「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

In a memory device, a memory array 10 having a plurality of memory cells 11 and a reading circuit 20 for determining the status of the memory cell 11 as a reading target.例文帳に追加

メモリセル１１を複数備えたメモリアレイ１０と、読み出し対象のメモリセル１１の状態を判別する読み出し回路２０を設ける。 - 特許庁

Thus, a defective memory cell can be correctly replaced with a redundant memory cell by using a normal tester for post-process.例文帳に追加

これにより、通常の後工程用のテスタを用いて不良メモリセルを冗長メモリセルに正しく置換することが可能となる。 - 特許庁

To provide a conductor structure for a magnetic memory cell which optimizes the using of a current for switching the data layer of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータ層を切り替えるための電流の使用を最適化する、磁気メモリセルのための導体構造を提供する。 - 特許庁

A control circuit controls various operations on the memory cell array.例文帳に追加

制御回路は、メモリセルアレイに対する各種動作を制御する。 - 特許庁

To obtain a split-gate type memory cell having superior erasure characteristics.例文帳に追加

消去特性の優れたスプリットゲート型メモリセルを提供する。 - 特許庁

This device has a memory cell array formed in a pocket P well region.例文帳に追加

ポケットＰウェル領域に形成されたメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

A memory cell is composed of a TMR element and a MOS transistor.例文帳に追加

メモリセルは、ＴＭＲ素子とＭＯＳトランジスタから構成される。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強誘電体メモリセル及び強誘電体メモリセルの製造方法 - 特許庁

A static memory cell connected to word and data lines is used.例文帳に追加

ワード線およびデータ線に接続されたスタティックメモリセルを用いる。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND MULTILEVEL CELL PROGRAMMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ装置とそれを用いたマルチレベルセルプログラム方法 - 特許庁

METHOD FOR OPERATION OF INTEGRATED CIRCUIT ARRAY OF MEMORY CELL, AND INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

メモリセルの集積回路アレイの動作方法及び集積回路 - 特許庁

Each memory cell MC stores data having a plurality of pages.例文帳に追加

また各メモリセルＭＣがそれぞれ複数ページのデータを格納する。 - 特許庁

To reduce leak current in a cross-point RRAM memory cell.例文帳に追加

クロスポイント型ＲＲＡＭメモリセルのリーク電流を低減する。 - 特許庁

The size ratio of memory cell regions is switched by ON/OFF operation of a switch.例文帳に追加

メモリセル領域のサイズ比を、スイッチのオン、オフで切りかえる。 - 特許庁

To increase the speed of writing operation to a non-volatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルに対する書き込み動作を高速化する。 - 特許庁

To provide a method of forming a memory cell using dummy polysilicon.例文帳に追加

ダミーポリシリコンを使用してメモリセルを形成する方法の提供。 - 特許庁

A memory cell array ARY has a plurality of sub-arrays SARY.例文帳に追加

メモリセルアレイＡＲＹは、複数のサブアレイＳＡＲＹを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, wherein the occupation ratio of a memory cell can be increased by effectively using a dummy cell.例文帳に追加

ダミーセルの有効活用を図り、メモリセル占有率を向上させることが可能な半導体記憶装置を提供することにある。 - 特許庁

An intersection of the line 122 and the line 112 forms a memory cell layer.例文帳に追加

ビット線122とワード線112の交点は、メモリセルの層を形成する。 - 特許庁

In a short L and wide W (only 2G) memory cell, "H:L" is obtained.例文帳に追加

短Ｌ広Ｗ（２Ｇのみ）のメモリセルでは、「Ｈ：Ｌ」が得られる。 - 特許庁

In a long L and narrow W (only 2G) memory cell, "L:H" is obtained.例文帳に追加

長Ｌ狭Ｗ（２Ｇのみ）のメモリセルでは、「Ｌ：Ｈ」が得られる。 - 特許庁

METHOD AND CIRCUIT FOR READING MULTILEVEL NAND FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

マルチレベルＮＡＮＤフラッシュメモリセルの読み出し方法及び回路 - 特許庁

The information of one bit is stored by a first memory cell MC0 and a second memory cell MC1 adjacent each other in the wordline direction.例文帳に追加

ワード線方向に互いに隣接する第１メモリセルＭＣ０と第２メモリセルＭＣ１とで１ビットの情報を記憶する。 - 特許庁

A diffusion layer of memory cell and the selective gate transistor is n-type.例文帳に追加

メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、ｎ型である。 - 特許庁

Therefore, a common test pattern can be used in order to test a regular memory cell and a parity memory cell, and the test cost can be reduced.例文帳に追加

このため、レギュラーメモリセルおよびパリティメモリセルを試験するために共通の試験パターンを使用でき、試験コストを削減できる。 - 特許庁

MEMORY CELL MADE OF SUPERCONDUCTOR AND ITS SIGNAL READING DEVICE例文帳に追加

超電導体からなるメモリー素子及びその信号読出し装置 - 特許庁

Writing of data is executed from a memory cell at a source side.例文帳に追加

デ−タの書き込みは、ソ−ス側のメモリセルから実行される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory cell MC and drivers 14, 15.例文帳に追加

半導体装置は、メモリセルＭＣとドライバ１４，１５を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device, having a test circuit which can analyze replacing a defective memory cell with a redundant memory cell.例文帳に追加

不良メモリセルの冗長メモリセルでの置換の解析が可能なテスト回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

After data are written into a memory cell, it is determined whether the data written from the outside logically coincide with data read from the memory cell (step S3).例文帳に追加

メモリセルへのデータ書込後、外部からの書込データとメモリセルの読出データの論理の一致／不一致を判定する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A flash memory cell is favorably manufactured within a silicon substrate 20.例文帳に追加

フラッシュ・メモリ・セルは好適にシリコン基板２０内に製造される。 - 特許庁

To provide a non-volatile resistance memory cell based on metallic oxide nanoparticles, a method for manufacturing the same, and the arrangement of the memory cell.例文帳に追加

金属酸化物ナノ粒子に基づく不揮発性抵抗メモリセル、その製造方法、およびそのメモリセル配置を提供する。 - 特許庁

A driver circuit having a redundant control function to store the information on the defective memory cell is provided to repair a defect of the memory cell array.例文帳に追加

駆動回路に不良メモリセルに関する情報を記憶した冗長制御機能を設け、メモリセルアレイの欠陥を救済する。 - 特許庁

CELL GROUP PROCESSING UNIT IN COMMON MEMORY SWITCH AND ITS METHOD例文帳に追加

共通メモリスイッチにおけるセルグル—プ処理装置及びその方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile static random access memory cell (SRAM).例文帳に追加

不揮発性のスタティックランダムアクセスメモリセルを提供することである。 - 特許庁

The memory cell 1 is connected to a current comparison circuit 2 and a reference memory cell 3 for testing is connected to the current comparison circuit 2.例文帳に追加

メモリセル１は電流比較回路２に接続され、該電流比較回路２には試験用基準メモリセル３が接続されている。 - 特許庁

To provide a bit line decoder scheme selecting one memory cell comprising two storage site in a dual bit memory cell array.例文帳に追加

デュアルビット・メモリ・セルのアレーで２つの記憶サイトを含む１つのメモリ・セルを選択するビット線デコーダ構造を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE例文帳に追加

分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁

The charge interferes with the threshold voltage achievable in the memory cell.例文帳に追加

電荷は、メモリセル内で達成可能な閾値電圧に干渉する。 - 特許庁

MULTI-BIT MEMORY CELL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TEMPERATURE BUDGET SENSOR例文帳に追加

マルチビットメモリセルおよび温度バジェットセンサを備えた半導体デバイス - 特許庁

SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND CORRECTION METHOD OF STORAGE DATA IN MEMORY CELL例文帳に追加

半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法 - 特許庁

To generate a reference level without using a dummy cell in a ferroelectric memory device having 1T1C memory cell structure.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃメモリセル構造の強誘電体メモリ装置において、ダミーセルを用いることなくリファレンスレベルの発生を可能とする。 - 特許庁

A latest version of target data stored in a main memory 5 of the hole cell CH is stored in a cache memory 7 of the owner cell CO.例文帳に追加

ホームセルＣＨのメインメモリ５に記憶された対象データの最新版は、オーナーセルＣＯのキャッシュメモリ７に格納されている。 - 特許庁

A memory cell 10 includes a programmable resistance element GST, is connected through a bit line BL0, and constitutes the memory cell string 11a.例文帳に追加

メモリセル１０は、プログラム可能な抵抗素子ＧＳＴを含み、ビット線ＢＬ０で接続され、メモリセル列１１ａを構成する。 - 特許庁

A first memory cell MCmn-1 and a second memory cell MCmn which adjoin mutually in a direction of wordline store one-bit information.例文帳に追加

ワード線方向に互いに隣接する第１メモリセルＭＣｍｎ−１と第２メモリセルＭＣｍｎとで１ビットの情報を記憶する。 - 特許庁