「VDs」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, the drain-source voltage Vds rises to Vds1 (>0) during an interval when the gate terminal voltage Vg is lower than Vg1 and since a current flows into a capacitor C, the voltage Vc across the capacitor C rises from Vc1 to Vc2.例文帳に追加

これにより、ゲート端子電圧Ｖｇが電圧Ｖｇ１より小さい期間、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが電圧Ｖｄｓ１（＞０）に上昇し、その電圧によりコンデンサＣに電流が流れ、該コンデンサＣの両極間の電圧Ｖｃが電圧Ｖｃ２からＶｃ１に上昇する。 - 特許庁

Since the drain current Id can be suppressed quickly to an appropriate level depending on the drain-source voltage Vds of the drive switching element through combination of different conditions, heat stress of the drive switching element is reduced and tolerance thereof can be enhanced.例文帳に追加

これにより、異なった条件の組合せにより、駆動スイッチング素子をそのドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓに応じて、適正レベルのドレイン電流Ｉｄに速やかに抑制でき、駆動スイッチング素子の熱ストレスを低減することで、その耐性を向上することが可能となる。 - 特許庁

The voltage (V1-V2)becomes larger than the between terminal voltage VDS of the FET (T1) because of existence of voltage drop caused by the resistance Rp of the copper foil pattern 4, consequently the affection caused by the offset voltage Voff of the comparator CMP1 can be reduced.例文帳に追加

この際、銅箔パターン４が有する抵抗Ｒｐによる電圧降下分が存在するので、電圧（Ｖ１−Ｖ２）はＦＥＴ（Ｔ１）の端子間電圧ＶDSよりも大きくなり、結果として、比較器ＣＭＰ１が有するオフセット電圧Ｖoffによる影響を低減することができる。 - 特許庁

Furthermore, the charging control IC11 makes the gate/source voltage VGS of the transistor Q2 changes, increases the drain/source resistance RDS of the transistor Q2, and increases the drain/source voltage VDS of the transistor Q2 so as to keep the value of the battery voltage VBATT constant (V1).例文帳に追加

充電制御用ＩＣ１１はトランジスタＱ２のゲート・ソース間電圧ＶＧＳを変化させ、トランジスタＱ２のドレイン・ソース間抵抗ＲＤＳを大きくし、トランジスタＱ２のドレイン・ソース間電圧ＶＤＳを大きくすることで、電池電圧ＶＢＡＴＴの値をＶ１一定になるように制御する。 - 特許庁

An LDMOS (Lateral Diffused MOS) FET1, having a grounded source terminal, operates as a source-grounded amplifier through the application of a gate voltage Vgs from a gate bias terminal 3 via a temperature compensating circuit 2 and a choke coil and through the application of a drain voltage Vds from a drain bias terminal 4 via the choke coil, respectively.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳ ＦＥＴ１は、ソース端子が接地され、ゲートバイアス端子３から温度補償回路２およびチョークコイルを介してゲート電圧Ｖｇｓが、またドレインバイアス端子４からチョークコイルを介してドレイン電圧Ｖｄｓがそれぞれ印加され、ソース接地型増幅器として動作する。 - 特許庁

Among two or more identical conductive MOSFETs, which are connected in series in the circuit, the channel lengths of the MOSFETs are given a large absolute value |VDS| between the drain, and the source is made larger than those of the other MOSFETs, thereby reducing leakage current.例文帳に追加

回路内にある直列に接続された２つ以上の同一導電型のＭＯＳＦＥＴのうち、大きなドレイン・ソース間電圧の絶対値｜ＶＤＳ｜が加わるＭＯＳＦＥＴのチャネル長を他のＭＯＳＦＥＴのチャネル長よりも大きくすることによって、漏れ電流を削減する。 - 特許庁

By making the current (I2-I4) flow through the resistor R16, the large voltage V16 proportional to the V1-V2 (=VDS) is generated, and the voltage V5 determined by summing the voltage V16 and the voltage (V1-V2) is supplied to the comparator CMP 1 for comparing with the overcurrent determination voltage V4.例文帳に追加

そして、抵抗Ｒ１６に電流（Ｉ２−Ｉ４）を流すことにより、Ｖ１−Ｖ２（＝ＶDS）に比例した大きさの電圧Ｖ１６を発生させ、この電圧Ｖ１６と（Ｖ１−Ｖ２）を足し合わせた電圧Ｖ５を、比較器ＣＭＰ１に供給して、過電流判定電圧Ｖ４との比較を行う。 - 特許庁

A control circuit 38 decides a power supply voltage on the basis of level information denoting a signal input level to an amplifier employing a field effect transistor FET for an amplifier element and controls a switch section 42 depending on the result to change-over a drain-source voltage Vds that is the power supply voltage.例文帳に追加

ＦＥＴ Ｔｒを増幅素子として用いる増幅器への信号入力レベルを示すレベル情報に基づき、制御回路３８が電源電圧の値を決め、その結果に応じスイッチ部４２を制御して電源電圧たるドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓを切り換える。 - 特許庁

An overvoltage detecting circuit 3 sets VDS(voltage between the source and the drain) of two MOS transistors MD1, MD2 as reference voltages, monitors a DC voltage supplied from the surge protective circuit 2, detects an overvoltage, and cuts off an MOS transistor M2, thereby protecting a load F1.例文帳に追加

過電圧検出回路３は、２個のＭＯＳトランジスタＭＤ１、ＭＤ２のＶＤＳ(ソース・ドレイン間電圧)を基準電圧として、これによりサージ保護回路２から供給された直流電圧を監視し、過電圧を検出し、ＭＯＳトランジスタＭ２を遮断して負荷Ｆ１を保護する。 - 特許庁

The power source controller 7 controls the output voltage of the variable DC power source 3 based on If-Vf characteristic data D2, voltage drop characteristic data D3, and Vds setting data D4 stored in a memory unit 8 so that the voltage between the terminals of the current driving element 4 is constant regardless of the magnitude of the current If.例文帳に追加

電源制御部７は、メモリ部８に記憶されたＩｆ−Ｖｆ特性データＤ２、電圧降下特性データＤ３およびＶｄｓ設定データＤ４に基づいて、電流駆動素子４の端子間電圧が電流Ｉｆの大きさに関わらず一定となるように、可変ＤＣ電源３の出力電圧を制御する。 - 特許庁

The power control unit 11 is composed of an FET 4 serially connected to a driving coil 3, a snubber circuit 12 and an operation signal output part 17 and the operation signal output part 17 is composed of a driving signal generating circuit 18, a Vds detecting circuit 19, a voltage resistance discriminating circuit 20, an OR circuit 21 and an element operating circuit 22.例文帳に追加

電力制御装置１１を、駆動コイル３に直列接続された電界効果型トランジスタ４、スナバ回路１２、作動信号出力部１７から構成し、作動信号出力部１７を、駆動信号発生回路１８、Ｖds検出回路１９、耐電圧判定回路２０、オア回路２１、素子作動回路２２から構成する。 - 特許庁

When the motor drive current is large at the time of starting or the like, voltages Vds of output transistors 13 to 18 in switching the energization are low and the slope of the motor drive current cannot be controlled, and a signal having a short energizing period is outputted to eliminate a two-phase on-state to prevent the motor drive current from occurring.例文帳に追加

起動時などモータ駆動電流が大きく、通電切換時の出力トランジスタ１３〜１８の電圧Ｖｄｓが小さくて、モータ駆動電流のスロープが制御できないとき、通電期間の短い信号を出力して２相ＯＮの状態を無くしモータ駆動電流の歪発生を防ぐ。 - 特許庁

If an overcurrent causes a voltage Vds between the drain and the source of the MOSFET Q1 to exceed a reference voltage Vref1, a comparator CP1 turns on the transistor Q31 to clamp the voltage between the drain and the source of the MOSFET Q1 to the Zener voltage Vzd1 of the Zener Diode ZD1 so that the overcurrent is suppressed.例文帳に追加

過電流が流れてＭＯＳＦＥＴＱ１のドレイン−ソース間電圧Ｖdsが基準電圧Ｖref1を超えたとき、コンパレータＣＰ１によりトランジスタＱ３１がオン制御され、ＭＯＳＦＥＴＱ１のドレイン−ソース間電圧が、ツェナーダイオードＺＤ１のツェナー電圧Ｖzd1にクランプされ、過電流が抑えられる。 - 特許庁

A determination means 60 determines that each of predetermined voltages (DCLNA, TRCC) is adequately applied to unit attachment components via the first voltage application line L3 and the second voltage application line L4 in a case where an inspection current detected by a current detection section 92 is equal to or larger than a predetermined value in response to the application of the inspection voltage Vds.例文帳に追加

判断手段６０は、検査電圧Ｖｄｓの印加に対応して、電流検出部９２によって検出される検出電流が所定値以上である場合、第１電圧印加ラインＬ３および第２電圧印加ラインＬ４を介したユニット装着部品への各所定電圧（ＤＣＬＮＡ、ＴＲＣＣ）の印加が正常になされると判断する。 - 特許庁

A drain of an output EFT 11 in an open drain structure activated by a CPU 13 in an IC is connected to a display output port 10 to an LED 2 that displays internal information of the IC 1, and then a voltage Vds of a port 10 can be monitored by the CPU 13 through a buffer circuit 12, where the port 10 can be made an input-output port structure.例文帳に追加

ＩＣ１のＣＰＵ１３により駆動されるオープンドレイン構成の出力ＦＥＴ１１のドレインを、ＩＣ１の内部情報を表示するＬＥＤ２への表示出力用ポート１０に接続し、さらにＣＰＵ１３がバッファ回路１２を介してポート１０の電圧Ｖdsを監視できるようにし、ポート１０を入出力ポート構成とする。 - 特許庁

Here, a diode Dc, which is conducted when the parasitic capacitance Cs is charged by the resonance current of the current resonance circuit 5 after the switching element S1 is turned on and when a voltage between the drain and the source VDS of the switching element S1 is increased up to an output voltage Vo, is connected between one end of the switching element S1 and the line of the output voltage Vo.例文帳に追加

ここでは、スイッチング素子Ｓ１がオン状態になった後、電流共振回路５の共振電流によって寄生容量Ｃｓが充電され、スイッチング素子Ｓ１のドレイン・ソース間電圧ＶDSが出力電圧Ｖｏまで上昇すると導通するダイオードＤｃを、スイッチング素子Ｓ１の一端と出力電圧Ｖｏのラインとの間に接続している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A level shift circuit 200 consisting of a reference generating part 220 for generating a reference voltage with the potential of the low potential side terminal of the differential transistor as reference potential and a voltage shift part 210 made to operate by the reference voltage and for performing voltage drop is inserted as a means for operating the differential transistor outside the stable operation area, and Vds applied to the differential transistor is thereby determined.例文帳に追加

安定動作領域外で差動トランジスタを動作させる手段として、差動トランジスタの低電位側端子の電位を基準電位としてリファレンス電圧を発生するリファレンス発生部２２０と、差動トランジスタよりも高電位側に挿入され、リファレンス電圧により動作して電圧降下を行う電圧シフト部２１０と、からなるレベルシフト回路２００を挿入し、これにより差動トランジスタにかかるＶｄｓを決定する構成とする。 - 特許庁