「PERITECTIC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To prevent any longitudinal crack caused by the initial solidification phenomenon in a mold, in the continuous casting of sub-peritectic and low-alloy steel.例文帳に追加

亜包晶鋼でかつ低合金鋼の連続鋳造において、鋳型内の初期凝固現象に起因した縦割れを防止する。 - 特許庁

In the continuous casting method of hypo-peritectic and low-alloy steel, a vertical-bending type continuous casting machine is used.例文帳に追加

垂直曲げ型の連続鋳造機を使用する亜包晶鋼でかつ低合金鋼の連続鋳造方法である。 - 特許庁

To provide a method for continuously casting a hyper-peritectic medium carbon steel at a low speed without developing a constrained breakout.例文帳に追加

過包晶中炭素鋼を拘束性ブレークアウトを発生させずに低速で連続鋳造する方法の提供。 - 特許庁

As a raw material for refining, a raw material for refining the aluminum is used, in which the raw material contains the peritectic element and boron, and the amount of the boron is contained excessively by 5-80 mass ppm to the total chemical equivalent calculated as a metal boride with the peritectic element.例文帳に追加

精製に供する原料として、包晶元素およびホウ素を含み、ホウ素が包晶元素との金属ホウ化物として計算される合計化学当量よりも５〜８０質量ｐｐｍ過剰に含有されてなるアルミニウム精製用原料を使用する。 - 特許庁

In the reaction chamber 2A, the metal boride is formed by reacting the peritectic element with the boron in the molten metal, and the formed metal boride and the metal boride formed during the melting step, are removed.例文帳に追加

反応室２Ａにおいて、溶湯中の包晶元素とホウ素とを反応させて金属ホウ化物を生成させ、生成した金属ホウ化物および前記溶解工程で生成した金属ホウ化物を除去する。 - 特許庁

The melting point of a low-Au-containing alloy produced at an ordinary cooling speed is disturbed by a non-equilibrium peritectic reaction, and becomes lower than the melting point on the equilibrium diagram.例文帳に追加

通常の冷却速度により作成された低Ａｕ組成合金の融点は、包晶反応が非平衡により崩れ、平衡状態図上の融点を下回る。 - 特許庁

To provide a continuously cast bloom of medium carbon steel, a cast bloom free from vertical cracks by adjustably adding a carbon source in a casting mold so that a peritectic transformation region is avoided by carbon contents of a solidified shell, and also to provide a manufacturing method of the cast bloom.例文帳に追加

凝固シェルの炭素含有量が包晶変態域を回避するように鋳型内で炭素源を添加調整し、縦割れのない中炭素鋼の連続鋳造鋳片とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a continuous casting method for a peritectic steel at a high speed, with which a good quality cast slab can be obtd. without generating breakout, etc., and developing a longitudinal crack.例文帳に追加

ブレークアウトなどの発生がなく、縦割れのない良好な品質の鋳片を得ることができる包晶鋼の高速での連続鋳造方法の提供。 - 特許庁

To provide a continuous casting method, which can prevent the crack on the surface of a cast slab, and also can surely prevent the seizure, the breakout, etc. of molten steel to the casting mold when a hypo-peritectic steel is manufactured by the continuous casting method.例文帳に追加

亜包晶鋼を連続鋳造するに際し、鋳片の表面割れを防ぐと共に溶鋼の鋳型への焼き付きやブレークアウト等を確実に防止する。 - 特許庁

To provide a method for continuously casting a steel slab which can effectively prevent product defects and surface cracks developing when low carbon steel is continuously cast at high speed, and further prevent longitudinal cracks streak-like cracks and the development of the streak arising regardless of the casting speed in the steel which shows peritectic solidification transformation or δ-γ solidification.例文帳に追加

低炭素鋼を高速で連続鋳造する際に生ずる製品欠陥や表面割れ、また包晶凝固変態する鋼やδ−γ凝固する鋼で鋳造速度によらず生ずる縦割れ、ストリーク状割れ、ストリークの発生を効果的に防止可能なスラブ連続鋳造方法を提案する。 - 特許庁

The molten steel 1 (hypo-peritectic steel) is poured into a casting mold 5 having a slow cooling portion 13 on its upper portion, and a casting mold flux 14 containing 0 to 2 mass% of fluorine is supplied into the casting mold 5 in order to prevent the contact of the casting mold 5 with the molten steel 1, and cast slabs 2 are continuously cast.例文帳に追加

溶鋼１（亜包晶鋼）を上部側に徐冷部１３が形成されている鋳型５に注入し、該鋳型５と溶鋼１とが接触することを防ぐべくフッ素含有量が０〜２ｍａｓｓ％である鋳型フラックス１４を鋳型５に投入して、鋳片２を連続的に鋳造する。 - 特許庁

This growth method comprises: using an Si-C system melt that has a composition being between the peritectic point and eutectic point in the Si-C two component system phase diagram, as a raw material melt; and bringing the raw material melt into contact with an Si substrate or an SiC film formed on an Si substrate, to perform epitaxial growth of an SiC crystal on the Si substrate or SiC film.例文帳に追加

この液相エピタキシャル成長方法は、Ｓｉ−Ｃの２成分系状態図に示される包晶点と共晶点間の組成を有するＳｉ−Ｃ系融液を原料融液とし、この原料融液とＳｉ基板若しくはＳｉ基板上に設けられたＳｉＣ膜とを接触させて上記Ｓｉ基板上若しくはＳｉＣ膜上にＳｉＣ結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする。 - 特許庁