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SUSCEPTORを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1365件
WAFER EVALUATION METHOD AND SUSCEPTOR EVALUATION METHOD例文帳に追加
ウェーハの評価方法及びサセプタの評価方法 - 特許庁
A susceptor 14 serving as both the lower electrode and a substrate holding base has an upper susceptor electrode 16 and a lower susceptor electrode 18 which are divided into two.例文帳に追加
下部電極と基板保持台を兼ねるサセプタ14は、上下に2分割された上部サセプタ電極16および下部サセプタ電極18を有している。 - 特許庁
To provide a susceptor manufacturing method in which no deflection is generated in the susceptor after its surface is coated, and a substrate processing device using the susceptor by the method.例文帳に追加
表面コーティング後もサセプタに撓みを発生させないサセプタの製造方法およびその方法によるサセプタを使用した基板処理装置を提供する。 - 特許庁
A susceptor 72 installed on the upper surface of a hot plate 71 is divided into a center susceptor 721, a middle susceptor 722, four edge susceptors 723, and four outer periphery susceptors 724 with being separated from each other.例文帳に追加
ホットプレート71の上面に設置されるサセプタ72は、サセプタ中央721、サセプタ中間722、4個のサセプタ端縁723、4個のサセプタ外周724に分割分離されている。 - 特許庁
METHOD OF DETECTING ECCENTRICITY IN SUSCEPTOR OF VAPOR PHASE DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加
気相成長装置のサセプタ偏心検知方法 - 特許庁
To suppress the corrosion caused by the chemical reaction of a susceptor made from CFC and to increase the service life of the susceptor.例文帳に追加
CFCからなるサセプタの化学反応による腐食を抑制し、サセプタ寿命を高めること - 特許庁
EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND SUSCEPTOR USED THEREFOR例文帳に追加
エピタキシャル成長装置およびそれに用いるサセプター - 特許庁
The susceptor 1 has a countersink 2 for positioning the supported semiconductor wafer W with respect to the susceptor 1.例文帳に追加
サセプタ1に対し支持状態で半導体基板Wを位置決めさせるための座ぐり2を有する。 - 特許庁
The susceptor supporting member 8 covers the rear surface of the mounting portion of the semiconductor wafer W with the susceptor 20.例文帳に追加
サセプタ支持部材8は、上記サセプタ20で半導体ウェーハWの搭載部分の裏面を覆う。 - 特許庁
SUPPORT STRUCTURE OF SUSCEPTOR FOR HEAT TREATING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウエハの熱処理用サセプタの支持構造 - 特許庁
SUSCEPTOR FOR VAPOR DEPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
気相成長用サセプター及びその製造方法 - 特許庁
Work coils 20 are provided under the lower side of the susceptor 15.例文帳に追加
サセプタ15の下側にワークコイル20を設ける。 - 特許庁
The support member supports an outer circumference part of the susceptor 3.例文帳に追加
支持部材は、サセプタ3の外周部を支持する。 - 特許庁
A vapor growth apparatus including the susceptor, and a method of manufacturing an epitaxial wafer using the susceptor are provided.例文帳に追加
前記サセプタを含む気相成長装置および前記サセプタを使用するエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁
The susceptor 102 includes a ring-shaped first susceptor portion 102a for supporting the outer periphery of a silicon wafer 101 and a second susceptor portion 102b provided in contact with the outer periphery of the first susceptor portion 102a and shielding an opening of the first susceptor portion 102a.例文帳に追加
サセプタ102は、シリコンウェハ101の外周部を支持するリング状の第1のサセプタ部102aと、第1のサセプタ部102aの外周部に接して設けられ、第1のサセプタ部102aの開口部分を遮蔽する第2のサセプタ部102bとを有する。 - 特許庁
WAFER FOR REMOVING FOREIGN MATTER, AND CLEANING METHOD OF SUSCEPTOR例文帳に追加
異物除去用ウェーハ及びサセプタのクリーニング方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND CLEANING METHOD OF SUSCEPTOR例文帳に追加
半導体製造装置およびサセプタのクリーニング方法 - 特許庁
A heat 41 used for heating the wafer W through the susceptor 50 has a split heater 41A for susceptor-in and another split heater 41B for susceptor-out having a heating intensity which is different from that of the heater 41A.例文帳に追加
サセプタ50を介してウェハWを加熱するヒータ41は、加熱度合いが異なる分割されたサセプタイン用ヒータ41A、サセプタアウト用ヒータ41Bを有する。 - 特許庁
To narrow the temperature distribution of a susceptor even if the set temperature of the susceptor is made high in heating a semiconductor on the susceptor in a chamber.例文帳に追加
チャンバー内でサセプター上の半導体を加熱処理するのに際して、サセプターの設定温度を高くした場合にもサセプターの温度分布を低減できるようにする。 - 特許庁
To narrow the temperature distribution of a susceptor even if the set temperature of the susceptor is made high at the time of thermally treating a semiconductor on the susceptor in a chamber.例文帳に追加
チャンバー内でサセプター上の半導体を加熱処理するのに際して、サセプターの設定温度を高くした場合にもサセプターの温度分布を低減できるようにすることである。 - 特許庁
A susceptor 1 is provided with a susceptor body 2 and a step part 3 that is provided on the susceptor body 2, is one size smaller than a substrate 4, and supports the substrate 4 from a lower part.例文帳に追加
サセプタ1は、サセプタ本体2と、サセプタ本体2の上に設けられ、基板4よりも一回り小さいサイズで形成され、基板4を下から支える段差部3を備える。 - 特許庁
To provide a susceptor for chemical vapor deposition with which no temperature difference is generated between regions of the susceptor resulting in a semiconductor substrate supported by the susceptor which will not cause slippage due to the temperature difference.例文帳に追加
サセプタの各領域間で温度差が生じず、サセプタに支持された半導体基板に温度差によるスリップが発生しない化学気相成長用サセプタを提供する。 - 特許庁
METHOD FOR DETECTING SUSCEPTOR FRICTION IN VAPOR PHASE EPITAXY DEVICE例文帳に追加
気相成長装置におけるサセプタ擦れ検知方法 - 特許庁
SUSCEPTOR FOR DEPOSITION PROCESS EQUIPMENT, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加
蒸着工程装置用サセプタ及びその製造方法 - 特許庁
VAPOR PHASE FILM DEPOSITION SYSTEM, SUSCEPTOR AND VAPOR PHASE FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加
気相成膜装置、サセプタおよび気相成膜方法 - 特許庁
A wafer 10 is supported on a ring-shaped susceptor 12.例文帳に追加
ウエーハ10はリング状のサセプタ12上に支持される。 - 特許庁
Then, a susceptor failure detecting means 5 compares the measured susceptor temperature and a reference temperature previously established.例文帳に追加
次いで、サセプタ異常判定手段5が測定されたサセプタ温度と、予め設定された基準温度とを比較する。 - 特許庁
The susceptor 4 is arranged in the reaction chamber 3, and an induction heating coil 5 is arranged on the lower side of the susceptor.例文帳に追加
反応室3内にはサセプタ4が配置され、その下側に誘導加熱用コイル5が配置されている。 - 特許庁
To improve a temperature control property of a susceptor without weakening mechanical strength by reducing a thickness of the susceptor body.例文帳に追加
機械的強度を弱くすることなくサセプタ本体の厚さを薄くして、サセプタの温度コントロール性を向上する。 - 特許庁
SUSCEPTOR, AND DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法 - 特許庁
A semiconductor wafer W is placed on the susceptor 14.例文帳に追加
サセプタ14上に半導体ウエハWが載置される。 - 特許庁
SUSCEPTOR AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS INCLUDING THE SAME例文帳に追加
サセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置 - 特許庁
SUSCEPTOR AND METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER USING THE SAME例文帳に追加
サセプタ及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 - 特許庁
SUSCEPTOR, CVD UNIT, FILM-FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
サセプタ、CVD装置、成膜方法、および半導体装置 - 特許庁
ROTARY SUSCEPTOR SUPPORT MECHANISM OF SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING APPARATUS例文帳に追加
半導体ウェハ製造装置の回転式サセプタ支持機構 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF BONDED WAFER AND SUSCEPTOR FOR WAFER例文帳に追加
貼り合わせウェーハの製造方法及びウェーハ載置用サセプタ - 特許庁
A susceptor 14 and a heater 16 are provided in a reaction chamber 10, and a semiconductor wafer 15 is mounted on the susceptor 14.例文帳に追加
反応室10内にサセプタ14およびヒータ16を設け、サセプタ14上に半導体ウエハ15を載置する。 - 特許庁
SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUSCEPTOR HOLDING APPARATUS AND SUBSTRATE HOLDING APPARATUS例文帳に追加
基板処理システム、サセプタ支持装置及び基板支持装置 - 特許庁
SUSCEPTOR, VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND METHOD FOR VAPOR PHASE EPITAXY例文帳に追加
サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 - 特許庁
The susceptor 5 includes a base member 20 and a soaking member 28.例文帳に追加
サセプタ5は、ベース部材20と均熱部材28とを含む。 - 特許庁
SUSCEPTOR FOR VAPOR DEPOSITION APPARATUS, AND VAPOR DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加
気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置 - 特許庁
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