P- typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加
半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁
A first epitaxial layer 31 whose conduction type is n-type is formed by epitaxial growth on a first region 2 whose conduction type is p-type.例文帳に追加
導電型がＰ型の第１領域２の上に、エピタキシャル成長により、導電型がＮ型である第１エピタキシャル層３１が形成される。 - 特許庁
The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加
このような製法によれば、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３およびＮ^+型層５とＮ^-型チャネル層８とが自己整合的に形成される。 - 特許庁
The N well of the P type MOS transistor 6 is shut off from the power source.例文帳に追加
Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６のＮウェルが電源から遮断される。 - 特許庁
Accordingly, impurities are segregated on the surface of the P^+ type diffusion layer 4.例文帳に追加
これにより、Ｐ^＋型拡散層４の表面に不純物が偏析する。 - 特許庁
Moreover, an Mg dope InGaN (p-type GaN layer) 86 is grown.例文帳に追加
さらに、ＭｇドープＩｎＧａＮ（ｐ型ＧａＮ層）８６を成長した。 - 特許庁
An etching stop layer 19A in which composition of aluminum is greater than that of a P-type first clad layer 18, whose thickness is almost 50 nm and which is composed of P-type Al0.10Ga0.90N is grown on the P-type first clad layer 18.例文帳に追加
ｐ型第１クラッド層１８の上に、アルミニウムの組成がｐ型第１クラッド層１８よりも大きく且つ厚さが約５０ｎｍのｐ型Ａｌ_0.10Ｇａ_0.90Ｎからなるエッチング停止層１９Ａを成長する。 - 特許庁
A p type polysilicon embedded layer 17 is formed in the insulating film.例文帳に追加
絶縁膜内にｐ型の多結晶シリコン埋込層１７を形成する。 - 特許庁
When the signal UP is turned into a low level, the p-type MOS transistor 22a is conducted, and the p-type MOS transistor 22b is turned into the non-conductive state.例文帳に追加
信号ＵＰがローレベルになると、ｐ型ＭＯＳトランジスタ２２ａが導通して、ｐ型ＭＯＳトランジスタ２２ｂが非導通状態となる。 - 特許庁
The p-type contact layer is formed directly under the light receiving surface 119.例文帳に追加
ｐ型コンタクト層は、受光面１１９の直下に形成されている。 - 特許庁
The element is constituted, by using a p-type layer where a low resistance material of the nonstoichiometric composition is bonded to a surface of the p-type layer.例文帳に追加
また、ｐ型層の表面に非化学量論的な組成の低抵抗材料を接合させたｐ型層を利用して構成しても良い。 - 特許庁
A p-type impurity is embedded in the groove by a selective epitaxial growth, to form a p-type epitaxial layer and then the oxide film is removed.例文帳に追加
そして、選択エピタキシャル成長によって溝部分にｐ型不純物を埋め込み、ｐ型エピタキシャル層を形成し酸化膜を除去する。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加
ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁
The photoelectromotive force generated in the p-type silicon substrate 2 can be enhanced.例文帳に追加
ｐ型シリコン基板２内で発生する光起電力を大きくできる。 - 特許庁
A current striction section 50 including a current constriction layer 51 and intermediate layers 52 and 53 is provided between a 1st p-type clad layer 41A and 2nd p-type clad layer 41B made of p-type AlGaInP mixed crystal.例文帳に追加
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶よりなる第１ｐ型クラッド層４１Ａおよび第２ｐ型クラッド層４１Ｂの間に、電流狭窄層５１と中間層５２，５３とを含む電流狭窄部５０を設ける。 - 特許庁
A P-type semiconductor region 106 is disposed in the active region 115.例文帳に追加
活性領域１１５にＰ型半導体領域１０６が配される。 - 特許庁
The p-type silicon substrate 1 has been manufactured with the CZ method and obtains p-type characteristics by introducing boron as an impurity.例文帳に追加
ｐ型シリコン基板１は、ＣＺ法によりシリコン基板の製造が行われ、また不純物であるボロンを導入し、ｐ型の特性を得ている。 - 特許庁
Next, p-type silicon is epitaxially grown on an inner face of the trench 13, whereby a p-type silicon peeler 14 is embedded in the trench 13.例文帳に追加
次に、トレンチ１３の内面上にｐ型シリコンをエピタキシャル成長させることにより、トレンチ１３内にｐ型シリコンピラー１４を埋設する。 - 特許庁
Thus, voltage can speedily be transmitted to the p-type body layer 3a, and fixing capacity of voltage in the p-type body layer 3a can be improved.例文帳に追加
よって、Ｐ型ボディ層３ａへの電圧の伝達が素早く行え、Ｐ型ボディ層３ａにおける電圧の固定能力が向上する。 - 特許庁
The MOSFET region 10 includes a p+ type diffusion region 5 provided in a p type base region 3 and having a first impurity concentration.例文帳に追加
ＭＯＳＦＥＴ領域１０は、ｐ型ベース領域３に設けられ第１の不純物濃度を有するｐ＋型拡散領域５を備える。 - 特許庁
A p+-type diffused layer 21 provided at the upper part of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
半導体基板１１の上部にｐ^+ 型の拡散層２１を設ける。 - 特許庁
A ridge 28 is formed by selectively etching the p-type InGaAsP contact layer 26 and the second p-type InP clad layer 24 by using the p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 as an etching stopper layer.例文帳に追加
そして、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２をエッチングストッパ層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２６及び第２のｐ型ＩｎＰクラッド層２４が選択エッチングされてリッジ２８が形成されている。 - 特許庁
The front surface semiconductor region 154 includes a p-type impurity.例文帳に追加
表面部半導体領域１５４は、ｐ型の不純物を含んでいる。 - 特許庁
A hydrogen adsorption layer 221 containing a metal occluding hydrogen is provided located between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加
ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に位置して、水素を吸着する金属を含む水素吸着層２２１が設けられている。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 17 is formed on the active layer 15.例文帳に追加
ｐ型半導体層１７は、活性層１５上に設けられている。 - 特許庁
The P type column region 106 in the outer circumferential region is formed deeper than the P type column region 106 in the element forming region.例文帳に追加
外周領域のＰ型コラム領域１０６は、素子形成領域のＰ型コラム領域１０６の深さ以上の深さに形成される。 - 特許庁
The light emitting element 100 includes a first groove 108 formed on a surface on a side of a p-type layer 104 bonded to a p-type electrode 103.例文帳に追加
発光素子１００は、ｐ型層１０４のｐ電極１０３と接合している側の表面に、第１の溝１０８が形成されている。 - 特許庁
Partial parts of the p-type GaN layer 4 and the active layer 3 are removed, and a transparent electrode layer 5 is formed over the entire surface of the remaining p-type GaN layer 4.例文帳に追加
ｐ型GaN層４及び活性層３の一部を除去して残存したｐ型GaN層４の全面に透明電極層５を形成する。 - 特許庁
A first trench 108 is formed on a surface of the p-type layer 104 facing the p-electrode 103 with a depth reaching the n-type layer 106.例文帳に追加
ｐ型層１０４のｐ電極１０３側の表面に、第１の溝１０８が形成され、ｎ型層１０６に達する深さである。 - 特許庁
A collector electrode 12 is connected to the p^+-type collector region 11.例文帳に追加
ｐ^＋型コレクタ領域１１にコレクタ電極１２が接続されている。 - 特許庁
The light emitting element 100 has a p-electrode 103, a p-type layer 104, an active layer 105, and an n-type layer 106 on a ceramic substrate 101.例文帳に追加
発光素子１００は、セラミック基板１０１上にｐ電極１０３、ｐ型層１０４、活性層１０５、ｎ型層１０６を有している。 - 特許庁
In addition, a p-type GaAs contact layer 10 and a p-type electrode 11 are successively formed on the second clad layer 8 and current blocking layers 9.例文帳に追加
第二のクラッド層８上及び電流ブロック層９上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０、Ｐ型電極１１を順次有している。 - 特許庁
The p-type InGaAlP cladding layer 36 is formed into a cross-sectionally trapezodal shape smaller than the p-type InGaP etching stop layer 35.例文帳に追加
ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６は、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５よりも幅狭な断面台形状に形成されている。 - 特許庁
Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加
第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁
The P^+-type layer is diffused from a substrate surface to a depth d1.例文帳に追加
Ｐ^+型層は基板表面から深さｄ１まで拡散されている。 - 特許庁
The p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 is present on the whole surface between the ridge 28 and the first p-type InP clad layer 20.例文帳に追加
リッジ２８と第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０との間の全面にｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２が存在する。 - 特許庁
Almost the same current as the p-type transistor P0 which does not depend on temperature runs in each p-type transistor of the inverter circuits because the p-type transistor P0 and each transistor of the inverter circuit constitute a current mirror.例文帳に追加
ｐ型トランジスタＰ０とインバータ回路の各ｐ型トランジスタはカレントミラーを構成しているので、インバータ回路の各ｐ型トランジスタには、温度に依存されないｐ型トランジスタＰ０とほぼ等しい電流が流れる。 - 特許庁
In addition, a p-type channel 6 is formed at the intermediate depth of the p-type well 5b by implanting B+ ions into the epitaxial layer 2 by using the resist 4 as a mask.例文帳に追加
更に、レジスト４をマスクとしてＢ^+をイオン注入することにより、ｐ型ウェル５ｂの中間深さにｐ型チャネル６を形成する。 - 特許庁
The surface of a p-type substrate 1 is formed with varactor elements 13 and 14.例文帳に追加
Ｐ型基板１の表面にバラクタ素子１３及び１４を設ける。 - 特許庁
In a light emitting diode 1, a light transmitting layer 3, a p-type AlGaAs active layer 4, and an n-type AlGaAs cladding layer 5 are epitaxially grown and sequentially formed on a p-type GaAs semiconductor substrate 2.例文帳に追加
発光ダイオード１において，ｐ型ＧａＡｓの半導体基板２の上に，透過層３，p型ＡｌＧａＡｓ活性層４，ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５が順次エピタキシャル成長によって形成されている。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SrCu2O2 THIN FILM DOPED WITH CaO例文帳に追加
ＣａＯがドープされたｐ型のＳｒＣｕ２Ｏ２薄膜の製造方法 - 特許庁
A base electrode 54c is electrically connected to a p^+-type semiconductor region 41 formed in the p-type well 28 via a plug 53c.例文帳に追加
ｐ型ウエル２８に形成されたｐ^+型半導体領域４１は、プラグ５３ｃを介してベース電極５４ｃが電気的に接続されている。 - 特許庁
FORMING METHOD OF OXIDE FILM AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
酸化膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁
A P-type contact layer 101 and a first electrode layer 113 are formed on a ridge part 120 provided in a P-type clad layer 112.例文帳に追加
ｐ型クラッド層１１２に設けられたリッジ部１２０の上に、ｐ型コンタクト層１０１および第一の電極層１１３を形成する。 - 特許庁
When the thus formed P-type doped polysilicon film 18, the N-type doped polysilicon film 1' are used for the dual gates, characteristics of the device are improved.例文帳に追加
このように形成したP型ドープトポリシリコン膜１８とN型ドープトポリシリコン膜１８’とデュアルゲートに用いると、デバイスの特性が向上する。 - 特許庁
Heat treatment is performed after introducing the p-type impurities and the fluorine.例文帳に追加
そして、ｐ型不純物とフッ素との導入後に、加熱処理を行う。 - 特許庁
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