランジスタを有し、前記薄膜状絶縁ゲート型トランジスタのチャネル形成領域は、単結晶シリコンを有することを特徴とするメモリー装置である。 - 特許庁

To reduce machining errors and further quickly perform machining by making it possible to continuously perform a series of works from a measurement of a crystal lattice plane up to machining, that is, machining of a reference plane, for instance, in a machining device for machining monocrystal ingot in a fixed relation with respect to the crystal lattice plane.例文帳に追加

単結晶インゴットを結晶格子面に対して一定の関係をもって加工する加工装置において、結晶格子面の測定から加工、例えば基準面の加工に至る一連の作業を連続的に行うことを可能にして、加工誤差が少なく、しかも迅速な加工を行えるようにする。 - 特許庁

The surface acoustic wave element is provided with a surface acoustic wave converter, consisting of a positive electrode 1 and a negative electrode 2 which are formed on the front surface of a langasite monocrystal baseboard; and the respective electrodes are formed along the propagating direction of surface acoustic wave, so as to have natural unidirectionality eliminated in the surface acoustic wave converter.例文帳に追加

ランガサイト単結晶基板表面に形成される正電極１と負電極２とからなる表面弾性波変換器を有する表面弾性波素子であって、前記弾性表面波変換器は自然一方向性が消滅するように表面弾性波の伝搬方向に沿って、前記各電極が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a domain inversion part extending up to a deep position from the surface of a substrate when manufacturing the domain inversion part by a voltage application method by using a comb- shaped electrode having a plurality of electrode pieces arranged on the surface of a ferroelectric monocrystal substrate made to be a single domain.例文帳に追加

単分域化している強誘電体単結晶基板の一表面上に設けられた複数の電極片を有する櫛型電極を用いて、電圧印加法により分極反転部を製造するのに際して、基板の表面から深い位置にまで伸びるような分極反転部を形成する新規な方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for reducing a stacking fault area enlarged by current energization and recovering an increased forward voltage of a silicon carbide bipolar semiconductor device, in the bipolar semiconductor device in which electrons are recoupled to holes upon energization in a silicon carbide epitaxial film grown from a surface of a silicon carbide monocrystal substrate.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method and a polished body of high-accuracy three-dimensional shape obtained by the polishing method realizing high repeatability and polishing efficiency at a low cost in polishing diamond itself such as diamond monocrystal or material containing diamond into a mirror finished surface of high shape accuracy with very little waviness and edge sagging.例文帳に追加

本発明は、ダイヤモンド単結晶等のダイヤモンドそれ自体又はダイヤモンドを含む材料を、鏡面で、かつ、うねり、端部のだれ等の極めて少ない高い形状精度を有し、高い再現性と研磨加工能率を低コストで実現できる研磨加工方法及びそれによって得られる高精度3次元形状研磨加工体を得る。 - 特許庁

For the piezoelectric material of the piezoelectric body 5, bulk monocrystal of zinc oxide (ZnO) which has various advantages (electromechanical coupling coefficients can be made large, and also it is possible to give crystal orientation easy to make it vibrate in the specific direction, with low sound velocity, and etching treatment possible to make the vibrator small).例文帳に追加

圧電体５の圧電材料として、様々な長所［電気機械結合係数を大きくできると共に、所定の方向に振動させ易い結晶方位を持たせることが可能であり、しかも音速が低くてエッチング加工も可能であることにより振動子自体を小さくできる］を持つ酸化亜鉛（ＺｎＯ）のバルク単結晶を用いている。 - 特許庁

An amorphous monocrystal silicon film having crystallinity which is formed in crystal growth in a 105 direction is provided on an underlayer film 102 on a substrate 101, and a source/drain region and the region 111/113 are provided in a direction in which a direction of crystal growth substantially coincides with a direction of moving carriers, thereby attaining a semiconductor device having high mobility.例文帳に追加

基板１０１上の下地膜１０２上に１０５の方向に結晶成長した結晶性を有する非単結晶珪素膜を設け、この結晶成長した方向とキャリアが移動する方向と概略一致する方向に、ソース／ドレイン領域、１１１／１１３を設けることにより、高移動度を有する半導体装置を得る。 - 特許庁

The hair-spring is manufactured by photolithography and etching in a strip 3 pre-cut from a quartz monocrystal such that the height h of the spring forms, relative to the crystallographic axis z, an angle theta for adapting the thermal behavior of the hair-spring to that of the balance, thereby reducing the variation of rate due to temperature variations.例文帳に追加

結晶軸ｚに対して角θを形成するように石英単結晶から予めカットした薄辺のフォトリソグラフィおよびエッチング加工によりゼンマイの高さｈのひげゼンマイを製作することによって、ひげゼンマイの熱的振舞いをてんぷの熱的振舞いに適応させ、それによって温度変化による速度変化を減少させる。 - 特許庁

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with non-monocrystal silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is ≥70) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Additionally, etching depth dispersion on a wafer surface is reduced while maintaining verticality for etching depth in forming a nozzle hole 2a or the groove part of a supply port 7a, etc. on a nozzle wafer 3 an original material of which is a silicon monocrystal by carrying out the etching process within a working condition range on the inductively coupled plasma etching device.例文帳に追加

また、誘導結合型プラズマエッチング装置において加工条件範囲内でエッチング加工を行なうことで、原材料がシリコン単結晶であるノズルウェハ３上にノズル穴２ａまたは供給口７ａ等の溝部を形成する際にエッチング深さに対する垂直性を維持しつつ且つウェハ面内のエッチング深さバラツキを低減できる。 - 特許庁

This manufacturing method of this electron source is characterized in that positive potential is applied to a needle composed by mounting a supply source of barium formed of a double oxide of a barium oxide and an oxide of a metal other than barium in a part of a monocrystal needle of tungsten or molybdenum to heat it at a temperature of 1,000-1,700 K, preferably 1,350-1,650 K.例文帳に追加

タングステンまたはモリブデンの単結晶ニードルの一部に、バリウム酸化物とバリウム以外の金属の酸化物の複酸化物からなるバリウムの供給源を設けたニードルに正電位を印加して１０００Ｋ以上１７００Ｋ以下、好ましくは１３５０以上１６５０Ｋ以下で加熱することを特徴とする電子源の製造方法。 - 特許庁

The optical lowpass filter is composed of: at least a double refraction plate formed of quartz monocrystal including, by wt., 0.1% or larger of at least one of elements Fe, Co, Cu, Ni and Cr, and transmits the light in the visible light region and absorbs the light in the infrared region; an IR cut glass; and a 1/4 wavelength plate.例文帳に追加

鉄、コバルト、銅、ニッケル、クロムの添加元素の中から少なくとも一種の元素を０．１ｗｔ％以上の割合で含み、可視光域の光を透過し赤外領域の光を吸収する水晶単結晶を育成し、該水晶から形成した少なくとも１枚の複屈折板と、ＩＲカットガラスと、１／４波長板とを備えた光学ローパスフィルタを構成する。 - 特許庁

A method of producing the cubic system silicon carbide (3C-SiC) monocrystal using a chemical vapor phase growing method, wherein a raw material gas and carrier gas are supplied from the top of a vertical reactor tube, a silicon substrate is placed vertically to the gas flow so as to supply the gases evenly to both the faces of the substrate.例文帳に追加

化学気相成長法を用いた立方晶炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）単結晶薄膜を作製する方法であって、縦型の反応管に上部より原料ガス及びキャリヤーガスを供給し、そのガス流れに対して垂直にＳｉ基板を配置することにより基板全面にガスを供給することを特徴とする方法。 - 特許庁