「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT WITH SINGLE-BIT LINE COUPLED TO AT LEAST ONE MEMORY CELL例文帳に追加

少なくとも一つのメモリーセルにカップリングされたシングルビットラインを有する強誘電体メモリ素子 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of miniaturizing its memory cell array and peripheral circuits.例文帳に追加

メモリセルアレイや周辺回路の小型化が行なえる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A memory cell 50 comprises data holding parts 50A, 50B for holding memory data and its inverted data.例文帳に追加

メモリセル５０は、記憶データおよびその反転データを保持するデータ保持部５０Ａ，５０Ｂを備える。 - 特許庁

The flash memory cell array 101 has two or more memory elements having control gates and floating gates.例文帳に追加

フラッシュメモリセルアレイ１０１は、制御ゲート及び浮遊ゲートを有する記憶素子を複数備える。 - 特許庁

To increase reliability of a nonvolatile semiconductor memory device by alleviating stress applied on a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに与えられるストレスを緩和し、不揮発性半導体記憶装置の信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a resistance change memory device capable of setting a compliance current corresponding to each memory cell.例文帳に追加

メモリセル毎に応じたなコンプライアンス電流を設定可能な抵抗変化メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the electrical characteristics of a memory cell is measured with high accuracy.例文帳に追加

メモリセルの電気的特性を精度よく測定できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the standby current of the semiconductor memory can be reduced when no defective memory cell exists.例文帳に追加

この結果、不良のメモリセルが存在しないときに、半導体メモリのスタンバイ電流を削減できる。 - 特許庁

To provide a method for multilevel reading of a phase-change memory cell, and a multilevel phase-change memory device.例文帳に追加

相変化メモリセルのマルチレベル読み取り方法及びマルチレベル相変化メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

This device is provided with a plurality of memory cell groups 101 having memory cells 100 of at least two or more.例文帳に追加

少なくとも２つ以上のメモリセル１００を有するメモリセル群１０１が複数備えられる。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device wherein write data can be accurately written to a selected memory cell.例文帳に追加

正確に書込データを選択メモリセルに書込むことのできる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a memory information is written on the memory cell of the flash ROM in a probe inspection process.例文帳に追加

続いて、プローブ検査工程においてフラッシュＲＯＭのメモリセルに記憶情報を書き込む。 - 特許庁

To make uniform the dimensions, shapes, and structures of MTJ memory cells arranged in an MTJ memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイ内に配置されるＭＴＪメモリセルの寸法、形状および構造をメ均一化する。 - 特許庁

Each memory cell has a memory element (50), and a conductive hard mask material (52) on the element (50).例文帳に追加

各メモリセルは、メモリエレメント(50)と、そのメモリエレメント(50)上の導電性硬質マスク材料(52)とを含む。 - 特許庁

A memory cell of an associative memory having a register (301), a transmission circuit (303), and a match circuit (302) is provided.例文帳に追加

レジスタ(301)、伝達回路(303)及びマッチ回路(302)を有する連想メモリのメモリセルが提供される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of reducing short channel effect of a memory cell transistor.例文帳に追加

メモリセルトランジスタのショートチャネル効果を低減可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory block MB includes a memory cell array MA, and a low address decoder RD for selecting a word line.例文帳に追加

メモリブロックＭＢは、メモリセルアレイＭＡと、ワード線の選択を行うローアドレスデコーダＲＤを含む。 - 特許庁

MEMORY-CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE FLASH MEMORY WITH SLIT TYPE GATE ELECTRODE AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

スリット式ゲート電極を有する不揮発性フラッシュメモリの記憶セル構造及びその操作方法 - 特許庁

The ferroelectric memory device 1000 has a memory cell array 200 and a peripheral circuit section 100.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置１０００は、メモリセルアレイ２００と周辺回路部１００とを有する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device provided with a memory cell array 1 and a X decoding part 30 is used.例文帳に追加

メモリセルアレイ１と、Ｘデコード部３０とを具備する不揮発性半導体記憶装置を用いる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置のセル構造 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is constituted of a memory cell array and an operation control circuit.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイおよび動作制御回路を備えて構成される。 - 特許庁

This flash memory device includes a memory cell 100 and a voltage adjustment circuit 200.例文帳に追加

本発明に従うフラッシュメモリ装置は、メモリセル１００と電圧調節回路２００とを含む。 - 特許庁

The flash memory device includes a memory cell array, a precharge voltage generator, and a plurality of page buffers.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置は、メモリセルアレイと、プリチャージ電圧発生器と、複数のページバッファとを備えてなる。 - 特許庁

To improve circuit structure for reading and evaluating the memory state in a semiconductor memory cell.例文帳に追加

半導体メモリーセル内のメモリー状態を読み出し、評価するための回路構造を改善する。 - 特許庁

To optimally adjust the faulty operating margin depending on the memory cell characteristics in a static semiconductor memory.例文帳に追加

スタティック型半導体メモリの動作マージン不良をメモリセル特性に応じて最適に調整する。 - 特許庁

Data is read out from all the memory cells MC of the memory cell array 1 via a read/write circuit 7.例文帳に追加

リード／ライト回路７を介してメモリセルアレイ１の全てのメモリセルＭＣからデータが読み出される。 - 特許庁

A row decoder section 21 is provided adjacent to the memory array cell 11 in the semiconductor memory.例文帳に追加

また、半導体記憶装置には、メモリセルアレイ１１に隣接してロウデコーダ部２１が設けられている。 - 特許庁

The memory cell array comprises a plurality of memory blocks 100-2, 101-2, 102-3, 103-2.例文帳に追加

上記メモリセルアレイは、複数のメモリブロック（１００−２，１０１−２，１０２−３，１０３−２）を含む。 - 特許庁

MEMORY CELL ARRAY COMPRISING FERROELECTRIC CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND FERROELECTRICS MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイおよびその製造方法並びに強誘電体メモリ装置 - 特許庁

A ratio of at least one cell state is determined in a memory unit of a memory device.例文帳に追加

メモリ装置で、前記メモリのユニットで少なくとも１つのセル状態の比率が決定される。 - 特許庁

A memory cell is provided with a selection gate 6 and a memory gate 8 arranged on one side face of it.例文帳に追加

メモリセルは、選択ゲート６とその一方の側面に配置されたメモリゲート８とを有している。 - 特許庁

To simply and inexpensively manufacture a resistor for taking a measure against a soft error in an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルのソフトエラー対策用の抵抗体を簡単且つ安価に提供する。 - 特許庁

Then, the judged result of each memory cell block is integrated, and the normality of the incorporated memory circuit is judged.例文帳に追加

各メモリセルブロックの判定結果を総合して、内蔵メモリ回路の正常性が判断される。 - 特許庁

A main memory cell array 6 is constituted of a plurality of main memory cells for recording an input information.例文帳に追加

主メモリセルアレイ６は入力された情報を記録する複数の主メモリセルで構成される。 - 特許庁

The plurality of memory cells have a memory cell n-type transistor Tr2 for maintaining data.例文帳に追加

複数のメモリセルの各々は、データを保持するためのメモリセル用ｎ型トランジスタＴｒ２を有している。 - 特許庁

To improve a memory cell known as a gain cell, which comprises two transistors and one capacitor.例文帳に追加

ゲインセルとして知られている２つのトランジスタと１つのキャパシタよりなるメモリセルを改良する。 - 特許庁

To provide an improved memory cell which has a reduced surface area in a floating body DRAM cell.例文帳に追加

フローティングボディＤＲＡＭセルにおいて表面積が縮小された改良型メモリセルを提供する。 - 特許庁

To reduce the surface area of jumper wiring of a select transistor section in a unit cell by miniaturizing a memory cell.例文帳に追加

メモリセルを微細化し、ユニットセルのセレクトトランジスタ部のジャンパー配線の面積を縮小する。 - 特許庁

To provide a memory cell that improves complexity of design of a peripheral circuit and reliability of the cell.例文帳に追加

周辺回路の設計の複雑さと、セルの信頼性とを改善するメモリセルを提供する。 - 特許庁

This memory cell array 1 is provided with an auxiliary cell array 2 used for adjusting a reference potential.例文帳に追加

このメモリセルアレイ１に対して、参照電位調整に用いられる補助セルアレイ２が設けられる。 - 特許庁

Furthermore, the device comprises a sense amplifier circuit 300 which detects a current difference between the memory cell and the reference cell.例文帳に追加

メモリセルと基準セルとの電流差を検出する感知増幅器回路をさらに含む。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device has a regular cell array 200 and a reference cell array 600.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、レギュラーセルアレイ２００とリファレンスセルアレイ６００とを有する。 - 特許庁

In a memory cell, in which a failure occurs, the failure is saved in terms of a bit cell unit.例文帳に追加

本発明は、不良が発生したメモリセルに対してビットセル単位で不良を救済する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a memory cell 10, a dummy cell 14, and a well contact 12.例文帳に追加

半導体記憶装置はメモリセル部１０、及びダミーセル部１４、及びウエルコンタクト部１２を備える。 - 特許庁