「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory in which relieving can be surely performed even if a defective cell exists in a memory cell.例文帳に追加

メモリセル内に不良があっても確実に救済できる半導体記憶装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

Thereby, variation of characteristics is grasped by the test memory cell array in which rewriting is performed more than that in the memory cell array.例文帳に追加

それにより、本体メモリセルアレイに比べ書き換えがより多く行われたテストメモリセルにより特性の変化を把握する。 - 特許庁

A first wiring material is formed and a memory cell material for composing a memory cell is laminated on the first wiring material.例文帳に追加

第１の配線材料を形成し、第１の配線材料の上にメモリセルを構成するメモリセル材料を積層する。 - 特許庁

To apply voltage that polarity can be reversed to only a memory cell of an object in which data are written, in a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイ中、データを書き込む対象のメモリセルだけに、分極の反転が可能な電圧が印加されるようにする。 - 特許庁

Prior to forming a peripheral circuit, an electrode for a memory cell is formed and a first contact for the memory cell is formed.例文帳に追加

周辺回路の形成に先立って、メモリセルの電極を形成すると共に、メモリセルの第１のコンタクトを形成する。 - 特許庁

The memory cell has, further, a pair of access transistor coupling the memory cell selectively to a pair of complementary bit line.例文帳に追加

メモリセルは、さらに、１対の相補ビットラインにメモリセルを選択的に結合する１対のアクセス・トランジスタをさらに有する。 - 特許庁

Addresses of each memory cell MC constituting a memory cell array are selected by decoding the address signal by a decoder.例文帳に追加

このアドレス信号をデコーダでデコードすることにより、メモリセルアレイを構成する各メモリセルＭＣのアドレスが選択される。 - 特許庁

The memory cell generating the disturbance is determined by identifying the memory cell 21 in which the data are varied.例文帳に追加

そして、印加前後でデータが変化したメモリセル２１を特定することにより、ディスターブが生じるメモリセルを判定する。 - 特許庁

A bit line pair is selected so that one bit memory cell is connected to the bit pair according to the position of a selected memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルの位置に応じてビット線対に１ビットのメモリセルが接続されるようにビット線対を選択する。 - 特許庁

To provide a self-aligning method for forming a downsized memory cell, and to provide a memory cell array formed by using the same.例文帳に追加

減少サイズのメモリセルを形成する自己整列方法及びそれにより形成されたメモリセルアレーを提供する。 - 特許庁

A program circuit 24 comprises fuse elements programming an address with which a spare memory cell is used instead of a defective memory cell.例文帳に追加

プログラム回路２４は、不良メモリセルに代えてスペアメモリセルを使用するアドレスをプログラムしておくヒューズ素子を含んでいる。 - 特許庁

In a phase change memory 40, a memory cell array is prepared, which consists of a memory cell portion in which a plurality of memory cells are connected in series, to which a memory transistor and a phase change film are connected in parallel, and a select transistor portion.例文帳に追加

相変化メモリ４０では、メモリトランジスタと相変化膜が並列接続されるメモリセルが複数個直列接続されたメモリセル部とセレクトトランジスタ部から構成されるメモリセルアレイが設けられる。 - 特許庁

The semiconductor storage device 10 comprises a memory section 1 having a plurality of memory cell groups C00 to Cnm, a redundant memory section 2 having a plurality of redundant memory cell groups, and a redundant circuit section 13 for activating the redundant memory cell groups in the redundant memory section 2 based on an address signal 101 for inhibiting access to the memory section 1 and accessing the memory cell group in the memory section 1.例文帳に追加

本発明による半導体記憶装置１０は、複数のメモリセル群Ｃ００〜Ｃｎｍを有するメモリ部１と、複数の冗長メモリセル群を有する冗長メモリ部２と、メモリ部１へのアクセスを禁止し、メモリ部１内のメモリセル群にアクセスするためのアドレス信号１０１に応じて、冗長メモリ部２内の冗長メモリセル群を活性化する冗長回路部１３とを具備する。 - 特許庁

METHOD FOR LOW-STRESS MULTILEVEL READING OF PHASE-CHANGE MEMORY CELL, AND MULTILEVEL PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

相変化メモリセルの低ストレスマルチレベル読み取り方法及びマルチレベル相変化メモリデバイス - 特許庁

The write data hold circuit 13 holds the value to be stored in the memory cell of the memory circuit 9.例文帳に追加

書込データ保持回路１３がメモリ部９のメモリセルに記憶する値を保持する。 - 特許庁

GATE STRUCTURE OF INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING GATE STRUCTURE, AND MEMORY CELL例文帳に追加

集積回路メモリ装置のゲート構造物、ゲート構造物の製造方法、及びメモリセル - 特許庁

A semiconductor memory has a short transistor coupling complementary storage nodes of a latch circuit of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのラッチ回路の相補の記憶ノードを接続するショートトランジスタを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing the NOR-type memory cell of a non-volatile memory device of high integration degree.例文帳に追加

集積度の高い非揮発性メモリ素子のＮＯＲ型メモリセルの製造方法。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of enhancing the reliability of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの信頼性を向上できる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce a power consumption of a semiconductor memory in which a memory cell is composed of resistance changing element.例文帳に追加

抵抗変化素子をメモリセルとする半導体メモリの消費電力を削減する。 - 特許庁

A magnetic memory element TMR is arranged for every memory cell MC and equipped with a storage layer 103.例文帳に追加

磁気メモリ素子ＴＭＲはメモリセルＭＣごとに設けられ記憶層１０３を備える。 - 特許庁

A memory cell in an MTJ memory device is sequentially subjected to at least two different bias voltages.例文帳に追加

MTJメモリデバイスのメモリセルは、少なくとも2つの異なるバイアス電圧を連続してかけられる。 - 特許庁

The plurality of memory cell groups include first or second memory cells which are connected in series.例文帳に追加

複数のメモリセル群は、直列接続された第一乃至第二のメモリセルを有する。 - 特許庁

To provide a technique capable of reducing the size of a memory cell constituting a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリを構成するメモリセルのサイズを縮小できる技術を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

STORAGE CELL FOR MEMORY ELEMENT, AS WELL AS PHASE CHANGE TYPE MEMORY ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法 - 特許庁

This device has a memory cell array 1 in which non-volatile memory cells being electrically rewritable.例文帳に追加

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイ１を有する。 - 特許庁

To provide a memory system in which access can be performed even when a memory cell array is put in a busy state.例文帳に追加

メモリセルアレイがビジー状態のときでもアクセスが可能なメモリシステムを提供する。 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD OF FLASH MEMORY CELL, AND PROGRAMMING METHOD OF NAND TYPE FLASH MEMORY USING THIS例文帳に追加

フラッシュメモリセルのプログラム方法及びこれを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリのプログラム方法 - 特許庁

To improve effect for detecting a defective memory cell by shortening a measuring time of a memory.例文帳に追加

メモリの測定時間を短縮し、メモリセルの不良の検出効果を向上させる。 - 特許庁

To provide a resistive memory cell, a method of forming the same, and a resistive memory arrangement using the method.例文帳に追加

抵抗メモリセル、その形成方法及びこれを用いた抵抗メモリ配列を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY, AND OPERATING METHOD FOR MEMORY CELL CONSISTING OF FERROELECTRIC CAPACITORS例文帳に追加

強誘電体メモリ装置および強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法 - 特許庁

To reduce the time for write operation of a semiconductor memory having a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性のメモリセルを有する半導体メモリの書き込み動作時間を短縮する。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY CELL AND ITS USAGE, MANUFACTURING METHOD, AND NON-VOLATILE MEMORY ARRAY例文帳に追加

不揮発性メモリセルおよびその使用方法、製造方法ならびに不揮発性メモリアレイ - 特許庁

To speed up the operation of a semiconductor memory by shortening the memory cell access time and cycle time.例文帳に追加

メモリセルアクセス時間やサイクル時間を短縮し、半導体メモリの高速化を達成する。 - 特許庁

To make a chip size small by reducing the layout area of a memory cell array of a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリのメモリセルアレイのレイアウト面積を小さくし、チップサイズを小さくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device including a FBC type memory cell with the use of a silicon substrate.例文帳に追加

ＦＢＣ型メモリセルを有する半導体記憶装置をシリコン基板を用いて実現する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor memory in which bank constitution of a memory cell array can be set optionally.例文帳に追加

メモリセルアレイのバンク構成を任意に設定することができる半導体メモリを実現する。 - 特許庁

The variable resistance memory device has a memory cell MC including a tunneling magnetoresistive element TMR and a drive circuit 5A.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲを含むメモリセルＭＣと、駆動回路５Ａを有する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR BODY, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRIC ISOLATION, AND MANUFACTURE OF MEMORY CELL例文帳に追加

半導体ボディ、ダイナミックランダムアクセスメモリならびに電気的アイソレ—ションおよびメモリセルの形成方法 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with; a memory cell array 1; a data buffer 2; and a column switch 5.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルアレイ１、データバッファ２及びカラムスイッチ５を備えている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY USING BREAKDOWN PHENOMENA IN ULTRA-THIN DIELECTRIC例文帳に追加

超薄膜誘電体のブレークダウン現象を利用した半導体メモリセルセル及びメモリアレイ - 特許庁

To reduce a memory capacity necessary for analyzing an address of a defective memory cell.例文帳に追加

不良メモリセルのアドレスを解析するのに必要なメモリの記憶容量を削減する。 - 特許庁

In a semiconductor memory device, the memory cell MC has a diode DI and a variable resistance element VR serially connected.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ダイオードＤＩと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなる。 - 特許庁

The semiconductor device has memory cell blocks 11-14 which have nonvolatile memory cells.例文帳に追加

半導体記憶装置は、不揮発性メモリセルを有するメモリセルブロック１１〜１４を有している。 - 特許庁