「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

CELL OF CONTENT ADDRESSABLE MEMORY IN WHICH COMPARE IS IMPROVED BY BOOTSTRAP例文帳に追加

ブートストラップで比較が改良された連想記憶装置のセル - 特許庁

Thus, the threshold voltage of the selected memory cell is reduced.例文帳に追加

それにより、選択されたメモリセルのしきい値電圧が下降する。 - 特許庁

MEMORY CELL WITH MAGNETIC TUNNEL JUNCTION IN SERIES WITH TUNNEL JUNCTION例文帳に追加

トンネル接合に直列の磁気トンネル接合を備えたメモリ・セル - 特許庁

To provide a memory cell etc. containing semiconductor features and a phase-change material.例文帳に追加

メモリ・セルは、半導体フィーチャおよび相変化材料を含む。 - 特許庁

Therefore, information of the memory cell can be read out accurately.例文帳に追加

したがって、メモリセルの情報を正確に読み出すことができる。 - 特許庁

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY CELL AND STORAGE CIRCUIT BLOCK EMPLOYING THE SAME例文帳に追加

不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロック - 特許庁

After that, a memory cell 1 is selected, and data can be read out.例文帳に追加

その後、メモリセル１が選択され、データ読み出しが可能になる。 - 特許庁

CIRCUIT AND METHOD FOR DETERMINING RESISTIVE STATE OF RESISTIVE MEMORY CELL例文帳に追加

抵抗メモリセルの抵抗状態を判別する回路および方法 - 特許庁

Therefore, without using a redundancy memory cell which has a defect, a defective normal memory cell array can be replaced.例文帳に追加

そのため、不良が発生している冗長メモリセルを使用せずに、欠陥を生じている正規メモリセルアレイを置換することができる。 - 特許庁

The memory cell MC includes P channel MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistors (TRs) 1 to 3.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１〜３を含む。 - 特許庁

RESISTIVE INTERSECTION ARRAY OF MEMORY CELL HAVING RESISTANCE TO SHORT CIRCUIT例文帳に追加

短絡に対して耐性のあるメモリセルの抵抗性交点アレイ - 特許庁

DETECTION DEVICE FOR DETECTIVE CELL OF SEMICONDUCTOR MEMORY, AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体メモリ装置の欠陥セル検出装置及びその方法 - 特許庁

To reduce the dispersion of the distribution of threshold voltages of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのしきい値電圧分布のばらつきを小さくする。 - 特許庁

READ-OUT METHOD AND READ-OUT CIRCUIT FOR FERROELECTRIC MEMORY CELL例文帳に追加

強誘電体メモリセルの読み出し方法および読み出し回路 - 特許庁

LOWER POWER PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING DIFFERENT PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加

異なる相変化材料を有する低電力相変化メモリセル - 特許庁

To prevent oxidation of a plug of a stacked ferroelectric memory cell.例文帳に追加

スタック型強誘電体メモリセルのプラグの酸化を防止する。 - 特許庁

To freely change a threshold distribution according to the reliability of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの信頼性に応じてその閾値分布を自由に変える。 - 特許庁

To provide a cross-point memory cell with high integration inexpensively.例文帳に追加

集積度の高いクロスポイント型メモリセルを低コストで提供する。 - 特許庁

A trench area 14 is formed on a memory cell P-type well 13.例文帳に追加

メモリセルＰ型ウェル１３にトレンチ領域１４を形成する。 - 特許庁

The memory cell array block 200 includes at least first and second memory cell blocks 21, 22 divided into blocks with an erasure unit.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック２００は、消去単位でブロック分割された少なくとも第１及び第２のメモリセルブロック２１，２２を含む。 - 特許庁

CIRCUIT FOR SENSING MEMORY CELL RESISTIVE STATE IN MRAM DEVICE例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイス内のメモリセルの抵抗状態を感知する回路 - 特許庁

A method for performing a read operation from a magnetic random access memory (MRAM) cell (70a/70b/70c/70d) in a memory cell string (12) is provided.例文帳に追加

メモリセルストリング（１２）内の磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セル（７０ａ／７０ｂ／７０ｃ／７０ｄ）からの読出し処理を実施する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF ETCHING CAPACITOR STACK ASSOCIATED WITH FERROELECTRIC MEMORY CELL例文帳に追加

強誘電体メモリセルに関連するキャパシタスタックのエッチング方法 - 特許庁

CIRCUIT FOR READING OUT MEMORY CELL PROVIDED WITH FERROELECTRIC CAPACITOR例文帳に追加

強誘電体キャパシタを備えたメモリセルを読み出すための回路 - 特許庁

Writing into the memory cell 1 is started simultaneously with the latching operation.例文帳に追加

そして上記ラッチと同時にメモリセル１への書き込みを行う。 - 特許庁

BIT CELL ARRAY FOR PREVENTING COUPLING PHENOMENON IN READ-ONLY MEMORY例文帳に追加

リードオンリーメモリでのカップリング現象を防止するためのビットセルアレイ - 特許庁

An integrated circuit includes a mask ROM including an array of a memory cell.例文帳に追加

集積回路は、メモリセルのアレイを含むマスクＲＯＭを含む。 - 特許庁

The first contact wiring connects one end of the circuit section and the first wiring between the first memory cell array and the second memory cell array.例文帳に追加

第１コンタクト配線は、第１メモリセルアレイ部と第２メモリセルアレイ部との間で、回路部の一端と第１配線とを接続する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY FOR NORMALLY PERFORMING REPLACEMENT WITH REDUNDANCY CELL ARRAY例文帳に追加

冗長セルアレイへの置き換えを正常に行う半導体メモリ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NANO PATTERN AND NANO PATTERN SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR MEMORY CELL例文帳に追加

ナノパターン製造方法およびナノパターン基板、半導体メモリセル - 特許庁

The semiconductor device includes a memory cell area having memory cells for storing information, and a logic cell area having a logic circuit.例文帳に追加

半導体装置は、情報を記憶するメモリセルを有するメモリセル領域と、論理回路を有するロジックセル領域とを有する。 - 特許庁

To take out selectively information of a memory cell with one time access from multi-level information held in a memory cell transistor.例文帳に追加

メモリセルトランジスタが保持している多値の情報から、メモリセルの情報を１度のアクセスで選択的に取り出すことを可能にする。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT HAVING MEMORY CELL STORING DATA BIT AND METHOD FOR WRITING WRITE-IN DATA BIT IN MEMORY CELL IN INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

データビットを記憶するメモリーセルを有する集積回路および集積回路において書き込みデータビットをメモリーセルに書き込む方法 - 特許庁

To reduce the number of precharge before data are written in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルにデータを書き込む前のプリチャージ回数を低減する。 - 特許庁

Readout of information of a selected memory cell and the reference potential precharge of the memory cell to be selected next are overlappingly performed.例文帳に追加

選択されたメモリセルの情報の読み出しと次に選択されるメモリセルの参照電位プリチャージはオーバーラップして行われる。 - 特許庁

The diffusion layer B at the side of the memory cell M2 is connected to the bit lines 23, 24, which are different from a bit line whereto the memory cell M1 is connected.例文帳に追加

メモリセルＭ２側の拡散層Ｂは、メモリセルＭ１が接続されるビット線とは異なるビット線２３，２４に接続される。 - 特許庁

To provide a memory cell using a resistance variation element that can be applied easily to the inside of a logic circuit, and to provide a method of controlling the memory cell.例文帳に追加

ロジック回路中に容易に適用可能な抵抗変化素子を用いたメモリセルとその制御方法を提案する。 - 特許庁

To reduce test cost by fitting a physical position of a regular memory cell where data are read or written to a physical position of a parity memory cell.例文帳に追加

データが読み書きされるレギュラーメモリセルの物理的位置をパリティメモリセルの物理的位置に合わせ、試験コストを削減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can avoid false detection of a memory cell having a small cell capacitance, thereby preventing an increase in test time.例文帳に追加

セル容量が小のメモリセルの誤検出を回避可能とし、テスト時間の増大を防ぐ半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

Then, an insulating film 107 is formed on the memory cell region.例文帳に追加

次に、メモリセル領域上に絶縁膜１０７を形成する。 - 特許庁

In the structure formed in this way, the memory cell area can be made 4F^2.例文帳に追加

このような構造でメモリセルの面積を４Ｆ^２とできる。 - 特許庁

Consequently, read-out operation speed of data from a memory cell is increased.例文帳に追加

この結果、メモリセルからのデータの読み出し動作が高速になる。 - 特許庁

Operation of the second decoder 18 being not used for decoding of the redundant memory cell string is stopped at the time of operation of the redundant memory cell string.例文帳に追加

冗長メモリセル列のデコードに使用されない第２デコーダ１８の動作は、冗長メモリセル列の動作時に停止される。 - 特許庁

As opposed to a selected memory cell, the potential of unselected word line WL3 of a memory cell adjacent to a source line side is set to 0 V.例文帳に追加

選択メモリセルに対しソ−ス線側に隣接するメモリセルの非選択ワ−ド線ＷＬ３の電位は、０Ｖに設定される。 - 特許庁

To improve further the stability of data holding in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルにおけるデータ保持の安定性をより向上させる。 - 特許庁