「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

TCAM CELL, TCAM CELL ARRAY, ADDRESS RETRIEVING MEMORY, RETRIEVING DEVICE FOR NETWORK ADDRESS例文帳に追加

ＴＣＡＭセル、ＴＣＡＭセルアレイ、アドレス検索メモリおよびネットワークアドレス検索装置 - 特許庁

A regular cell array and a redundant cell array respectively have a regular memory cell and redundant memory cell which receive first, second, and third power supply voltages.例文帳に追加

レギュラーセルアレイおよび冗長セルアレイは、第１または第２電源電圧と、第３電源電圧とを受けるレギュラーメモリセルおよび冗長メモリセルをそれぞれ有する。 - 特許庁

RFID SYSTEM INCLUDING MEMORY FOR CORRECTING FAIL CELL AND METHOD FOR CORRECTING FAIL CELL USING THE SAME例文帳に追加

不良セル補正が可能なメモリを含むＲＦＩＤ装置及びその補正方法 - 特許庁

The memory cell C0b includes one cell 31b and two transfer gates 32b, 33b.例文帳に追加

メモリセルＣ０ｂは、１つのセル部３１ｂと２つの転送ゲート３２ｂ，３３ｂを含む。 - 特許庁

A dummy cell region, which does not electrically perform memory cell operation, is installed, adjoining the memory cell region having the connection hole, or the connection hole is arranged in the dummy cell region.例文帳に追加

接続孔を有するメモリセル領域に隣接して電気的にメモリセル動作しないダミーセル領域を設ける、もしくはダミーセル領域に接続孔を配置する。 - 特許庁

Concretely, the threshold value becoming a standard for discriminating the start and finish points of a Cell Mat is calculated based on an Area where only a Memory Cell is present and the start and finish points are subsequently searched by adapting the threshold value and connected respectively to for a Cell Area.例文帳に追加

具体的にはCell Matの始点と終点を区別するための基準になる閾値をMemory CellだけあるArea で計算した後、その閾値を適用して始点と終点を探してそのそれぞれを繋げてCell Area を作成した。 - 特許庁

This device has a plurality of memory banks (3, 4) which is provided with a non-volatile memory cell and which can perform memory operation independently, and a control section (5) controlling memory operation of the memory bank.例文帳に追加

不揮発性メモリセルを備え夫々独立にメモリ動作可能な複数個のメモリバンク（３，４）と、メモリバンクのメモリ動作を制御する制御部（５）を有する。 - 特許庁

Thereby, input/ output of data of a redundant memory cell can be performed simultaneously with that of data of a normal memory cell 1, the normal memory cell 1 and the redundant memory cell 2 can be tested en bloc, and a test can be realized easily.例文帳に追加

これにより、ノーマルメモリセル１のデータの入出力と同時に冗長メモリセル２のデータの入出力が可能になり、ノーマルメモリセル１と冗長メモリセル２とを一括して検査することが可能であり、テストの容易化を実現できる。 - 特許庁

A memory controller 2 carries out error detection on a wide range of area of a memory cell array, which includes not only readout addresses but also non-readout addresses among all the memory cell arrays.例文帳に追加

メモリコントローラ２は、全メモリセルアレイ領域のうち、読み出しアドレス以外の非読み出しアドレスについても、広範囲にエラー検出を行なう。 - 特許庁

To provide a charge trap flash memory cell with multi-doped layers in an active region, a memory array using the memory cell and an operating method of the same.例文帳に追加

アクティブ領域に複数層のドーピング層を有する電荷トラップフラッシュメモリセルとこれを利用したメモリアレイ及びその動作方法の提供。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory device whose capacitance value per unit area in a memory cell is increased without increase in the area of the memory cell.例文帳に追加

メモリセル面積を拡大させることなく、メモリセルにおける単位面積あたりの容量値を増やした半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus for reducing the time for transmitting write data to a memory cell and increasing data retention time of the memory cell.例文帳に追加

本発明は、メモリセルに書込みデータを伝達する時間を改善し、メモリセルのデータ保持時間を向上できる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

In the memory cell array 47ma, memory cells 47m1 to 47m8 arranged in the row direction are connected in series electrically and form a series memory cell group.例文帳に追加

メモリセルアレイ４７ｍａでは、行方向に並ぶメモリセル４７ｍ１〜４７ｍ８が電気的に直列接続されて直列メモリセル群をなす。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that can reduce a variation in data retention between an upper memory cell and a lower memory cell.例文帳に追加

上側のメモリセルと下側のメモリセルとの間におけるデータリテンションのばらつきを低減できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory which can detect high resistance short circuit between a storage node of a memory cell and a gate in a transistor of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのストレージノードとメモリセルのトランジスタにおけるゲートとの高抵抗ショートを検出することができる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

To improve operation efficiency by optimizing the number of bits for operating memory cells in a row en bloc in one memory cell row of a VG type memory cell array.例文帳に追加

ＶＧ型メモリセルアレイの１つのメモリセル行に対し、その行内一括して動作させるビット数を最適化して動作効率を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory that deterioration of operation speed can be suppressed even when a defective memory cell is replaced by a redundant memory cell.例文帳に追加

欠陥メモリセルを冗長メモリセルと置換した場合にも、動作速度の劣化を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a memory cell region consisting of blocks BLK0-BLK7, and a memory cell region consisting of blocks BLK8-BLK15.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ブロックＢＬＫ０〜ＢＬＫ７から成るメモリセル領域と、ブロックＢＬＫ８〜ＢＬＫ１５から成るメモリセル領域とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device together with its manufacturing method wherein a memory cell is formed whose operation margin is large across the entire memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの全域に亘って動作マージンが大きいメモリセルが形成された半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY HAVING THE SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体不揮発性メモリセルとその製造方法、及びその半導体不揮発性メモリセルを有する半導体不揮発性メモリとその製造方法 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which can reduce the possibility that information is miswritten to a memory cell adjacent to a selected memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルに隣接するメモリセルに情報が誤って書き込まれる可能性を低下することが可能な磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory control device detects whether or not state of the memory cell is in an abnormal state on the basis of the information stored in the memory cell.例文帳に追加

メモリ制御装置は、メモリセルが保持している情報に基づいて当該メモリセルの状態が異常状態であるか否かを検出する。 - 特許庁

In a preferable embodiment, a memory cell used in a reference cell programming process is a cell of a memory array having the highest intrinsic threshold value.例文帳に追加

１つの好ましい実施形態では、基準セルプログラミングプロセス中に使用されるメモリセルは、最高固有閾値を有するメモリアレイのセルである。 - 特許庁

OVER-ERASURE CELL DETECTION SYSTEM FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, OVER-ERASION CELL ELIMINATION SYSTEM FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, NON- VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, OVER-ERASURE CELL DETECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, OVER- ERASURE CELL ELIMINATION METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体メモリの過剰消去セル検出システム，不揮発性半導体メモリの過剰消去セル解消システム，不揮発性半導体メモリ，不揮発性半導体メモリの過剰消去セル検出方法，不揮発性半導体メモリの過剰消去セル解消方法 - 特許庁

A redundant file memory RFL for recording replacement information indicating a defective cell to be replaced with a redundant cell or not is formed of a memory cell of the same structure as an ordinary memory cell and access is made to the redundant file simultaneously with the access to the ordinary memory cell.例文帳に追加

本発明は、冗長セルへの置換をすべき不良セル否かの置換情報を記録する冗長ファイルメモリを、通常のメモリセルと同じ構成のメモリセルで構成し、通常のメモリセルへのアクセス時に同時に冗長ファイルメモリにアクセス可能にする。 - 特許庁

In other words, a nonvolatile memory is prepared in a memory controller for storing address information of the defective memory cell, without storing the address information of the defective memory cell by using a part of the memory cell array prepared to store the data.例文帳に追加

すなわち、データを記憶させるために設けられたメモリセルアレイの一部を使って不良メモリセルのアドレス情報を記憶させるのではなく、メモリコントローラの中に不良メモリセルのアドレス情報を記憶させる不揮発性のメモリを設ける。 - 特許庁

In a first step (S1), a memory check circuit 2 performs a memory check of a memory cell in a storage area 41.例文帳に追加

第１ステップＳ１として、メモリチェック回路２により、格納領域４１のメモリセルについてメモリチェックを行う。 - 特許庁

The memory cell (MC_1) of the MONOS type non-volatile memory is constituted of a control transistor (C_1) and a memory transistor (M_1).例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリのメモリセル（ＭＣ_1）は、コントロールトランジスタ（Ｃ_1）とメモリトランジスタ（Ｍ_1）とで構成されている。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor memory comprises a memory cell including the memory transistor MT and the selection transistor ST.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリトランジスタＭＴと選択トランジスタＳＴとを含むメモリセルを備えている。 - 特許庁

MEMORY CELL DECODER, SEMICONDUCTOR MEMORY PROVIDED WITH THIS DECODER AND HIGH VOLTAGE SUPPLY METHOD FOR NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

メモリセルデコーダ、これを備える半導体メモリ装置および不揮発性半導体メモリ装置の高電圧供給方法 - 特許庁

A memory array 101 of the memory circuit 100 includes at least one memory cell 101a for storing data.例文帳に追加

メモリ回路１００のメモリアレイ１００ａは、データを記憶する少なくとも一つのメモリセル１０１ａを含む。 - 特許庁

A fin arrangement forming a memory cell is provided.例文帳に追加

本発明は、メモリ・セルを形成するフィン構成を提供する。 - 特許庁

MEMORY CELL OF MASK ROM, MASK ROM AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加

マスクＲＯＭのメモリセル、マスクＲＯＭ及びその製造方法 - 特許庁

A method for manufacturing the magnetic random access memory cell is also provided.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリセルを製造する方法も提供する。 - 特許庁

Lastly, rewriting is performed for the selected memory cell.例文帳に追加

最後に、選択されたメモリセルに対して、再書き込みを行う。 - 特許庁

MIXED RESISTIVE CROSS POINT MEMORY CELL ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

混成抵抗性交点メモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁

To accurately read information from a memory cell at high speed.例文帳に追加

高速で正確なメモリセルからの情報読み出しを行う。 - 特許庁

PREDICTIVE DIAGNOSIS ARCHITECTURE AND PREDICTIVE DIAGNOSIS METHOD OF DEFECTIVE MEMORY CELL例文帳に追加

不良メモリセルの予知診断アーキテクチャーと予知診断方法 - 特許庁

To provide a cell array of a memory element having a source strapping.例文帳に追加

ソースストラッピングを有する記憶素子のセルアレイを提供する。 - 特許庁

The sense amplifier 3 is used for reading out data from the memory cell 2.例文帳に追加

センスアンプ３は、メモリセル２のデータの読出しに用いられる。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリ素子 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE NON-VOLATILE MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

可変抵抗の非揮発性メモリセル及びこれの製造方法 - 特許庁

A memory cell block MCB is connected to the Dummy BL and the Dummy/BL.例文帳に追加

このＤｕｍｍｙＢＬ，Ｄｕｍｍｙ／ＢＬに、それぞれメモリセルブロックＭＣＢを接続する。 - 特許庁

EQUIPOTENTIAL DETECTING METHOD FOR RESISTIVE CROSS POINT MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加

抵抗性クロスポイントメモリセルアレイのための等電位検知方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL, STORAGE DEVICE, AND NONVOLATILE LOGIC CIRCUIT例文帳に追加

不揮発性メモリセルおよび記憶装置と不揮発性論理回路 - 特許庁