「MONOCRYSTAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The monocrystal thin film 6 consisting of LN or LT is formed by successively laminating a cubic silicon carbide layer 3 and a magnesium oxide monocrystal layer 4 on an Si (111) substrate 1, and epitaxally growing a thin film 5 consisting of the LN or LT on the magnesium oxide layer 4.例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）基板１上に、立方晶炭化ケイ素層３および酸化マグネシウム単結晶層４を順次積層させ、前記酸化マグネシウム層４の上に、ＬＮまたはＬＴからなる薄膜５をエピタキシャル成長させることにより、ＬＮまたはＬＴからなる単結晶薄膜６を形成させる。 - 特許庁

A method for manufacturing the field effect transistor includes at least steps of: forming the Si monocrystal thin film on the grown nitride series compound semiconductor layer; and oxidizing the Si monocrystal thin film for forming the gate insulating film 7 of the field effect transistor.例文帳に追加

及び成長した窒化物系化合物半導体層の表面にＳｉの単結晶薄膜を形成する工程と、該単結晶薄膜を酸化して前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜７を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

A plurality of grooves 3 are formed on the 1st main surface K of a 1st substrate 7 consisting of a silicon monocrystal so as to reach the outer edge end of the 1st main surface K and a silicon oxide film 2 is formed on the 1st main surface J of a 2nd substrate 1 consisting of a silicon monocrystal as an insulating film.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる第一基板７の第一主表面Ｋに対して、その外縁端に至る形で複数の溝３を形成し、シリコン単結晶からなる第二基板１の第一主表面Ｊにはシリコン酸化膜２を絶縁膜として形成する。 - 特許庁

Since the guard member 3004 is made of a monocrystal or a polycrystal, its hardness or wear resistance is nearly uniform.例文帳に追加

ガード部材３００４は、単結晶または多結晶からなる材料から構成されているため、その硬度および耐摩耗性はほぼ均一である。 - 特許庁

The layer 102 is provided with a photoconductor layer 103 consisting of non-monocrystal material incorporating a silicon atom and a surface protective layer 104.例文帳に追加

光受容層１０２は、ケイ素原子を含有した非単結晶材料からなる光導電層１０３と、表面保護層１０４とを有する。 - 特許庁

At last, the end part of the quartz oscillator 2 is completely reduced to form Si monocrystal at the end part.例文帳に追加

最終的には、図３（ｄ）に示すように、水晶発振子２の先端部が完全に還元されて、その先端部にＳｉ単結晶が形成される。 - 特許庁

To provide an SOI substrate capable of preventing cracking or the like caused by a difference in thermal expansion coefficient between a handle substrate and a monocrystal silicon substrate.例文帳に追加

ハンドル基板と単結晶シリコン基板の熱膨張係数の差異に起因するひび割れ等を防止できるＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁

A stacked body 100 is a polycrystalline structure formed of a monocrystal layer (crystal gain 110) including a C-surface standing up along a thickness direction of the layer.例文帳に追加

積層体１００は、Ｃ面が層の厚さ方向に沿って起立した単結晶（結晶粒１１０）の層からなる多結晶構造である。 - 特許庁

After that, a flat nitride semiconductor layer is grown by nucleating the nitride semiconductor layer comprising monocrystal to obtain the nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

その後、単結晶から成る窒化物半導体層を核として平坦な窒化物半導体層を成長させ窒化物半導体基板を得る。 - 特許庁

A p-type well region 11 is formed on the surface of a primary semiconductor device in the middle of production using a monocrystal semiconductor substrate 10.例文帳に追加

単結晶半導体基板１０を用いて製造途中の主たる半導体素子の基板の表面に、ｐ型ウェル領域１１を形成する。 - 特許庁

The crystallizing apparatus irradiates a light having a predetermined light intensity distribution on the non-monocrystal semiconductor film to generate a crystallizing semiconductor film.例文帳に追加

所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。 - 特許庁

To provide a method for annealing diamond by which the damaged inside of a diamond monocrystal caused by ion implantation or other processes can be restored at a low temperature.例文帳に追加

イオン注入その他のプロセスによりダイヤモンド中に発生した損傷を低温において回復する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor wafer whereby epitaxial growth of a 4H-SiC monocrystal layer on the surface of a base can be efficiently effected.例文帳に追加

基板の表面に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶層を効率的にエピタキシャル成長させることができる半導体ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin-film piezoelectric resonator uses a monocrystal ferroelectric substance which has a thickness of 10 μm or less, and whose polarizing direction is aligned in the direction of its thickness as a piezoelectric material.例文帳に追加

分極方向が膜厚方向に揃った厚さ１０μｍ以下の単結晶強誘電体を圧電体として用いた薄膜圧電共振子を用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an elongated actuator having a large area utilizing a monocrystal piezoelectric film or a single-orientation polycrystal film, and to provide a method for manufacturing an ink jet head.例文帳に追加

単結晶圧電膜あるいは単一配向の多結晶膜を利用した大面積・長尺のアクチュエーター及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

After the oxidized silicone pattern 5a is removed, an oxidized silicone film 7 which becomes an upper clad is deposited on the buried oxidized film 3 and the monocrystal silicone layer 4.例文帳に追加

シリコン酸化膜パターン５ａ除去後、埋め込み酸化膜３及び単結晶シリコン層４上に上部クラッドとなるシリコン酸化膜７を堆積させる。 - 特許庁

In an SOI substrate 1, an oxidized silicon film 3 on a light transmissive substrate 2 and an oxidized silicon film 4 formed over a monocrystal silicon membrane 5 are bonded.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１において、光透過性基板２上の酸化珪素膜３と単結晶シリコン薄膜５に形成した酸化珪素膜４とは接合している。 - 特許庁

This invention concerns the piezoelectric monocrystal and the surface acoustic wave element used in ultrasound oscillator element. 例文帳に追加

この発明は、超音波振動子等弾性表面波素子に用いる圧電体単結晶ならびにこの単結晶を用いた弾性表面波素子に関するものである。 - 特許庁

This X-ray photographing system comprises an X-ray source 1, an X-ray optical system 3 formed by one or plural silicon monocrystal plates 2, a photographing part 4 and an image recording part 5.例文帳に追加

Ｘ線源１、１または複数のシリコン単結晶板２からなるＸ線光学系３、撮影部４、画像記録部５から構成される。 - 特許庁

The Schottky diode comprises a semiconductor thin-film part 11 formed directly on the heater 4 and made of SiC monocrystal, and a third electrode 12.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、ヒータ４上に直接的に形成されたＳｉＣ単結晶からなる半導体薄膜部１１と、第３の電極１２から構成される。 - 特許庁

To provide a production process of ensuring the quality of a gallium nitride element to grow monocrystal gallium nitride on a silicon substrate, which lowers remarkably production cost.例文帳に追加

チッカガリウム素子の品質を確保して、製造コストを大幅に下げるシリコン基板上に単結晶チッカガリウムを成長させる製造工程を提供する。 - 特許庁

A diaphragm 101 practically cut at (Zyw) 30.2° to the X, Y and Z axes of the monocrystal of lithium tetraborate (Li2B4O7) is used for the piezoelectric vibrator.例文帳に追加

四ホウ酸リチウム（Ｌｉ_2Ｂ_4Ｏ_7）単結晶のＸ，Ｙ，Ｚ軸に対して、実質的に（ＺＹｗ）３０．２°カットされた振動板１０１を圧電振動子に用いる。 - 特許庁

A porous silicon layer 3, whose thickness is about 12 μm formed with a plurality of fine holes 2, is formed on a p-type monocrystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の単結晶のシリコン基板１に、微細な孔２が多数形成された厚さが約１２μｍの多孔質シリコン層３が形成されている。 - 特許庁

Since it is not necessary to round the guard groove 22b, all the surface azimuths of the silicon monocrystal exposed within a guard groove 22a are made into {100}.例文帳に追加

ガード溝２２ｂに丸みを付す必要がないので、ガード溝２２ａの内部に露出するシリコン単結晶の面方位を、全て｛１ ０ ０｝にすることができる。 - 特許庁

For this reason, a region on the monocrystal silicon substrate 11 is classified into a rectangular region 11a enclosed with the trench 12 and a region 11b outside of the trench 12.例文帳に追加

そのため、単結晶シリコン基板１１上は、トレンチ１２に囲まれた矩形状の領域１１ａと、トレンチ１２の外側の領域１１ｂとに分けられる。 - 特許庁

To provide a monocrystal silicon electrode plate for plasma etching with little in-plane variation of a specific resistance value, wherein a wafer surface is uniformly etched without variations thereby.例文帳に追加

比抵抗値の面内バラツキが少ないプラズマエッチング用単結晶シリコン電極板を提供し、それによってウエハ表面をバラツキなく均一にエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-quality SiC monocrystalline thin film by the homoepitaxial growth of a SiC monocrystal at a low growth temperature.例文帳に追加

低い成長温度でＳｉＣの単結晶をホモエピタキシャル成長させて高品質のＳｉＣ単結晶薄膜を作製する方法を提供する。 - 特許庁

Next, the silicon monocrystal substrate 1 is removed by dry etching using fluorine- based active seeds from the back side to produce SiN as a support layer (d).例文帳に追加

続いて、裏面からフッ素系活性種を用いたドライエッチングによりシリコン単結晶基板１を除去して、支持層となるSiＮを製作する（ｄ）。 - 特許庁

To provide: a semiconductor device manufacturing method which can prevent a monocrystal semiconductor layer in an SOI structure from peeling off; and a semiconductor device.例文帳に追加

ＳＯＩ構造における単結晶半導体層が剥がれることを抑えることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a effective production method of silicon carbide powder suitable for producing a silicon carbide monocrystal excellent in electron characteristic with less crystal defects.例文帳に追加

結晶欠陥の数が少なく電子特性が優れた炭化ケイ素単結晶の製造に好適な炭化ケイ素粉末の効率的な製造方法の提供。 - 特許庁

Eight flat surfaces 14-28 constituting the side surfaces of the monochromator 10 aligned to any one of the directions <100>, <111>, <110> and <211> of the silicon monocrystal.例文帳に追加

モノクロメータ１０の側面を構成する８個の平面１４〜２８は、シリコン単結晶の〈１００〉〈１１１〉〈１１０〉〈２１１〉方向のいずれかに一致している。 - 特許庁

In the growing process, heating control is effected to allow the Si molten solution layer 71a to take C and Si in from the 3C-SiC polycrystal layer 72 and the C taken in is coupled with the Si in the Si molten solution layer, whereby epitaxial growth of a 4H-SiC monocrystal on the monocrystal SiC base 70 is effected.例文帳に追加

成長工程では、加熱制御を行うことで、Ｓｉ融液層７１ａが、３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２からＣとＳｉとを取り込むとともに、取り込んだＣとＳｉ融液層中のＳｉとを結合させることで、当該単結晶ＳｉＣ基板７０に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The photoelectrically converting device is configured to include a p-type monocrystal silicon layer 100, an n-type semiconductor layer 120, a porous silicon layer 110 which is formed between the p-type monocrystal silicon layer 100 and the n-type semiconductor layer 120, and contains a plurality of quantum dots 112 in a hole 111.例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、ｐ型単結晶シリコン層１００と、ｎ型半導体層１２０と、ｐ型単結晶シリコン層１００とｎ型半導体層１２０との間に形成された、孔１１１に複数の量子ドット１１２を含有する多孔質シリコン層１１０と、を備える構成としている。 - 特許庁

To implement both an orientation measurement carried out by emitting X-rays to the end face of a monocrystal like a cut-face measurement, and an orientation measurement carried out by emitting X-rays to the outer peripheral surface of a monocrystal like an orientation measurement of an oriflam surface by using a common measuring apparatus and without exchanging an object under measurement.例文帳に追加

カット面測定のようにＸ線を単結晶体の端面に照射して行う方位測定と、オリフラ面の方位測定のようにＸ線を単結晶体の外周面に照射して行う方位測定とを、共通の測定装置によって、しかも測定物の着け変えを行う必要なく、実行できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing sufficiently a monocrystal GaN substrate which is a growing substrate capable of obtaining a semiconductor layer of a good surface morphology or a monocrystal GaN substrate which can be suitably used as a semiconductor substrate, by reducing a defect in a polishing process and shortening a polishing time.例文帳に追加

研磨工程における不良を低減し、研磨時間を短縮して、表面モフォロジーが良好な半導体層が得られる成長用基板である単結晶ＧａＮ基板又は半導体基板として好適に用いることができる単結晶ＧａＮ基板を効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

The film thickness of an amorphous semiconductor film before crystallization in formation of a thin film transistor using a pseudo-monocrystal semiconductor 113 and a thin film transistor using a granular polycrystalline semiconductor 112 on the same substrate 101 is made larger in the pseudo-monocrystal semiconductor portion 205 than in the polycrystalline semiconductor portion 206.例文帳に追加

同一基板１０１上に擬似単結晶半導体１１３を用いた薄膜トランジスタと粒状の多結晶半導体１１２を用いた薄膜トランジスタの形成における結晶化前の非晶質半導体膜の膜厚を、擬似単結晶半導体部分２０５＞多結晶半導体部分２０６とした。 - 特許庁

An angle θ formed by the center line 10 passing through the center 6 of the circular arc and an azimuth of monocrystal diamond <11X> is set to 10 to 60 degrees on the rake surface.例文帳に追加

すくい面上において、円弧の中心６を通る中心線１０と単結晶ダイヤモンドの＜１１Ｘ＞の方位のなす角度θを１０〜６０度とする。 - 特許庁

The silicon carbide monocrystal wafer has at its specific direction end a working defect portion whose total area size is small or whose shape is asymmetric and notch-form.例文帳に追加

ウェハの特定の方位端に総面積の小さい加工欠損部、あるいは非対称な形状を有するノッチ状の加工欠損部を有する炭化珪素単結晶ウェハ。 - 特許庁

To provide a large-size radiation imaging apparatus, especially an X-ray imaging apparatus which can provide a seamless image by using a plurality of high performance monocrystal silicon image pickup elements.例文帳に追加

高性能な複数の単結晶シリコンの撮像素子を用いて、繋ぎ目のない画像を提供できる大板の放射線、特にＸ線撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide monocrystal wafer wherein its wafer area portion available for device creation can be increased and its increasing working burden in response to the increase of its diameter can be avoided.例文帳に追加

デバイス作製に供用可能なウェハ面積部分を増大し、かつ大口径化に伴って増大する加工負荷を回避できる炭化珪素単結晶ウェハを提供する。 - 特許庁

The half-value width of the pulse laser beam is 10 nsec or smaller when the optical waveguide is formed by irradiating the base material composed of the monocrystal oxidized material with the laser beam.例文帳に追加

酸化物単結晶からなる基材にレーザー光を照射することで光導波路を形成するのに際して、レーザー光のパルスの半値幅を１０ｎｓｅｃ以下とする。 - 特許庁

To efficiently and easily obtain a substrate for epitaxial growth of a GaN compound semiconductor monocrystal membrane which has little crystal defect and favorable surface morphology.例文帳に追加

結晶欠陥が少なく、表面モフォロジーが良好な、ＧａＮ系化合物半導体単結晶薄膜エピタキシャル成長用の基板を、効率よく、且つ簡単に得る。 - 特許庁

To provide a method capable of improving a contrast of an electron backscattering diffraction image, even in the case of a monocrystal sample or a polycrystal sample having high orientation.例文帳に追加

単結晶試料又は配向性が高い多結晶試料であっても、電子後方散乱回折像のコントラストを改善することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device for forming both amorphous silicon and polycrystal silicon (or pseudo monocrystal silicon) on a same substrate by a high efficient process.例文帳に追加

高効率プロセスで非晶質シリコンと多結晶シリコン（若しくは擬似単結晶シリコン）を同一基板上に形成する表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of more surely preventing the generation of defects in a monocrystal silicon layer as to a method for manufacturing a semiconductor substrate by adopting SOI technology.例文帳に追加

ＳＯＩ技術を採用した半導体基板の製造方法において、単結晶シリコン層への欠陥発生を一層確実に防止できる手法を提供する。 - 特許庁