「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING P-TYPE ELECTRODES OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型電極形成方法 - 特許庁

HEAT TREATING METHOD FOR P-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法 - 特許庁

The p-type organic semiconductor film (6) acts to improve collapse.例文帳に追加

このｐ型有機半導体膜（６）の働きでコラプスが改善される。 - 特許庁

LOW RESISTANCE p-TYPE SINGLE CRYSTAL OF ZINC OXIDE AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

低抵抗ｐ型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法 - 特許庁

A depth B from the surface of the p-type channel layer 103 of the trench gate 2 is 1.2-1.5 times a depth A of the p-type channel layer 103.例文帳に追加

トレンチゲート２のＰ型チャネル層１０３の表面からの深さＢは、Ｐ型チャネル層１０３の深さＡの１．２〜１．５倍である。 - 特許庁

The p-type second and p^+-type third diffused layers 12 and 13 are formed in two steps as the emitter layer of the thyristor.例文帳に追加

サイリスタのエミッタ層として、Ｐ型の第二拡散層１２およびＰ^＋型の第三拡散層１３の二段形成を行っている。 - 特許庁

Impurity in a p-type semiconductor layer is activated by plasma.例文帳に追加

プラズマによりｐ型半導体層中の不純物を活性化する。 - 特許庁

P-TYPE ACTIVATING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

FERROMAGNETIC P-TYPE SINGLE CRYSTAL OF ZINC OXIDE AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

強磁性ｐ型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor which shows clear p-type conduction.例文帳に追加

明確なｐ型伝導を示す酸化物半導体を提供する。 - 特許庁

The active region includes at least one additonal p type layer.例文帳に追加

活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。 - 特許庁

To improve self priming performance and pump efficiency of a swash plate type piston pump.例文帳に追加

斜板式ピストンポンプ(P)の自吸性能やポンプ効率を向上させる。 - 特許庁

METHOD OF IMPROVING P-TYPE CONDUCTIVITY OF Mg-DOPED GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＭｇドープＩＩＩ族窒化物半導体のＰ型導電性向上方法およびＰ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

To realize a p-type III nitride semiconductor having a high carrier concentration by improving the activation ratio of ion-implanted P-type impurities.例文帳に追加

イオン注入したｐ型不純物の活性化率を高くして、キャリア濃度の高いｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を実現する。 - 特許庁

FORMING METHOD OF OHMIC ELECTRODE ON P TYPE 4H-SiC SUBSTRATE例文帳に追加

Ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上のオーミック電極の形成方法 - 特許庁

The first region 13a-1 includes a ridge portion of p-type conductivity.例文帳に追加

第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。 - 特許庁

A pad electrode 48 is formed on the p-type electrode 46.例文帳に追加

ｐ型電極４６上にパッド電極４８が形成されている。 - 特許庁

To stably improve the activation rate of p-type impurities of a nitride semiconductor into which the p-type impurities are introduced.例文帳に追加

ｐ型不純物が導入された窒化物半導体におけるｐ型不純物の活性化率を安定して向上できるようにする。 - 特許庁

An anode electrode 18 of the p-type semiconductor area 16 is formed.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設ける。 - 特許庁

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。 - 特許庁

The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 and the active layer 25.例文帳に追加

第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。 - 特許庁

The oxide layer is made from a p-type transition metal oxide.例文帳に追加

前記酸化物層は、ｐ型遷移金属酸化物から形成される。 - 特許庁

Only a p-type body layer 103 and a P^+-type diffusion region 104 are formed in a mesa between the gate trenches 110.例文帳に追加

また、ゲートトレンチ１１０の間のメサ部には、Ｐ型ボディ層１０３およびＰ^＋型拡散領域１０４のみが形成されている。 - 特許庁

Then, the p-type impurities in the gate electrodes 17' of the polysilicon films 17 are activated by heat treatment to obtain p-type gate electrodes.例文帳に追加

熱処理によって、ポリシリコン膜１７からなるゲート電極１７’中のｐ型不純物を活性化させ、ｐ型のゲート電極を得る。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING P-TYPE GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体層を含む半導体装置 - 特許庁

Since the output potential LV is applied to a P-type semiconductor substrate 10, the potential of the P-type semiconductor substrate becomes -VDD.例文帳に追加

出力電位ＬＶはＰ型半導体基板１０に印加されるので、Ｐ型半導体基板１０の電位は−ＶＤＤになる。 - 特許庁

In the Source Editor, change the content of the newly created page to the following:headmeta http-equiv=Content-Type content=text/html; charset=UTF-8titleLogin Success/title/headbodyh1Congratulations!/h1pYou have successfully logged in./ppYour name is: ./ppYour email address is: ./p/body 例文帳に追加

ソースエディタで新しく作成されたページの内容を次のように変更します。 headmeta http-equiv=Content-Type content=text/html; charset=UTF-8titleLogin Success/title/headbodyh1Congratulations!/h1pYou have successfully logged in./ppYour name is: ./ppYour email address is: ./p/body - NetBeans

Then, n-type TFT forming region and a pixel electrode forming region are covered by a resist film, and p-type impurities are injected to the polysilicon film 123 of the p-type TFT forming region so as to form a p-type source/drain region.例文帳に追加

次いで、ｎ型ＴＦＴ形成領域及び画素電極形成領域をレジスト膜で覆い、ｐ型ＴＦＴ形成領域のポリシリコン膜１２３にｐ型不純物を注入して、ｐ型ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To actualize an n-type, a p-type MIS transistor having a low threshold voltage by increasing the effective work function of the p-type MIS transistor, while suppressing thickening of the converted film thickness of an oxide film of a gate insulating film of the p-type MIS transistor.例文帳に追加

ｐ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜の酸化膜換算膜厚の厚膜化を抑制しつつ、ｐ型ＭＩＳトランジスタの実効仕事関数を増加させて、低閾値電圧を有するｎ型，ｐ型ＭＩＳトランジスタを実現する。 - 特許庁

To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加

所定の基板上において、ｐ型半導体層群及びｎ型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記ｐ型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of suppressing a leakage current between a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and of sufficiently keeping p-n isolation between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, which improves the emission intensity.例文帳に追加

ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間のリーク電流を抑制し、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とのｐｎ分離を十分に確保して発光強度を向上させる発光素子を提供する。 - 特許庁

The epitaxial wafer for light-emitting diode has a double heterostructure, wherein a p-type GaAlAs clad layer 3, a p-type GaAlAs active layer 2, and an n-type GaAlAs clad layer 1 are formed successively on a p-type GaAs substrate 4.例文帳に追加

発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、ｐ型ＧａＡｓ基板４上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１を順次形成したダブルヘテロ構造をしている。 - 特許庁

In the trench 6, a p-type gate layer 9 made of GaN containing a p-type impurity is buried inside the n-type channel layer 8, and a gate electrode 10 is formed on an outermost surface 15 of the p-type gate layer 9.例文帳に追加

トレンチ６において、ｎ型チャネル層８の内側には、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ゲート層９が埋設されており、ｐ型ゲート層９の最表面１５には、ゲート電極１０が形成されている。 - 特許庁

Over them, n-type GaN light-guide layers 3a and 3b, InGaN active layers 4a and 4b, p-type GaN light-guide layers 5a and 5b, p-type AlGaN clad layers 7a and 7b, and p-type contact layers 8a and 8b, are sequentially formed.例文帳に追加

これらの上に、ｎ型ＧａＮ光導波層３ａ，３ｂ、ＩｎＧａＮ活性層４ａ，４ｂ、ｐ型ＧａＮ光導波層５ａ，５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７ａ，７ｂ、ｐ型コンタクト層８ａ，８ｂが順次形成される。 - 特許庁

A P-conductivity-type region 2a is formed on the surface side of an N-conductivity-type semiconductor substrate 1 while a front-surface-side P-conductivity-type region 4a is formed selectively in a surface-layer part of the P-conductivity-type region 2a.例文帳に追加

Ｎ導電型半導体基板１のおもて面側にはＰ導電型領域２ａが設けられており、Ｐ導電型領域２ａの表層部には、選択的におもて面側Ｐ導電型領域４ａが設けられている。 - 特許庁

The source and drain regions 31 include a p-type low concentration impurity region 29 contain relatively low impurity concentration of the first conductivity type and a p-type high concentration impurity region 30 containing relatively high p-type impurity concentration.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域３１は、相対的に第１導電型の不純物濃度が小さいｐ型低濃度不純物領域２９と、相対的にｐ型不純物濃度が大きいｐ型高濃度不純物領域３０とを含む。 - 特許庁

N-type epitaxial layer 102 having appropriate resistance is deposited on an N-type substrate 101 which is doped to high concentration, and a p-type dose is implanted with a gate 205 masked to form p-type body 210 and P well region 103.例文帳に追加

高濃度ドープにされたＮ型基板１０１上に適切な抵抗率のＮ型エピタキシヤル層１０２を堆積しゲート２０５部をマスクしてＰ型ドーズを注入し、Ｐ型ボデー２１０及びＰ井戸領域１０３を形成する。 - 特許庁

The optoelectronic device includes a P-type semiconductor substrate, an N-type transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) layer located on a surface of the P-type semiconductor substrate, and a rear electrode on another surface of the P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

光電デバイスが、Ｐ型半導体基板と、Ｐ型半導体基板の一表面上に位置するＮ型透明非結晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）層と、Ｐ型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。 - 特許庁

In Fig.(a) and Fig.(b) being an equivalent circuit thereof, p-diffusion is carried out in an n-well (n-type well) 220 of a p-type substrate 210 to form p-n-p structures 230 and 240 (refer to right and left rectangles in the well) by utilizing the p-type substrate under the n-well 220.例文帳に追加

（ａ）とその等価回路である（ｂ）において、ｐ型基板２１０のｎ−ｗｅｌｌ（ｎ型ウエル）２２０内にｐ拡散を行い、ｎ−ｗｅｌｌ２２０の下のｐ型基板を利用してｐ−ｎ−ｐ構造２３０，２４０(ウエル内の左と右の長方形参照）を作る。 - 特許庁

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6, and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7, thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子のｐ型半導体層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型半導体層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。 - 特許庁

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6 and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7 thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子のｐ型層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。 - 特許庁

As a result, an n-type extension layer 16 is formed on the front surface of the p-type pocket layer 14.例文帳に追加

この結果、Ｐ型ポケット層１４の表面にＮ型エクステンション層１６が形成される。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type impurity region 121 is formed in a main surface of a p^--type substrate 200.例文帳に追加

ｐ^-基板２００の主面内にはｎ型不純物領域１２１が形成されている。 - 特許庁

A substrate 10 is a first-conductive-type, for example, a p-type semiconductor substrate (for example, a silicon substrate).例文帳に追加

基板１０は第１導電型、例えばｐ型の半導体基板（例えばシリコン基板）である。 - 特許庁