「Memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(186ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a driving method of a semiconductor memory which increases signal differences while reducing the amplitude of the bit line potential.例文帳に追加

ビット線電位の振幅を小さくしながら、信号差を増大可能な半導体記憶装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a testing method for a non-volatile memory in which reliability is kept, a cycle time is shortened, and a manufacturing cost is reduced.例文帳に追加

信頼性を維持しつつ、サイクル時間短縮およびコスト削減を図った、不揮発性メモリ検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for protection from over-erasing a nonvolatile memory cell in response to a command for erasing.例文帳に追加

不揮発性メモリセルを消去命令に応じて過剰に消去することを保護する方法および装置を開示する。 - 特許庁

To provide an image processing system capable of managing a frame memory by means of a unified method independently of a moving picture coding system.例文帳に追加

動画像符号化方式によらず、統一した方法でフレームメモリを管理可能な画像処理システムを実現する。 - 特許庁

To provide method of producing SRO that is used in a nonvolatile memory device and of producing a semiconductor device employing it.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置に使用されるＳＲＯ及びそれを適用する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device and a word line addressing method in which neighboring word line are discontinuously addressed are disclosed.例文帳に追加

隣合うワードラインが非連続的にアドレッシングされる半導体メモリ装置及びワードラインアドレッシング方法が掲示される。 - 特許庁

To provide an easily operable information processor, a control method thereof and a computer-readable memory.例文帳に追加

装置の操作を容易に実行することができる情報処理装置及びその制御方法、コンピュータ可読メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which makes a ferroelectric memory cell minute and prevents a contact yield from decreasing, and its manufacturing method.例文帳に追加

強誘電体メモリセルを微細化し、コンタクト歩留まりの低下を抑制する半導体装置及びその製造方法。 - 特許庁

To provide an improved method for etching magnetic materials for manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM) device.例文帳に追加

抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造のために磁性材料をエッチングする改善された方法を提供する。 - 特許庁

IMAGING SYSTEM, IMAGE PRODUCING APPARATUS, IMAGING APPARATUS, OUTPUTTING MEDIUM PROCESSING APPARATUS, OUTPUTTING CONTROLLING METHOD, AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

画像形成システム、画像生成装置、画像形成装置、出力媒体処理装置、出力制御方法及び記憶媒体 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of suppressing interference between cells and increasing a coupling factor, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

セル間干渉を抑制し、カップリング係数を大きくできる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING ACTUAL WRITE LATENCY AND ACCURATELY ALIGNING START OF DATA CAPTURE WITH ARRIVAL OF DATA AT MEMORY DEVICE例文帳に追加

実ライトレイテンシーを測定しデータキャプチャの開始をデータのメモリ装置への到着に正確にアライメントする方法および装置 - 特許庁

To provide a sensing circuit of a ferroelectric memory improved for shortening an access time and a detecting method.例文帳に追加

アクセス時間を短縮するべく改良された強誘電体メモリの検知回路、並びに検知方法を提供する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE CAPABLE OF ADJUSTING BIT LINE SENSING MARGIN TIME FOR TEST MODE, ITS BIT LINE SENSE AMPLIFYING METHOD AND CONTROLLER例文帳に追加

テストモード用ビットラインセンシングマージン時間の調節が可能なメモリ装置、そのビットラインのセンス増幅方法及び制御装置 - 特許庁

FERROELECTRIC CAPACITOR AND FERROELECTRIC MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD OF BOTH ELEMENTS例文帳に追加

強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリの製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ - 特許庁

To provide an ideal steel frame joining method in an steel structure or the like using a specified iron based shape memory alloy.例文帳に追加

特定の鉄系形状記憶合金を用いた理想的な鋼構造物等における鉄骨接合法を提供する。 - 特許庁

MEMORY CELL, METHOD OF CLEARING INFORMATION STORED IN THE SAME, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE APPARATUS WITH THE SAME例文帳に追加

メモリセル、このメモリセルに記録された情報の消去方法、及びこのメモリセルを備える不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory where high reliability is obtained without increasing the area of a capacitor, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

キャパシタの面積を増加させずに高い信頼性が得られる強誘電体メモリとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element which has one transistor and one resistor as a data storage means, and its driving method.例文帳に追加

１つのトランジスタとデータ貯蔵手段として１つの抵抗体を備えるメモリ素子及びその駆動法を提供する。 - 特許庁

ESTIMATION METHOD AND PROGRAM FOR COATING FILM IRREGULARITY, COMPUTER READABLE MEMORY MEDIUM AND ESTIMATION DEVICE FOR COATING FILM IRREGULARITY例文帳に追加

塗膜ムラの予測方法、塗膜ムラ予測プログラム、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体及び塗膜ムラ予測装置 - 特許庁

To provide a method and apparatus for generating current-voltage characteristic information for a non-volatile memory bit cell.例文帳に追加

不揮発性メモリビットセルに対する電流−電圧特性情報を生成するための方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a resistive random access memory array and a fuse array on the same substrate and an integrated circuit therefor.例文帳に追加

抵抗ランダムアクセスメモリアレイが、ヒューズアレイと同一の基板上に形成する方法及びその集積回路を提供する。 - 特許庁

CLIENT SERVER SYSTEM, DRIVER INSTALLING METHOD, MEMORY MEDIUM STORING PROGRAM READABLE BY COMPUTER, AND PROGRAM例文帳に追加

クライアントサーバシステムおよびドライバインストール方法およびコンピュータが読み取り可能なプログラムを格納した記憶媒体およびプログラム - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING RESISTANCE MATERIAL AND INNER ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PROCESSING SYSTEM INCLUDING THE SAME例文帳に追加

抵抗物質および内部電極を使用する不揮発性メモリ装置、これの製造方法、およびこれを含むプロセシングシステム - 特許庁

TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAME例文帳に追加

トランジスタ、及び、同トランジスタの製造方法、及び、不揮発性記憶素子、及び、同記不揮発性記憶素子を備えた半導体装置 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory element for obtaining high-speed and low power characteristics, and a method for manufacturing this.例文帳に追加

本発明は、高速及び低電力の特性が得られる半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dynamic semiconductor memory in which a refresh operating current is deceased and a refresh control method.例文帳に追加

リフレッシュ動作電流を特段に減少させるダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法の提供。 - 特許庁

To provide a vertical channel memory which comprises a substrate, a channel, a multilayer structure, a gate, a source and a drain, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

基板、チャネル、多層構造、ゲート、ソーおよびドレインを含む縦型チャネルメモリーと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the part of the map data, for example, only the map data required for the TBT method is stored at the memory part.例文帳に追加

この場合、地図データの一部、例えばＴＢＴ方式に必要とされるだけの地図データを記憶部に記憶させる。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING LOCAL CONTROL GATE ON A PLURALITY OF ISOLATED WELL REGIONS AND RELATED METHOD AND SYSTEM例文帳に追加

複数の分離されたウェル領域上のローカルコントロールゲートを含む不揮発性メモリ装置及び関連する方法とシステム - 特許庁

PRECHARGING CIRCUIT EMPLOYING INACTIVE WEAK PRECHARGING AND EQUALIZING SCHEME ARE SELECTED, MEMORY INCLUDING THE CIRCUIT, AND ITS PRECHARGING METHOD例文帳に追加

インアクティブウィークプリチャージング及びイコライジングスキームを採用したプリチャージ回路、それを含むメモリ装置及びそのプリチャージ方法 - 特許庁

IMAGE FORMING APPARATUS AND CARTRIDGE, METHOD OF SENSING REMAINING AMOUNT DEVELOPER IN IMAGE FORMING APPARATUS, AND MEMORY DEVICE MOUNTED ON THE CARTRIDGE例文帳に追加

画像形成装置及びカートリッジ、画像形成装置の現像剤量検知方法、カートリッジに搭載されるメモリデバイス - 特許庁

To provide a writing method for a nonvolatile semiconductor memory device, narrowing a distribution of a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧分布の狭帯化を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置の書込方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a shape memory alloy in which the variation of a reverse transformation end point (A_f point) is reduced.例文帳に追加

逆変態終了点（Ａ_ｆ点）のばらつきが低減された、形状記憶合金の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device and a programming method thereof in which program inhibit voltage is changed during programming.例文帳に追加

プログラミングの間にプログラム禁止電圧が変化する不揮発性メモリ装置及びそれのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of trimming threshold voltage applied to an over-programmed field effect transistor (FET) nonvolatile memory (NVM) cell.例文帳に追加

過剰にプログラムされた電界効果トランジスタ（FET）不揮発性メモリ（NVM）セルに応用する閾値電圧降下方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device repair circuit and repair method that enable an efficient programming of a repair address.例文帳に追加

効率的にリペアアドレスをプログラミングすることができる半導体メモリ装置のリペア回路及びリペア方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of shortening the test period, and to provide a test method of the same.例文帳に追加

試験時間を短縮することが可能な不揮発性半導体記憶装置及びその試験方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for integrating a nonvolatile memory and a high performance logic circuit network in the same semiconductor chip.例文帳に追加

不揮発性メモリ及び高性能論理回路網を同じ半導体チップにおいて集積する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile ferroelectric memory device and a driving method capable of minimizing a chip cycle time.例文帳に追加

チップサイクルタイムを最小化することができる不揮発性強誘電体メモリ装置並びにその駆動方法を提供する。 - 特許庁

According to such a method, the decrypted mask drawing data is prevented from remaining in the management server 22 and the operation memory 23a.例文帳に追加

このような方法によれば、復号化されたマスク描画データが管理サーバ２２、演算メモリ２３ａに残ることはない。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device excellent in efficiency of reading and writing data, and a method for reading and writing data.例文帳に追加

データの書き込み及び読み出し効率に優れた半導体記憶装置及びデータ書き込み読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To provide an erasing method for a flash memory element having fixed erasure speed independently of variation of internal voltage.例文帳に追加

内部電圧の変化にもかかわらず、一定の消去速度を有するフラッシュメモリ素子の消去方法を提供すること。 - 特許庁

IMAGE FORMING DEVICE, EXTERNAL PROCESSING DEVICE, IMAGE FORMING SYSTEM, IMAGE DATA RECORDING METHOD AND COMPUTER READABLE MEMORY MEDIUM例文帳に追加

画像形成装置、外部処理装置、画像形成システム、画像データ記録方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 - 特許庁

To provide a transistor-type ferroelectric memory having a new structure, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、新規な構造を有するトランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁